「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nitride semiconductor element including a structure capable of suppressing or preventing dielectric breakdown of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の絶縁破壊を抑制または防止できる構造を有する窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To suppress the lowering of the productivity of a display device having a TFT of a bottom gate structure, and to suppress the deterioration of display characteristics.例文帳に追加

ボトムゲート構造のTFTを有する表示装置の生産性の低下を抑えるとともに、表示特性の劣化を抑える。 - 特許庁

Charge storage structure of a semiconductor body is provided with a charge trapping position below a gate among a plurality of gates.例文帳に追加

前記半導体本体の電荷蓄積構造は、前記複数のゲート中のゲートの下方に電荷トラッピング位置を具備する。 - 特許庁

To form a thin impurity-diffused layer in high concentration next to a gate electrode, in a silicide structure of semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド構造の半導体装置において、ゲート電極に隣接して薄く高濃度の不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

The silicon film functions as the vertical channel region of the structure and interconnects a diffusion region adjacent to the gate region.例文帳に追加

シリコン膜は構造の垂直チャネル領域の働きをし、ゲート領域に隣接した拡散領域を相互接続する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory that has a simple gate structure and stores 4-bit information in one memory cell.例文帳に追加

ゲート構造が簡単でかつ一つのメモリセルに４ビットの情報を記憶する不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The matrix structure has a plurality of gate lines 4c and 4d and a plurality of data lines 3a crossing each other in a lattice shape.例文帳に追加

マトリクス構造で格子状に交差する複数のゲート線４ｃ、４ｄ及び複数のデータ線３ａを有する。 - 特許庁

To provide a charge coupled device providing excellent performance regardless of having a structure of a single layer gate electrode.例文帳に追加

単層のゲート電極構造を有しながら、良好な性能を得ることが可能な電荷結合素子を提供する。 - 特許庁

To incur an avalanche drop in a bulk region in a lateral power semiconductor device including a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する横型のパワー半導体装置において、アバランシェ降伏がバルク領域で起こるようにすること。 - 特許庁

A layer structure is obtained, by sequentially laminating a charge barrier layer 2, a charge transfer layer 3, and a gate electrode 4 on a semiconductor layer 1.例文帳に追加

半導体層１に電荷障壁層２、電荷移動層３、ゲート電極４を順次積層しした層構造とする。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE IMPURITY STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MOSFET TRANSISTOR, AND INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

複合不純物構造体の製造方法、半導体装置、ＭＯＳ電界効果トランジスタ、及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

A roller gate includes at least a pair of column structures 2, a door structure 3, and a lifting device 4.例文帳に追加

この発明は、少なくとも一対の支柱構造体２と、扉構造体３と、昇降装置４と、を備えるものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a trench gate structure capable of providing a high withstand voltage and a high speed performance.例文帳に追加

高耐圧、高速化を可能とするトレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The MOS gate structure is joined to one edge of the trenches 20 to 23 and the drain is connected to the other end of thereof.例文帳に追加

ＭＯＳゲート構造が、トレンチ２０〜２３の一方の端部に接続され、ドレインがその他方の端部に接続される。 - 特許庁

These process steps are used together with a conventional gate process step, when a strain MOSFET structure is formed.例文帳に追加

これらの処理ステップは、歪みＭＯＳＦＥＴ構造を形成する際に、従来のゲート処理ステップと共に使用できる。 - 特許庁

LAMINATED GATE STRUCTURE FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY CELL, NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NOR TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の積層ゲート構造体、不揮発性メモリセル、不揮発性メモリ装置、ＮＯＲ型不揮発性メモリセル - 特許庁

To provide a chain visually confirming device for a chain gate formed in an extremely simple structure and economical since the running cost is not needed.例文帳に追加

極めて簡単な構造で、かつ、ランニングコストが不要で経済的であるチェーンゲート用チェーン視認具を提供する。 - 特許庁

The gate insulating film 103, the poly-crystalline silicon 106 are laminated in this order to form a second structure G2.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０３と多結晶シリコン１０６とが当該順に積層した第二のゲート構造Ｇ２を形成する。 - 特許庁

PRECURSOR FORMULATION, METHOD OF FORMING THIN-FILM, METHOD OF PRODUCING GATE STRUCTURE USING THE SAME, AND METHOD OF PRODUCING CAPACITOR例文帳に追加

前駆体造成物、薄膜形成方法、これを利用したゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法 - 特許庁

To obtain a top gate stagger-type thin film transistor(TFT) which is simple in structure and capable of decreasing a leakage current.例文帳に追加

簡単な構造でリーク電流を低減することができるトップゲートスタガー型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。 - 特許庁

Further preferably a connection part 7 of the hydraulic system 6 to the gate valve 4 has a structure capable of attaching / detaching with a single action.例文帳に追加

また、前記油圧装置６とゲート弁４との接続部７は、ワンタッチで着脱可能な構造であることが好ましい。 - 特許庁

To realize a structure of improving the holding time of written information at a low cost, in a ferrodielectric gate transistor.例文帳に追加

強誘電体ゲートトランジスタにおいて、書き込まれた情報の保持時間を改善する構造を、低コストで実現する。 - 特許庁

The rear part cargo room structure has the package tray 5 which is disposed between a rear seat 4 and a tail gate 3, and vertically partitions the cargo room and a cabin.例文帳に追加

リヤシート４とテールゲート３との間に配設され荷室と車室とを上下に仕切るパッケージトレイ５を有する。 - 特許庁

A first gate electrode 230 comprises a stacked structure in which a metal layer 232 and a silicon layer 234 are stacked.例文帳に追加

また第１ゲート電極２３０は、金属層２３２及びシリコン層２３４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

This structure increases the carrier density of an emitter side, and improves the property of a gate trench type high pressure IGBT.例文帳に追加

この構造により、エミッタ側のキャリア密度を増加させ、ゲートトレンチ型高耐圧ＩＧＢＴの特性を向上させる。 - 特許庁

In the contact structure for wirings and its forming method, after laminating an aluminum-based conductive substance on a substrate, it is patterned to form each lateral gate wiring on the substrate.例文帳に追加

アルミニウム系列の導電物質を積層しパターニングして基板上に横方向のゲート配線を形成する。 - 特許庁

In this case, the side wall 11 is formed to become lower than the gate structure 5 by conducting excessive etching back.例文帳に追加

このとき、エッチバックを多めに行うことにより、ゲート構造５よりも低くなるようにサイドウォール１１を形成する。 - 特許庁

This technique for manufacturing a MOSFET device which has a double gate/double channel structure uses a damascene process.例文帳に追加

２重ゲート／２重チャネル構造を有するＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する本発明の技法はダマシン・プロセスを利用する。 - 特許庁

To provide an insulated-gate structure having a high reliability in a semiconductor device using a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体が用いられている半導体装置において、信頼性の高い絶縁ゲート構造体を提供すること。 - 特許庁

In the insulating gate structure 12, a nitriding oxide film (SiON film) 13 is formed as the sidewall.例文帳に追加

これら絶縁ゲート構造１２は側壁、すなわちサイドウォールとして窒化酸化膜（ＳｉＯＮ膜）１３が形成されている。 - 特許庁

Each metal gate of a transistor and one of the metal plates of each capacitor have the same metal level in an integrated circuit structure.例文帳に追加

トランジスタの金属ゲートと各コンデンサの金属プレートの１つとは、集積回路構造内で同じ金属レベルを含む。 - 特許庁

To lower interface resistance between a polysilicon film and a high- melting point metal film, in a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

A source electrode 106, a gate electrode 107 and a drain electrode 108 are formed on such a crystal structure.例文帳に追加

そして、このような結晶構造上に、ソース電極１０６、ゲート電極１０７、ドレイン電極１０８を形成する。 - 特許庁

First heat treatment is given to the substrate 100 formed on the gate structure 110 under gas atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

ゲート構造物１１０の形成された基板１００に水素を含むガス雰囲気下で第１熱処理が行われる。 - 特許庁

A gate electrode 17A of a first MOSFET 20A in the light receiving part 10A has a single layer structure of polycrystalline silicon.例文帳に追加

受光部１０Ａの第１のＭＯＳＦＥＴ２０Ａのゲート電極１７Ａは多結晶シリコンの単層構造である。 - 特許庁

To easily process the structure of a gate that includes a ferroelectric film and a conductive film without damage.例文帳に追加

ダメージを与えることなく、しかも容易に、強誘電体膜および導電体膜を含むゲート構造の加工を行う。 - 特許庁

In another preferred embodiment, there are deposited a shallow trench isolation (STI) structure, a sidewall spacer and a gate passivation layer.例文帳に追加

他の実施形態において、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）構造、側壁スペーサーおよびゲート不動態化層が堆積される。 - 特許庁

According to the structure of the locking device 2, locking plates 20, 21 pinch a gatepost 5 to lock the gate 1 to the gatepost 5.例文帳に追加

施錠装置２は、施錠板２１と施錠板２２により支柱５を挟んで、門扉１を支柱５に係止する。 - 特許庁

To provide a recess gate type MOS transistor structure suitable for a high integration semiconductor memory, and to provide its forming process.例文帳に追加

高集積半導体メモリに適合したリセスゲートタイプのMOSトランジスタ構造及びその形成方法を提供するにある。 - 特許庁

To provide the semiconductor device of a flat surface type multi-gate structure which can reduce a parasitic capacity.例文帳に追加

本発明は、寄生容量を低減できる平面型マルチゲート構造の半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

On a gate driver 5, a fixing ring 8, having an outer peripheral side face provided with a screw thread/thread groove structure 7, is arranged.例文帳に追加

ゲートドライバ５には、ネジ山／溝構造７が設けられた外周側面を有する固定リング８が配置されている。 - 特許庁

After a gate buss line 11a is formed into the lamination structure of a transparent metallic layer 10 and an opaque metallic layer 11 and the shape of a coumter electrode 12 is provided when the gate buss line 11a is formed, an active area 13 is formed so as to cover the gate buss line 11a.例文帳に追加

ゲートバスライン１１ａを透明金属層１０と不透明金属層１１の積層構造に形成し、ゲートバスライン形成時にカウンター電極１２の形状を備えた後、アクティブ領域１３をゲートバスラインを覆うよう形成する。 - 特許庁

To restrain an un-etched part from being left on a floating gate layer at the side of an element isolation insulating film when the floating gate layer is patterned so as to prevent a short circuit from occurring between gates, in a nonvolatile semiconductor memory equipped with memory cells and peripheral transistors having a laminated gate structure.例文帳に追加

メモリセルと周辺トランジスタが積層ゲート構造を持つ不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲート層をパターンニングする際に素子分離用絶縁膜の側面での浮遊ゲート層のエッチング残りを抑え、ゲート同士のショートを防ぐ。 - 特許庁

The structure may comprise a substantially cap-free gate 108 and conductive contacts 134 and 170 to a diffusion part 116 adjacent to the cap-free gate, and the conductive contact may include a field effect transistor (FET) borderless to the gate.例文帳に追加

この構造は、実質的に無キャップのゲート１０８と、無キャップのゲートに隣接する拡散部１１６への導電コンタクト１３４，１７０とを備え、導電コンタクトは、ゲートに対しボーダレスである電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含むことができる。 - 特許庁

The lighting system, since an insulator, the gate electrode, and the cathode mask make up an integrated gate electrode structure, does not need positioning between the cathode mask and the gate electrode in its assembly.例文帳に追加

本発明の照明装置は、「前記絶縁体、前記ゲート電極および前記カソードマスクは一体化されたゲート電極構造体を形成していること」から、照明装置の組み立てにおいて、カソードマスクとゲート電極との位置合わせをする必要がない。 - 特許庁