「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

In a dry etching using a mixed gas of SF6/Cl2/O2, oxygen radicals produced in plasma oxidize the surface of an Ag-Pd-Cu film 17 to accelerate etching carried out by fluorine radicals and fluorine ions.例文帳に追加

ＳＦ_6 ／Ｃｌ_2 ／Ｏ_2 ガス系を使ったドライエッチングは、プラズマで生成された酸素ラジカルがＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜17の表面を酸化してフッ素ラジカル、フッ素イオンによるエッチングを加速する。 - 特許庁

At least one electrolyte selected from among chlorides of Fe, In, and Cu is added to the resultant silylated compound to give a composition, which is dissolved in an organic solvent to give an ion-conductive coating material.例文帳に追加

該シリル化重合体にＦｅ，Ｉｎ，Ｃｕの塩化物から選ばれた一種を電解質として添加した組成物を有機溶剤に溶解してイオン導電性塗料とする。 - 特許庁

This lead-free solder for high-low temperature used for a printed circuit board using in a test burn-in test has a composition containing, by weight, 3 to 3.5% Ag and 0.3 to 0.5% Cu, and the balance Sn.例文帳に追加

テスト・バーン・イン試験で用いるプリント基板に使用する高低温用無鉛はんだを、Ａｇを３〜３．５［重量％］、Ｃｕを０．３〜０．５［重量％］、残りをＳｎとして組成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming stable and reliable wiring structure even in the case of using a fine contact hole in Cu wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線において微細なコンタクトホールを用いる場合であっても、安定性及び信頼性の高い配線構造を形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An alloy comprising Al, at least one of Zn and Cd and at least one of Sn, Bi, In, Cu and Ni is heat-treated in an oxidizing atmosphere to produce alumina whiskers.例文帳に追加

Ａlと、Ｚn、及びＣｄの少なくとも１種と、Ｓn、Ｂi,Ｉｎ、Ｃu及びＮiの少なくとも１種とを含む合金を、酸化性雰囲気中で加熱処理してアルミナのウイスカーを製造する。 - 特許庁

Super-abrasive grains 6 of diamond, or CBN, etc., are dispersed and mixed in a metallic bond phase 4 mixing and sintering powder of Cu and Sn in an abrasive grain layer 2 of a metal bonded grinding wheel 1.例文帳に追加

メタルボンド砥石１の砥粒層２は、ＣｕとＳｎの粉末を混合焼結した金属結合相４にダイヤモンドまたはＣＢＮ等の超砥粒６を分散混合している。 - 特許庁

The catalyst which is expressed by the formula (1) and in which the source of supplying a component A in preparing the catalyst is a conjugate of the component A and at least one kind selected from Mo, V and Cu is prepared.例文帳に追加

式（１）で表され、該触媒を調製する際のＡ成分の供給源がそのＡ成分とＭｏ、Ｖ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種との複合体である触媒。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inexpensive Fe-Cu composite powder in which the amount of free copper powder is reduced and the increase in the hardness of a coating copper layer is suppressed.例文帳に追加

本発明は、遊離銅粉が少なく、被覆銅層の硬さの上昇を抑えた安価なＦｅ−Ｃｕ複合粉末を提供するため、その製造方法を提供することである。 - 特許庁

As a result, a magnetic substance (an Li-Zn-Cu ferrite material) having optional temperature sensitivity can be produced, and the control in the temperature variation of the initial permeability in the magnetic substance is made possible.例文帳に追加

その結果、任意の温度感応性を有する磁性体（Ｌｉ-Ｚｎ-Ｃｕフェライト材料）を製造することができ、その磁性体の初透磁率の温度変化量が制御可能となる。 - 特許庁

A Cu pattern adhered with Ni is formed on a metallic board, and light emitting elements are mounted thereon in a serial circuit, and then the serially conencted metallic boards are connected in parallel.例文帳に追加

金属基板１１の上には、Ｎｉが被着されたＣｕパターンを形成し、この上に発光素子１０を直列回路で実装し、この直列接続された金属基板を並列接続する。 - 特許庁

The contact material for a vacuum valve is provided with an electrically conductive component composed of Cu in 55 to 75 volume%, and an arc resistant component(s) and an auxiliary component of 25 to 45 volume% in total.例文帳に追加

真空バルブ用接点材料は、５５〜７５体積％のＣｕからなる導電成分と、２５〜４５体積％の検量の耐弧成分および補助成分とを備えている。 - 特許庁

The alloy moreover contains 25 to 80% Sn and one or more kinds among Ge, Ag, Cu and In by 0.1 to 6% in total, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

また、更には、２５〜８０重量％のＳｎと、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎの１種以上を合計で０．１〜６重量％含み、残部がＺｎ及び不可避不純物からなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of easily arranging the presence position of a Cu ball inside an electrode, which causes the shortage in the connection strength with another substrate or the like being the other party and the shortage in connection reliability, when manufacturing the electrode that becomes the connection terminal of electronic components by using a Cu core solder ball.例文帳に追加

Ｃｕコアはんだボールを使用して電子部品の接続端子となる電極を製造する上で、相手方となる別の基板等との接続強度の不足や接続信頼性不足の原因の一つとなる電極内部のＣｕボールの存在位置を、電極パッドの中央に容易に配置可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal matrix composite is constituted by impregnating matrix metals consisting of Al or Al alloy containing one or more elements selected from Mg, Cu and Si into the pores in a preform consisting of a porous body of hydrogenizable metals with metal hydrides at least in part of the surface and composing the matrix metals and the preform.例文帳に追加

表面の少なくとも一部に金属水素化物を有する水素化可能金属類の多孔質体からなるプリフォームの空隙中に、AlまたはMg、CuおよびSiのうちから選ばれるいずれか１種以上を含むAl合金からなるマトリックス金属類を含浸させて複合化したものからなる金属基複合材料。 - 特許庁

The pickled steel plate is that of plain steel containing ≥0.03% Cu by mass in the steel, and the area ratio of the part in which Cu concentration obtained by measuring the surface of the steel plate after pickling using EPMA is ≥5% is made to ≤10%.例文帳に追加

鋼材中にＣｕを０．０３質量％以上含有する普通鋼酸洗鋼板であって、酸洗後の鋼板表面をＥＰＭＡにより測定したＣｕ濃度が５％以上である部分の面積率が１０％以下であることを特徴とする色調性に優れたＣｕ含有普通鋼酸洗鋼板。 - 特許庁

To suppress and prevent the formation of a projecting part formed on the surface of a substrate caused by the containing of at least one element of C, Al, Si, Fe, Cu, Zn and Zr which are contained in water used in a cleaning and a drying stages and containing at least one of C, O, Al, Si, Fe, Cu, Zn and Zr.例文帳に追加

洗浄・乾燥工程で使用する水に含まれるＣ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一種の元素の含有が原因で基板表面上に形成されるＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の形成を抑制し、防止する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metallosilicate using at least one kind metal element selected from the group consisting of B, Mo, As, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Cu, Zn and lanthanoide elements as a metal component, a metal element source of the metal elements and a silicon source are subjected to hydrothermal synthetic reaction in the presence of a template.例文帳に追加

B、Mo、As、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Znおよびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を金属成分とするメタロシリケートの製造方法であって、 該金属元素の金属元素源とケイ素源とをテンプレートの存在下において水熱合成反応させることを含む製造方法。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting device where a nitride based semiconductor light emitting element 1 is mounted in a chip state on a heat dissipation block 3 made of Cu or a Cu alloy through a submount 2, the submount 2 is formed of 200-400 μm thick using a material having a thermal expansion coefficient of 3.5-6.0×10^-6/°C.例文帳に追加

チップ状態の窒化物系化合物半導体発光素子１が、サブマウント２を介してＣｕあるいはＣｕ合金製放熱ブロック３上に実装されてなる半導体発光装置において、サブマウント２を、熱膨張係数が３．５〜６．０×１０^−６／℃である材料を用いて２００〜４００μｍの厚さに形成する。 - 特許庁

This microreactor 10 is formed, by sequentially jointing a plurality of Cu films 12A-12F being conductive films formed by electroforming to a target substrate at ordinary temperature, and jointing a Ni film 11 harder than the Cu film and having two openings 110 to the side in contact with a header 4 shown in Fig. 1 at normal temperature.例文帳に追加

このマイクロリアクタ１０は、ターゲット基板に対して、電鋳法により形成された導電膜である複数のＣｕ膜１２Ａ〜１２Ｆを順次常温接合し、図１に示すヘッダ４と接する側に、Ｃｕ膜よりも硬く、２つの開口１１０を有するＮｉ膜１１を常温接合することにより形成されている。 - 特許庁

The roughening method is a roughening treatment method of roughening the surface of the wiring formed by Cu electroplating and comprises forming a conductor by Cu electroplating, then in successively subjecting the surface of the wiring to the roughening treatment by a liquid chemical containing hydrogen peroxide or formic acid in the components without drying the surface of the wiring.例文帳に追加

電解Ｃｕメッキで形成された配線表面を粗面化する粗化処理方法であって、電解Ｃｕメッキにより導体を形成した後、該配線の表面を乾燥することなく続けて、成分に過酸化水素もしくはギ酸を含む薬液による粗化処理を施すことを特徴とする粗化処理方法である。 - 特許庁

In order to reduce the temperature of the center electrode, and restrain the spark consumption of the center electrode, a heat radiation promoting metal part 2m, made of Cu or an alloy including Cu as a main component, is formed at the position having a distance L_3 of 1.5 mm from the peak P of the convex part, in the direction toward the rear side of the axis line.例文帳に追加

一方、その凸部頂点Ｐから軸線方向後方側における距離Ｌ_３が１．５ｍｍの位置において、中心電極２の温度を低減させ、火花消耗を抑えるためにＣｕ又はＣｕを主体とする合金にて構成される放熱促進用金属部２ｍが存在する。 - 特許庁

The bending resistant conductor, in which the ratio of the increase of the number of times of bending rapture to the increase of tensile strength in a region of ≥900 MPa tensile strength is ≥1 number of time/MPa, is obtained by using a Cu-Ag alloy containing 2-14 wt.% Ag and the balance Cu with inevitable impurity.例文帳に追加

２乃至１４重量％のＡｇを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物からなるＣｕ−Ａｇ合金を用いて引張強度９００ＭＰａ以上の領域で引張強度の増加量に対する屈曲破断回数の増加量の比が１回／ＭＰａ以上である耐屈曲性導線が得られる。 - 特許庁

In the electromagnetic shield filter formed by interposing a conductive mesh formed by combining a plurality of wires between two transparent substrates, and integrally joining them with an adhesive resin, the wires constituting the conductive mesh are composed of a Cu-Sn-In alloy or a Cu-Ag alloy.例文帳に追加

２枚の透明基板間に複数の線材を組み合わせてなる導電性メッシュを介在させて、接着樹脂で接合一体化してなる電磁波シールドフィルターにおいて、前記導電性メッシュを構成する線材は、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｉｎ合金又はＣｕ−Ａｇ合金からなることを特徴とする電磁波シールドフィルター。 - 特許庁

The transflective film is composed of the Ag base alloy made by compositely adding a specified small amount of Cu and P to Ag at the ratio of Cu≥P and, further as necessary, by additionally adding at least one kind of In, Sn, Zn, Au, Pt and Pd and/or at least one kind of Ni, Fe and Bi in a small amount.例文帳に追加

Ａｇに特定少量のＣｕとＰをＣｕ≧Ｐの比で複合添加し、さらに必要に応じてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、ＰｔおよびＰｄの少なくとも１種および／またはＮｉ、ＦｅおよびＢｉの少なくとも１種を少量追加添加してなるＡｇ基合金から構成された半反射型半透過膜。 - 特許庁

The method of regenerating the Cu-containing spinel catalyst with the activity lowered after use in reforming of oxygen-containing hydrocarbons includes the process of baking a catalyst whose activity is lowered owing to thermal coagulation of Cu, in an oxygen-containing gas atmosphere.例文帳に追加

Ｃｕ含有スピネル触媒を、酸素含有炭化水素の改質に用いた後、活性が低下した当該触媒を再生する方法であって、Ｃｕの熱凝集により活性が低下した該触媒を酸素含有ガス雰囲気中で焼成する工程を含むことを特徴とする、Ｃｕ含有スピネル触媒の再生方法である。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing a semiconductor device with guaranteed reliability, by preventing corrosion of Cu wiring caused by processing the Cu wiring by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method, and suppressing an increase in a wiring resistance in the semiconductor device having a damascene wiring structure.例文帳に追加

ダマシン配線構造を有する半導体装置において、ＣＭＰ法によるＣｕ配線への処理により発生するＣｕ配線の腐食（コロージョン）の発生を防止し、配線抵抗の上昇を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システムを提供する。 - 特許庁

In a layer wherein bonding pad aluminum 21 is formed, the peripheral removal of an insulating film 17 and an insulating film 18 for pad formation for preventing peeling of the films is performed not over a wiring pattern portion (having residual Cu 16) that becomes a target of Cu removal in the layer of just lower copper wiring 14.例文帳に追加

ボンディングパッドアルミ２１を形成する層において、膜はがれ防止のために行う絶縁膜１７とパッド形成用絶縁膜１８の周辺除去を、すぐ下の銅配線１４の層においてＣｕ除去の対象となった配線パターン部（Ｃｕ残り１６のある箇所）を超えないように行う。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powders are subjected to heat treatment in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C, and the heat-treated Cu-Ga alloy powders are sintered by a hot-press method in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C and a pressing pressure of 5-30 MPa.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

The gasket material is obtained by forming a rubber layer on one side or the both sides of a steal plate through a film comprising a reaction product of (A) a carbonate of Mg, Co, Zr, Mn, Ni or Cu, (B) water-dispersible silica and (C) an organic acid containing at least one of carboxy or hydroxy in a molecule and having 3-10 carbon number in a molecule.例文帳に追加

鋼板の片面または両面に、(A)Mg、Co、Zr、Mn、Ni、Cuの炭酸塩と、(B)水分散性シリカと、(C)1分子中にカルボキシル基及び水酸基の少なくとも1種を含み、1分子中の炭素数が3〜10の有機酸との反応生成物からなる皮膜を介してゴム層が形成してなることを特徴とするガスケット用素材。 - 特許庁

In the latter half of a heat-treatment in a vacuum or inert gas atmosphere of a superconductive precursor wire rod without a diffused barrier layer, the atmosphere is replaced with one having an oxygen partial pressure in which components other than Cu in the matrix are oxidized, and is maintained in that state.例文帳に追加

拡散障壁層のない超伝導前駆線材の真空または不活性ガス雰囲気での熱処理の後半において、マトリックス中のＣｕ以外の成分が酸化される酸素分圧を有する雰囲気に替え、その状態に保持する。 - 特許庁

The pearlite rail having excellent wear resistance and ductility is characterized in that in a steel rail comprising, by mass, 0.65 to 1.20% C and 0.3 to 2.0% Cu, and the balance Fe with inevitable impurities, the content of solid solution Cu in the ferrite phase of a pearlite structure is ≤0.25%, and the hardness of the top of head part is ≥340 Hv.例文帳に追加

質量％で、Ｃ:０．６５〜１．２０％、Ｃｕ：０．３〜２．０％を含有し残部はＦｅ及び不可避的不純物からなる鋼レールにおいて、パーライト組織のフェライト相中の固溶Ｃｕ量が０．２５％以下であり、頭頂部の硬度が３４０Ｈｖ以上であることを特徴とする耐磨耗性及び延性に優れたパーライトレール。 - 特許庁

In the copper foil for the electromagnetic-wave shielding, a fine roughened particle layer, in which a copper-alloy fine roughened particle layer consisting of the Cu alloy is laminated on a copper fine roughened particle layer composed of Cu is formed on at least one surface of the copper foil; and a smoothened layer composed of Co, Ni and In or these alloy is formed on the fine roughened particle layer.例文帳に追加

本発明の電磁波シールド用銅箔は、銅箔の少なくとも片面にＣｕからなる銅微細粗化粒子層の上にＣｕ合金からなる銅合金微細粗化粒子層を積層した微細粗化粒子層が設けられ、該微細粗化粒子層上に、Ｃｏ，Ｎｉ、Ｉｎ又はこれらの合金からなる平滑層が設けられている。 - 特許庁

Using this, sintering the ceramic material after the redox of the Pd in the internal electrodes 6, 7, 8 prevents the movement of the Cu in the ceramic material at the time of the sintering to the internal electrodes 6, 7, 8 and their neighboring part to uniformize a concentration distribution of the Cu in the ceramic sintered body 3.例文帳に追加

これを利用し、内部電極６，７，８中のＰｄを酸化還元させた後にセラミック素体を焼結させるため、焼結の際にセラミック素体中のＣｕが内部電極６，７，８中及びその周辺部分に移動するのを防止することができ、セラミック焼結体３におけるＣｕの濃度分布の均一化を図ることができる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a first Ti film, a TiN film, a second Ti film, a first Al film and a second Al film are formed in a contact hole provided in a second interlayer dielectric film on a Cu wiring in this order.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。 - 特許庁

The copper alloy member has a composition including Zr in a parent phase as a solid solution, a simple substance and/or a compound in an amount of 0.005 to 0.2 mass% (in terms of Zr in the case of compound), and the balance Cu with unavoidable impurities.例文帳に追加

銅合金部材は、Ｚｒを、母相中に、固溶体、単体及び／又は化合物として、０．００５乃至０．２質量％（化合物の場合はＺｒ換算値）含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなる組成を有する。 - 特許庁

This lead frame material for a semiconductor system is composed of a Cu alloy having a composition containing, by weigh, 0.07 to 0.4% Cr, 0.01 to 0.15% Zr, 0.002 to 0.4% Al, and the balance Cu with inevitable impurities and excellent in rollability and bending workability.例文帳に追加

半導体装置のリードフレーム材を、重量％で、Ｃｒ：０．０７〜０．４％、Ｚｒ：０．０１〜０．１５％、Ａｌ：０．００２〜０．４％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなる組成を有する圧延性および曲げ加工性にすぐれたＣｕ合金で構成する。 - 特許庁

The method has a process for selectively forming the cap film with the Cu diffusion prevention function on metal wiring comprising Cu embedded in a groove of an inter- layer insulation film and a process for forming an insulation film comprising an insulation material which does not contain oxygen at least on the cap film.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部に埋め込まれたＣｕを含む金属配線上に、Ｃｕ拡散防止機能を有するキャップ膜を選択的に形成する工程と、 少なくとも上記キャップ膜上に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The Cu-Ag alloy wire has a wire diameter of ≤0.08 mm, and is composed of a copper alloy obtained by admixing high purity Cu in which the total of inevitable impurities is ≤1 mass ppm with Ag having a purity of ≥99.99 mass% by 1.0 to 5.0 mass%.例文帳に追加

このＣｕ−Ａｇ合金線は、０．０８ｍｍ以下の線径を有するＣｕ−Ａｇ合金線であって、不可避不純物の総和が１ ｍａｓｓｐｐｍ以下の高純度Ｃｕに、純度９９．９９ｍａｓｓ％以上のＡｇを１．０〜５．０ｍａｓｓ％添加した銅合金によって構成される。 - 特許庁

A CVD method is carried out by using Cu (hfac) tmvs as VCD material and setting a substrate temperature at a temperature in the vicinity of a boundary temperature, at which a governing mechanism of Cu layer deposition reaction on a substrate surface varies from a surface reaction governing type to a source material supply governing type, or a temperature higher therethan.例文帳に追加

Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓをＣＶＤ原料として使い、基板温度を基板表面におけるＣｕ層の堆積反応の律速機構が表面反応律速型から原料供給律速型に変化する境界温度近傍の温度、あるいはそれ以上の温度に設定してＣＶＤ法を実行する。 - 特許庁

Mixed powder including Cu powder and Ga mixed at a mass ratio of 85:15 to 55:45, and having an oxygen content of ≤0.2 wt.% is alloyed in an atmosphere of an oxygen partial pressure of ≤20 Pa, and the resulting Cu-Ga alloy powder is sintered by a hot pressing method.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

The method includes a step of forming a trench pattern in an insulating layer on a substrate, a step of forming a Cu layer that fills the trench pattern and is planarized, and a step of forming an HfOx layer on the planarized Cu layer, before heat-treating the substrate.例文帳に追加

本方法は、基板上の絶縁層内にトレンチパターンを形成させるステップと、上記トレンチパターンを充填するプレーナ化されたＣｕ層を形成させるステップと、上記プレーナ化されたＣｕ層上にＨｆＯｘ層を形成した後に上記基板を熱処理するステップとを含む。 - 特許庁

The manufacturing method for a copper thin film includes a process of applying heating treatment of superheated steam on a coated film made from dispersed bodies of copper particles in a range of a molar ratio wherein a ratio of Cu (I) to Cu (II) is 100/0 to 30/70 on the surface of the copper particle, and the copper thin film is manufactured by this manufacturing method.例文帳に追加

銅粒子表面のＣｕ（Ｉ）とＣｕ（II）の比が１００対０〜３０対７０モル比の範囲にある銅粒子の分散体からなる塗膜に過熱水蒸気による加熱処理を施す工程を含む、銅薄膜の製造方法およびこの方法で製造された銅薄膜。 - 特許庁

A wiring film for a display comprises a laminated structure of Mo alloy which includes at least one element selected from the group consisting of rare-earth-metal elements, Zn, Mg, and Ca in the range of 5 to 50 atomic % and pure Cu or Cu alloy.例文帳に追加

希土類金属元素、Ｚｎ、Ｍｇ、およびＣａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を５原子％以上５０原子％以下の範囲で含むＭｏ合金と、純ＣｕまたはＣｕ合金との積層構造を有する表示装置用配線膜である。 - 特許庁

The catalyst for purifying exhaust gas includes the active species consisting of two kinds of Cu and Ag carried by the same carrier particle consisting of at least one oxide, and wherein the ratio of Ag to a total amount of the Cu and Ag is in a range of 30-70 mass%.例文帳に追加

ＣｕとＡｇとの２種類からなる活性種を、少なくとも１種類の酸化物から構成される同一の担体粒子に担持されていて、ＣｕとＡｇとの合計量に対するＡｇの割合が３０〜７０質量％の範囲であることを特徴とする排ガス浄化触媒。 - 特許庁

This etching method of copper uses water solution containing Cu(NH_3)_4X_2 and NH_4X (X is halogen elements), and uses water solution in which the number of mols of contained NH_4X is more than the number of mols of Cu(NH_3)_4X_2, and pH ranges from 6.5 to 8.1 as etching liquid.例文帳に追加

Ｃｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2、及び、ＮＨ_4Ｘ（ここで、Ｘはハロゲン元素である）を含む水溶液であって、含有されるＮＨ_4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法。 - 特許庁