「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

As compared with conventional structures where the first protective layers are not formed or structures where the first protective layers are formed of Al, Ti, Cu or IrMn, magnetostriction is indicated low in the free magnetic layer and change rate in the resistance is high.例文帳に追加

これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、フリー磁性層の磁歪が低く、かつ高い抵抗変化率を示す。 - 特許庁

Reaction selectivity is given in the initial process of CVD by the surface treatment, thus improving the coherency between Cu wiring and the CVD film, without increase in resistance or leakage between wirings.例文帳に追加

この表面処理によりＣＶＤ初期過程において反応選択性を持たせることにより、抵抗上昇、配線間リークなどを生じさせないでＣｕ配線とＣＶＤ膜間の密着力を向上させる。 - 特許庁

The composite material comprises one or more first phases essentially consisting of Pt and one or more second phases comprising Cu, and in which the content of Pt is 40 to 75 wt.% in the whole composition.例文帳に追加

Ｐｔを主成分とする１または複数の第１相と、Ｃｕを含む１または複数の第２相と、を有し、Ｐｔの含有量は全組成中の４０重量％以上７５重量％以下である複合材。 - 特許庁

To provide a method for pretreating a special copper alloy material in which smut generated by chemical polishing or an Ag coating stripped from Cu base can be removed surely in the solder plating process of semiconductor.例文帳に追加

半導体の半田メッキ工程において、化学研磨処理により発生したスマットやＣｕ素地から剥離したＡｇ被膜を確実に除去することの出来る特殊銅合金材の前処理方法を提供する。 - 特許庁

In the copper alloy powder for brazing and soldering having excellent oxidation resistance, the Cu based alloy powder constituting phases do not have a transformation point in the range of 400 to 450°C.例文帳に追加

Ｃｕ，Ｓｎ，Ｐ，Ｎｉを含むＣｕ基合金粉末において、該Ｃｕ基合金粉末構成相中に、４００〜４５０℃での変態点を持たないように構成せしめたことを特徴とする耐酸化性に優れたろう接用銅合金粉末。 - 特許庁

In the exchange of a cation contained in the zeolite crystal for a copper ion by the contact of zeolite with an aqueous solution containing the copper ion, the zeolite is brought into contact with an aqueous solution of copper propionate (Cu(C_2H_5COO)_2).例文帳に追加

ゼオライトと銅イオンを含む水溶液とを接触させてゼオライト結晶に含まれる陽イオンを銅イオンに交換するにあたり、前記ゼオライトを、プロピオン酸銅（Ｃｕ（Ｃ_２Ｈ_５ＣＯＯ）_２）の水溶液と接触させる。 - 特許庁

The copper ion-containing resin composition contains Cu^+ ions in a specified amount ranging from 0.001 to 20 pts.wt. in a resin having a polar group or a coordinating functional group within the molecule.例文帳に追加

分子中に極性基あるいは配位性官能基を有する樹脂中に、Ｃｕ^+イオンを０．００１重量部以上２０重量部以下の特定量含有させることを特徴とする、銅イオン含有樹脂組成物。 - 特許庁

When electric current is made to flow between a Cu seed layer (not shown in Figure) and the anode electrode 104, and the growing by plating is performed, electric current is made to flow also from the second cathode electrode in contact with the vicinity of the center of the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device in which a wiring is formed on a substrate 10, the barrier metal layer 16 consisting of a Ta-based barrier metal material and an alloy of Cu and/or Ag is firstly formed on the substrate 10.例文帳に追加

基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。 - 特許庁

On the interconnection layer 16 in the pad region 11, the electrode pad 17 is provided as connected electrically with the Cu interconnection 15 in the element region 12 by a lead-out wire 20 insulated with the passivation film 18.例文帳に追加

パッド領域１１内の配線層１６上には、パッシベーション膜１８で絶縁された引き出し配線２０で素子領域１２内のＣｕ配線１５と電気的に接続された電極パッド１７が設けられている。 - 特許庁

In this method for operating the copper smelting furnace, the copper grade in the matte supplied in the copper smelting furnace is raised into 67-69% to 55-65% in the ordinary operation, and the productivity of the copper smelting furnace is improved without aggravating the Cu content in the slag by adding solid pig iron grains in a slag-making period of the copper smelting furnace.例文帳に追加

錬銅炉に供給されるカワ品位を通常操業の５５〜６５％に対して６７％〜６９％に上げ、錬銅炉の造カン期に固体の銑鉄粒を添加することにより、スラグ中のＣｕ含有率を悪化させることなく、錬銅炉の生産能力を向上させる錬銅炉の操業方法。 - 特許庁

The Cu-Ni-Si-based alloy may contain one or more selected from Mg, Zn, Sn, P, Ag, Mn, Co and Cr by 0.005 to 3.0% in total.例文帳に追加

このＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐ、Ａｇ、Ｍｎ、ＣｏおよびＣｒのなかの一種以上を、合計で０．００５〜３．０質量％以下含有することができる。 - 特許庁

In the formula Sb-Mo-X-Ni-Y-Z-Si-C-O (1), X reprensents at least one kind of an element selected from V and Nb and Z represents at least one kind of an element selected from Cu and W.例文帳に追加

Sb-Mo-X-Ni-Y-Z-Si-C-O(1)（式中、ＸはＶおよびＮｂから選ばれた少なくとも一種の元素を示し、ＺはＣｕおよびＷから選ばれた少なくとも一種の元素を示す。） - 特許庁

The characteristic of this electrophotographic photoreceptor is to use a photosensitive layer comprising a dihydroxysilicon phthalocyanine compound having 9.3, 13.4, 20.0, 23.9 and 27.4° Bragg angles 2θ(±0.3°) in an X-ray diffraction pattern with Cu-Kα radiation on an electrocoductive support.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線によるＸ線回折パターンにおいて、ブラッグ角２θ（±０．３°）９．３，１３．４，２０．０，２３．９，２７．４°にピークを有するジヒドロキシシリコンフタロシアニン化合物、およびそれを含有する電子写真感光体。 - 特許庁

The metal plating layers coming in contact with the surface of the single crystal Si substrate is selected from one group consisting of Ag, Co, Cu, Ni, Pd, Fe and Pt.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板の表面に接する金属メッキ層は、好ましくはメッキ法により形成されるＡｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｆｅ及びＰｔからなる一群から選ばれる。 - 特許庁

A resist layer 43 is formed on a Cu substrate 41 on which, a recess 41a is formed in advance, and a spiral groove part 43a is formed by exposing and developing the surface of the resist layer.例文帳に追加

予めに凹部４１ａを形成したＣｕ基板４１の表面にレジスト層４３を設け、その表面を露光・現像処理してスパイラル状の溝部４３ａを形成する。 - 特許庁

Wiring grooves 13 having different pattern densities are made in the insulating film 12, and then a barrier metal layer 14 of TaN or the like and a wiring metal layer 15 of Cu or the like are deposited sequentially thereon.例文帳に追加

絶縁膜１２にパターン密度の異なる配線溝１３を形成した後、ＴａＮなどからなるバリアメタル層１４とＣｕなどからなる配線金属層１５とを順次堆積する。 - 特許庁

A hard pad is employed and slurry containing silica 5 treated to have a hydrophobic surface is used as the repair component of an interlayer insulation film 2 in which a Cu wire 4 is buried.例文帳に追加

ハードパッドを用い、かつＣｕ配線４が埋め込まれる層間絶縁膜２の修復成分として、表面が疎水性になるように処理されたシリカ５を含むスラリを使用する。 - 特許庁

In particular, the used metal is preferably selected from Au, Ag, Pt, Pd, Cu, Ni, Co and Fe; and the used dispersant preferably has a low molecular weight below 1,000.例文帳に追加

特に使用する金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅから選ばれるのが良く、分散剤が、分子量１０００以下の低分子であるものを用いるのがよい。 - 特許庁

To provide a Ta sputtering target having an improved in-plane uniformity of thickness of a formed film, such as a TaN film used as a barrier layer to a Cu wiring film.例文帳に追加

Ｔａスパッタターゲットにおいて、Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜などの膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にすることが望まれている。 - 特許庁

In the wiring structure, the Cu alloy film contains at least one kind of an element selected from a group including Mn, Ni, Zn, Al, Ti, Mg, Ca, W and Nb.例文帳に追加

本発明の配線構造において、Ｃｕ合金膜は、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有している。 - 特許庁

To provide a copper alloy material having excellent blanking workability while maintaining its strength and electrical conductivity required for electronic parts such as a terminal for a connector, in a Cu-Co-Si based copper alloy.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金において、コネクタ用端子など電子部品に要求される強度と導電性を維持しつつ打ち抜き加工性に優れる銅合金材を提供する。 - 特許庁

A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁

This alloy contains 40-75 wt.% silver (Ag) as the main component, 12.0-48.0 wt.% copper (Cu), 3.0-15.0 wt.% palladium (Pd) and 0.5-15.0 wt.% indium (In).例文帳に追加

主成分としての銀（Ａｇ）を４０〜７５ｗｔ％、銅（Ｃｕ）を１２.０〜４８.０ｗｔ％、パラジウム（Ｐｄ）を３.０〜１５.０ｗｔ％、およびインジウム（Ｉｎ）を０.５〜１５.０ｗｔ％含有してなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric element in which an organic binder is made easy to be removed (degreasing) even when oxygen partial pressure is low, and the time needed for the degreasing is shortened while suppressing oxidation of Cu.例文帳に追加

酸素分圧が低くても有機バインダが除去（脱脂）され易くなり、Ｃｕの酸化を抑制しつつ、脱脂に要する時間を短縮させた圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Here, the alloy layer 26 is formed so that film formation is performed on a first electrode layer 14 by spattering using only a Cu-In-Ga target (a CIG target) 24.例文帳に追加

ここで、該合金層２６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット（ＣＩＧターゲット）２４のみを用いるスパッタリングによって第１電極層１４上に成膜が行われることで設けられる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having such a wiring structure as the concentration of an additive element at the time of forming a Cu alloy is varied depending on the width of an interconnect line in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における配線の幅などに応じてＣｕ合金を形成する際の添加元素の濃度を変化させた配線構造を有する半導体装置を得ること。 - 特許庁

To provide a method for producing an Mn-Cu based damping alloy which can obtain high damping performance by suppressing macrosegregation and is less in the deterioration of damping characteristic with the lapse of time .例文帳に追加

マクロ偏析を抑制し、高い制振性能を得ることが可能であり、しかも、制振特性の経時劣化の少ないＭｎ−Ｃｕ系制振合金の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A recording processing part 322 stores an image signal of the pickup image defined as the effective frame by the identification signal DJ in a storage processing part 322 based on a signal CU from the control part 40.例文帳に追加

記録処理部３２は、制御部４０からの信号ＣＵに基づき、識別信号ＤＪで有効なフレームとされた撮像画像の画像信号を記憶処理部３２２に記憶させる。 - 特許庁

To provide a Cu-Co-Si copper alloy material which is superior in bendability, can acquire higher electro-conductivity, and is suitable for a material for electronic and electrical equipment such as a movable connector, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

曲げ加工性に優れかつ高導電化可能な、可動コネクタ等の電子・電気機器用材料に適したＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ銅合金材及びその製造方法。 - 特許庁

In this invention, it is preferable that the content of Cu is controlled to ≤0.05 mass%, the content of Na is controlled to ≤10 mass% and also the content of Zn is controlled to 0.1 to 1.0 mass%.例文帳に追加

本発明では、Ｃｕ：０．０５質量％以下とすること、Ｎａ：１０質量ｐｐｍ以下とすること、さらにＺｎ：０．１〜１．０質量％を含有することが好ましい。 - 特許庁

The flaky glass comprises components of 60≤SiO_2≤80, 1≤(Li_2O+Na_2O+K_2O)≤20, and 5≤CuO≤20, whose amount is calculated from the content of CuO obtained from the total amount of Cu, in terms of mass%.例文帳に追加

質量％で表して、６０≦ＳｉＯ_2≦８０、１≦（Ｌｉ_2Ｏ＋Ｎａ_2Ｏ＋Ｋ_2Ｏ）≦２０、および５≦ＣｕＯ（全Ｃｕから換算したＣｕＯ）≦２０の成分を含有する鱗片状ガラスとする。 - 特許庁

To reduce occurrence of dishing in chemical mechanical polishing by reducing occurrence of an under plate when wiring grooves of wide width and narrow width are filled by electroplating of Cu.例文帳に追加

太い幅の配線溝と細い幅の配線溝をＣｕの電解メッキで充填する際に、アンダープレートの発生を抑制し、化学機械研磨後におけるディッシングの発生を抑制する。 - 特許庁

This alloy sheet has a composition containing 3.0 to 8.0 wt.% Mg and 0.2 to 0.7 wt.% Cu, and the balance aluminum with inevitable impurities, in which the final recrystallized grain size if ≤5 μm, and also, the tensile strain hardening exponent {(n) value} is ≥0.25.例文帳に追加

Ｍｇ3.0 〜8.0wt ％、Ｃｕ0.2 〜0.7 wt％を含有し、残部アルミニウムと不可避不純物からなり、最終の再結晶粒度が５μｍ以下で、且つ加工硬化指数（ｎ値）が０．２５以上である。 - 特許庁

(B) A bonding paste in which eutectic composition of Ag-Cu is added with Ti by 4 wt.% is applied on the substrate, and a copper plate is laminated on the paste, which is thermally processed for jointing the copper plate.例文帳に追加

（ロ）この基板上にＡｇ−Ｃｕの共晶組成にＴｉ４重量％を添加した接合用ペーストを塗布し、該ペースト上に銅板を積層し、熱処理して銅板を接合する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

To drastically improve imaging characteristics without causing deterioration in the quality of the image of a solid-state imaging device by preventing AlCu wiring exposure during the formation of a lens and suppressing Cu pollution.例文帳に追加

レンズ形成時のＡｌＣｕ配線露出を防止して、Ｃｕ汚染を抑制することにより、固体撮像装置の画質品質の低下を招くことなく、撮像特性を大幅に改善する。 - 特許庁

A wiring layer HL of a top layer having a Cu layer 107 embedded in a trench hole 108 and a via hole 109 is formed on a wiring layer LL of a lower layer by the damascene method.例文帳に追加

下層の配線層ＬＬの上に、トレンチホール１０８及びビアホール１０９に埋め込まれたＣｕ層１０７を有する最上層の配線層ＨＬをダマシン法により形成する。 - 特許庁

The silicon nitride circuit board and a porous preform formed of SiC powder are brought close to each other, and integrally metallically jointed by impregnating Cu melted in the preform.例文帳に追加

窒化ケイ素回路基板とＳｉＣ粉末で形成された多孔質プリフォームを隣接させ、前記プリフォームに溶融したＣｕを含浸することにより、両者を一体に金属的接合してなる。 - 特許庁

To provide a novel method of manufacturing an electrode wire for wire electric discharge machining that is inexpensive in production cost and can reliably produce a Cu-Zn alloy layer with a desirable Zn concentration.例文帳に追加

生産コストが安価で、かつ所望のＺｎ濃度を有するＣｕ−Ｚｎ合金層を確実に得ることができる新規なワイヤ放電加工用電極線の製造方法の提供。 - 特許庁

An Al-based or Cu-based bearing ally layer comprises a resin coating layer in which a solid lubricant having a relative C-axial strength ratio defined by the following equation of 85% or more is dispersed.例文帳に追加

Ａｌ系又はＣｕ系軸受合金層に、下記式で定義される相対Ｃ軸強度比が85％以上である固体潤滑剤を分散した樹脂系コーティング層を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board by which the surface of a Cu-based pad can be uniformly covered in spite of usage of an Sn-based high-temperature solder of low Pb content.例文帳に追加

Ｐｂ含有率の低いＳｎ系高温半田を用いているにも拘わらず、Ｃｕ系のパッド表面を均一に被覆することができる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the ferroelectric body or the piezoelectric body 13 whose main component is BiFeO_3, a plurality of Fe sites of BiFeO_3 is elemental-substituted to Ti and any one of Mn, Ni, and Cu.例文帳に追加

ＢｉＦｅＯ_3を主成分とする強誘電体及び圧電体１３は、ＢｉＦｅＯ_3の複数のＦｅサイトが、Ｔｉと、Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｕのいずれかとに元素置換されている。 - 特許庁

A detaching material 8 contains Sn as a main component and further contains Cu in 0.8%, for example, working distortion is applied by rolling or the like and Sn is transformed into gray tin.例文帳に追加

取外し材８は、Ｓｎを主成分として含み、さらにたとえば０．８％のＣｕを含み、圧延加工などによって加工歪が付与され、Ｓｎが灰色すずに変態している。 - 特許庁

In a Cu wiring process, an organic-based low-permittivity interlayer film 32 is formed, and then a protective film 33 is deposited on the side and backside of a wafer bevel, and on the backside of a wafer edge.例文帳に追加

Ｃｕ配線工程において、有機系低誘電率層間膜３２形成後に、ウェハベベルの側面上および裏面上、ウェハエッジの裏面上に保護膜３３を堆積させる。 - 特許庁