「Cu-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

TITANIUM PLATE FOR DRUM IN MANUFACTURING ELECTROLYTIC Cu FOIL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

電解Ｃｕ箔製造ドラム用チタン板およびその製造方法 - 特許庁

The Cu alloy thermal sprayed film 3 has the hardness of ≤Hv 200 in Vickers hardness.例文帳に追加

Ｃｕ合金溶射膜３ビッカース硬さでHv200以下の硬度を有する。 - 特許庁

The Cu posts 1h at a corner out of outermost circumferential Cu posts 1h arranged in a rectangle are a dummy post.例文帳に追加

矩形状に配置された最外周のＣｕポスト１ｈのうち角部に位置するＣｕポスト１ｈは、ダミーポストである。 - 特許庁

In such a way, the unevenness on the surface of the formed Cu-Sn intermetallic compound layer 5 is small one of ≤0.5 μm Rmax.例文帳に追加

このようにして、形成されたCu-Sn金属間化合物層５の表面の凹凸は小さくRmaxは0.5μｍ以下である。 - 特許庁

In this case, the solder alloy comprises more than 3.8 mass% and 4.2 mass% or less Ag, 0.8-1.2 mass% Cu and the balance substantially Sn.例文帳に追加

このときのはんだ合金は、Ag:3.8質量％超4.2 質量％以下、Cu:0.8〜1.2 質量％、残部実質上Snからなる。 - 特許庁

The heatsink 3 has a joining structure in which a Cu-Mo composite body 30 is interposed between a pair of Cu plates 32 and 34.例文帳に追加

ヒートシンク３は、Ｃｕ−Ｍｏ複合体３０を一対のＣｕ板３２，３４で挟んだ接合構造を有する。 - 特許庁

To allow the respective properties of Bi and a hard material to be exhibited in a Cu-Bi-hard material based sintered alloy.例文帳に追加

Cu-Bi-硬質物系焼結合金においてBi及び硬質物のそれぞれの性質が十分に発揮できるようにする。 - 特許庁

To provide a Cu/Ni two layered substrate reflow tinned strip of a Cu-Zn alloy in which whisker occurrence is suppressed.例文帳に追加

ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。 - 特許庁

To provide an aluminum based alloy which is small in linear expansion coefficient with an Al-Cu based alloy having excellent high temperature properties as a base.例文帳に追加

高温特性に優れたAl‐Cu系合金を基本にして、線膨張係数が小さいアルミニウム基合金を提供する。 - 特許庁

To successfully implant Cu in a fine pattern and to suppress diffusion of Cu into an interlayer insulating film.例文帳に追加

微細パターンのＣｕの埋め込みが良好であり、Ｃｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制することを目的とする。 - 特許庁

For excluding Cu ions from seawater in contact with an aluminum structure in advance, the Cu ions in seawater are immobilized by using H2S, a chelating agent or the like.例文帳に追加

アルミ構造物に接触する海水からＣｕイオンを事前に排除するべく、Ｈ_2 Ｓやキレート剤等を用いて海水中のＣｕイオンを固定する。 - 特許庁

To suppress an increase in a leak current between Cu wirings due to a reducing process of the Cu wiring, which is carried out in order to remove oxide films formed on the surface of the Cu wiring after the Cu wiring is formed so as to be embedded in the surface of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の表面にＣｕ配線を埋込み形成した後、Ｃｕ配線の表面に形成された酸化膜を除去する目的で行う、Ｃｕ配線の還元処理に起因するＣｕ配線間のリーク電流の増大を抑制すること。 - 特許庁

Furthermore, preferably this has an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni layer, and an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer.例文帳に追加

さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 - 特許庁

Further, it is preferable to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni diffusion layer, and to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer.例文帳に追加

さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 - 特許庁

The sacrificial layer 31 made of high purity Cu is laminated on the Cu layer 20, so that part of the Mn diffused into the Cu layer 20 is attracted and moved to the sacrificial layer 31 in the Cu layer 20, and is diffused in the sacrificial layer 31.例文帳に追加

Ｃｕ層２０上に高純度Ｃｕからなる犠牲層３１が積層されているので、Ｃｕ層２０に拡散したＭｎの一部は、Ｃｕ層２０中を犠牲層３１に引き寄せられるように移動し、犠牲層３１に拡散する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a Cu electrode 12 is formed in the first principal surface of a glass-epoxy substrate 11.例文帳に追加

ガラエポ基板１１の第１主面にＣｕ電極１２が形成されている。 - 特許庁

In the power module including an organic insulating layer 2 between a Cu base substrate 1 and a Cu substrate 4, a Cu migration preventing layer is formed on a surface of the Cu base substrate and/or the Cu substrate to which a positive voltage is applied, which is brought into contact with the organic insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕベース基板１とＣｕ基板４との間に有機絶縁層２を備えるパワーモジュールであって、正電圧が印加されるＣｕベース基板及び／又はＣｕ基板の有機絶縁層と接する面にＣｕマイグレーション防止層が形成されていることを特徴とするパワーモジュールである。 - 特許庁

The addition element is such that the oxide forming free energy is smaller than Cu, the diffusion coefficient in Cu is larger than the self-diffusion coefficient of Cu, the percentage increase in electric resistance based on 1 at.% in Cu is not more than 5 μΩcm, and the activity coefficient γ in Cu satisfies a relationship represented by activity coefficient γ>1.例文帳に追加

この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 - 特許庁

A side of the Cu electrode layer 72 is in an inverted taper shape.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層７２の側面は逆テーパ形状である。 - 特許庁

HEAT-RESISTANT TINNED STRIP OF Cu-Zn ALLOY IN WHICH WHISKER IS SUPPRESSED例文帳に追加

ウィスカーが抑制されたＣｕ−Ｚｎ合金耐熱Ｓｎめっき条 - 特許庁

RESIN-COATED CU PLATED STEEL PANEL EXCELLENT IN SOLDERING PROPERTIES AND CORROSION RESISTANCE例文帳に追加

ハンダ付け性及び耐食性に優れた樹脂被覆Ｃｕめっき鋼板 - 特許庁

To prevent deterioration of the characteristics and disconnection of the Cu coil in a planar magnetic element.例文帳に追加

平面磁気素子のＣｕコイルの特性の劣化、断線を防止する。 - 特許庁

The calcination material is put into a pod and a Cu- powder or a Cu-plate is put in further, and they are heat-treated above 1000°C in hydrogen atmosphere.例文帳に追加

仮焼体をさやに入れ、さらにＣｕ粉またはＣｕ板を入れて、水素雰囲気中において１０００℃以上で熱処理する。 - 特許庁

Further, Cu, Zn and In are added to suppress the by-production of methane.例文帳に追加

また、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｉｎを添加してメタンの副生成を抑制する。 - 特許庁

Then an opening region 15 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed in the resin film 14, and a Cu plating layer 16 is formed by electrolytic plating on an upper surface of the Cu wiring layer 13 which is exposed from the opening region 15.例文帳に追加

そして、樹脂膜１４に開口領域１５を形成し、開口領域１５から露出するＣｕ配線層１３上面に電解メッキ法によりＣｕメッキ層１６を形成する。 - 特許庁

To enhance yield and reliability of a semiconductor device by improving embedment of Cu in a Cu interconnection without sacrifice of the diffusion prevention function of a barrier film in a Cu interconnection having a damascene structure.例文帳に追加

ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。 - 特許庁

To perform Cu-based embedded wiring which is superior in adhesive ness and embedding at low cost, in a semiconductor device having Cu-based embedded wiring and a pulse plating method of Cu-based embedded wiring.例文帳に追加

Ｃｕ系埋込配線を有する半導体装置及びＣｕ系埋込配線のパルスメッキ方法に関し、密着性に優れ且つ埋込性に優れたＣｕ系埋込配線を低コストで形成する。 - 特許庁

To prevent the reduction of the corrosion resistance and strength of a material caused by the melting of Al and Cu in the base metals by the mutual diffusion of Al and Cu in a brazing method for an Al material and a Cu material.例文帳に追加

Ａｌ材とＣｕ材とのろう付け方法において、Ａｌ及びＣｕの相互拡散によって母材のＡｌ及びＣｕが溶融することによる耐食性及び強度の低下を、防止する。 - 特許庁

To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with structure in which a semiconductor element is connected to a Cu or Ni electrode through a junction layer composed of Cu and the Cu junction layer and the Cu or a Ni electrode are joined to each other by diffused junction.例文帳に追加

半導体素子と、ＣｕまたはＮｉ電極がＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記Ｃｕ接合層と前記ＣｕまたはＮｉ電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置。 - 特許庁

To control production of H_2S in a stoichiometric air-fuel-ratio or a reducing atmosphere without use of Cu or Ni, an environmental load substance.例文帳に追加

環境負荷物質であるNiあるいはCuを用いることなく、ストイキあるいは還元雰囲気におけるH_2S の生成を抑制する。 - 特許庁

To provide a reflow-Sn soldered strip with Cu/Ni-double ground layers of Cu-Zn alloy, in which the generation of whiskers is suppressed.例文帳に追加

ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。 - 特許庁

As the Cu-Zn-based alloy, a Cu-Zn-based alloy containing Zn in an apparent amount of 37 to 45 mass % is preferable.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｚｎ系合金は、見掛け上のＺｎ含有量が３７〜４５質量％のＣｕ−Ｚｎ系合金が好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a target having a backing plate in which the backing plate is joined with a Cu-made or Cu alloy-made target.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金製ターゲットにバッキングプレートを接合してなるバッキングプレート付きターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The powder containing elements Cu, In, Ga and Se is characterized by containing a Cu-In-Ga-Se based compound and/or a Cu-In-Se based compound in an amount of ≥60 mass% in total.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末であって、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系化合物および／またはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物を、合計で６０質量％以上含有することを特徴とする粉末である。 - 特許庁

In place of the Cu-rich phase, a Cu-dense layer with a mass ratio of Cu/(Si+Mn) of 0.5 or more can be formed on a polar surface layer to make up a contact material maintaining a low contact resistance.例文帳に追加

Ｃｕリッチ相に代え、Ｃｕ／(Ｓｉ＋Ｍｎ)の質量比が０.５以上のＣｕ濃化層を極表層に形成しても、低接触抵抗を維持する接点材料となる。 - 特許庁

In the Sn-Cu-Cr alloy, the mass ratio Cu/Sn of Cu for Sn is 0.05-0.20 and the mass ratio Cr/Sn of Cr for Sn is 0.15-0.40.例文帳に追加

Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金は、Ｓｎに対するＣｕの質量比Ｃｕ／Ｓｎが０．０５〜０．２０であり、かつ、Ｓｎに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｓｎが０．１５〜０．４０である。 - 特許庁

To suppress a variation in the removal of a Cu oxide film on the surface of a Cu wire being carried out before a silicon oxide film is formed on the Cu wire.例文帳に追加

Ｃｕ配線上にシリコン窒化膜を形成する前に行う、Ｃｕ配線の表面のＣｕ酸化膜を除去する前処理におけるＣｕ酸化膜の除去のばらつきを小さくすること。 - 特許庁

To ionize Cu diffused into a low-permittivity insulating layer and reduce the drift of Cu^+ ions in a semiconductor device having Cu wires and the low-permittivity insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕ配線および低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、低誘電率絶縁層中に拡散するＣｕのイオン化、並びにＣｕ^+イオンのドリフトを抑制する。 - 特許庁

In addition, a second area (Lb) surrounding the first area (La) is made of Cu that can be obtained at a lower cost than the Cu-Mo alloy or Cu-W alloy.例文帳に追加

また、第１の領域（Ｌａ）を囲む第２の領域（Ｌｂ）は、上記したＣｕ−Ｍｏ合金やＣｕ−Ｗ合金に比べて安価に入手できるＣｕによって構成されている。 - 特許庁

Further, as to the metal composite material in this invention, at least one kind of metallic continuous phase selected from the groups consisting of aluminum, an Al-Si, an Al-Cu, an Al-Mg, an Al-Si-Cu and an Al-Si-Mg composite is present in the gaps of the porous preform.例文帳に追加

また、本発明の金属基複合材料は、多孔質プリフォームの空隙に、連続相としてアルミニウム、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Mg系、Al−Si−Cu系、Al−Si−Mg系からなる群から選択される少なくとも1種の金属連続相が存在することを特徴とする。 - 特許庁

An Sn-Cu-based intermetallic compound layer is formed in advance on an electrode which is provided with a Cu layer or a Cu alloy layer in an outermost layer, so that the growth of the Zn-Cu intermetallic compound layer is suppressed when a Zn-containing solder is adhered.例文帳に追加

最外層にＣｕ層またはＣｕ合金層を有する電極上に、あらかじめＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層を形成しておくことで、Ｚｎを含有するはんだを付着させた際にＺｎ−Ｃｕ金属間化合物層の成長を抑制する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁

In addition, in the case where a metal low resistance layer 26 consisting primarily of Cu is formed on a surface of the barrier film 25, Cu does not diffuse to the semiconductor layer 30.例文帳に追加

また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 - 特許庁

METHOD FOR PREVENTING SURFACE FLAW IN HOT ROLLED MATERIAL OF Cu-Sn-CONTAINING STEEL material例文帳に追加

Ｃｕ、Ｓｎ含有鋼材の熱間圧延材の表面疵の防止方法 - 特許庁