「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the formula, M represents Zn, Cu, Fe or Mn, and m represents 4 to 8.例文帳に追加

Ｍ^２＋［Ｓ−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｓ］^２− …（１） （式中、Ｍ＝Ｚｎ，Ｃｕ，Ｆｅ又はＭｎであり、ｍ＝４〜８である。） - 特許庁

A wiring body layer 46 with Cu as a main component is buried in the aperture 42.例文帳に追加

開口部４２内にＣｕを主成分とする配線本体層４６が埋め込まれる。 - 特許庁

A judgment whether a speed reduction command is output from a cruise CU 137 is determined in a step 200.例文帳に追加

ステップ２００にて、クルーズＣＵ３７から減速指令が出ているか否かを判定する。 - 特許庁

Reaction of Nb in Cu advances further, and increases the superconductive layer of Nb_3Sn.例文帳に追加

Ｃｕ中のＮｂはさらに反応が進み、Ｎｂ_３Ｓｎの超電導層を増加させる。 - 特許庁

Cu PRECIPITATION TYPE HIGH TENSILE STRENGTH STEEL SHEET SUPPRESSED IN VARIATION OF STRENGTH, AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

強度バラツキの抑制されたＣｕ析出型高張力鋼板とその製造方法 - 特許庁

NON-HEAT TREATED Cu PRECIPITATION TYPE HIGH TENSILE STRENGTH STEEL SHEET EXCELLENT IN DUCTILITY, AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

延性に優れた非調質Ｃｕ析出型高張力鋼板とその製造方法 - 特許庁

In the contact hole 18, a Cu seed layer 17a is formed only near the bottom part.例文帳に追加

コンタクトホール１８において、底部近傍にのみＣｕシード層１７ａが形成されている。 - 特許庁

Thus, an upper part 2a of the side of the Cu electrode layer 2 is formed in a forward taper shape.例文帳に追加

これにより、Ｃｕ電極層２の側面上部２ａを順テーパ形状とする。 - 特許庁

SINTERED Cu-BASED ALLOY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND BEARING USED IN MOTOR FOR DEIONIZED WATER例文帳に追加

Ｃｕ基焼結合金とその製造方法並びに純水用モータに用いる軸受 - 特許庁

At least one of Ag, Cu, and Al is contained in the light sensitive paste material.例文帳に追加

また、感光性ペースト中に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌのうち少なくとも一つを含んでいる。 - 特許庁

A Tan film 16 is formed at the grooves 15 and a Cu film 17 is formed in addition.例文帳に追加

配線溝１５にＴａＮ膜１６を形成し、さらにＣｕ膜１７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a wiring trench can be filled with Cu of huge grains.例文帳に追加

配線溝にＣｕを埋め込むことができ、かつグレインが大きな半導体装置の提供。 - 特許庁

In a positive-electrode mixture, a predetermined quantity of Fe-Cu alloy powder is intentionally made contained.例文帳に追加

正極合剤中に、所定量のＦｅ−Ｃｕ合金粉末を意図的に含有させた。 - 特許庁

A Ni film 16 is formed on the Cu electrode 12 in the through-hole 14.例文帳に追加

スルーホール１４内においてＣｕ電極１２上にＮｉ膜１６が形成されている。 - 特許庁

The one in which Si, Mn, Cr, Mo, Cu, Ni or the like are suitably added as steel components may be used.例文帳に追加

鋼成分としてＳｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｎｉ等を適宜添加したものを用いることができる。 - 特許庁

To form a light absorbing layer of a chalcopyrite-type solar cell as a homogeneous Cu(In, Ga)-Se layer.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池の光吸収層を、均質なＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層として形成する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si base alloy for electronic parts having an excellent balance in strength and bending workability.例文帳に追加

強度、曲げ加工性のバランスに優れた電子部品用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 - 特許庁

By reducing the concentration of dissolved oxygen in water, decomposition of Cu (hfac) tmvs is suppressed.例文帳に追加

水中の溶存酸素濃度を減少させることにより、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの分解が抑制される。 - 特許庁

To provide slurry in which the Cu of an overplating part can be removed while reducing dishing.例文帳に追加

ディッシングを低減しつつオーバープレーティング部のＣｕを除去可能なスラリーを提供する。 - 特許庁

Cu-CONTAINING STEEL FOR WELD STRUCTURE SUPERIOR IN SURFACE PROPERTY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

表面性状に優れた溶接構造用Ｃｕ含有鋼およびその製造方法 - 特許庁

The Cu film 9 which remains in the peripheral edge of the substrate is dissolved with chemical and eliminated.例文帳に追加

基板周縁部に残存するＣｕ膜９を薬液により溶解させて除去する。 - 特許庁

Pcm=C+Si/30+(Mn+Cu+Cr)/20+Ni/60+Mo/15+V/10+5B (1); the symbols in the formula (1) denote the mass% of the respective elements.例文帳に追加

Ｐｃｍ＝Ｃ＋Ｓｉ／３０＋（Ｍｎ＋Ｃｕ＋Ｃｒ）／２０＋Ｎｉ／６０＋Ｍｏ／１５＋Ｖ／１０＋５Ｂ （１） 式（１）中の記号は各元素の質量％を示す。 - 特許庁

Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY STRIP HAVING EXCELLENT BENDING WORKABILITY IN BAD WAY例文帳に追加

ＢａｄＷａｙの曲げ加工性が優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条 - 特許庁

In this charging container for anhydrous hydrofluoric acid, inner surfaces of the charging container is coated with copper (Cu) or silver (Ag).例文帳に追加

充填容器内面を銅（Ｃｕ）、または、銀（Ａｇ）で被覆することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an annealed wafer improved in a gettering effect to Cu.例文帳に追加

Ｃｕに対するゲッタリング効果を向上してなるアニールウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

Consequently, upper surface of the Cu film in the trench becomes flush with the upper surface of the TaN.例文帳に追加

これにより、トレンチ内のＣｕ膜の上面位置は、ＴａＮ上面位置と同一となる。 - 特許庁

Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY EXCELLENT IN BENDABILITY AND STRESS RELAXATION RESISTANCE例文帳に追加

曲げ加工性及び耐応力緩和特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 - 特許庁

The core ball 1 is made from copper (Cu) and has a diameter in a range of 50 μm to 1,000 μm.例文帳に追加

コアボール１は、直径が５０μｍ〜１０００μｍの範囲である銅（Ｃｕ）からなる。 - 特許庁

To suppress a stress migration in a multilayer wiring structure having a Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンを有する多層配線構造においてストレスマイグレーションを抑制する。 - 特許庁

To provide a Cu-Si-Co based copper alloy in which the spring deflection limit is improved.例文帳に追加

ばね限界値を向上させたＣｕ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金を提供する。 - 特許庁

SOLUTION AND METHOD FOR REMOVING ASHING RESIDUE IN Cu/LOW-K MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE例文帳に追加

Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ多層配線構造のアッシング残渣の剥離液及び剥離方法 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si based copper alloy in which the spring deflection limit is improved.例文帳に追加

ばね限界値を向上させたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金を提供する。 - 特許庁

Cu-Ni-Sn-P-BASED COPPER ALLOY EXCELLENT IN PRESS-PUNCHING PROPERTY, AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

プレス打抜き性の良いＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金およびその製造法 - 特許庁

The absorption layer 4 is made typically of a compound containing Cu, In and Se.例文帳に追加

光吸収層４は典型的にはＣｕ、ＩｎおよびＳｅを含む化合物からなる。 - 特許庁

The foundation electrode layer 15 includes a metal which can be diffused in Cu and a ceramic binding material.例文帳に追加

下地電極層１５は、Ｃｕに拡散し得る金属と、セラミック結合材とを含む。 - 特許庁

The content of Cu in the recovered metal phase may be controlled in the range of 50 to 95 mass%.例文帳に追加

回収する金属相のＣu含有量は５０〜９５質量％の範囲で調整することができる。 - 特許庁

After that, the precursor thin film is heat-treated in atmosphere containing Se to form a Cu(In, Ga)Se_2 thin film.例文帳に追加

その後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２薄膜を形成する。 - 特許庁

In the method for producing a copper alloy strip, plating of an Ni layer 2 is applied to the surface of a Cu alloy base material 1, successively, Cu plating of a Cu layer 3 and Sn plating of an Sn layer 4 are applied thereto in such a manner that the ratio of the Sn plating thickness/the Cu plating thickness is controlled to ≤6, and thereafter, reflowing treatment is performed.例文帳に追加

銅合金条の製造方法において、Ｃｕ合金母材１の表面にＮｉ層２のめっきを施した後、続いてＣｕ層３のＣｕめっき、Ｓｎ層４のＳｎめっきを、Ｓｎのめっき厚さ／Ｃｕのめっき厚さ比が６以下となるように施した後、リフロー処理を行う。 - 特許庁

In the Cu-Cr alloy powder obtained by melting and dispersing a Cu-Cr material composed of Cu as a highly electrically conductive component and Cr as an arc resistant component and further rapidly cooling the same, the solid solution concentration of Cr in the Cu phase is ≤200 ppm.例文帳に追加

高導電成分としてのＣｕと耐弧成分としてのＣｒとから成るＣｕ−Ｃｒ材料を溶融分散し、さらに急冷することにより得られるＣｕ−Ｃｒ合金粉末において、Ｃｕ相におけるＣｒの固溶濃度が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＣｕ−Ｃｒ合金粉末である。 - 特許庁

This CVD device forming a copper film for wiring on a substrate is provided with a 1st CVD module 15 forming a copper film as a base by using a Cu(hfac)(tmvs) raw material low in a film forming rate and a 2nd CVD module 16 executing film formation of thickening a copper film by using a Cu(hfac)(atms) raw material high in a film forming rate.例文帳に追加

基板に配線用銅膜を成膜するＣＶＤ装置は、成膜速度が小さいCu(hfac)(tmvs)系原料を用いて下地としての銅膜を成膜する第１ＣＶＤモジュール１５と、成膜速度が大きいCu(hfac)(atms)系原料を用いて銅膜の厚みを厚くする成膜を行う第２ＣＶＤモジュール１６を備える。 - 特許庁

In the solder junction formed on a Cu electrode, the Cu_6Sn_5 phase formed on a junction interface between the Cu electrode and an Sn-based solder part has an average particle diameter D of D≤2.0 μm in a horizontal face to the Cu electrode.例文帳に追加

Ｃｕ電極上に形成されたはんだ接合体において、Ｃｕ電極とＳｎ系はんだ部との接合界面に形成するＣｕ_６Ｓｎ_５相のＣｕ電極に対する水平面における平均粒径ＤがＤ≦２．０μｍであるはんだ接合体。 - 特許庁

In the metallic material for a connector, on the base material of Cu or a Cu alloy, a Cu-Sn alloy layer and Sn or an Sn alloy layer are formed in this order, and the average thickness of the Sn or Sn alloy layer is 0.001 to 0.05 μm.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金の母材上にＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎまたはＳｎ合金層がこの順で形成され、前記ＳｎまたはＳｎ合金層の平均厚さが０．００１〜０．０５μｍであるコネクタ用金属材料。 - 特許庁

In succession, a resin film 4 is etched by the use of a laser beam using the Cu foil 5 as a mask, by which the tapered (trapezoidal) resin film 4 is left on the Cu plating layer 3, so as to become gradually larger in cross-sectional area going toward the Cu plating layer 3.例文帳に追加

続いて、例えばレーザを使用しＣｕ箔５をマスクとして樹脂フィルム４をエッチングすることにより、Ｃｕ箔５側からＣｕメッキ層３側にかけて面積が広くなるテーパ形状（台形状）に樹脂フィルム４を残存させる。 - 特許庁

To provide a method for evaluating the total amount of Cu that is solid-solved in a silicon wafer, and moreover the Cu concentration of a bulk region even though in the use of a total X-ray reflection fluorescence (TXRF) method for measuring the Cu concentration of a surface of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハの表面におけるＣｕの濃度を測定するＴＸＲＦ法を用いるにもかかわらず、シリコンウェーハ中に固溶しているＣｕの全量、ひいてはバルク領域中のＣｕ濃度を評価する方法を提供する。 - 特許庁