「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(393ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor chip 1 provided with a mode setting first electrode 24d and a ground voltage electrode 24b is mounted on a mother base board 61, and is covered with a sealing layer 43.例文帳に追加

モード設定第一電極２４ｄと接地電圧用電極２４ｂとが設けられた半導体チップ１をマザーベース板６１上に搭載し、半導体チップ１を封止層４３で覆う。 - 特許庁

As a result, the second insulating film 162 is left in regions planarly overlapping boundary regions 9s between adjacent pixel electrodes 9a, of the upper layer of the first insulating film 161.例文帳に追加

その結果、第１絶縁膜１６１の上層のうち、隣り合う画素電極９ａの間の境界領域９ｓと平面的に重なる領域に第２絶縁膜１６２が残される。 - 特許庁

The optical anisotropic layer 105 includes regions having two types of optical anisotropy formed in a dot pattern, and first and second images are formed by being drawn with the dot pattern.例文帳に追加

光学異方性層１０５は、２つの光学異方性を有する領域がドット模様に形成されており、このドット模様による描画により第１の像と第２の像が構成される。 - 特許庁

Further, a plurality of second carbon nanotubes 3, which are dispersed between ends of the plurality of first carbon nanotubes 2 on the side of a second principal surface of the packed layer 4 and the second principal surface, are provided.例文帳に追加

更に、複数の第１のカーボンナノチューブ２の充填層４の第２の主面側の端部と第２の主面との間に分散した複数の第２のカーボンナノチューブ３が設けられている。 - 特許庁

There is provided a semiconductor device having a capacitance element and a second transistor provided over a first transistor, an offset region being provided in a semiconductor layer of the second transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、第２のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of projections 202 to be cores of a plurality of external connection terminals respectively are formed first by selectively forming a curable resin layer over a protective insulating film 120.例文帳に追加

まず、保護絶縁膜１２０上に選択的に硬化型の樹脂層を形成することにより、複数の外部接続端子それぞれのコアとなる複数の凸部２０２を形成する。 - 特許庁

Etching is performed to a first region above the metal pattern 18 of the insulating layer 30 and to a second region above at least the second portion 28 of the semiconductor pattern 16.例文帳に追加

絶縁層３０の、金属パターン１８の上方の第１領域と、半導体パターン１６の少なくとも第２部分２８の上方の第２領域と、に対してエッチングを行う。 - 特許庁

In the remote management system, the remote manager is operable to form an instruction to be sent to the first host bus adaptor by a second host bus adaptor through a common transport layer of a fiber channel.例文帳に追加

遠隔管理者は、第２のホスト・バス・アダプタによって第１のホスト・バス・アダプタへ、ファイバ・チャネルの共通トランスポート層を介して送られるべき命令を形成するように、動作可能である。 - 特許庁

Since etching speed in the first region 66R becomes smaller than etching speed in the second region 66L, a recessed part 62 of left-right asymmetry is formed in a copper plated layer 64.例文帳に追加

第１領域６６Ｒにおけるエッチング速度が、第２領域６６Ｌにおけるエッチング速度よりも小さくなるため、左右非対称の凹部６２が、銅めっき層６４に形成される。 - 特許庁

An exciting coil 2 comprising a first coil 2a and a second coil 2b arranged so as to face each other on both sides of a carrying body 1 having a heat generating layer 12 on the inside is installed.例文帳に追加

内部に発熱層１２を有する搬送体１の両側に、互いに対向するように配置される第１のコイル２ａと第２のコイル２ｂとからなる励磁コイル２を設ける。 - 特許庁

A side surface of each of wiring 111h and 211h exposed at side end portions of a first semiconductor chip 100 and a second semiconductor chip 200 is coated with a conductive layer 401.例文帳に追加

各配線１１１ｈ，２１１ｈにおいて、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００の側端部にて露出した側面を、導電層４０１で被覆される。 - 特許庁

The surfaces of the first bail supporting member 8 and the fixed shaft cover 11 are provided with a body part 17 made of a synthetic resin and a water-repellent film layer 18 formed on the surface of the body part 17.例文帳に追加

第１ベール支持部材８及び固定軸カバー１１の表面には、合成樹脂製の本体部１７と、本体部１７の表面に形成された撥水膜層１８とを有している。 - 特許庁

A metal film layer corresponding to at least a gate electrode shape and a scanning line wiring shape is etched for two times by double patterning in first and second patterning processes.例文帳に追加

第１及び第２のパターニング工程により、少なくともゲート電極形状、および走査線の配線形状に対応した金属膜層は、２回のパターニングによって２回エッチングされる。 - 特許庁

Residual excitation light beams emitted from a first clad 12 of the fiber 1 are made incident on an air clad layer 22 of the fiber 2 and the light beams are dispersed and eliminated.例文帳に追加

ダブルクラッドファイバ１の第１クラッド１２から出射される残余励起光が、フォトニック結晶ファイバ２のエアクラッド層２２に入射され、残余励起光を散逸させて除去する。 - 特許庁

Next, the semiconductor layer 21 and the electrode 34 are sintered at a predetermined first temperature T1 in N_2 atmosphere, so as to improve the ohmic properties thereof.例文帳に追加

次に半導体層２１および電極部３４とを予め定める第１の温度Ｔ１のＮ_２雰囲気下でシンタ処理し、半導体層２１と電極部３４とのオーミック性を向上させる。 - 特許庁

The switch device outputs a layer 2 frame having a multicast address as a destination address and a first VID for management as a VID to the port where the management relay point device is connected.例文帳に追加

スイッチ装置が、宛先アドレスがマルチキャストアドレスであり、且つ、ＶＩＤが第１の管理用ＶＩＤであるレイヤ２フレームを、管理中継点装置が接続されたポートへ出力する。 - 特許庁

A first GaN layer 62 is grown on a sapphire substrate 61, then a metallic Ti membrane 63 is formed and thereafter nitridation treatment is carried out to form a TiN membrane 64 having fine pores.例文帳に追加

サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。 - 特許庁

The self-detachable medical device includes an implantable substrate having a surface and a first detachable layer positioned on at least a portion of the surface.例文帳に追加

本開示は、表面を有する移植可能な基材および上記表面の少なくとも一部に位置づけられた第一の解離可能な層を備える自己解離可能な医療デバイスを記載する。 - 特許庁

Third light p3 having an angle smaller than a predetermined angle with respect to the first boundary layer 11, of the totally reflected second light p2, is directly reflected on a reflection surface 2a of the collimator 2.例文帳に追加

全反射した第２の光ｐ２のうち、第１の境界層１１に対して所定の角度より小さい角度の第３の光ｐ３は、直接コリメータ２の反射面２ａで反射する。 - 特許庁

In a cutting step for the ultrasonic transducers, cutting is performed, such that a blade passes through between the adjacent first wiring portions, as well as the lining layer is cut partway.例文帳に追加

超音波振動子の切り出し工程においては、ブレードが隣り合う第１の配線部の間を通過するように、かつ裏打ち層の途中までが切断されるように、切削を行う。 - 特許庁

A VPN virtual LAN interface 25 is connected to a virtual private network server connected to the first private network via a Layer 2 Virtual Private Network.例文帳に追加

ＶＰＮ仮想ＬＡＮインタフェース２５は、第１のプライベートネットワークに接続している仮想プライベートネットワークサーバと、Ｌａｙｅｒ ２ Ｖｉｒｔｕａl Ｐｒｉｖａｔｅ Ｎｅｔｗｏｒｋにて接続される。 - 特許庁

The light-emitting part is provided above the first semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers that are provided between the adjacent plurality of barrier layers and contain Ga_1-z1In_z1 N.例文帳に追加

発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。 - 特許庁

Since a side L1 is receded, a short with a wiring 54 caused by bonding dislocation is prevented, while a region which is a dead space is effectively used as an allocation region of the first layer electrode.例文帳に追加

側辺Ｌ１を遠ざけたため、ボンディングズレによる配線５４とのショートが防止でき、且つデッドスペースである領域を第１層電極の配置領域として有効に利用できた。 - 特許庁

A gate electrode 13, source wiring 201', and a pixel contact layer 21' are formed in an opening of a first light transmission type photosensitive resin 12 formed on an insulating substrate 11.例文帳に追加

絶縁基板１１上に形成された第１の光透過型感光性樹脂１２の開口部に、ゲート電極１３とソース配線２０１’と画素コンタクト層２１’とを形成する。 - 特許庁

A metal substrate containing 3 to 10% Al is used, and a first intermediate layer 2 containing Al as a chief ingredient is formed on the metal substrate 1 with diffusion by heat.例文帳に追加

Ａｌを３〜１０％含有している金属基板１を使用し、金属基板１の上にＡｌを主成分とする第１の中間層２を熱による拡散により形成する。 - 特許庁

So, if the ferrite component 1 is bent, the deflected part 14 of the protecting layer S1 that is caused by bending spreads between protrusions on the first main surface 10.例文帳に追加

そのため、フェライト部品１を屈曲させると、屈曲により生じた保護層Ｓ１の撓み部分１４は第１の主面１０における凸部と凸部との間に広がることとなる。 - 特許庁

The photoelectric conversion layer 4 is isolated to a first photoelectric conversion region 6, a second photoelectric conversion region 7, and a third photoelectric conversion region 8 via an element isolation region 5.例文帳に追加

光電変換層４は、素子分離領域５により、第１光電変換領域６、第２光電変換領域７および第３光電変換領域８に分離されている。 - 特許庁

A bit line BL of a tungsten film, for example, and a first layer interconnection are then buried in the interconnection trenches 18 having an interval limited by the side wall spacer 19.例文帳に追加

サイドウォールスペーサ１９でその間隔が狭められた配線溝１８内に、たとえばタングステン膜からなるビット線ＢＬおよび第１層配線を配線溝１８に埋め込んで形成する。 - 特許庁

Subsequently, a shading layer 110 is formed in the second opening 121 and on the interlayer insulating film 108, and a bit line contact plug 112 is formed in the first opening 120.例文帳に追加

その後、第２の開口部１２１内及び層間絶縁膜１０８上に遮光膜１１０を形成するとともに、第１の開口部１２０内にビット線コンタクトプラグ１１２を形成する。 - 特許庁

A cathode 2 is formed on the surface of a first layer of a multilayered substrate, and an organic film 3 is formed thereon, and a common anode 4 is formed thereon to form organic EL pixels in a matrix state.例文帳に追加

多層基板の第1層の表面に陰極２を形成し、その上に有機膜３を形成し、その上に共通陽極４を形成して有機ＥＬ画素をマトリックス状に形成する。 - 特許庁

The electronic devices 4 and 6 are mounted on the printed board 2 and electrically connected to the optical device 8 via the first conductive layer formed on the printed board 2.例文帳に追加

半導体電子デバイス４、６は、フレキシブルプリント基板２上に搭載されフレキシブルプリント基板２上の第１の導電層を介して半導体光デバイス８に電気的に接続されている。 - 特許庁

Next, the upper surface of the SOI layer 3 is exposed by removing the silicon oxide film 6aa in the first and second element forming regions by wet etching using fluoric acid, etc.例文帳に追加

次に、フッ酸等を用いたウェットエッチング法により、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン酸化膜６ａａを除去してＳＯＩ層３の上面を露出する。 - 特許庁

To provide a long-life organic EL element, by quickly removing moisture remaining in a flattening layer made of polymer materials arranged, immediately below the first electrode of the element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の第１電極の直下に配されている高分子材料からなる平坦化層に残留する水分を速やかに除去して、長寿命な有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The display device has a conductive layer 114 regulated at a potential lower than that of the anode electrode, around a hole on a face opposite to the inner face of the vacuum vessel of the first substrate.例文帳に追加

そして、本表示装置は、第一の基板の真空容器内面と反対側の面における穴の周囲に、アノード電極よりも低電位に規定された導電層１１４を有している。 - 特許庁

Heat treatment at a predetermined temperature of 1,250°C or more is carried out to a base substrate wherein a first group III nitride crystal is formed as a growth base layer 2 by epitaxial formation in a predetermined substrate.例文帳に追加

所定の基材に第１のIII族窒化物結晶を成長下地層２としてエピタキシャル形成してなる下地基板に対して、１２５０℃以上の所定の温度で熱処理を行う。 - 特許庁

When the zipper tape 3 is welded on the bag 2 and the bag is sealed with the sealing layer 5, vacant spaces are formed between the cut tape 4 and the first protrusion 35 and the second protrusion 36.例文帳に追加

チャックテープ３を袋体２に融着し、シール層５によって密封する際は、カットテープ４と、第一の凸状部３５および第二の凸状部３６との間に空隙部が形成される。 - 特許庁

A compound including one or more of a carboxylate group, a sulfo group, and a phosphate group, together with polystyrene of a skeleton, is preferably employed as the polymeric acid compound for the film of the first layer.例文帳に追加

第１層皮膜の重合体酸化合物としては、ポリスチレンを骨格として、カルボン酸基、スルフォン酸基、リン酸基、の１種以上を含有するものが好適に用いられる。 - 特許庁

The waveguide layer 30 is divided into an incident waveguide 32, an optical branching filter 33, a first branching waveguide 34, a second branching waveguide 36, an optical multiplexer 37 and an emission waveguide 38.例文帳に追加

導波路層３０は、入射導波路３２、光分波器３３、第１分岐導波路３４、第２分岐導波路３６、光合波器３７及び出射導波路３８に区分されている。 - 特許庁

A first heating phase is used to promote the solid state reduction of the layer of K_2TaF_7, which results in the production of very fine tantalum particles while minimizing tantalum crystal growth.例文帳に追加

第一加熱段階では、K_2TaF_7の層の固体状態での還元を促進し、タンタル結晶成長を最小限にする一方で、非常に微細なタンタル粒子を生成することができる。 - 特許庁

Also, the outer surface of the first sheet body 21 is covered with a second soil layer 32, and the outer surface is covered with a second sheet body 24 which is the sheet for the storage warehouse having an explosion suppressing function.例文帳に追加

又、第１シート体２１の外面が第２土層３２で覆われており、その外面が爆発抑制機能を有する貯蔵倉庫用シートである第２シート体２４で覆われている。 - 特許庁

To make easier the layout of first-layer wiring which connects the gate wiring of each device (MISFET) of diagonally arranged gate arrays to those of the other devices when interconnecting the gate wiring to each other.例文帳に追加

対角に配置されているゲートアレイの各デバイス（ＭＩＳＦＥＴ）のゲート配線を相互に接続する場合に、ゲート配線の接続をする第１層配線のレイアウトを容易にする。 - 特許庁

Thus, the dummy gate electrodes 7b and 7c are electrically connected to the first float layer 3b to obtain a structure wherein a switching surge and switching loss are balanced with each other.例文帳に追加

このように、ダミーゲート電極７ｂ、７ｃを第１フロート層３ｂに電気的に接続することによって、スイッチングサージとスイッチング損失のバランスの取れた構造とすることが可能となる。 - 特許庁

Dispersion layer areas 15_1, 15_2 being a source or a drain respectively are formed on the surface parts of a silicon base part 14 and a silicon column 13 corresponding to the bottom part of the first groove 12a.例文帳に追加

そして、第１の溝１２ａの底部に対応するシリコン台部１４およびシリコン柱１３の表面部に、それぞれ、ソースないしドレインとなる拡散層領域１５_1，１５_2 を形成する。 - 特許庁

Accordingly, the field alleviating layer having the amount of gate overlap defined by the widths L1 and L2 of the space of the first insulating film pattern is formed in the self-alignment process manner in the gate electrode 111.例文帳に追加

よって、第１の絶縁膜パターンのスペースの幅Ｌ１、Ｌ２で画定されたゲートオーバーラップ量を有する電界緩和層を、ゲート電極１１１に自己整合的に形成する。 - 特許庁

Also, the first insulation film 3b is formed in one side surface of the active region 3a, and is formed from the surface of the SOI layer 3 to a buried insulation film 2 across.例文帳に追加

また、第一の絶縁膜３ｂは、活性領域３ａの一方の側面に形成されており、かつ、ＳＯＩ層３の表面から埋め込み絶縁膜２にかけて形成されている。 - 特許庁