「Ge surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device, the GaAs group vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure formed on the surface of a GaAs monocrystal substrate by epitaxial growth is directly joined with the surface of a 1st base body constituted of forming a compound semiconductor layer on the surface of Si group monocrystal substrate consisting of Si, SiGe or Ge by epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉ、又は、ＳｉＧｅ、又は、ＧｅからなるＳｉ系単結晶基板の上にエピタキシャル成長による化合物半導体層が設けられている第１の基体上に、ＧａＡｓ単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成されたＧａＡｓ系面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）構造体が直接接合されていることを特徴としている。 - 特許庁

Further, the barrier film 74 prevents Ge from diffusing to the surface of the cap silicon film 75, and aggregating of the metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75 is prevented, thereby forming a uniform and low-resistance metal silicide layer.例文帳に追加

また、バリア膜７４によってＧｅがキャップシリコン膜７５の表面にまで拡散することが防止でき、キャップシリコン膜７５の表面に形成する金属シリサイド層１２の凝集を防止し、均一でかつ低抵抗な金属シリサイド層が形成可能となる。 - 特許庁

As a result, the peeling of the exhaust gas flow Ge is prevented at the downstream side of the exhaust gas flow path 16 on the inner side of the curve, and the flow rate of exhaust gas contacting with the inner peripheral surface 16b can be maintained sufficiently.例文帳に追加

このことにより湾曲内側の排気流路１６の下流側において排気流Ｇｅの剥離が防止され、内周面１６ｂに接触する排気流量を十分に維持することができる。 - 特許庁

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜２を形成する。 - 特許庁

After the Ti layer and the Au layer 16 are formed, since these are not subjected to heat treatment, sufficient wire bond strength can be obtained, while a base metal, that is, Ta, As, Ni, Ge or the like is not pile up on the surface of the Au layer.例文帳に追加

Ｔｉ層およびＡｕ層が形成された後，熱処理が施されないため，下地金属，すなわちＧａ，Ａｓ，Ｎｉ，Ｇｅ等がＡｕ層の表面にパイルアップすることなく，十分なワイヤボンド強度を得ることが可能となる。 - 特許庁

A road surface state determination part 106 corrects the presumed acceleration Ge according to the vehicle state for giving influence to a relationship of the presumed acceleration and the actual acceleration to obtain presumed acceleration Ga after correction, and compares the presumed acceleration Ga after correction with the actual acceleration Gx to determine the road surface state.例文帳に追加

路面状態判定部１０６は、推定加速度と実加速度との関係に影響を与える車両状態に応じて推定加速度Ｇｅを補正して補正後推定加速度Ｇａを取得し、補正後推定加速度Ｇａと実加速度Ｇｘとを比較して路面状態を判定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a surface of its semiconductor layer of Si, Ge, or the like comprising at least two kinds of semiconductor wafer oxidation treated into a desiable shape, and to provide a manufacturing method capable of effective oxidation treatment.例文帳に追加

少なくとも２種類の半導体からなるＳｉＧｅなどの半導体層の表面を所望の形状に酸化処理を施す半導体装置及びこの酸化処理を効率的に行うことができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The joining material is composed of an Al-based alloy layer containing metals of one or more out of Mg, Sn, Ge, Ga, Bi and In, and a Zn-based alloy layer provided on an outermost surface of the Al-based alloy layer.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 - 特許庁

On the other hand, the NMOS transistor 30n is formed in a distorted semiconductor layer 11 consisting of a plane orientation (100) Si obtained through epitaxial growth on a plane orientation (100) Si-Ge layer constituting the surface layer of the semiconductor substrate.例文帳に追加

一方、ＮＭＯＳトランジスタ３０ｎは、半導体基板の表面層を構成する面方位（１００）Ｓｉ−Ｇｅ層上にエピタキシャル成長させた面方位（１００）Ｓｉからなる歪半導体層１１に形成されている。 - 特許庁

The electromagnetic wave transmissive decorative component, in particular, of clear metallic glossiness is provided at low cost, without shielding an electromagnetic wave, by constitution of forming a Ge layer 2 having 10 nm to 30 nm of film thickness, on a surface of the component 1.例文帳に追加

部品１の表面に、膜厚が１０ｎｍ〜３０ｎｍのＧｅ層２を形成した構成とすることで、電磁波を遮蔽することなく、特にクリアな金属光沢を呈する電磁波透過性加飾部品が低コストで実現可能となる。 - 特許庁

By a peel inhibiting portion 24 constituted of a plurality of recesses 24a formed on an inner peripheral surface 16b, in the exhaust gas flow Ge, the flow inside of the recesses 24a collides with the flow outside of the recesses 24a and turbulence is generated in the flow.例文帳に追加

内周面１６ｂに形成された複数の凹部２４ａからなる剥離抑制部２４により、排気流Ｇｅは、凹部２４ａ内の流れと凹部２４ａ外の流れとが衝突することにより、流れに乱れが生じる。 - 特許庁

The road surface state determination part determines that the vehicle travels on a pre-sandy road when an off-road switch is turned ON and when presumed acceleration Ge and actual acceleration Gx become a value between a linear line L1 and a linear line L2.例文帳に追加

路面状態判定部は、オフロードスイッチがオンにされている場合であって、推定加速度Ｇｅおよび実加速度Ｇｘが直線Ｌ１および直線Ｌ２の間の値となる場合、車両がプレ砂地路を走行していると判定する。 - 特許庁

The light emitting device is characterized in that gallium nitride crystal is formed on a gallium oxide single-crystal substrate surface by nitriding a gallium oxide single-crystal substrate containing at least one element selected from Si, Ge, Sn and Al.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成してなることを特徴とする発光素子。 - 特許庁

A process for implanting Ge ions in an Si layer 3 in an SOI wafer, thermally oxidizing the Si layer 3, forming a SiO2 layer 4 on a surface and converting it into a thinned SiGe layer 3G is included.例文帳に追加

ＳＯＩウエハに於けるＳｉ層３にＧｅイオンを注入してからＳｉ層３を熱酸化して表面にＳｉＯ_2 層４を形成すると共に薄層化されたＳｉＧｅ層３Ｇに変換する工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

The infrared ray filter 1 includes a substrate 2 for transmitting infrared rays and Ge films and HfO_2 films alternately multilayer-laminated on a substrate 2 surface and the HfO_2 film has crystal structure with alignment in a face direction where a (111) plane and a (-111) plane are main.例文帳に追加

赤外線フィルタ１は、赤外線を透過する基板２と、基板２表面上に交互に多層積層されたＧｅ膜及びＨｆＯ_２膜とを備え、ＨｆＯ_２膜は（１１１）面と（−１１１）面を主とする面方向に配向した結晶構造を有する。 - 特許庁

The method of fabricating a GeSbTe thin film includes: a first step of forming a GeSbTe thin film on a surface of a substrate by chemically reacting a first precursor including Ge, a second precursor including Sb, and a third precursor including Te in a reaction chamber; and a second step of processing the surface of the GeSbTe thin film with hydrogen plasma.例文帳に追加

反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体、Ｓｂを含む第２前駆体及びＴｅを含む第３前駆体間の化学反応により基板の表面にＧｅＳｂＴｅ薄膜を形成する第１ステップ及び前記ＧｅＳｂＴｅ薄膜の表面を水素プラズマで表面処理する第２ステップを含むＧｅＳｂＴｅ薄膜の製造方法である。 - 特許庁

To provide a photoelectric transfer element which can adopt Ge suitable for TPV generation as a material and adopt a back face electrode type as an electrode structure by a method wherein an element structure capable of fairly decreasing a recomobination loss of carriers on the surface is included.例文帳に追加

表面でのキャリアの再結合損失を大幅に減少させ得る素子構造を有することで、ＴＰＶ発電用に適したＧｅを材料として採用し且つ電極構造として裏面電極型を採用するのを可能にした光電変換素子を提供する。 - 特許庁

This device is made up of an interference light source part 10, a measuring part 20, and a signal processing part 30, and the measuring part 20 is provided with a hemispheric prism 21 made of Ge. an incident angle varying device 22, and a detector 23 for sensing totally reflected light from a surface of a sample, in a closed sample chamber.例文帳に追加

上記装置を干渉光源部１０、測定部２０及び信号処理部３０で構成し、測定部２０では、密閉した試料室内にＧｅからなる半球状プリズム２１と、入射角度可変装置２２と、サンプル表面からの全反射光を感知するディテクタ２３とを設ける。 - 特許庁

To improve the strength and wet heat characteristic of a coating material for an optical fiber core on which fiber grating is formed by ultraviolet irradiation from the surface of a coat, to highly accurately form the fiber grating without increasing the quantity of Ge to be doped on the core and to improve the efficiency of transmission.例文帳に追加

被覆上からの紫外線照射によりファイバグレーティングが形成される光ファイバ心線について、その被覆材料の強度及び湿熱特性を高め、またコアにドープするＧｅの量を増大させることなくファイバグレーティングを高精度に形成し、さらに伝送効率の向上を図る。 - 特許庁

The particle size of the metal silicide layer 11b is smaller than a width W1c in a gate length direction in the source/drain region arranged between adjoining gate electrodes GE, being closest to each other in the gate length direction, among a plurality of source/drain regions of MISFETs formed on the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面に形成された複数のＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域のうち、ゲート長方向に最も近接して隣り合うゲート電極ＧＥ間に配置されたソース・ドレイン領域のゲート長方向の幅Ｗ１ｃよりも、金属シリサイド層１１ｂの粒径が小さい。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor in which a metal salicide layer is suitably formed on the surface of a gate electrode to realize low resistance of the gate electrode, related to the semiconductor device in which Ge is introduced to the gate electrode of a PMOS transistor to improve activation rate of B.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極中にＧｅを導入してＢの活性化率を高めた半導体装置において、ゲート電極の表面に金属サリサイド層を好適に形成してゲート電極の低抵抗化を実現した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

As described above, the cleansing of Solvent Red 135 in the post-manufact ge does not significantly reduce HCB concentration. It is inferred that post-reaction cleansing only removes HCB on the surface of Solvent Red 135 and that it is difficult by this process to reduce the HCB taken into the crystallization. 例文帳に追加

以上のように、製造後のソルベントレッド１３５を洗浄してもさほど効果的に低減できていないことから、反応後の洗浄では表面のＨＣＢしか除去できず、結晶中に取り込まれたＨＣＢを低減させることは困難であると推察される。 - 経済産業省

An SOI substrate 1 equipped with an insulating layer 1b on an Si substrate 1a and an Si layer 1c on the insulating layer is equipped with SiGe layers 2 and 3 on the Si layer of the SOI substrate, and the SiGe layer partially has a slanting composition area 2 whose Ge composition ratio is gradually increased toward the surface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１ａ上に絶縁層１ｂ及び該絶縁層上にＳｉ層１ｃを備えたＳＯＩ基板１と、該ＳＯＩ基板における前記Ｓｉ層上のＳｉＧｅ層２，３とを備え、該ＳｉＧｅ層は、少なくとも一部にＧｅ組成比を表面に向けて漸次増加させた傾斜組成領域２を有する。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which comprises an Si substrate 1 and a first SiGe layer 3 that is disposed on the Si substrate directly or via a different SiGe layer, is characterized in that the first SiGe layer has the in-plane distribution where the composition ratio of Ge decreases gradually from the central region toward the circumference region of the Si substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上に直接又は他のＳｉＧｅ層を介して配された第１のＳｉＧｅ層３とを備えた半導体基板であって、前記第１のＳｉＧｅ層は、Ｇｅ組成比が前記Ｓｉ基板表面の中心領域から周辺領域に向けて漸次低下した面内分布を有する。 - 特許庁

This transparent conductive film satisfies resistivity of less than 250 μΩ.cm, the maximum vertical interval of surface unevenness/film thickness of less than 10% and this conductive film can be made, for example, by sputtering a target consisted of In, Sn, Ge, and O with sputter power in which a radio frequency current is superimposed on a direct current.例文帳に追加

抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下で表面凹凸の最大高低差／膜厚が１０％以下を満足する透明導電膜であり、この導電膜は、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、ＧｅおよびＯからなるスパッタリングターゲットを、ｄｃにｒｆを重畳したスパッタ電力でスパッタすることにより得られる。 - 特許庁

The method comprises steps of: heating the substrate 1 to a nitridation temperature between 400°C and 940°C while exposing the substrate 1 to a nitrogen gas flow; and subsequently depositing the group Ill-nitride, e.g. GaN layer 5, onto the Ge surface 3 at a deposition temperature between 100°C and 940°C.例文帳に追加

この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes an NMISFET region 3 including a GOI layer 6 or a Ge layer 8 wherein a triangular cross section thereof along a direction perpendicular to a direction in which a channel current flows, two of surfaces thereof are (111) planes and the other surface is a (100) plane, and an Si layer 7 formed on the (100) plane.例文帳に追加

チャネル電流が流れる方向に対して垂直方向の断面が三角形状をしており、その２面が（１１１）面で、残りの１面が（１００）面であるＧＯＩ層６またはＧｅ層８と、前記（１００）面上に形成されたＳｉ層７と、を備えたＮＭＩＳＦＥＴ領域３を備えたこと、を特徴とする半導体装置１。 - 特許庁

A phosphor layer of this plasma display panel is formed by attaching at least one of metal oxide fine particles containing at least one of Al, Zn, In, Ga, Ge, and Bi and diamond fine particles as modifying material for improving luminance on a surface of a phosphor particle or by mixing with the phosphor particle in a matrix of the phosphor layer.例文帳に追加

Ａｌ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，ＧｅおよびＢｉの少なくとも一種を含む金属酸化物微粒子、およびダイヤモンド微粒子から選ばれる少なくとも一つを輝度改善修飾材料として蛍光体粒子の表面に付着させるか、もしくは蛍光体層のマトリックス中に蛍光体粒子と共に混在させて、プラズマディスプレイパネルの蛍光体層を構成する。 - 特許庁

The gallium oxide single-crystal substrate containing at least the one element selected from Si, Ge, Sn, Al is nitrided at 850-1000°C, with an ammonia (NH_3) flow rate of 80-120 sccm, and for 50-100 minutes to form the gallium nitride crystal on the gallium oxide single-crystal substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を、温度８５０〜１０００℃、アンモニア（ＮＨ_3）流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間５０分〜１００分の条件で窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device, and the semiconductor device in which high strain relaxation rate is attained even in a strained SiGe film having thickness equal to or thinner than critical film thickness and high Ge concentration formed on a semiconductor substrate, through dislocation density is reduced, undulation of a second SiGe film surface formed on it is inhibited and smoothness can be enhanced.例文帳に追加

半導体基板上に形成された高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第２のＳｉＧｅ膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。 - 特許庁

The molecule element is formed by forming an organic monomolecular layer 2 by chemical bonding on a surface of a semiconductor substrate 1 which is made of at least one kind of element selected from a group of Si, Ge, and C and has a diamond type structure, and fixing at least one kind of at least one photochromic molecule 3 which reversibly vary in electric conductivity by light irradiation to the organic monomolecular layer 2 by chemical bonding.例文帳に追加

Ｓｉ、ＧｅおよびＣからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなり、ダイアモンド型構造を有する半導体基板１の表面に有機単分子層２を化学結合により形成し、この有機単分子層２に、光照射によって電気伝導度が可逆的に変化する少なくとも一種の少なくとも一つのフォトクロミック分子３を化学結合により固定することで分子素子を形成する。 - 特許庁