「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent intergranular cracks at the time of hot rolling in a Cu-Fe alloy used for electrical and electronic parts by refining the cast structure of the copper alloy.例文帳に追加

電気電子用部品に使用されているＣｕ−Ｆｅ合金の熱圧延時の粒界割れを、銅合金の鋳造組織を微細化することにより防止する。 - 特許庁

In order to make a seed layer have a high adhesive strength to a substrate W, metallic ions of Cu, etc., are brought into collision with the substrate W with higher energy.例文帳に追加

基板Ｗに対するシード層の高い付着強度を確保するために、Ｃｕ等の金属イオンをさらに高エネルギーで基板に衝突させる。 - 特許庁

The projecting region of the Cu plated layer 14 increases joint force between the bump electrode 2 and a wiring layer 12, and reduces the resistance value in the bump electrode 2.例文帳に追加

更に、Ｃｕメッキ層１４の突出領域は、バンプ電極２と配線層１２との接合力を増大させ、バンプ電極２での抵抗値を低減させる。 - 特許庁

When electroplating is performed, a Cu plating film 8 is formed on the surface part of the interlayer insulation film 2 and in the wiring trenches 3 and wide wiring trenches 3a.例文帳に追加

電解メッキ処理を行うと、層間絶縁膜２の表面部分および配線溝３と幅広配線溝３ａの内部にＣｕメッキ膜８が成膜される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method for reducing specific resistance while reducing each content of elements other than Cu in a conductive member.例文帳に追加

導電部材中のＣｕ以外の元素の含有量を低減させ、比抵抗を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection forming method in which the Cu polishing rate is increased by strengthening at least a factor of a chemical mechanism or of a mechanical mechanism, and a semiconductor device.例文帳に追加

配線形成方法及び半導体装置に関し、ケミカルメカニズムとメカニカルメカニズムの少なくとも一方の要素を強化してＣｕ研磨レートを向上させる。 - 特許庁

Further, a conductive paste filled in the radiation via holes 19 is preferably formed of material having high thermal conductivity such as Ag, Cu and Ag-Pd.例文帳に追加

さらに、放熱用ビアホール１９内を充填する導電ペーストは、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄなどの熱伝導率の良好な材料が好ましい。 - 特許庁

The test piece pulled up from the seawater after a lapse of a predetermined time is dipped in concentrated nitric acid, and Cu adhering to the surface of the test piece is eluted.例文帳に追加

所定期間経過後に海水中から引き上げたテストピースを濃硝酸に浸漬して、テストピースの表面に付着するＣｕを溶出させる。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device which uses an interdigital electrode mainly containing Cu and is significantly improved in power resistance.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とするインターデジタル電極を用いた弾性表面波装置であって、耐電力性が著しく改善された弾性表面波装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, the R2-based alloy may contain as a sub-element at least one of element selected from among Cu, Al, Ga, Ge, Sn, In, Si, P, and Co.例文帳に追加

上記Ｒ２系合金は、副元素として、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏから選択される少なくとも１種の元素を含んでいると良い - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which can suppress a separation of an interlayer film or a residue of a Cu film outside of a wiring trench in a damascene wiring process.例文帳に追加

ダマシン配線プロセスにおける層間膜剥れや配線溝外のＣｕ膜残存を抑えることが可能な半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

The alloy layer of a second metallic layer 19 and the Cu plating layer 24 is formed in the coarse region of the Cr layer, and the connection resistance value is reduced.例文帳に追加

そして、Ｃｒ層の粗な領域には、第２の金属層１９とＣｕメッキ層２４との合金層が形成され、接続抵抗値が低減される。 - 特許庁

As the multi-exciton generator, a compound semiconductor containing at least one or more kinds of elements selected from Cu, In, Ga, Se, S, Te, Zn and Cd is used.例文帳に追加

多励起子発生剤は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ、Ｚｎ、及びＣｄから選ばれる１種以上の元素を含む化合物半導体が用いられる。 - 特許庁

To provide a method for recovering high-purity metallic cobalt from an acidic aqueous solution containing copper and cobalt in a concentration ratio Cu/Co of copper to cobalt being 5 or more.例文帳に追加

銅とコバルトをＣｕ／Ｃｏ濃度比が５以上で含有される酸性水溶液から高純度の金属コバルトを回収する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alkaline battery with an inner short circuiting prevented, even in the case heavy-metal impurities such as Cu is mixed into a cathode mixture.例文帳に追加

正極合剤にＣｕ等の重金属不純物が混入していた場合でも、内部短絡が起こらないようにしたアルカリ電池を提供する。 - 特許庁

The antibacterial inorganic metal in the antibacterial inorganic metal-containing compound (a) is preferably at least one selected from Ag, Cu and Zn.例文帳に追加

前記抗菌性無機金属含有成分（ａ）中の抗菌性無機金属は、銀、銅、亜鉛から選択される少なくとも１種であることが好ましい。 - 特許庁

The base metal layer 3 is in the laminated structure of titanium (Ti) or a titanium alloy and copper (Cu) or gold (Au) or palladium (Pd), and is formed by sputtering.例文帳に追加

下地金属層３はチタン（Ｔｉ）又はチタン合金と、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）又はパラジウム（Ｐｄ）との積層構造であり、スパッタリングにより形成される。 - 特許庁

The first conductor film 14 is composed of a nickel (Ni) layer 12 in contact with the dielectric layer 11 and a copper (Cu) layer 13 formed on the Ni layer.例文帳に追加

第１の導体膜１４は、誘電体層１１に接する側のニッケル（Ｎｉ）層１２とこのＮｉ層上に形成された銅（Ｃｕ）層１３とからなる。 - 特許庁

In addition to the above the aluminum alloy sheet for embossing contains one or more selected from 0.06 to 0.3% Cu, 0.06 to 0.3% Mn and 0.06 to 0.3% Cr.例文帳に追加

請求項２：前記各成分のほか、Ｃｕ０．０６〜０．３％、Ｍｎ０．０６〜０．３％、Ｃｒ０．０６〜０．３％のうちの１種以上を含む。 - 特許庁

To prevent Cu wiring on a via-bottom from being dissolved in cleaning after via working and wiring groove working when forming dual damascene metal wiring.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いた金属配線の形成において、ビア加工後及び配線溝加工後の洗浄におけるビア底のＣｕ配線の溶解を防止する。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P type copper-alloy sheet which has increased strength and excellent platability and in which both of these characteristics are combined.例文帳に追加

高強度化させた上で、メッキ性にも優れ、これら特性を両立（兼備）させたＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The copper silicide suppresses Cu diffusion and electromigration and serves as a barrier material in the regions where contact to further conductive material is made.例文帳に追加

ケイ化銅は、Ｃｕ拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。 - 特許庁

The tin plating layer 2c has a thickness of 5 μm, for example, and contains tin and copper (Cu) at a weight ratio of 97:3 in this order.例文帳に追加

錫めっき層２ｃは、例えば５μｍの厚さを有するとともに、錫および銅（Ｃｕ）をこの順で例えば９７：３の重量の比率で含む。 - 特許庁

In addition to resin material such as fluororesin and silicone resin, damping alloy such as Fe-Al base and Mn-Cu base can be indicated as damping material.例文帳に追加

制振材料としては、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂材料の他、Ｆｅ−Ａｌ系やＭｎ−Ｃｕ系等の制振合金を例示することができる。 - 特許庁

To reduce the resistance variation of Cu wiring and to improve the electromigration resistance of the wiring by improving the embeddability of the wiring in groove patterns.例文帳に追加

Ｃｕ配線の溝パターンへの埋め込み性を向上することによって、配線抵抗のばらつきを低減し、またエレクトロマイグレーション耐性を向上する。 - 特許庁

To provide a Cu-Zn-based alloy foil superior in flexibility, and to provide a flexible laminate using the copper alloy foil.例文帳に追加

本発明の課題は、屈曲性に優れるＣｕ—Ｚｎ系合金箔及びそれらの銅合金箔を用いたフレキシブル積層体を提供することにある。 - 特許庁

The light absorbing layer 16 of the chalcopyrite-type solar cell 10 is formed by having an alloy layer 26 formed by making a Cu-In-Ga alloy selenium.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池１０の光吸収層１６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなる合金層２６をセレン化することで形成される。 - 特許庁

When the aluminum alloy is employed, addition of Cu, Mg and the like to the alloy as a solution component, in remelting, can further enhance the strength or toughness.例文帳に追加

アルミニューム合金の場合、再溶融時にＣｕやＭｇ等を固溶成分として添加すれば、更に強度もしくは靭性を高めることができる。 - 特許庁

BEARING MADE OF SINTERED Cu ALLOY FOR RECIRCULATION EXHAUST GAS FLOW RATE CONTROL VALVE OF EGR TYPE INTERNAL COMBUSTION ENGINE EXHIBITING EXCELLENT WEAR RESISTANCE IN HIGH TEMPERATURE ENVIRONMENT例文帳に追加

高温環境下ですぐれた耐摩耗性を示すＥＧＲ式内燃機関の再循環排ガス流量制御弁の焼結Ｃｕ合金製軸受 - 特許庁

The Al electrode layer 4 and the Cu electrode layer 5 in the alternately laminated electrode part 6 are constituted of epitaxial films having a twin crystal structure.例文帳に追加

交互積層電極部６にあるＡｌ電極層４およびＣｕ電極層５は、双晶構造を有するエピタキシャル膜によって構成される。 - 特許庁

The unit molding process forms a cover unit CU in which two bearings B2 fixed to the rear cover 30 are fitted into upper ends 52A of the respective rotor shafts 52.例文帳に追加

ユニット成形工程では、リアカバー３０に固定された二つのベアリングＢ２を各ロータシャフト５２の上端部５２Ａに嵌合させて、カバーユニットＣＵを成形する。 - 特許庁

The metallic strip S containing any of Fe, In, Ti and Cu as an essential component into the aqueous electrolyte L containing a hydrofluoric acid and sulfuric acid.例文帳に追加

弗酸と硫酸とを含有する水系電解液Ｌに、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔｉ及びＣｕのいずれかを主成分として含有する金属帯材Ｓを浸漬する。 - 特許庁

In addition, it is preferable that the thickness of the plating 12 containing Sn-Ag-Cu is 1 μm or more and is within a scope of 1/2 of the diameter of the sphere 11 or less.例文帳に追加

また、錫−銀−銅含有めっき１２の厚みは、１μｍ以上かつ球体１１の直径の１／２以下の範囲にあるのが好ましい。 - 特許庁

Li_1M_mMn_nO_4 (1) (in the formula, M expresses a metal selected from a group composed of Cr, Fe, Co, Ni, Cu, and Mg, 1≥l>0, 2>n>0, and l+m+n=3).例文帳に追加

Ｌｉ_ｌＭ_ｍＭｎ_ｎＯ_４ （１）（式中、ＭはＣｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれた金属であり；１≧ｌ＞０、２＞ｎ＞０で、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３である） - 特許庁

A plurality of Ni-made ferroelectric materials 15 are arranged on a TiW layer 9 and a Cu layer 10 in the laminate film 14 into a matrix.例文帳に追加

積層膜１４においては、ＴｉＷ層９及びＣｕ層１０上に、Ｎｉからなる強磁性体１５を複数個マトリクス状に配列する。 - 特許庁

A Cu pattern coated with Ni is formed on a metal board 11, a light emitting element 10 is mounted thereon through a series circuit, the metal boards connected in series are connected in parallel.例文帳に追加

金属基板１１の上には、Ｎｉが被着されたＣｕパターンを形成し、この上に発光素子１０を直列回路で実装し、この直列接続された金属基板を並列接続する。 - 特許庁

The method for manufacturing the hot-dip galvanized high-tensile steel sheet is also characterized by adding elements of Si, Ni, Fe, Co, Ti, Sb, Pb, Sn, and Cu, in amounts of 3% or less alone or in combination to the above hot-dip plating bath.例文帳に追加

また、上記の溶融めっき浴中にさらにＭｇ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｂ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｃｕの元素を単独あるいは複合で３％以下含有する高張力溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which can be provided with a low-resistance Cu wiring buried in a connection hole and/or a wiring groove and is high in speed and is highly reliable, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

接続孔および／または配線溝に埋め込まれた低抵抗のＣｕ配線を得ることができ、高速で高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal for use in the metal ultrafine particle is at least one kind selected from the group consisting of Cu, Ag, Au, In, Pd, Pt, Fe, Ni, Co, Nb, Ru and Rh.例文帳に追加

金属超微粒子の金属は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｎｂ、ＲｕおよびＲｈからなる群より選択される少なくとも１種からなる。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a composite material, in which particles of Invar, a low thermal expansion material, are dispersed in metallic Cu, and of which the coefficient of linear expansion can be optionally determined.例文帳に追加

金属Ｃｕに対し、低熱膨張材であるＩｎｖａｒ粒子が分散しており、また、線膨張係数が任意設定可能である複合材料を得る方法を提供する。 - 特許庁

In order to improve efficiency in electro-deposition, a coating layer 20 made of selected one of Ti, Ni, Cu, TiC and SiC is formed on the surface of the super abrasive grains 16.例文帳に追加

超砥粒１６の表面には、電着時の効率を向上させるため、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＴｉＣ、ＳｉＣから選択されるいずれかからなる被覆層２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing the amount of sidewall etching of a Cu wiring layer due to galvanic corrosion in UBM (under bump metal) etching and having a mark of a bonding position in bonding.例文帳に追加

ＵＢＭエッチング時に異種金属接触腐食によるＣｕ配線層の側壁エッチング量を抑え、ボンディング時にボンディング位置の目印を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The composite material contains an SiC phase by 20 to 75% in a volume ratio, and the balance mainly Cu, and has a structure in which the boundary of both is provided with a reaction preventive layer.例文帳に追加

この複合材料は、ＳｉＣ相を体積割合で２０〜７５％有し、残部が主にＣｕにより構成され、両者の界面に、反応防止層を有する構造を持つ。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition that is suitable for a laminated chip capacitor in which Cu or Ag is used as an inner conductor, it can be sintered at a temperature of ≤1,000°C and is suitable in the high frequency range.例文帳に追加

内部導体にＣｕやＡｇを使用した、１０００℃以下で焼結可能な高周波領域で好適な積層チップコンデンサに適した誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a pickled steel plate in which the color tone of a hot rolled plate of plain steel containing ≥0.03% Cu by mass in the steel after pickling can be improved and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

鋼材中の Ｃｕの質量％が０．０３％以上なる普通鋼熱延鋼板の酸洗後の色調を改善する酸洗鋼板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁