「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

(3) In the Al-Cu joined structure manufacturing method, when brazing the Al member and the Cu member by using Al-Si brazing filler metal, Ag is used for the insert of the joining surface thereof, the brazing temperature is > 813°K, and the Ag layer is remained thereon.例文帳に追加

（３）Ａｌ−Ｓｉ系のろう材を用いてＡｌ部材とＣｕ部材とをろう付け接合するに際し、これらの接合面のインサート材としてＡｇを用い、ろう付け温度を８１３Ｋ超えとして、当該Ａｇ層を残存させることを特徴とするＡｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法である。 - 特許庁

Cu-containing steel is used as material for the battery case, nickel plated to the steel, and the steel plate is formed in the container by drawing or squeezing, or after that, the container is heated to precipitate Cu to enhance the strength of the container and to use as the case for the battery.例文帳に追加

Ｃｕを含有させた鋼を電池ケース用材料として用い、これにＮｉめっきを施した電池ケース用めっき鋼板を絞り加工や絞りしごき加工で容器に成形し、若しくはその後さらに加熱してＣｕを析出させることにより、容器の強度を高めた電池用ケースとする。 - 特許庁

A Ti film 2 is formed on the surface of an alumina substrate 1, a Cu film 3 is formed in film thickness of 3-4 μm by an electroplating method using the Ti film 2 as a foundation layer, and a spiral inductor element I is formed by the pattern shape of the Cu film 3.例文帳に追加

アルミナ基板１の表面にＴｉ膜２を形成した後、このＴｉ膜２を下地層としてＣｕ膜３を電気メッキ法によって３〜４μｍの膜厚に形成し、このＣｕ膜３のパターン形状によって例えば渦巻き形状のインダクタ素子Ｉを形成する。 - 特許庁

This decoratively working apparatus comprises: a quartz pipe 2 which accommodates a Cu-Al alloy 21 therein; a diffusion furnace 1 which heats the alloy accommodated in the quartz pipe 2 at a temperature at which Al that composes the alloy reacts but Cu does not react; and a gas pipe 6 for transporting an oxidizing gas for Al toward the quartz pipe 2.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ合金２１が収容される石英管２と、石英管２に収容された合金を構成するＡｌを反応させ且つＣｕを反応させない温度で加熱する拡散炉１と、石英管２に向けてＡｌに対する酸化性ガスを搬送するガス配管６とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the light-emitting layer for the inorganic electroluminescence includes a process of film-forming ZnS:Cu, obtained by adding Cu of 1.0 atom% or more to ZnS on a substrate, a process of making the Cu component as chloride not contained in ZnS crystal grain, and a process of removing the chloride through rinsing.例文帳に追加

基体上にＺｎＳへ１．０ａｔｏｍｉｃ％以上のＣｕが添加されたＺｎＳ：Ｃｕを成膜する工程、該ＺｎＳ結晶粒に含有されないＣｕ成分を塩化物とする工程、該塩化物を水洗にて除去する工程、を有することを特徴とする無機エレクトロルミネッセンス用発光層の製造方法。 - 特許庁

By setting the diameter of a NbTi filament 17 embedded in the Cu/NbTi-based reinforcing material layer 11 is set at an appropriate value, its strength can be enhanced, and, when the diameter of the NbTi filament 17 is set to 10-40 μm, the tensile strength of the elemental NbTi filament 17 can be set over 600 MPa.例文帳に追加

Cu/NbTi系強化材層１１に埋設されたNbTiフィラメント１７の径を適切な値にすることで、その強度を高めることができ、NbTiフィラメント１７の径を10μｍ以上40μｍ以下とした場合には、NbTiフィラメント１７単体の引張強度を600MPa超とすることが可能となる。 - 特許庁

To provide an aging state evaluation method capable of grasping the precipitation state of a Cu-precipitate in the aging treatment process of a Cu-containing steel by use of XAFS measurement method and nondestructively confirming the propriety of aging treatment, and an aging treatment method using it.例文帳に追加

ＸＡＦＳ測定法を用いてＣｕ含有鋼の時効処理過程におけるＣｕ析出物の析出状態を把握し、時効処理の適否を非破壊で確認できる時効状態評価方法およびこの評価方法を用いた時効処理法を提供することである。 - 特許庁

Therefore, a reaction between oxygen (O_2) radicals and the Al-Cu film 13c to form AlxOy can be prevented, and in a process of removing polymers, the reduction of AlxOy by fluorine radicals, and the peel-off of the antireflection films 13f, 16f from the Al-Cu film 13c are prevented.例文帳に追加

従って、酸素（Ｏ_2）ラジカルとＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃとが反応してＡｌｘＯｙが形成されることが防止され、ポリマー除去時にＡｌｘＯｙがフッ素ラジカルによって還元され、反射防止膜１３ｆ、１６ｆがＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃから剥離することもない。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method using an organic resist capable of development and peeling by an alkaline solution, of a Cr/Cu/Cr wiring struc tural body having a small exposure quantity of an undercut in a lower layer Cr (chromium) film and a Cu (copper) layer on the upper layer, and a plasma display panel using it as an electrode.例文帳に追加

下層Ｃｒ膜のアンダーカットと上面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体とそれを電極に用いたプラズマディスプレイパネルの、アルカリ性溶液による現像と剥離が可能な有機レジスト用いた製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for inspecting the coverage of a PVD-Cu film formed on the inner wall of the contact hole, an area having 25% or greater of a numerical aperture of the contact hole is irradiated with laser light, and the coverage of the PVD-Cu film is inspected by measuring the intensity of the reflected laser light.例文帳に追加

コンタクトホールの内壁に形成されたＰＶＤ−Ｃｕ膜のカバレージを検出する方法であって、コンタクトホールの開口率が２５％以上である領域にレーザ光を照射し、反射されたレーザ光の強度を測定することによりＰＶＤ−Ｃｕ膜のカバレージを検査する。 - 特許庁

The Cu-Ag alloy wire has a wire diameter of ≤0.08 mm, and is composed of a copper alloy obtained by admixing high purity Cu in which the total of inevitable impurities is ≤1 mass ppm with Ag having a purity of ≥99.99 mass% by 1.0 to 5.0 mass%.例文帳に追加

このＣｕ−Ａｇ合金線は、０．０８ｍｍ以下の線径を有するＣｕ−Ａｇ合金線であって、不可避不純物の総和が１ ｍａｓｓｐｐｍ以下の高純度Ｃｕに、純度９９．９９ｍａｓｓ％以上のＡｇを１．０〜５．０ｍａｓｓ％添加した銅合金によって構成される。 - 特許庁

This etching method of copper uses water solution containing Cu(NH_3)_4X_2 and NH_4X (X is halogen elements), and uses water solution in which the number of mols of contained NH_4X is more than the number of mols of Cu(NH_3)_4X_2, and pH ranges from 6.5 to 8.1 as etching liquid.例文帳に追加

Ｃｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2、及び、ＮＨ_4Ｘ（ここで、Ｘはハロゲン元素である）を含む水溶液であって、含有されるＮＨ_4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法。 - 特許庁

The catalyst for purifying exhaust gas includes the active species consisting of two kinds of Cu and Ag carried by the same carrier particle consisting of at least one oxide, and wherein the ratio of Ag to a total amount of the Cu and Ag is in a range of 30-70 mass%.例文帳に追加

ＣｕとＡｇとの２種類からなる活性種を、少なくとも１種類の酸化物から構成される同一の担体粒子に担持されていて、ＣｕとＡｇとの合計量に対するＡｇの割合が３０〜７０質量％の範囲であることを特徴とする排ガス浄化触媒。 - 特許庁

To obtain a rubber reinforcing material in which the Cu plated layer of steel wire does not has a defect part, the thickness of the Cu plated layer is a limit necessary for initial adhesion and progress of crosslinking reaction with passage of time is avoided as much as possible while surely preventing unevenness of adhesion by crosslinking reaction.例文帳に追加

スチール素線のＣｕめっき層の欠損部分がなく、かつ、当該Ｃｕめっき層の厚さを初期接着に必要な限度として、架橋反応による接着のむらを確実に防止しつつ、時間の経過に伴う架橋反応の進行を可及的に回避できるようにすること。 - 特許庁

For example, a layer 4 composed of a heat resistant elastic material (such as polyimide) is formed over all the surface of a wiring pattern composed of Cu foil 3 formed on a semiconductor chip, a part of this layer is removed later and the Cu foil under that is exposed in the shape having ruggedness along with the peripheral part thereof.例文帳に追加

例えば、半導体チップに形成されたＣｕ箔３からなる配線パターンの全面上に耐熱性の弾性材料（例えばポリイミド）からなる層４を形成した後、この層の一部を除去してその下のＣｕ箔を周辺部に凹凸を有する形状に露出させる。 - 特許庁

To provide copper foil for a laser drilling process, to provide copper foil fitted with resin using the same and to provide their producing methods so that the existent equipment and technique can be used as they are and the adoption of a Cu direct method by which reduction in cost by the reduction of stages can be attained.例文帳に追加

これまでの設備や技術をそのまま使用でき、且つ工程削減によりコストダウンが図れるCuダイレクト法の採用を可能にするため、レーザ穴あけ加工が可能なレーザ穴あけ加工用銅箔及びそれを用いてなる樹脂付き銅箔、ならびにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the Al is added to the Te, and further the Cu and the Zr are added, it is desirable that a composition ratio of the high-resistance layer 4 is adjusted in a range of, excepting oxygen, 30≤Te≤100 atm%, 0≤Al≤70 atm% and 0≤Cu+Zr≤36 atm%.例文帳に追加

ＴｅにＡｌを添加し、更にＣｕおよびＺｒを加えたものとする場合、高抵抗層４の組成比は、酸素を除いて、３０≦Ｔｅ≦１００原子％、０≦Ａｌ≦７０原子％、および０≦Ｃｕ＋Ｚｒ≦３６原子％の範囲で調整することが望ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a fluorine added oxide film in an inter-wiring space and particularly reducing an inter-wiring capacitance at a narrow space, without deteriorating the adhesion with a metal film and/or an SiN film although using Cu and/or Cu alloy as a wiring material.例文帳に追加

ＣｕやＣｕ合金を配線材料に用いながらも、金属膜やＳｉＮ膜との密着性を悪化させることなく、配線間スペースにフッ素添加酸化膜を形成し、特に狭スペース部での配線間容量を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This connector material for electronic and electrical apparatus is composed of a Cu alloy having a composition containing, by weight, 0.07 to 0.4% Cr, 0.01 to 0.15% Zr, 0.002 to 0.4% Al, and the balance Cu with inevitable impurities and excellent in rollability and bending workability.例文帳に追加

電子電気機器のコネクター材を、重量％で、Ｃｒ：０．０７〜０．４％、Ｚｒ：０．０１〜０．１５％、Ａｌ：０．００２〜０．４％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなる組成を有する圧延性および曲げ加工性にすぐれたＣｕ合金で構成する。 - 特許庁

The cladding material (1), (2) is temporarily formed in a pipe form with the first aluminum layer (12) outside, heating it, brazing it with Al-Cu-based brazing material formed by the heating into a pipe body (4) where on the outer surface of the pipe body (4) thus brazed the Al-Cu-based alloy brazing material layer and the first copper layer are left.例文帳に追加

そして、このクラッド材(1)(2)を、第１アルミニウム層(12)を外側にして管状に仮成形し、加熱し、加熱により形成されたＡｌ−Ｃｕ系合金ろう材で管体(4)にろう付し、ろう付された管体(4)の外面にＡｌ−Ｃｕ系合金ろう材層および第１銅層を残存させる。 - 特許庁

The junction layer of formed by a junction material containing Cu oxide particles whose average particle size is 1 nm to 50 μm and a reducing agent composed of an organic substance by junction in a reducing atmosphere, and the excellent strength of junction with the Ni or Cu electrode can be obtained.例文帳に追加

上記接合層は、平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍのＣｕ酸化物粒子と、有機物からなる還元剤とを含む接合材料により、還元雰囲気中において接合を行うことで形成され、Ｎｉ又はＣｕ電極に対して優れた接合強度が得ることができる。 - 特許庁

Cu wirings 46a to 46e filling wiring grooves 40 cut in a silicon oxide film 39 are formed by chemical and mechanical polishing and then subjected to a cleaning process, and the surfaces of the silicon oxide film 39 and the Cu wirings 46a to 46e are processed with reducing plasma (ammonia plasma).例文帳に追加

酸化シリコン膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成し、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、酸化シリコン膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。 - 特許庁

This substrate is a substrate 3 for thin film magnetic head in which an amorphous alumina film 2 is deposited on the upper surface of a ceramic substrate 1, and the quantity of Cu in the amorphous alumina film 2 is 0.04 KCPS or less in a fluorescent X-ray count ratio.例文帳に追加

セラミック基板１の上面にアモルファスアルミナ膜２を成膜してなる薄膜磁気ヘッド用基板３であって、該アモルファスアルミナ膜２中のＣｕ量が蛍光Ｘ線カウント比で０．０４ＫＣＰＳ以下とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which Cu adhering to the back of a semiconductor substrate is removed easily, and degradation in precision of temperature control is suppressed in heat treatment of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏面に付着したＣｕを容易に除去することができ、かつ半導体基板の熱処理において温度制御の精度が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low temperature fired ceramic and a wiring board using it, capable of simultaneously being fired with metals of low melting points such as Ag or Cu, excellent in dielectric characteristics in high-frequency region and excellent in chemical resistance.例文帳に追加

ＡｇやＣｕ等の低融点金属と同時焼成が可能であり、高周波領域における誘電特性に優れ、更には耐薬品性に優れる低温焼成磁器、及びそれを用いた配線基板を提供する。 - 特許庁

A Cu pattern coated with Ni is formed on a metal substrate 11, over which light-emitting elements LED1-LED(N) are mounted in a serial circuit, and the metal substrates SUBs connected in series are connected in parallel.例文帳に追加

金属基板１１の上には、Ｎｉが被着されたＣｕパターンを形成し、この上に発光素子ＬＥＤ１〜ＬＥＤ（Ｎ）を直列回路で実装し、この直列接続された金属基板ＳＵＢを並列接続する。 - 特許庁

A first layer 31 in the sub-mount 30 has approximately the same coefficient of thermal expansion as the LD bar 10 in copper tungsten (CuW) or the like, and a second layer 32 has approximately the same coefficient of thermal expansion as the heat sink 20 in copper (Cu) or the like.例文帳に追加

サブマウント３０の第１層３１は、銅タングステン（ＣｕＷ）など、ＬＤバー１０に略等しい熱膨張係数とし、第２層３２は、銅（Ｃｕ）など、ヒートシンク２０に略等しい熱膨張係数とする。 - 特許庁

To provide an electrolytic refining method for copper which executes processing without converting soluble components, such as of Cu powder, settled without being eluted in an electrolyte to slime in electrolytic refining of copper and reduces the processing load in a slime processing stage.例文帳に追加

銅の電解精製において、電解液に溶出せずに沈降するＣｕ粉等の可溶成分をスライム化せずに処理を行い、スライム処理工程での処理負荷を低減する銅の電解精製方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method includes a Cu coating forming step of forming CU coating on the surface of a transparent resin film (1) by vapor deposition or sputtering; a coloring step of coloring the surface in black or brown, by performing treatment using a solution of ammonium sulfide after the Cu coating forming step; and a wiring forming step of forming wiring (2), according to screen printing or photoresist after the coloring step.例文帳に追加

蒸着法またはスパッタリング法により透明樹脂フィルム（１）の表面にＣｕ被膜を形成するＣｕ被膜形成工程と、該Ｃｕ被膜形成工程の後、硫化アンモニウムの水溶液で処理をすることにより、表面を黒色または褐色に着色させる着色工程と、該着色工程の後、スクリーン印刷法またはフォトレジスト法により配線（２）を形成する配線形成工程とを有する。 - 特許庁

The press-in face of the metallic ring constituting the airtight terminal for press-in sealing is primary-plated with copper (Cu) in 5-20 μm thickness, and then a lead-free plating having ≥220°C, preferably ≥240°C, melting temperature is formed thereon in 1-5 μm thickness to obtain the airtight terminal for press-in sealing.例文帳に追加

圧入封止用気密端子を構成する金属環の圧入面に５〜２０μｍの銅（Ｃｕ）を下地メッキし、その上に溶融温度が２２０℃以上好ましくは２４０℃以上の鉛フリーメッキを１〜５μｍ施した圧入封止用気密端子とする。 - 特許庁

Then Cu wiring 214' is formed in a plurality of grooves formed into the interlayer insulating film, so that the adjacent wires of the wiring 214' is separated from each other by the insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられた複数の溝の中にＣｕ配線２１４’が配置され、層間絶縁膜により隣接するこのＣｕ配線２１４’が分離される。 - 特許庁

A fusible alloy is of a high-temperature alloy type having a melting point of 190°C or higher and the lead wire is Sn-Cu alloy plated, resulting in improved heat resistance.例文帳に追加

可溶合金として融点が１９０℃以上の高温型の合金タイプのものを用い、また、リード線もＳｎ−Ｃｕ合金メッキのものとし、耐熱性を向上させた。 - 特許庁

In the case where a joint of high reliability is required, a Cu layer is deposited under the Sn-Bi layer to provide n a connection of sufficient interface strength.例文帳に追加

更に高信頼性の継ぎ手が要求される場合には、Ｓｎ−Ｂｉ層の下にＣｕ層を施すことによって、十分な界面強度を有する接続部を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which a Cu wiring layer formed as a lower wiring layer is not oxidized and, in addition, a via hole can be opened satisfactorily.例文帳に追加

下層配線層として形成されているＣｕ配線層を酸化させず、且つ、良好にヴィアホールを開口する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In addition to the above steel components, ≤0.15% P can be incorporated, and one or two kinds selected from 0.02 to 0.40% Sn and 0.1 to 1.0% Cu can be incorporated as well.例文帳に追加

前記の鋼含有成分に加えＰ：０．１５％以下を含有し、更にまたＳｎ：０．０２〜０．４０％、Ｃｕ：０．１〜１．０％の１種または２種を含有させてもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where adhesion between interlayer isolations is improved with regard to an interlayer isolator film of low dielectric constant in a Cu wiring and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕ配線の低誘電率の層間絶縁膜について、層間絶縁間の密着性が向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thick steel plate may include a specified amount of C, Mn, Cu, Ni, P, S, Al and N, or further Cr, Mo, Nb, V, Ti, B, Ca, Mg and REM, in addition to Si.例文帳に追加

Ｓｉのほかに、Ｃ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓ、Ａｌ、Ｎ、あるいはさらに、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｍｇ、ＲＥＭの含有量を規定してもよい。 - 特許庁

To improve the reliability of a wiring layer and a via plug layer in regard to a semiconductor device with the wiring layer containing copper (Cu) and the via plug layer containing aluminum (Al).例文帳に追加

Ｃｕを含有する配線層及びＡｌを含有するビアプラグ層を備える半導体装置に関し、配線層及びビアプラグ層の信頼性を向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor package substrate having high mounting reliability, excellent in bondability between a metal layer principally containing Cu and an insulative resin layer, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

Ｃｕを主体とする金属層と絶縁性樹脂層との密着性に優れた、実装信頼性の高い半導体パッケージ基板とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An SiCO:H film 6 which contains oxygen at least, of which a specific dielectric constant is 3.3 or lower, and in which a Cu film 14 is embedded, is provided on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

少なくとも酸素を含むとともに比誘電率が３．３以下であり、かつ、Ｃｕ膜１４が埋め込まれるＳｉＣＯ：Ｈ膜６を半導体基板１上に設ける。 - 特許庁

Further, desirably, the amount of Mn to be added is 0.05 to 1.20%, and the amount of Cu to be added is 0.05 to 0.20% in the extruding material.例文帳に追加

また、前記押出材は、Ｍｎの添加量が０．０５％以上１．２０％以下、Ｃｕの添加量が０．０５％以上０．２０％以下としたものが望ましい。 - 特許庁

In the wiring board 1, the metal terminal pad 10, 17 comprises a Cu plating layer 52, Ni plating layers 53 and 55, and Au plating layers 54 and 56 formed from the first major surface CP side.例文帳に追加

配線基板において、金属端子パッド１０，１７は、第一主表面ＣＰ側からＣｕメッキ層５２、Ｎｉメッキ層５３，５５及びＡｕメッキ層５４，５６を積層する。 - 特許庁

Firstly, an H2S/H2 gas, an Ar gas containing the vapor of a raw material for Cu 71, and another Ar gas containing the vapor of a raw material for In 81 are introduced to the mixer 2.例文帳に追加

先ず、この混合器２内に、（Ｈ_2 Ｓ／Ｈ_2 ）ガス、Ｃｕ原料７１の蒸気を含むＡｒガス、Ｉｎ原料８１の蒸気を含むＡｒガスを導入する。 - 特許庁

The Cu-Ti alloy has a (111) plane crystals oriented in a direction perpendicular to the surface of the non-magnetic substrate 1 and has a pseude-hexagonal structure.例文帳に追加

そして、このＣｕ−Ｔｉ合金は、非磁性基板１の表面に対して略垂直方向に（１１１）結晶面配向するとともに擬似六方晶構造を有している。 - 特許庁