「Gate structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

Three pivot points along each side of the freight support structure is brought into a pivotal state when the lift gate is opened and closed such that the article carrier 10 is prevented from disturbing operation of a lift gate 12a.例文帳に追加

貨物支持構造の各側に沿った３つのピボット点は、物品キャリヤ１０がリフトゲート１２ａの動作を妨げないように、リフトゲートが開閉される時に貨物支持構造を枢転可能にしている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of reducing the residual stress left inside a semiconductor substrate, improving the gate insulating film in quality, and equipped with a dual gate insulating film structure.例文帳に追加

半導体基板内部の残留応力を低減するとともにゲート絶縁膜の膜質の改善が可能なデュアルゲート絶縁膜構造を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The MOSFET including the same gate length and gate insulating film among a plurality of MOSFETs has a structure that a single channel having the channel width W is provided or a plurality of channels having the channel width W are provided in parallel.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのうちで、ゲート長およびゲート絶縁膜が同一であるものは、チャネル幅がＷである単一のチャネルまたはチャネル幅がＷであるチャネルを複数並列した構造を有する。 - 特許庁

A contact plug 23 connected to both of an upper surface 6a of a gate electrode 6 included in the gate structure 4c and an upper surface 8a of the semiconductor layer 8 is formed in the interlayer dielectric 20.例文帳に追加

層間絶縁膜２０内には、ゲート構造４ｃに含まれるゲート電極６の上面６ａと、半導体層８の上面８ａとの両方に接続されたコンタクトプラグ２３が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, containing a gate insulating film comprising a substance, having a high dielectric constant as the substance having high dielectric constant as a gate structure, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

本発明はゲート構造物として高誘電率を有する物質として、高誘電率を有する物質からなるゲート絶縁膜を含む半導体装置及びその製造方法に関する。 - 特許庁

To optimize the area of the gate insulating film of a transistor element or the antenna size of the plural antenna parts of a conductive member connected to the gate insulating film even when the conductive member is constituted in a multi-level structure.例文帳に追加

トランジスタ素子のゲート絶縁膜に接続されている導電部材が多層構造でも、ゲート絶縁膜の面積や導電部材の複数のアンテナ部のアンテナサイズなどを最適化できるようにする。 - 特許庁

To provide a structure of a drop rod of a gate door, which enables even the gate door made of castings to be provided with the drop rod in a good-looking manner, and which enables the drop rod to be provided in such a manner as to hardly rattle.例文帳に追加

鋳物製の門扉であっても外観よく落とし棒を設けることができ、また落とし棒ががたつきにくいように設けることができる門扉の落とし棒の構造を提供する。 - 特許庁

In the upper part of a memory cell region where a transistor array of the stack type gate structure including a stray gate is formed, a barrier including Ti covering the memory cell region is formed and a passivation layer is also formed at the upper part thereof.例文帳に追加

浮遊ゲートを持つスタック型ゲート構造のトランジスタアレイが形成されたメモリセル領域の上方に、メモリセル領域を覆うＴｉ含有バリアを形成し、その上方にパッシベーション層を形成する。 - 特許庁

A ring shaped gate electrode 15 has a double-layer structure wherein a polysilicon layer 15a and a metallic silicide 15b such as W silicide, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide, etc. are provided on a gate oxide film 14.例文帳に追加

リング状ゲート電極１５は、ゲート酸化膜１４を介してポリシリコン層１５ａと、Ｗシリサイド、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｎｉシリサイドなどの金属シリサイド１５ｂの２層構造で形成される。 - 特許庁

A double gate structure is used for the thin film transistor array, and here in order to provide the high-voltage protection of the thin film transistor array, a crowning gate is formed as the extension of a pixel electrode (12).例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイのために二重ゲート構造が使用され、ここでは薄膜トランジスタアレイの高電圧保護を提供するように、画素電極（１２）の延長として頂部ゲートが形成される。 - 特許庁

To prevent deterioration of insulating layer step coverage on a gate electrode, while preventing generation of a hillock on a first metal layer, in a thin-film transistor with a multilayer structure gate electrode.例文帳に追加

積層構造のゲート電極をもつ薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極上の絶縁層のステップカバレージの低下を防止し、かつ、前記第１金属層のヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）の生成を防止する。 - 特許庁

On the semiconductor layer 4, an insulating layer 3 is formed of an organic insulating layer and on the insulating layer 3, a gate electrode 2 is formed to obtain the thin-film transistor 10 having a top gate structure.例文帳に追加

この半導体層４の上に有機絶縁層よりなる絶縁層３を形成し、次いでこの絶縁層３上にゲート電極２を形成して、トップゲート構造の薄膜トランジスタ１０を得る。 - 特許庁

A thin-film transistor 300 is formed in a dual gate structure in which a first gate electrode 311 and a second electrode 332 face each other through a channel formation region 321c of a semiconductor layer 321.例文帳に追加

第１ゲート電極３１１と第２ゲート電極３３２とが、半導体層３２１のチャネル形成領域３２１ｃを介して対面しているデュアルゲート構造にて、薄膜トランジスタ３００を形成する。 - 特許庁

Then, a recess groove 8 is formed by a citric acid base etchant, a metal 9 used as the gate electrode is deposited, the SiO2 is etched by fluoric acid for removing unwanted metal, and recess gate structure is formed.例文帳に追加

そいてクエン酸系のエッチャントでリセス溝８を形成し、ゲート電極となる金属９を蒸着し、フッ酸でＳｉＯ_2をエッチングして不要な金属を除去し、リセスゲート構造を形成する。 - 特許庁

The FET 20 has a plurality of vertically-extending channel segments 40 and a gate structure with a plurality of vertically-orientated gate segments which are positioned between channel segments.例文帳に追加

このＦＥＴ（２０）は、複数の垂直方向に伸長するチャネル・セグメント（４０）と、これらのチャネル・セグメントの間に配置された複数の垂直方向に向けられたゲート・セグメントを有するゲート構造とを有している。 - 特許庁

This neuron MOSFET also comprises conductive layers 200, 230 and 240 arranged adjacently to gate structures 230, 240 of the capacitors and a floating gate 200 of the transistor structure and forms them.例文帳に追加

このニューロンＭＯＳＦＥＴはまた、コンデンサのゲート構造体２３０、２４０およびこのトランジスタ構造体の浮遊ゲート２００を形成する隣接する導電体層２００、２３０および２４０を有する。 - 特許庁

To provide a technique capable of enhancing the detecting precision of a person passing through a gate with a simple structure and properly controlling the state of the gate according to this detection result.例文帳に追加

簡易な構成でゲートを通過しようとする人の検出精度を高めることができ、この検出結果に応じてゲートの状態を適正に制御することができる技術を提供すること。 - 特許庁

The transistor has the dual-gate structure which is composed of a semiconductor thin film 4 and a pair of gate electrodes 2F, 2R which are arranged in the upper part and the lower part of the film 4 via respective insulating films.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、半導体薄膜４と、それぞれ絶縁膜を介して半導体薄膜４の上方及び下方に配された一対のゲート電極２Ｆ，２Ｒとからなるデュアルゲート構造を有する。 - 特許庁

To improve all of charge injection efficiency, charge retention characteristics and reliability compared with a conventional gate structure in a nonvolatile memory in which charge is injected from a gate electrode to a charge storage layer.例文帳に追加

ゲート電極から電荷蓄積層に電荷を注入する不揮発性メモリにおいて、従来のゲート構造に比べて電荷の注入効率、電荷保持特性および信頼性を共に向上させる。 - 特許庁

Suzakumon Gate of the Heijo-Kyu Palace was restored in 1997 with a two-story structure, double roofs and a life-sized goken sanko (a gate where three of the five spaces between its columns are used as entrances); the restorations were based on gates that remain in temples in Nara prefecture (Heijo-Kyu palace ruin) and findings in archeological studies. 例文帳に追加

平城宮の朱雀門は1997年、考古学的研究と奈良県下の寺社に残る門を参考にして、五間三戸の二重門がかつての位置に等寸復元されている（平城宮跡）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a nonvolatile semiconductor memory transistor having a structure using an island-shaped semiconductor and a nonvolatile semiconductor memory manufacturing method which can increase capacitance between a floating gate and a control gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲート間の容量を大きくすることができる、島状半導体を用いた構造を持つ不揮発性半導体メモリトランジスタ、および、不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the structure including the silicon and/or the germanium is a gate electrode, the lanthanide element (for example, the Yb) is doped to the silicon and/or the germanium in order to model a work function of the gate electrode.例文帳に追加

当該シリコン及び／又はゲルマニウム含有構造がゲート電極である場合、ゲート電極の仕事関数をモデリングするため、上記シリコン及び／又はゲルマニウムにランタニド元素（例えばＹｂ）をドープする。 - 特許庁

To provide a gate door locking device used in an expansible gate door, composed of a reception metal member and a hooking metal member, having a simple structure, and capable of preventing the hooking metal member from coming off from the reception metal member.例文帳に追加

伸縮門扉に用いる受け金部材と掛け金部材とからなる門扉錠装置において、簡単な構造で、掛け金部材が受け金部材より外れるのを防止できるようにする。 - 特許庁

That is, the gate wiring 8 is made a double layer structure of the metallic film of a row like wiring pattern and the storage ITO film 9, and by prolonging the pixel electrode 4 on the upper layer of the double layer structure, the structure forming the auxiliary capacitance by the part where the pixel electrode 4 is overlapped the gate wiring 8 is obtained.例文帳に追加

つまり、ゲート配線８を行状の配線パターンの金属膜とストレージＩＴＯ膜９との２層構造とし、その２層構造の上層に画素電極４を延在させることにより、画素電極４がゲート配線８とオーバーラップする部分にて補助容量を形成する構造とする。 - 特許庁

A gate structure is arranged on one portion of the first-type well and the low-doping region, and a second-type first-doping region and a second-type second-doping region are arranged at both the sides of the gate structure in the low-doping region and the first-type well.例文帳に追加

ゲート構造を前記第１タイプウエルの一部と前記低ドーピング領域の上に配置し、第２タイプの第１ドーピング領域と第２タイプの第２ドーピング領域は前記低ドーピング領域と前記第１タイプウエル内で前記ゲート構造の両側に配置する。 - 特許庁

A plurality of first peripheral transistors formed in the region other than the functional n-channel transistor in the p-type impurity region PWL are formed so that a peripheral n-type gate structure and a peripheral p-type gate structure coexist in a plan view.例文帳に追加

ｐ型不純物領域ＰＷＬの、平面視における機能用ｎチャネル型トランジスタ以外の領域に形成される複数の第１の周辺用トランジスタは、周辺用ｎ型ゲート構造体と周辺用ｐ型ゲート構造体とが混在するように形成される。 - 特許庁

To provide a structure of the surrounding of the ridgeline of the gate rotor in a screw compressor that is configured to early terminate the progress of wear caused during usage by contriving the structure of the surrounding of the ridgeline of the blade of the gate rotor which contacts with the flank surface of the screw rotor in a screw compressor.例文帳に追加

スクリューコンプレッサにおけるスクリューロータのフランク面に接するゲートロータのブレードの稜線廻りの構造を工夫して使用過程における磨耗の進行の収束を早期に行うようにしたスクリューコンプレッサのゲートロータの稜線廻りの構造を提供する。 - 特許庁

A gate insulation film is made thin by employing an MONOS structure at a part where a vertical charge transfer part and a channel stop part underlie and an MOS structure at a part where a read part underlies.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、垂直電荷転送部及びチャンネル・ストップ部を下地とする部分ではＭＯＮＯＳ構造にし、読み出し部を下地とする部分ではＭＯＳ構造にして薄膜化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench gate structure and a trench contact structure, in which the size of a cell is made compact as far as possible while having low on resistance.例文帳に追加

トレンチゲート構造およびトレンチコンタクト構造を有する半導体装置において、低オン抵抗でありながら、セルのサイズを極力小さくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).例文帳に追加

複数のシャロートレンチアイソレーション（１８）とフローティングゲート構造（２２）とを有する半導体基板（１６）の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method with which a field-effect transistor having excellent efficient gate recess structure such as multistep recess structure without misaligning the mask, and which can be manufactured easily with excellent reproducibility.例文帳に追加

多段リセス構造などゲートリセス構造の性能のよい電界効果トランジスタをマスク合わせずれなく簡単で再現性よく製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

In a linear image sensor provided with shutter structure between photodiode strings 1a and 1b, a shutter drain 6 is provided under a shutter gate electrode 5 constituting the shutter structure.例文帳に追加

フォトダイオード列１ａ，１ｂ間にシャッター構造を設けたリニアイメージセンサにおいて、前記シャッター構造を構成するシャッターゲート電極５の下部にシャッタードレイン６を設けることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer for field effect transistors with a semi-insulating GaAs substrate structure in which the back-gate effect of a GaAs FET is suppressed.例文帳に追加

ＧａＡｓＦＥＴのバックゲート効果を抑制した半絶縁性ＧａＡｓ基板構造の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁

To provide an EEPROM having a single gate structure, a method for operating the EEPROM, and a method for manufacturing the EEPROM.例文帳に追加

単一ゲート構造を有するＥＥＰＲＯＭ、該ＥＥＰＲＯＭの動作方法及び該ＥＥＰＲＯＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress breaking of a silicide film at a part of a p-n junction in a semiconductor device of a dual-gate structure having the silicide film.例文帳に追加

シリサイド膜を有するデュアルゲート構造の半導体装置において、ＰＮ接合の部分におけるシリサイド膜の断線を抑制する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display device having a structure which can avoid delay on gate lines in a liquid crystal display with a lightproof film.例文帳に追加

遮光膜を持つ液晶表示装置において、ゲート線遅延を回避することができる構造の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A first gate structure 132 is arranged on the first active region 105 between the first and second source/drain regions 150, 152.例文帳に追加

第１及び第２ソース／ドレイン領域１５０、１５２間の第１アクティブ領域１０５上には第１ゲート構造物１３２が配置される。 - 特許庁

To provide a method, which is not complicated, for forming a nonvolatile memory structure containing a floating gate of inverted T shape on a substrate.例文帳に追加

基板上に逆Ｔ形状を有するフローティングゲートを持った不揮発性メモリ構造を形成する、複雑ではない方法を提起する。 - 特許庁

Such a structure is obtained whereby the normally off type nitride semiconductor field effect transistor, whose gate leakage current is small, can be manufactured.例文帳に追加

このような構造にすることにより、ゲートリーク電流が小さいノーマリオフ型の窒化物半導体電界効果トランジスタを作製できる。 - 特許庁

To provide a dangerous object detecting structure in a comfortable environment by preventing discomfort in inspection by a gate passing type metal detector.例文帳に追加

ゲート通過型の金属探知機等による検査の不快感を防止し、快適な環境下での危険物探知構造を提供する。 - 特許庁

The floating gate 15 comprises an impurity distribution structure provided with three doping layers 16, 17, and 18 which are high in impurity concentration.例文帳に追加

上記浮遊ゲート１５は、不純物濃度の高い３層のドーピング層１６，１７，１８を有する不純物分布構造を持っている。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which a high-concentration impurity diffusion layer 9 is embedded in a polysilicon film as a gate electrode of the groove type transistor.例文帳に追加

溝型トランジスタのゲート電極であるポリシリコン膜中に高濃度不純物拡散材料９が埋設された構造を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench gate structure which achieves both of an increase in a breakdown strength and a suppression of a surge voltage in good balance.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する半導体装置において、高耐圧化およびサージ電圧の抑制の双方をバランスよく実現する。 - 特許庁

A process of creating the gate structure for each of the two transistors allows formation of oxide layers of different thickness between the two transistors.例文帳に追加

２つのトランジスタのそれぞれにゲート構造を形成するプロセスにより、２つのトランジスタ間で異なる厚さの酸化物層が形成される。 - 特許庁

To provided an SiC semiconductor device of an inverted type trench gate structure, capable of both reducing an ON-resistance and improving a withstand voltage.例文帳に追加

オン抵抗低減と耐圧向上の双方を図ることができる反転型のトレンチゲート構造のＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁