「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(421ページ目) - Weblio英語例文検索

The isolation insulating film 5 serves as a partial trench isolation that has not reached the BOX layer 2, and source/drain regions 17 are formed of first and second impurity ions which have different mass numbers.例文帳に追加

分離絶縁膜５は、ＢＯＸ層２に達していない部分トレンチ分離であり、ソースドレイン領域１７は、互いに質量数が異なる第１および第２不純物イオンにより形成されている。 - 特許庁

The first layer formed on the substrate is obtained by irradiating a composition containing a polyfunctional (meth)acrylate and an active energy ray-sensitive radical polymerization initiator with active energy rays.例文帳に追加

（第１層）前記基材上に形成される層であって、多官能（メタ）アクリレートと活性エネルギー線感応性ラジカル重合開始剤を含む組成物に活性エネルギー線を照射して得られる層。 - 特許庁

In the silicon substrate with the first silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 formed in this order from the lower layer at the rear face of the silicon substrate 1, a tantalum oxide film 4 is formed on the silicon nitride film 3.例文帳に追加

シリコン基板１裏面に下層から順に第１のシリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３が形成されたシリコン基板において、前記シリコン窒化膜３上にタンタルオキサイド膜４を成膜する。 - 特許庁

When the light is rotated, the reflection polarizing element layer arranged below the liquid crystal display reflects the rotated light upward from the front surface and provides the timepiece surface with a first color.例文帳に追加

光が回転されると、上記液晶ディスプレイの下方に配置された反射偏光素子層はその回転された光を表面から上方に反射させて時計面に第１色を提供する。 - 特許庁

The reflective solder mask lies on the surface to face the display, and the first reflective silk screen layer lies on the reflective solder mask, thereby increasing reflectivity of the optical cavity over a visible spectrum.例文帳に追加

反射半田マスクは、ディスプレイに面した表面の上に横たわり、第1の反射シルクスクリーン層は反射半田マスクの上に横たわり、可視色スペクトルにわたって光学キャビティの反射率を増大させる。 - 特許庁

With photoresist 6 being a mask, a first conductivity type impurity is ion-implanted in a separated implanted region of a silicon layer 3 to form an impurity region having higher impurity concentration than a channel region.例文帳に追加

フォトレジスト６をマスクとして、シリコン層３の分離注入領域に第１導電型の不純物をイオン注入しチャネル領域よりも高い不純物濃度を有する不純物領域を形成する。 - 特許庁

An array substrate 10 has a first interlayer dielectric 4 and a second interlayer dielectric 7 having different etching ratios from each other so as to cover a switching element 30 having a semiconductor layer 1a.例文帳に追加

アレイ基板１０は、半導体層１ａを有するスイッチング素子３０を覆うようにエッチング比率が互いに異なる第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

To take an effective countermeasure for leak current by a buffer layer without having conduction of a first electrode and a second electrode in an organic EL panel arranging a plurality of organic EL elements on a substrate.例文帳に追加

基板上に複数の有機ＥＬ素子を配列させる有機ＥＬパネルにおいて、第１電極と第２電極との導通が生じることなく、緩衝層による有効なリーク電流対策を講じる。 - 特許庁

In this case, a concentration gradient is given to a first conductive semiconductor substrate considering concentration gradient of impurity generated in a step of epitaxial growth of a second conductive semiconductor layer within the trench 44.例文帳に追加

この際、トレンチ４４内に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させる工程で生じる不純物の濃度勾配を考慮して、第１導電型半導体基板に濃度勾配を与える。 - 特許庁

The first cord, the second cord and the ply cord have a tensile modulus larger in this order, and the rubber for constituting the third reinforcing layer has a 100% modulus smaller than the rubber for constituting the bead filler.例文帳に追加

そして、第１のコード、第２のコード、およびプライコードは、この順に大きい引張弾性率をもち、第３補強層を構成するゴムは、ビードフィラーを構成するゴムよりも小さい１００％モジュラスをもつ。 - 特許庁

A capacitor 10 has a lower electrode (first conductor film 14) formed on one face with a dielectric layer 11 therebetween and an upper electrode (second conductor film 15) formed on the other face.例文帳に追加

キャパシタ１０は、誘電体層１１を挟んで一方の面に下部電極（第１の導体膜１４）が形成され、他方の面に上部電極（第２の導体膜１５）が形成された構造を有する。 - 特許庁

The electronic component 1 includes a multi-layer 20 including a plurality of laminated dielectric layers, an input terminal 22, an output terminal 23, a ground terminal 24 and a first and second resonators.例文帳に追加

電子部品１は、積層された複数の誘電体層を含む積層体２０と、入力端子２２と、出力端子２３と、グランド端子２４と、第１および第２の共振器とを備えている。 - 特許庁

After that, the second force (5) is replaced with a third force (12) for molding the resin layer and the molded glass lens and a softened resin are pressure-molded using the third force (12) and the first force (4).例文帳に追加

その後、前記第二の金型（５）を樹脂層成形用の第三の金型（１２）と入れ替え、第三の金型（１２）と第一の金型（４）とによってモールドガラスレンズと軟化状態の樹脂とを加圧成形する。 - 特許庁

The polished surfaces 41 are substantially flush with the epitaxial surface 30 so that the first epitaxial layer 3 has a substantially planarized crystal growth surface.例文帳に追加

この磨かれた表面４１は実質的にエピタキシャル表面３０と実質的に同一平面であるので、この第１のエピタキシャル層３は実質的に平坦化された結晶成長表面を有している。 - 特許庁

A piezoelectric actuator 10 comprises an insulator layer 20, an upper piezoelectric part 30, a surface electrode 40 including a first surface electrode 41 to a fourth surface electrode 44, and a lower piezoelectric part 50.例文帳に追加

圧電アクチュエータ１０は、絶縁層２０と、上側圧電部３０と、第１表面電極４１乃至第４表面電極４４からなる表面電極４０と、下側圧電部５０とを備えている。 - 特許庁

As for a phosphor sheet 10, the phosphor layer 11 is sealed by a sealed sheet 10A1 having a first inorganic laminating membrane 15A and the sealing sheet 10B1 having a second inorganic laminated membrane 15B.例文帳に追加

蛍光体シート１０は、蛍光体層１１を第１無機積層膜１５Ａを有する封止シート１０Ａ１と、第２無機積層膜１５Ｂを有する封止シート１０Ｂ１により封止したものである。 - 特許庁

The photonic crystal region 21 is formed as a first pattern along one front surface of the active layer 14 and includes a plurality of grooves 23 arranged in parallel keeping an interval in accordance with the wavelength of the excited laser beam.例文帳に追加

フォトニック結晶領域２１は、第１のパターンとして、活性層１４の一表面沿いに形成され、励起光の波長に応じた間隔で平行に配列された複数の溝２３を含む。 - 特許庁

A first electron discharge machine (EDM) electrode 201 is arranged over the layer of tip material 101, and the EDM electrode 201 has a plurality of openings corresponding to a plurality of probes to be formed.例文帳に追加

第１の放電加工機（ＥＤＭ）の電極２０１が、先端部材料１０１の層の上に配置され、ＥＤＭ電極２０１は、形成されるべき複数のプローブに対応する複数の開口を有する。 - 特許庁

The optical modulator 8 is irradiated with light and data signals are input to the first reflective layer 32 and transparent electrode 36 respectively, so that the result of exclusive OR operation between the data signals is optically output.例文帳に追加

光変調器８に光を照射し、第１反射層３２と透明電極３６にそれぞれデータ信号を入力すると、そのデータ信号の排他的論理和演算の結果を光出力する。 - 特許庁

A wiring layer 11 having first and second wiring patterns 10a and 10b connected to the drain D1 and the source S1 is formed over an insulating film 7 covering the switching element tr1.例文帳に追加

スイッチング素子Ｔｒ１を覆う絶縁膜７上にはドレインＤ１及びソースＳ１に接続された第１及び第２配線パターン部１０ａ，１０ｂを有する配線層１１が形成されている。 - 特許庁

A catalyst layer forming material 14a is supplied in a clearance 24 of the first frame 22 supplied therewith, and an electrolyte membrane 11 or an electrolyte membrane resin 11a is continuously arranged on it.例文帳に追加

供給された第１フレーム２２のクリアランス２４内に触媒層形成材料１４ａを供給し、その上に、電解質膜１１または電解質膜用樹脂１１ａを連続的に配置する。 - 特許庁

The voltages divided down by the first ramp potential electrodes formed by high-resistance transparent conductive films are impressed to stripe electrodes, to add the electric field having a straight gradient to a liquid crystal layer.例文帳に追加

高抵抗透明導電膜によって形成した第１の傾斜電位電極によって分圧した電圧をストライプ電極に印加することで液晶層に直線勾配を持った電界を加える。 - 特許庁

Thereafter, the wiring pattern 13 is formed, by removing the exposed first metal layer 20 other than the part to form the wiring pattern, by uniformly conducting the etching process to the entire part of the surface of the substrate.例文帳に追加

その後、基板表面全体に均一にエッチングを施すことにより、配線パターンを形成する部位以外の、露出する第１の金属層２０を除去して配線パターン１３を形成する。 - 特許庁

A sidewall insulation film 41 of first insulation film 4 is formed on the side face of the gate electrode 3, and a diffusion layer 5 is formed in the substrate 1 within the logic circuit region 12 through ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３側面に第１の絶縁膜４からなる側壁絶縁膜４１を形成し、ロジック回路領域１２における基板１内に拡散層５をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To embed the groove and cover the diffraction grating 3a, a first layer 4 constituted of InP is formed by MOCVD, by using organic metal as In material and PH_3 or organic phosphorus as P material.例文帳に追加

溝内を埋め込みかつ回折格子を被覆するように、ＩｎＰからなる第１の層を、Ｉｎ原料として有機金属、Ｐ原料としてＰＨ_３または有機リンを用いたＭＯＣＶＤにより形成する。 - 特許庁

In the manufacturing process of this semiconductor device, impurity ions are introduced into a semiconductor layer 1j through a resist mask 70 including a first mask part 71 and a second mask part 72 different in thickness.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、厚さが異なる第１マスク部分７１と第２マスク部分７２を備えたレジストマスク７０を介して半導体層１ｊに不純物イオンを導入する。 - 特許庁

A sealing layer 21 is provided to cover a metal wiring film 19 connecting a first electrode pad 13 formed on a mounting substrate 11 and a second electrode pad 15 formed on a semiconductor chip 12.例文帳に追加

実装基板１１に形成された第１電極パッド１３と半導体チップ１２に形成された第２電極パッド１５とを接続する金属配線膜１９を覆う封止層２１を設ける。 - 特許庁

Being disposed between the transfer plate 34 and the one of the first and second molds, the thermal insulation layer 40 formed of the metallic glass can restrain dissipation of thermal energy of a molding material toward the mold.例文帳に追加

一方の金型と転写プレート３４との間に金属ガラスから成る断熱層４０が配設されるので、成形材料が有する熱エネルギーが一方の金型側に逃げるのを抑制することができる。 - 特許庁

By doping impurity to the top area of the first single-crystal silicon film 107 and the whole area of the second single-crystal silicon film 108, an impurity diffusion layer 109 being a source or drain is formed.例文帳に追加

第１の単結晶シリコン膜１０７の上部領域及び第２の単結晶シリコン膜１０８の全領域に不純物をドープして、ソース又はドレインとなる不純物拡散層１０９を形成する。 - 特許庁

An electrophoresis device provided with an electrophoresis layer interposing a dispersion liquid containing electrophoresis particles between a first electrode and a second electrode is preferably used as the monochromatic display unit.例文帳に追加

モノクロ表示器としては、電気泳動粒子を含有する分散液を第１の電極と第２の電極との間に介在させてなる電気泳動層を備える電気泳動装置が好適に用いられる。 - 特許庁

Crystalline layers CRZ are formed on the surfaces of an adhesive layer FT between the respective abutting surfaces of a first glass substrate SUB1 and a sealing frame FR and between the respective abutting surfaces of a second glass substrate SUB2 and the sealing frame FR.例文帳に追加

第１のガラス基板ＳＵＢ１と封止枠ＦＲ、第２のガラス基板ＳＵＢ２と封止枠ＦＲの各当接面の間の接着層ＦＴの表面に結晶層ＣＲＺを設けた。 - 特許庁

A switching chip 101, consisting of the matrix of silicon, is arranged on the upper surface of the cooling mechanism consisting of a heat sink 115, an insulation substrate 114 and a conductive plate 108 through a first conductive layer 109A.例文帳に追加

ヒートシンク１１５、絶縁基板１１４及び導通板１０８から成る冷却機構の上面上に、第１導電層１０９Ａを介して、シリコンを母材とするスイッチングチップ１０１を配設する。 - 特許庁

The first substrate is a sapphire substrate including a nitride semiconductor layer or a GaAs substrate, and the second substrate may be any of a silicon substrate, a GaAs substrate, a Ge substrate, and a metal substrate.例文帳に追加

第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。 - 特許庁

The semiconductor memory is characterized in that the film thickness of the first silicon oxide film 2 contacting with the P-type silicon substrate 1 is thicker than the film thickness of the second silicon oxide film 4 contacting with the SOONO layer 6.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型シリコン基板１に接する第１のシリコン酸化膜２の膜厚が、ＳＯＯＮＯ層６に接する第２のシリコン酸化膜４の膜厚よりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

Thus, first and second polycrystal silicon films having suitable grain sizes can be obtained by laser annealing by setting an amorphous silicon film formed on the layer 11 to the same conditions.例文帳に追加

このため、バッファ層１１上に成膜したアモルファスシリコン膜を同一条件に設定したレーザアニールにより、それぞれ適正なグレインサイズの第１及び第２多結晶シリコン膜を得ることができる。 - 特許庁

In order to form the organic semiconductor layer 16, fine particles of two kinds of organic semiconductors of n-type and p-type are dispersed mixedly, at first, into an aqueous medium using a ferrocene derivative to produce the dispersion liquid of micelle.例文帳に追加

有機半導体層１６を積層するために、まず、ｎ型及びｐ型の２種類の有機半導体微粒子を、フェロセン誘導体を用いて水性媒体中に混合分散し、ミセル分散液を得る。 - 特許庁

A surface layer of a first substrate 10 consisting of a nitride based compound semiconductor, and a surface 20a of a second substrate 20 consisting of a material different from that of the nitride based compound semiconductor are mutually joined.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体から成る第１の基板１０の表層と、窒化物系化合物半導体とは異なる材料から成る第２の基板２０の表面２０ａとを互いに接合させる。 - 特許庁

A nitride semiconductor device 111 comprises: a semiconductor layer 30 containing a nitride semiconductor; a source electrode 40; a drain electrode 50; a first gate electrode 10; and a second gate electrode 20.例文帳に追加

窒化物半導体を含む半導体層３０と、ソース電極４０と、ドレイ電極５０と、第１ゲート電極１０と、第２ゲート電極２０と、を備えた窒化物半導体装置１１１が提供される。 - 特許庁

A zenerzap diode semiconductor layer 13 formed of polycrystalline silicon is installed on the semiconductor substrate including a semiconductor element forming region and a resistance element forming region through a first insulating film.例文帳に追加

半導体素子形成領域、抵抗素子形成領域等を含む半導体基板の上に第１の絶縁膜を介して多結晶シリコンから成るツェナーザップダイオード半導体層１３を設ける。 - 特許庁

A nitride semiconductor device includes a semiconductor laminate 110 made of a nitride semiconductor comprising a first main surface and a second main surface that faces it, and containing a channel layer 104.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、第１主面及び該第１主面と対向する第２主面を有する窒化物半導体からなり、チャネル層１０４を含む半導体積層体１１０を有している。 - 特許庁

The method for manufacturing the microlens array includes a process for forming second layers 126 on a member having a first layer 120 and shading layers 122 and provided with a plurality of recessed parts 124.例文帳に追加

マイクロレンズアレイの製造方法は、第１の層１２０及び遮光性層１２２を有してなるとともに複数の凹部１２４が形成された部材上に、第２の層１２６を形成することを含む。 - 特許庁

Then, by dry-etching the group III-V compound semiconductor layer 16a by using the etching mask M, a first diffraction grating region G1 is formed having a plurality of periodical recesses 44.例文帳に追加

次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の周期的な凹部４４を有する第１の回折格子領域Ｇ１を形成する。 - 特許庁

The cathode member includes a first contact part 111 coming in contact with the cathode catalyst layer, a second contact part 112 coming in contact with the cathode separator, and a gas passage 121 through which gas flows.例文帳に追加

カソード電極部材は、カソード触媒層に対して接触する第１の接触部１１１と、カソードセパレータに対して接触する第２の接触部１１２と、ガスが流れるガス流路１２１と、を備えている。 - 特許庁

A photocatalytic layer, in which titania and a compound having titanyl group are coexisted and carried, is formed by carrying titania and the compound having titanyl group on the base material simultaneously or either of the two first.例文帳に追加

基材上にチタニアとチタニル基を有する化合物を同時に、若しくはどちらか一方を先に担持させ、チタニアとチタニル基を有する化合物が共存して担持される光触媒層を形成する。 - 特許庁

A second optical wavelength conversion layer 26 includes a second phosphor which is excited by the ultraviolet ray or the short-wavelength visible light, and emits visible light of a different color from the visible light emitted from the first phosphor.例文帳に追加

第２の光波長変換層２６は、紫外線又は短波長可視光により励起され、第１の蛍光体が発光する可視光と異なる色の可視光を発光する第２の蛍光体を含む。 - 特許庁