「H-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The layer L of low heat conduction resin and the layer H of high heat conduction resin are provided respectively on the outside and the inside of the container 10.例文帳に追加

容器１０の外側に低熱伝導樹脂層Ｌが設けられ、内側に高熱伝導樹脂層Ｈが設けられる。 - 特許庁

An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are successively formed on an Si substrate 1, and a trench h is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3 to expose the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基材１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基材１を露出させるトレンチｈを形成する。 - 特許庁

Contact holes H are formed at sites overlapping with the wirings 12 in the translucent layer 23.例文帳に追加

透光層２３のうち配線１２と重なり合う部位にはコンタクトホールＨが形成される。 - 特許庁

A mark M for positioning of the hologram H is arranged at the reflecting layer 9 of the recording region.例文帳に追加

記録領域の反射層９には、ホログラムＨの位置決め用マークＭが配置されている。 - 特許庁

Further, the insulation supporting layer 20 is molded 0.01 to 0.5 mm thick with hardness 70° H or more.例文帳に追加

また、絶縁支持層２０を、厚さ０．０１〜０．５ｍｍで硬度７０°Ｈ以上に成形する。 - 特許庁

Then, the thin layer 5 is formed with a dynamic hardness [H] in the range of ≥10 and ≤50.例文帳に追加

そして、薄層５はダイナミック硬度［Ｈ］が１０以上で、５０以下の範囲で形成されている。 - 特許庁

The photosensitive resin layer 37 is developed and upper electrode 2 and porous layers 4 are formed (h).例文帳に追加

感光性樹脂層３７を現像して上部電極２、多孔状層４を形成する（ｈ）。 - 特許庁

The multilayer film T1 is formed in a through-hole H bored in an insulating material layer 29.例文帳に追加

多層膜Ｔ１を絶縁材料層２９に設けられた貫通孔Ｈ内部に形成する。 - 特許庁

A barrier layer (h) is provided to an interface between the semiconductor substrate (a) and the solid electrolyte secondary cell.例文帳に追加

半導体基板ａと固体電解質二次電池の接する部分にバリア層ｈを有する。 - 特許庁

The 60° specular gloss Gs of the surface of the matt layer is specified to 5 to 60%, and the haze H is so specified as to satisfy formula: H(%)<70-Gs(%).例文帳に追加

マット層の表面の６０度鏡面光沢度Ｇｓは５〜６０％とし、ヘイズＨは式：Ｈ（％）＜７０−Ｇｓ（％）を満たすようにする。 - 特許庁

Here, w>h is satisfied, where (w) is the width of the removed part 122 of the multilayer wiring layer 120 and (h) is the thickness of semiconductor substrate 110.例文帳に追加

多層配線層１２０のうち除去されている部分１２２の幅をｗとして、半導体基板１１０の厚さをｈとしたときに、ｗ＞ｈである。 - 特許庁

Related to a width Ws of signal line ID, width Wg of ground line GND and insulating layer thickness H, H≤0.5 mm while Wg≥Ws is optimum.例文帳に追加

信号ラインＩＤの幅Ｗｓ、グランドラインＧＮＤの幅Ｗｇ及び絶縁層厚Ｈは、Ｈ≦０．５ｍｍで且つＷｇ≧Ｗｓが最適とされる。 - 特許庁

A ratio H/λ of a film thickness H of the dielectric layer to a wavelength λ of a center frequency of the leaky surface wave ranges from 0.034 to 0.126.例文帳に追加

誘電体層の膜厚Ｈの、圧電基板を伝播する擬似弾性波の中心周波数の波長λに対する比Ｈ／λが０．０３４〜０．１２６である。 - 特許庁

A hole h for exposing the Si substrate 1 is formed in the Si layer 5 and the SiGe layer 3, and a support 7 for supporting the Si layer 5 on the Si substrate 1 is formed on the Si substrate 1 to cover the Si layer 5 while filling the hole h.例文帳に追加

次に、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成し、Ｓｉ層５をＳｉ基板１上で支持する支持体７を、穴ｈが埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにしてＳｉ基板１上に形成する。 - 特許庁

The conveyor belt 28 is composed of two layers of a dielectric layer 28A and a conductive layer 28B, in which a plurality of through holes H arranged at least in one direction, either in the peripheral direction or in the width direction are formed in the conductive layer 28B, exposing the dielectric layer 28A from the through hole H.例文帳に追加

また、搬送ベルト２８を誘電層２８Ａと導電層２８Ｂとの２層構成とし、導電層２８Ｂに、周方向及び幅方向の少なくとも一方に並ぶ複数の貫通孔Ｈを形成し、誘電層２８Ａを貫通孔Ｈから露出させる。 - 特許庁

The effective hardened layer depth h of the surface hardened layer 17 is regulated to ≤0.75 times as long as a distance H from the inner peripheral surface 18 of the axial center hole 14 to the outer peripheral surface 16.例文帳に追加

この表面硬化層１７の有効硬化層深さｈを、上記軸方向中心孔１４の内周面１８から上記外周面１６迄の距離Ｈの０. ７５倍以下に規制する。 - 特許庁

The organic transistor having an organic semiconductor layer contains tetra benzo [de, h, kl, rst] pentaphene derivative in the organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にテトラベンゾ［ｄｅ，ｈ，ｋｌ，ｒｓｔ］ペンタフェン誘導体を含有してなる有機トランジスタ。 - 特許庁

A bluish violet semiconductor laser element 10 is adhered to the fusion layer H on the conductive layer 31a of the secondary substrate 31.例文帳に追加

副基板３１の導電層３１ａ上には、融着層Ｈを介して青紫色半導体レーザ素子１０が接着されている。 - 特許庁

When the acrylic resin and the urethane-based resin composition are used as the covering resin layer, the covering resin layer has a pencil hardness of ≥4 H.例文帳に追加

アクリル系樹脂及びウレタン系樹脂組成物を被覆樹脂層として用いると鉛筆硬度で４Ｈ以上の強度を有する。 - 特許庁

In an interlayer connecting opening H formed in the interlayer insulating film 16, a barrier layer 20 is interposed between the aluminum wiring layer 14 and the gold wiring layer 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１６に形成された層間接続用開口Ｈ内において、アルミニウム配線層１４と金配線層１９との間には、バリア層２０が介在されている。 - 特許庁

The anisotropic through hole h comprises openings h1 on one surface of the base insulation layer 2 as well as on the other surface.例文帳に追加

異方性貫通孔ｈは、ベース絶縁層２の一面および他面に開口ｈ１を有する。 - 特許庁

A lower end part of the prefabricated pile 1 is positioned and solidified in the foot protection layer 32 to construct the foundation pile 35 (h).例文帳に追加

根固め層３２に既製杭１の下端部が位置させて固化させ、基礎杭３５を構築する（ｈ）。 - 特許庁

The dielectric multi-layer film 2 has a high-refractive-index film H and a low- refractive-index films L laminated by turns.例文帳に追加

誘電体多層膜２は高屈折率膜Ｈ及び低屈折率膜Ｌを交互に積層する。 - 特許庁

A thin GaN layer 2 is grown rate of 4 μm/h or less on a c-face sapphire substrate 1 by MOCVD or MBE, and then a sufficiently thick GaN layer 3 is grown on the GaN layer 2 at a rate higher than 4 μm/h but not higher than 200 μm/h by hydride VPE.例文帳に追加

ｃ面サファイア基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により４μｍ／ｈ以下の成長速度で薄いＧａＮ層２を成長させた後、このＧａＮ層２上にハイドライドＶＰＥ法により４μｍ／ｈよりも大きくかつ２００μｍ／ｈ以下の成長速度で十分に厚いＧａＮ層３を成長させる。 - 特許庁

The buffed depth h of the buffed finish is not greater than 30% of the thickness t of an inner liner rubber layer 9.例文帳に追加

前記バフ仕上げのバフ深さｈを、インナーライナゴム層９の厚さｔの３０％以下とした。 - 特許庁

In a semiconductor layer 101, a photodiode 21 receives incident light beams H to generate signal charges.例文帳に追加

半導体層１０１においてフォトダイオード２１が入射光Ｈを受光して信号電荷を生成する。 - 特許庁

The conductive layer contains a compound expressed by general formula of MO_3S-(CF_2)_n-SO_3M, (wherein M represents H, Na, K or NH_4; and n is a specified positive integer).例文帳に追加

一般式（１−ａ） ＭＯ_３Ｓ−（ＣＦ_２）_ｎ−ＳＯ_３Ｍ〔Ｍ：Ｈ，Ｎａ，Ｋ，ＮＨ_４ ｎ：特定の正の整数〕 - 特許庁

This surface acoustic wave device is provided with a diamond layer or a substrate layer and a diamond layer, a ZnO piezoelectric film layer, an interdigital electrode layer and short-circuit electrode layer and then especially includes (2π.H/λM)=3.0-10.0 when the thickness of the ZnO layer is H and the wavelength of a surface acoustic wave is λM.例文帳に追加

本発明の表面弾性波素子は、ダイヤモンド層あるいは基板層とダイヤモンド層と、ZnO圧電体膜層と櫛形電極層と短絡電極層とを備え、ZnO層の厚みをＨ、表面弾性波の波長をλMとした時、（2π・Ｈ／λM）=３．０〜１０．０が含まれる事を特徴とする。 - 特許庁

Due to difference of specific gravity between pure water and HFE, the HFE intrudes into the hole H and the pure water in the hole H floats above the HFE layer L2.例文帳に追加

この場合、純水とＨＦＥとの比重の差により、ＨＦＥがホールＨ内に浸入し、一方、純水がホールＨ内からＨＦＥ層Ｌ２上へと浮上する。 - 特許庁

The ratio (H/Vi) of the silicone rubber material at the part of the silicone rubber layer which is located at 10 to 100μm from an outermost layer side is set as ≥1.0.例文帳に追加

シリコーンゴム層の最外層側から１０〜１００μｍの部分のシリコーンゴム材料のＨ／Ｖｉを１．０以上としたものを用いる。 - 特許庁

A resist mask R is formed on a storage layer 15 layered on a substrate 11 and a recessed part H is formed in the storage layer 15 using the resist mask R.例文帳に追加

基板１１に積層した記憶層１５にレジストマスクＲを形成し、レジストマスクＲを使用して記憶層１５に凹部Ｈを形成した。 - 特許庁

The film is provided with an oriented base film layer 1 on the side forming the outside of the packaging bag H, and a non-oriented sealant layer 2 is formed on the side forming the inside.例文帳に追加

包装袋Ｈの外側となる側に延伸のベースフィルム層１を、内側となる側に無延伸のシーラント層２を備えている。 - 特許庁

The upper-layer second silicon nitride film is formed by the CVD method by using N_2 as the nitrogen source gas and includes more Si-H bondings than that in the lower layer.例文帳に追加

上層の第２窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮ_２を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｓｉ−Ｈ結合を下層よりも多く含む。 - 特許庁

The laminated molding comprising the skin layer (S), a foam layer (H), and a main body (B) is molded by using a fixed mold (1) and a movable mold (2).例文帳に追加

固定金型（１）と可動金型（２）とを使用して、表皮層（Ｓ）と発泡層（Ｈ）と本体（Ｂ）とからなる貼合成形品を成形する。 - 特許庁

The wavelength selectivity of the wavelength selection filter 22 is controlled by adjusting the thickness of a high refractive index layer H and a low refractive index layer L.例文帳に追加

波長選択フィルタ２２の波長選択性は、高屈折率層Ｈと低屈折率層Ｌとの厚さを調整することによって制御する。 - 特許庁

A lower layer silicon nitride film is formed by a CVD method by using NH_3 as the nitrogen source gas and contains more N-H bondings than that in the upper layer.例文帳に追加

下層の窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮＨ_３を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｎ−Ｈ結合を上層よりも多く含む。 - 特許庁

An opening portion H can be formed shallowly, so it is easy to bury a W layer 11 in the opening portion H and step coverage of an oxidized barrier layer 17 covering the alignment mark 15 can be improved.例文帳に追加

開口部Ｈを浅く形成することができるので、開口部Ｈ内をＷ層１１で埋め込むことが容易となり、合わせマーク１５を覆う酸化バリア層１７の段差被覆性を向上させることができる。 - 特許庁

The solder resist layer 4 is formed not in contact with the electrode pad 3 and satisfies 1.0≤H/L≤1.5, where L is the maximum width of the electrode pad and H is the thickness of the solder resist layer.例文帳に追加

ソルダレジスト層４は、電極パッド３と接しないように形成され、且つ、前記電極パッドの最大幅をＬ、前記ソルダレジスト層の厚みをＨとした場合に、Ｈ／Ｌが１．０≦Ｈ／Ｌ≦１．５を満たすように形成される。 - 特許庁

On the surface of the base material layer 1 consisting of the inorganic board, through the adhesive agent layer 10 consisting of an aqueous adhesive agent, the decorative sheet layer 8 consisting of a decorative paper that has a moisture permeability of ≥300 g/m^2×24 h and <1,000 g/m^2×24 h is pasted.例文帳に追加

無機質板からなる基材層１の表面に水性接着剤からなる接着剤層１０を介して、透湿度３００ｇ／ｍ^2・２４ｈ以上でかつ１０００ｇ／ｍ^2・２４ｈ未満の化粧紙からなる化粧シート層８を貼着する。 - 特許庁

The sticking sheet for display has a transparent hard-coat layer 6 formed on a transparent soft-sheet layer 6 and has an embossed rugged part H, formed from the hard-coat layer side.例文帳に追加

透明の軟質シート層５の表面に透明なハードコート層６が形成され、且つ該ハードコート層側からエンボス加工が施され凹凸部Ｈが形成されている表示用貼付けシート。 - 特許庁

Subsequently, the support 7, the Si layer 5 and the SiGe layer 3 are etched sequentially and selectively to form an opening surface H for exposing the side face of the SiGe layer 3 under the support 7.例文帳に追加

そして、支持体７、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３を順次、選択的にエッチングして、支持体７下にＳｉＧｅ層３の側面を露出する開口面Ｈを形成する。 - 特許庁

For instance, a luminous layer can be formed by combining a host compound H-6 of formula with a compound 1031.例文帳に追加

例えば、下式のホスト化合物Ｈ−６と化合物１０３１を組み合わせて発光層を形成できる。 - 特許庁

Based on the times T1 and T2 and the thickness h of the calibration piece, acoustic velocity Cr of the fluid layer is calculated.例文帳に追加

時間Ｔ１，Ｔ２及び校正片の厚さｈに基づいて、流体層の音速Ｃｒを算出する。 - 特許庁

The carbon dioxide and nitrogen oxides in the injected seawater are stored in the methane hydrate layer H in an isolated state.例文帳に追加

注入した海水中の二酸化炭素及び窒素酸化物は、メタンハイドレート層Ｈ内に隔離貯留する。 - 特許庁

The under-surface layer 13a2 is formed so that a discrimination mark H for viewing the wearing state of the surface layer 13al may appear on the top surface of the layer 13a2 when the surface layer 13al is worn due to the slide contact with another member.例文帳に追加

そして、表面下層１３ａ２は、表面層１３ａ１が他部材との摺接により磨滅したときに、その状態を視認するための識別マークＨが上面に発現するように形成されている。 - 特許庁