Cu-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2149件
To manufacture a metal base circuit board which has a conductive circuit made of Al and Cu on a metal plate across an insulating layer efficiently with high quality in an environmental-friendly way.例文帳に追加
金属板に絶縁層を介してAlとCuとからなる導電回路を搭載した金属ベース回路基板を、効率的に、高品質に、環境にやさしく製造する。 - 特許庁
The glass for coating an electrode comprises 0.05-2 mol% Cu and 0.05-2 mol% Co calculated in terms of CuO and CoO, respectively.例文帳に追加
CuおよびCoを含有し、CuのCuO換算含有量が0.05〜2モル%かつCoのCoO換算含有量が0.05〜2モル%である電極被覆用ガラス。 - 特許庁
A trench for forming a wiring layer on the CF film 21 is etched by using the hard mask 31 as a mask, and a semiconductor device is manufactured by embedding Cu in the trench.例文帳に追加
この後ハ−ドマスク31をマスクとしてCF膜21に配線層を形成するための溝をエッチングし、この溝にCuを埋め込むことにより半導体装置を製造する。 - 特許庁
A directivity control portion 133 outputs audio contents through a parametric speaker 110 in the direction of the users CU corresponding to a plurality of languages thus determined.例文帳に追加
このように判定された複数の言語で対応する利用者CUの方向に音声コンテンツをパラメトリックスピーカ110で指向性制御部133が出力する。 - 特許庁
In a semiconductor device 100, Cu serving as metal validating soldered joint is used as a gate electrode 101 and a source electrode 104.例文帳に追加
半導体装置100においては、ゲート電極101およびソース電極104として、はんだ接続をすることが可能な金属であるCuが用いられている。 - 特許庁
To prevent discoloration or oxidation without giving chromic acid treatment as a pre-treatment on components in a manufacturing method of vacuum equipment having the components composed mainly of copper (Cu).例文帳に追加
銅(Cu)を主成分とする部品を有する真空機器の製造方法において、部品の事前処理としてクロム酸処理を施さずに変色や酸化を防止する。 - 特許庁
In the sulfuric acid-copper sulfate solution, Cu^2+ ion concentration is preferably 40 to 120 g/l and free SO_4^2- ion concentration is preferably 100 to 200 g/l.例文帳に追加
前記硫酸−硫酸銅水溶液は、Cu^2+イオン濃度が40g/l〜120g/l、フリーSO_4^2−イオン濃度が100g/l〜200g/lであることが好ましい。 - 特許庁
BEARING MADE OF SINTERED Cu ALLOY FOR RECIRCULATION EXHAUST GAS FLOW RATE CONTROL VALVE OF EGR TYPE INTERNAL COMBUSTION ENGINE EXHIBITING HIGH STRENGTH AND EXHIBITING EXCELLENT WEAR RESISTANCE IN HIGH TEMPERATURE ENVIRONMENT例文帳に追加
高強度を示しかつ高温環境下ですぐれた耐摩耗性を示すEGR式内燃機関の再循環排ガス流量制御弁などの焼結Cu合金製軸受 - 特許庁
To provide a Cu-Ti based copper alloy sheet material which has high strength and excellent bending workability and stress relaxation resistance simultaneously, and is improved in spring back.例文帳に追加
高強度と、優れた曲げ加工性、耐応力緩和性とを同時に具備し、かつスプリングバックについても改善したCu−Ti系銅合金板材を提供する。 - 特許庁
The main surface of a silicon substrate 121 provided with the Cu film 103 is brought into contact with an alkali aqueous solution, polycarboxylic acid, BTA, and an alkali aqueous solution in this order.例文帳に追加
Cu膜103が設けられたシリコン基板121の主面に、アルカリ性水溶液、ポリカルボン酸、BTAおよびアルカリ性水溶液をこの順に接触させる。 - 特許庁
In the exhaust gas purifying catalyst, an alumina oxide on which Pd is supported and an oxygen absorbent oxide, on which Cu is supported, are mixed to be added to the catalyst layer formed on a honeycomb carrier.例文帳に追加
ハニカム状担体に形成された触媒層に、Pdが担持されたアルミナ系酸化物と、Cuが担持された酸素吸蔵性酸化物とを混合して含まれるようにする。 - 特許庁
To provide a thermoelectric conversion module which can improve reliability of a solder connecting part by preventing a solder from being alloyed by a diffusion of Au and Cu in the solder.例文帳に追加
はんだに対するAu及びCuの拡散による合金化を防止し、はんだ接合部の信頼性を向上させることができる熱電変換モジュールを提供する。 - 特許庁
The granular carrier parts comprise SiC and the catalyst particles are Cu particles and the oxide is amorphous SiO_2 generated by baking SiC in an oxidizing atmosphere.例文帳に追加
粒状担体部はSiCよりなり,また触媒粒子はCu系粒子であり,さらに酸化物は,酸化雰囲気中でのSiCの焼成で生じた非晶質SiO_2 である。 - 特許庁
To carry out a removal working of copper and to carry out a flattening working by non-contacting by carrying out a laser irradiation to a Cu remaining film in chemical solution (working liquid).例文帳に追加
Cu 残膜に対し化学溶液(加工液)中でレーザー照射することにより、銅を除去加工し、非接触で平坦化加工を行うことを目的としている。 - 特許庁
The copper alloy material for electric and electronic parts in the first invention contains appropriate amounts of Cr, Ti, Si, Ni, Fe and Al, and the balance consisting of Cu and inevitable impurities.例文帳に追加
本願第1発明の電気電子部品用銅合金材は、Cr、Ti、Si、Ni、Fe及びAlを適量含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁
This decorative member is obtained by providing a base material 1 composed of a metal with a palladium (Pd)-copper (Cu) alloy layer 3 and a palladium (Pd) layer 4 in this order.例文帳に追加
金属からなる基材1上に、パラジウム(Pd)−銅(Cu)合金層3、及びパラジウム(Pd)層4をこの順に備えてなることを特徴とする装飾部材とする。 - 特許庁
To provide an inductance element which is made of a Ni-Zn-Cu based ferrite material excellent in a direct current superimposed characteristic by adding zinc silicate.例文帳に追加
本発明は、ケイ酸亜鉛を添加することにより、直流重畳特性に優れたNi−Zn−Cu系フェライト材料からなるインダクタンス素子を提供するものである。 - 特許庁
On the second interlayer insulating film 8, a via 12 that is connected to the bottom face of the upper layer wiring 10 and consists of a metallic material containing Cu is formed in a feed-through manner.例文帳に追加
また、第2層間絶縁膜8には、上層配線10の底面に接続され、Cuを含む金属材料からなるビア12が貫通形成されている。 - 特許庁
A cyclohexane solution of Cu(dibm)_2 is a bluish-purple transparent liquid in which the copper compound is completely dissolved without forming deposits and free from deposits even after three months, and has a long pot life.例文帳に追加
Cu(dibm)_2のシクロヘキサン溶液は青紫色透明液体で、析出物なく完全に溶解し、3ケ月後も沈殿の生成がなく、長いポットライフを有する。 - 特許庁
In addition, the material may further include one or more elements selected from 0.001-10% Cu, 0.001-10% Co and 0.001-5% Si.例文帳に追加
また、Cu:0.001〜10%、Co:0.001〜10%、および、Si:0.001〜5%から選択される1種または2種以上をさらに含有していても良い。 - 特許庁
To provide an improved Sn-Ag-Cu based lead-free solder material which can be suitably used as a joining material in the packaging process of an electronic component.例文帳に追加
電子部品の実装プロセスにおいて接合材料として好適に用いることができる、改善されたSn−Ag−Cu系鉛フリーはんだ材料を提供する。 - 特許庁
In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part.例文帳に追加
半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu−Ti合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のCu系配線の製造方法であって、前記Cu−Ti合金が、Tiを0.5原子%以上3.0原子%以下含むものであり、かつ、前記Cu−Ti合金をスパッタリング法で形成し、該Cu−Ti合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Cu−Ti合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のCu系配線の製造方法。 - 特許庁
The dielectric ceramic composition contains main components of 85-99 mol% Ti oxide expressed in terms of TiO_2 and 1-15 mol% Zn oxide expressed in terms of ZnO and it is preferable to contain a glass component containing oxide of B and/or oxide of Cu as accessary components.例文帳に追加
Tiの酸化物が、TiO_2換算で、85〜99mol%、Znの酸化物が、ZnO換算で、1〜15mol%である主成分を含有する誘電体磁器組成物。 - 特許庁
A second barrier metal layer 20 and a plug material 21 mainly composed of Cu are embedded in a hole formed in the insulating films 17 and 18, and a via plug 22a and a slit-like dummy plug 22b are formed.例文帳に追加
絶縁膜17,18に形成されたホール内に第2のバリアメタル層20とCuを主とするプラグ材21が埋め込まれてヴィアプラグ22a,及びスリット状ダミープラグ22bが形成されている。 - 特許庁
On the first insulating layer 2, a second insulating layer 3 is laminated, and a second wiring 16 made principally of Cu is buried in a second groove 13 formed in the second insulating layer 3.例文帳に追加
また、第1絶縁層2上には、第2絶縁層3が積層され、この第2絶縁層3に形成された第2溝13には、Cuを主成分とする第2配線16が埋設されている。 - 特許庁
To provide a plating device and a plating method with which, even to a semiconductor substrate with a large diameter, growing by electroplating can be performed with high uniformity in film thickness in the plane even when a seed Cu film is thin.例文帳に追加
大口径の半導体基板に対して、シードCu膜が薄くても面内の膜厚均一性良く電解めっき成長を行うことができるめっき装置、めっき方法を提供する。 - 特許庁
To provide a base metal-based exhaust gas cleaning catalyst which has high NO reduction activity in an initial period and after endurance at a low temperature (about 200°C) and a high temperature (about 500°C) and in which Cu is catalyst metal.例文帳に追加
低温(200℃程度)および高温(500℃程度)において初期および耐久後に高いNO還元活性を有する、Cuを触媒金属とするベースメタル系排ガス浄化触媒を提供する。 - 特許庁
In the metal terminal pads 10, 110, 17 and 117, the Cu plating layer 52, the barrier metal layer 20 and the Au plating layer 54 are arranged in this order from a first main surface CP on a wiring board 1.例文帳に追加
配線基板1において、金属端子パッド10,110,17,117は、第一主表面CP側からCuメッキ層52、バリア金属層20及びAuメッキ層54がこの順序で積層される。 - 特許庁
The soldered article in this invention is composed of a conductor essentially consisting of Cu and the solder composition in this invention fitted so as to electrically and mechanically be joined to the conductor.例文帳に追加
本名発明のはんだ付け物品は、Cuを主成分とする導体と、導体に電気的かつ機械的に接合するように取り付けられた本発明のはんだ組成物と、からなることを特徴とする。 - 特許庁
The solder alloy contains, by mass%, in total, ≤20% one or more elements selected from Ag, Cu, and In, and ≤1% Ru, and the balance Sn and inevitable impurities.例文帳に追加
質量%で、Ag,Cu,Inのうちから選ばれる1種以上の元素を合計で20%以下、Ruを1%以下含み、残部Snおよび不可避的不純物からなるはんだ合金である。 - 特許庁
The electronic device has the insulating film in which a recess is formed, a wiring layer which is formed in the recess and contains Cu, and the base film which is formed between the insulating film and wiring layer and contains Ta and Mn.例文帳に追加
電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Cuを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ta及びMnを含む下地膜とを有する。 - 特許庁
The copper-based composite material plate has the first surface 1a in which the volume ratio of Cu_2O of the copper-based composite material composed of Cu and Cu_2O is small and the second surface 1b in which the volume ratio is big.例文帳に追加
CuとCu_2Oを組成とする銅系複合材料のCu_2Oの体積率を小とする第1の面1aと、前記体積率を大とする第2の面1bを有するようにする。 - 特許庁
To provide a Cu-Fe alloy in which cracks such as casting cracks and hot rolling cracks can be prevented, and having excellent heat resistance and having excellent characteristics even in mechanical strength.例文帳に追加
鋳造割れや熱間圧延割れ等の割れの発生を防ぐことができるとともに、優れた耐熱性を有し、さらに、機械的強度においても優れた特性を有するCu−Fe系合金を提供する。 - 特許庁
In a semiconductor device 70, a first opening is formed on an interlayer insulation film 4 on a cap film 3, and a wiring layer 6 composed of a barrier metal film 5 and Cu (copper) is embedded in the first opening.例文帳に追加
半導体装置70には、キャップ膜3上の層間絶縁膜4に第1の開口部が設けられ、第1の開口部には、バリアメタル膜5とCu(銅)からなる配線層6が埋設される。 - 特許庁
To provide a recycling method for molten fly ash by which Cu and a noble metal in the molten fly ash can be recovered as a smelting raw material where these metals are contained in concentration capable of utilizing for the smelting of these metals.例文帳に追加
溶融飛灰中のCuや貴金属をそれらの金属の製錬に利用可能な濃度で含有する製錬原料として回収する溶融飛灰の再資源化処理方法を提供すること。 - 特許庁
The solder ball contains, by mass %, in total, ≤20% one or more elements selected from the Ag, Cu, and In, and ≤1% Ru, and the balance the Sn and the inevitable impurities.例文帳に追加
そして、質量%で、Ag,Cu,Inのうちから選ばれる1種以上の元素を合計で20%以下、Ruを1%以下含み、残部Snおよび不可避的不純物からなるはんだボールである。 - 特許庁
The W layer 47 is laminated so as to be in contact with the Cu wiring 35, 43 via a barrier metal layer 39, and desirable to be at least 10 nm and at most 100 nm in film thickness.例文帳に追加
W層47は、Cu配線35,43にバリアメタル層39を介して接するように積層されており、特に10ナノメートル以上、100ナノメートル以下の膜厚に形成されることが好ましい。 - 特許庁
By solution treatment, elements such as Cu, Zn, Mg and Si in the aluminum based bearing alloy layer 4 are allowed to enter into solid solution in the Al matrix, and, by rapid cooling, its strength is increased, and its fatigue resistance is improved.例文帳に追加
溶体化処理によって、アルミニウム基軸受合金層4のCu、Zn、Mg、Siなどの元素がAlマトリックス中に固溶し、急冷することによって、強度を高め、耐疲労性を向上させる。 - 特許庁
Only one Cu foil layer 3 is allowed to remain in a sprocket hole area at both ends in tape widthwise direction of a long double-sided wiring tape carrier 1 comprising a plurality of semiconductor chip mounting parts 9t.例文帳に追加
複数の半導体チップ搭載部9tを有する長尺の両面配線テープキャリア1において、テープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のCu箔層3のみを残存させたものである。 - 特許庁
To provide a display device capable of maintaining good on-characteristic, even if an oxidation treatment process is applied to a contact film, in a TFT in which a Cu alloy is used for a source/drain electrode.例文帳に追加
Cu合金をソース・ドレイン電極に用いたTFTにおいて、コンタクト膜に対して酸化処理を施す場合であっても、良好なオン特性を維持する表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
In the substrate (17), glass (1) where an Mo conductive film (2) is formed on the top is used, and an In layer (3) and a Cu-Ga layer (4) are alternately repeated on the glass (1) to form the precursor thin film (5).例文帳に追加
基板(17)は表面にMo導電膜(2)を形成したガラス(1)を用い、その上にIn層(3)とCu−Ga層(4)とが交互に繰り返して前駆体薄膜(5)を形成している。 - 特許庁
To provide a thermosetting resin composition providing a molded article or an interlayer insulation film excellent in closely bonding strength with Cu-plating, excellent in working speed, and also equipped with a high linear expansion coefficient.例文帳に追加
本発明は、Cuメッキとの密着強度に優れ、動作速度に優れ、かつ高い線膨張率を備えた、成形体や層間絶縁膜を提供できる熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an electrode wire for wire electric discharge machining that can produce a Cu-Zn alloy coating layer having a desirable zinc concentration without an increase in manufacturing cost and excels in wiredrawing workability.例文帳に追加
製造コストを上げることなく所望の亜鉛濃度を有するCu−Zn合金被覆層が得られると共に伸線加工性に優れるワイヤ放電加工用電極線の製造方法を提供する。 - 特許庁
In this zinc-base alloy, copper and manganese as solute metal are added in such a way that a relation of Cu/Mn(mass ratio)>1 is satisfied and Vickers hardness (JIS Z 2244) ranges from 55 to 180 Hv.例文帳に追加
亜鉛基合金が、溶質金属としての銅及びマンガンが、Cu/Mn質量比>1の関係で、かつ、ビッカース硬さ(JIS Z 2244)55〜180HVを示すように添加されてなるものである。 - 特許庁
The electrode is configured, in such a manner that the whisker forming body is employed, and the substrate contains two kinds of metals selected from among Mn, V, Fe, Cu, Ni, Cr, Al, Sn, Zn, In, Nd, Sc, Co, Ti, and Mo.例文帳に追加
ウィスカー形成体を用い、基体が、Mn、V、Fe、Cu、Ni、Cr、Al、Sn、Zn、In、Nd、Sc、Co、Ti及びMoから選択した2種の金属を含む電極である。 - 特許庁
To provide a photoresist remover excellent in property of preventing corrosion of metal wiring of both Al and Cu, excellent also in power to remove a photoresist film and residue after ashing and causing no precipitation of an anticorrosive.例文帳に追加
Al、Cu両者の金属配線の防食性に優れ、かつホトレジスト膜およびアッシング後の残渣物の剥離性に優れるとともに、防食剤の析出を生じないホトレジスト用剥離液を提供する。 - 特許庁
A Cu pattern on which Ni is adhered is formed on a metallic board 11, and light emitting elements 10 are mounted thereon in a serial circuit, and then the serially connected metallic boards are connected in parallel.例文帳に追加
金属基板11の上には、Niが被着されたCuパターンを形成し、この上に発光素子10を直列回路で実装し、この直列接続された金属基板を並列接続する。 - 特許庁
As a metallic element for long-term DC fracture prevention, Cu is added to an In-Sn composition composed of 52 to 85% In and the balance Sn for the purpose of preventing an element fracture under the long-term DC energization.例文帳に追加
In52%〜85%,残部SnのIn−Sn組成に、長時間直流通電下でのエレメント破断を防止するための長時間直流破断防止用金属元素としてCuを添加した。 - 特許庁
(2) In this manufacturing method of the optical recording medium relating in (1), the recording layer is made of a Bi oxide or of the Bi oxide and the oxide of at least one element selected from the group consisting of B, Cu, Fe and Zn.例文帳に追加
(2)記録層がBi酸化物、又は、Bi酸化物とB、Cu、Fe、Znから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物からなる(1)記載の光記録媒体の製造方法。 - 特許庁
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