「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目)

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Cu-Inの意味・解説 > Cu-Inに関連した英語例文

>"Cu-In"に完全一致する例文のみを検索する

セーフサーチ：オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

意味

例文

類語

Cu-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2149件

＜前へ 1 2 .... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 .... 42 43 次へ＞

例文

To obtain a rubber reinforcing material in which the Cu plated layer of steel wire does not has a defect part, the thickness of the Cu plated layer is a limit necessary for initial adhesion and progress of crosslinking reaction with passage of time is avoided as much as possible while surely preventing unevenness of adhesion by crosslinking reaction.例文帳に追加

スチール素線のＣｕめっき層の欠損部分がなく、かつ、当該Ｃｕめっき層の厚さを初期接着に必要な限度として、架橋反応による接着のむらを確実に防止しつつ、時間の経過に伴う架橋反応の進行を可及的に回避できるようにすること。 - 特許庁

In preparing a catalyst comprising a combination represented by general formula Cu/Zn/M (wherein, M is at least one kind of a metal selected from the group consisting of Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd and Au), the spherical fine particle catalyst precursor is prepared using a precipitative sedimentation method.例文帳に追加

一般式：Cu/Zn/M(但し、M は任意成分であり、Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd及びAuからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属）からなる組み合わせの触媒を調製するに当たり、尿素を用いた析出沈殿法による球状微粒子触媒前駆体を調製する。 - 特許庁

(3) In the Al-Cu joined structure manufacturing method, when brazing the Al member and the Cu member by using Al-Si brazing filler metal, Ag is used for the insert of the joining surface thereof, the brazing temperature is > 813°K, and the Ag layer is remained thereon.例文帳に追加

（３）Ａｌ−Ｓｉ系のろう材を用いてＡｌ部材とＣｕ部材とをろう付け接合するに際し、これらの接合面のインサート材としてＡｇを用い、ろう付け温度を８１３Ｋ超えとして、当該Ａｇ層を残存させることを特徴とするＡｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法である。 - 特許庁

Cu-containing steel is used as material for the battery case, nickel plated to the steel, and the steel plate is formed in the container by drawing or squeezing, or after that, the container is heated to precipitate Cu to enhance the strength of the container and to use as the case for the battery.例文帳に追加

Ｃｕを含有させた鋼を電池ケース用材料として用い、これにＮｉめっきを施した電池ケース用めっき鋼板を絞り加工や絞りしごき加工で容器に成形し、若しくはその後さらに加熱してＣｕを析出させることにより、容器の強度を高めた電池用ケースとする。 - 特許庁

例文

The fiber can be produced by binding a Ag ion and/or a Cu ion with at least a part of the carboxy group of the crosslinked fiber, and subjecting the resultant fiber to alkali treatment to deposit and immobilize the Ag and/or Cu in an ultrafine particle shape with a nano-level size on the fiber surface.例文帳に追加

この繊維は、架橋繊維のカルボキシル基の少なくとも一部にＡｇイオンおよび／またはＣｕイオンを結合させた後、アルカリ処理によって、Ａｇおよび／またはＣｕを繊維表面にナノサイズレベルの超微粒子状に析出固着させることにより製造することができる。 - 特許庁

例文

To provide a Cu-Zr base copper ailloy having high strength, high electroconductivity, high elongation and excellent in hot workability and cold workability, and to provide a method for manufacturing the same and a copper alloy strip or a copper alloy foil for electronic/electric parts applying the Cu-Zr based on copper alloy.例文帳に追加

高強度、高導電率及び高い伸びを有し、しかも熱間及び冷間加工性に優れるＣｕ−Ｚｒ系銅合金及びその製造方法、並びに該Ｃｕ−Ｚｒ系銅合金を適用した電気・電子部品用の銅合金条又は銅合金箔を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method using an organic resist capable of development and peeling by an alkaline solution, of a Cr/Cu/Cr wiring struc tural body having a small exposure quantity of an undercut in a lower layer Cr (chromium) film and a Cu (copper) layer on the upper layer, and a plasma display panel using it as an electrode.例文帳に追加

下層Ｃｒ膜のアンダーカットと上面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体とそれを電極に用いたプラズマディスプレイパネルの、アルカリ性溶液による現像と剥離が可能な有機レジスト用いた製造方法を提供すること。 - 特許庁

By setting the diameter of a NbTi filament 17 embedded in the Cu/NbTi-based reinforcing material layer 11 is set at an appropriate value, its strength can be enhanced, and, when the diameter of the NbTi filament 17 is set to 10-40 μm, the tensile strength of the elemental NbTi filament 17 can be set over 600 MPa.例文帳に追加

Cu/NbTi系強化材層１１に埋設されたNbTiフィラメント１７の径を適切な値にすることで、その強度を高めることができ、NbTiフィラメント１７の径を10μｍ以上40μｍ以下とした場合には、NbTiフィラメント１７単体の引張強度を600MPa超とすることが可能となる。 - 特許庁

In the method for inspecting the coverage of a PVD-Cu film formed on the inner wall of the contact hole, an area having 25% or greater of a numerical aperture of the contact hole is irradiated with laser light, and the coverage of the PVD-Cu film is inspected by measuring the intensity of the reflected laser light.例文帳に追加

コンタクトホールの内壁に形成されたＰＶＤ−Ｃｕ膜のカバレージを検出する方法であって、コンタクトホールの開口率が２５％以上である領域にレーザ光を照射し、反射されたレーザ光の強度を測定することによりＰＶＤ−Ｃｕ膜のカバレージを検査する。 - 特許庁

例文

A Ti film 2 is formed on the surface of an alumina substrate 1, a Cu film 3 is formed in film thickness of 3-4 μm by an electroplating method using the Ti film 2 as a foundation layer, and a spiral inductor element I is formed by the pattern shape of the Cu film 3.例文帳に追加

アルミナ基板１の表面にＴｉ膜２を形成した後、このＴｉ膜２を下地層としてＣｕ膜３を電気メッキ法によって３〜４μｍの膜厚に形成し、このＣｕ膜３のパターン形状によって例えば渦巻き形状のインダクタ素子Ｉを形成する。 - 特許庁

例文

This decoratively working apparatus comprises: a quartz pipe 2 which accommodates a Cu-Al alloy 21 therein; a diffusion furnace 1 which heats the alloy accommodated in the quartz pipe 2 at a temperature at which Al that composes the alloy reacts but Cu does not react; and a gas pipe 6 for transporting an oxidizing gas for Al toward the quartz pipe 2.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ合金２１が収容される石英管２と、石英管２に収容された合金を構成するＡｌを反応させ且つＣｕを反応させない温度で加熱する拡散炉１と、石英管２に向けてＡｌに対する酸化性ガスを搬送するガス配管６とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the light-emitting layer for the inorganic electroluminescence includes a process of film-forming ZnS:Cu, obtained by adding Cu of 1.0 atom% or more to ZnS on a substrate, a process of making the Cu component as chloride not contained in ZnS crystal grain, and a process of removing the chloride through rinsing.例文帳に追加

基体上にＺｎＳへ１．０ａｔｏｍｉｃ％以上のＣｕが添加されたＺｎＳ：Ｃｕを成膜する工程、該ＺｎＳ結晶粒に含有されないＣｕ成分を塩化物とする工程、該塩化物を水洗にて除去する工程、を有することを特徴とする無機エレクトロルミネッセンス用発光層の製造方法。 - 特許庁

To provide an aging state evaluation method capable of grasping the precipitation state of a Cu-precipitate in the aging treatment process of a Cu-containing steel by use of XAFS measurement method and nondestructively confirming the propriety of aging treatment, and an aging treatment method using it.例文帳に追加

ＸＡＦＳ測定法を用いてＣｕ含有鋼の時効処理過程におけるＣｕ析出物の析出状態を把握し、時効処理の適否を非破壊で確認できる時効状態評価方法およびこの評価方法を用いた時効処理法を提供することである。 - 特許庁

Therefore, a reaction between oxygen (O_2) radicals and the Al-Cu film 13c to form AlxOy can be prevented, and in a process of removing polymers, the reduction of AlxOy by fluorine radicals, and the peel-off of the antireflection films 13f, 16f from the Al-Cu film 13c are prevented.例文帳に追加

従って、酸素（Ｏ_2）ラジカルとＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃとが反応してＡｌｘＯｙが形成されることが防止され、ポリマー除去時にＡｌｘＯｙがフッ素ラジカルによって還元され、反射防止膜１３ｆ、１６ｆがＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃから剥離することもない。 - 特許庁

When the Cu film 9 is polished by the CMP method, the polishing speed of the peripheral edge of the substrate is made lower than that of the central part of the substrate by making the pressure applied to a retainer ring 11 higher than to the silicon substrate 1 from a polish carrier, and the Cu film 9 is made to remain in the peripheral edge of the substrate.例文帳に追加

Ｃｕ膜９をＣＭＰ法により研磨する際、研磨キャリアからシリコン基板１に加わる圧力よりもリテーナーリング１１に加わる圧力を高くすることにより、基板中心部よりも基板周縁部の研磨速度を遅くして、基板周縁部にＣｕ膜９を残存させる。 - 特許庁

This conductive wire comprises a core part 1 formed of Na or an evenly dispersed mixture containing 0.0001-30 vol.% of Cu powder in Na, and a cladding material 2 comprising Cu covering the circumference of the core part 1 and having the thickness of 0.05-5 mm, and is characterized by being lightweight.例文帳に追加

Ｎａ、あるいは、ＮａにＣｕ粉末を容積比において０．０００１％〜３０％含む均一分散混合物から成る芯部１と、芯部１の外周を、被覆する０．０５ｍｍから５ｍｍの厚さのＣｕから成るクラッド材２と、から成り、軽量であることを特徴とする導電線。 - 特許庁

In the hydrogen permeation alloy membrane, a hydrogen storage content is reduced to about 200 to 400 molH/m^3 which is lower than that of the conventional Pd-Cu based alloy membrane, and further, a hydrogen diffusion coefficient is equal to or above that of the conventional Pd-Cu based alloy membrane, and the membrane has excellent hydrogen permeability.例文帳に追加

この水素透過合金膜は、水素吸蔵量が２００〜４００ｍｏｌＨ／ｍ^３程度と従来のＰｄ−Ｃｕ系合金膜よりも低減され、しかも水素拡散係数は従来のＰｄ−Ｃｕ系合金膜と同等か又はそれ以上であって、優れた水素透過性能を有している。 - 特許庁

The active substance for a nonaqueous electrolyte battery is a dioxide metal oxide M1 selected from among Ti, Mo, and W, added by M2 selected from among Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, and Zn, and half-value width at the peak of maximum strength in an X-ray diffraction pattern is 1 degree or larger and 4 degrees or smaller.例文帳に追加

本発明の非水電解質電池用活物質は、Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, Znから選ばれるM2が添加された、Ti, Mo, Wから選ばれるM1の二酸化金属酸化物であり、Ｘ線回折パターンにおいて最も強度の大きいピークの半値幅が１°以上４°未満であることを特徴とする。 - 特許庁

Only the dummy structure 16 is removed to leave the sidewall films 17, a part of lower-layer wiring 14 is exposed, an opening 18a formed on the interlayer insulation film 18 is embedded with Cu, and the surface layer of Cu is flattened in plane with the surface of the interlayer insulation film 18.例文帳に追加

そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy sputtering target material includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the sputtering target material has an oxygen content of less than 250 ppm and a grain size of more than 10 μm and not more than 100 μm.例文帳に追加

また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

For example, a layer 4 composed of a heat resistant elastic material (such as polyimide) is formed over all the surface of a wiring pattern composed of Cu foil 3 formed on a semiconductor chip, a part of this layer is removed later and the Cu foil under that is exposed in the shape having ruggedness along with the peripheral part thereof.例文帳に追加

例えば、半導体チップに形成されたＣｕ箔３からなる配線パターンの全面上に耐熱性の弾性材料（例えばポリイミド）からなる層４を形成した後、この層の一部を除去してその下のＣｕ箔を周辺部に凹凸を有する形状に露出させる。 - 特許庁

To provide copper foil for a laser drilling process, to provide copper foil fitted with resin using the same and to provide their producing methods so that the existent equipment and technique can be used as they are and the adoption of a Cu direct method by which reduction in cost by the reduction of stages can be attained.例文帳に追加

これまでの設備や技術をそのまま使用でき、且つ工程削減によりコストダウンが図れるCuダイレクト法の採用を可能にするため、レーザ穴あけ加工が可能なレーザ穴あけ加工用銅箔及びそれを用いてなる樹脂付き銅箔、ならびにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the Al is added to the Te, and further the Cu and the Zr are added, it is desirable that a composition ratio of the high-resistance layer 4 is adjusted in a range of, excepting oxygen, 30≤Te≤100 atm%, 0≤Al≤70 atm% and 0≤Cu+Zr≤36 atm%.例文帳に追加

ＴｅにＡｌを添加し、更にＣｕおよびＺｒを加えたものとする場合、高抵抗層４の組成比は、酸素を除いて、３０≦Ｔｅ≦１００原子％、０≦Ａｌ≦７０原子％、および０≦Ｃｕ＋Ｚｒ≦３６原子％の範囲で調整することが望ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a fluorine added oxide film in an inter-wiring space and particularly reducing an inter-wiring capacitance at a narrow space, without deteriorating the adhesion with a metal film and/or an SiN film although using Cu and/or Cu alloy as a wiring material.例文帳に追加

ＣｕやＣｕ合金を配線材料に用いながらも、金属膜やＳｉＮ膜との密着性を悪化させることなく、配線間スペースにフッ素添加酸化膜を形成し、特に狭スペース部での配線間容量を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This connector material for electronic and electrical apparatus is composed of a Cu alloy having a composition containing, by weight, 0.07 to 0.4% Cr, 0.01 to 0.15% Zr, 0.002 to 0.4% Al, and the balance Cu with inevitable impurities and excellent in rollability and bending workability.例文帳に追加

電子電気機器のコネクター材を、重量％で、Ｃｒ：０．０７〜０．４％、Ｚｒ：０．０１〜０．１５％、Ａｌ：０．００２〜０．４％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなる組成を有する圧延性および曲げ加工性にすぐれたＣｕ合金で構成する。 - 特許庁

The cladding material (1), (2) is temporarily formed in a pipe form with the first aluminum layer (12) outside, heating it, brazing it with Al-Cu-based brazing material formed by the heating into a pipe body (4) where on the outer surface of the pipe body (4) thus brazed the Al-Cu-based alloy brazing material layer and the first copper layer are left.例文帳に追加

そして、このクラッド材(1)(2)を、第１アルミニウム層(12)を外側にして管状に仮成形し、加熱し、加熱により形成されたＡｌ−Ｃｕ系合金ろう材で管体(4)にろう付し、ろう付された管体(4)の外面にＡｌ−Ｃｕ系合金ろう材層および第１銅層を残存させる。 - 特許庁

The junction layer of formed by a junction material containing Cu oxide particles whose average particle size is 1 nm to 50 μm and a reducing agent composed of an organic substance by junction in a reducing atmosphere, and the excellent strength of junction with the Ni or Cu electrode can be obtained.例文帳に追加

上記接合層は、平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍのＣｕ酸化物粒子と、有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、還元雰囲気中において接合を行うことで形成され、Ｎｉ又はＣｕ電極に対して優れた接合強度が得ることができる。 - 特許庁

Cu wirings 46a to 46e filling wiring grooves 40 cut in a silicon oxide film 39 are formed by chemical and mechanical polishing and then subjected to a cleaning process, and the surfaces of the silicon oxide film 39 and the Cu wirings 46a to 46e are processed with reducing plasma (ammonia plasma).例文帳に追加

酸化シリコン膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成し、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、酸化シリコン膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。 - 特許庁

A Cu pattern coated with Ni is formed on a metal substrate 11, over which light-emitting elements LED1-LED(N) are mounted in a serial circuit, and the metal substrates SUBs connected in series are connected in parallel.例文帳に追加

金属基板１１の上には、Ｎｉが被着されたＣｕパターンを形成し、この上に発光素子ＬＥＤ１〜ＬＥＤ（Ｎ）を直列回路で実装し、この直列接続された金属基板ＳＵＢを並列接続する。 - 特許庁

A first layer 31 in the sub-mount 30 has approximately the same coefficient of thermal expansion as the LD bar 10 in copper tungsten (CuW) or the like, and a second layer 32 has approximately the same coefficient of thermal expansion as the heat sink 20 in copper (Cu) or the like.例文帳に追加

サブマウント３０の第１層３１は、銅タングステン（ＣｕＷ）など、ＬＤバー１０に略等しい熱膨張係数とし、第２層３２は、銅（Ｃｕ）など、ヒートシンク２０に略等しい熱膨張係数とする。 - 特許庁

This substrate is a substrate 3 for thin film magnetic head in which an amorphous alumina film 2 is deposited on the upper surface of a ceramic substrate 1, and the quantity of Cu in the amorphous alumina film 2 is 0.04 KCPS or less in a fluorescent X-ray count ratio.例文帳に追加

セラミック基板１の上面にアモルファスアルミナ膜２を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板３であって、該アモルファスアルミナ膜２中のＣｕ量が蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which Cu adhering to the back of a semiconductor substrate is removed easily, and degradation in precision of temperature control is suppressed in heat treatment of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏面に付着したＣｕを容易に除去することができ、かつ半導体基板の熱処理において温度制御の精度が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low temperature fired ceramic and a wiring board using it, capable of simultaneously being fired with metals of low melting points such as Ag or Cu, excellent in dielectric characteristics in high-frequency region and excellent in chemical resistance.例文帳に追加

ＡｇやＣｕ等の低融点金属と同時焼成が可能であり、高周波領域における誘電特性に優れ、更には耐薬品性に優れる低温焼成磁器、及びそれを用いた配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic refining method for copper which executes processing without converting soluble components, such as of Cu powder, settled without being eluted in an electrolyte to slime in electrolytic refining of copper and reduces the processing load in a slime processing stage.例文帳に追加

銅の電解精製において、電解液に溶出せずに沈降するＣｕ粉等の可溶成分をスライム化せずに処理を行い、スライム処理工程での処理負荷を低減する銅の電解精製方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method includes a Cu coating forming step of forming CU coating on the surface of a transparent resin film (1) by vapor deposition or sputtering; a coloring step of coloring the surface in black or brown, by performing treatment using a solution of ammonium sulfide after the Cu coating forming step; and a wiring forming step of forming wiring (2), according to screen printing or photoresist after the coloring step.例文帳に追加

蒸着法またはスパッタリング法により透明樹脂フィルム（１）の表面にＣｕ被膜を形成するＣｕ被膜形成工程と、該Ｃｕ被膜形成工程の後、硫化アンモニウムの水溶液で処理をすることにより、表面を黒色または褐色に着色させる着色工程と、該着色工程の後、スクリーン印刷法またはフォトレジスト法により配線（２）を形成する配線形成工程とを有する。 - 特許庁

The press-in face of the metallic ring constituting the airtight terminal for press-in sealing is primary-plated with copper (Cu) in 5-20 μm thickness, and then a lead-free plating having ≥220°C, preferably ≥240°C, melting temperature is formed thereon in 1-5 μm thickness to obtain the airtight terminal for press-in sealing.例文帳に追加