「I=V」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To acquire I-V characteristics of a solar battery installed outside a building without using a DC power source.例文帳に追加

直流電源を用いることなく、屋外に設置された太陽電池のＩ−Ｖ特性を取得できるようにする。 - 特許庁

An output current from the PSD 600 is converted into a voltage signal by an I/V conversion circuit 60 and integrated at an integration circuit 70.例文帳に追加

ＰＳＤ６００からの出力電流は、Ｉ／Ｖ変換回路６０にて電圧信号に変換された後、積分回路７０で積分される。 - 特許庁

A VPP image I_V of a road seen from above and a VPP plane image I_Vf of the plane area seen from above are generated by use of the standard image.例文帳に追加

基準画像を用いて道路を上方から見たＶＰＰ画像Ｉ_Vを及び平面領域を上方から見たＶＰＰ平面画像Ｉ_Vfを生成する。 - 特許庁

An output of a light receiving element 14 is I/V converted, sliced with a slice voltage in a slice circuit 21 and amplified in an amplifier circuit 16.例文帳に追加

受光素子１４の出力はＩ／Ｖ変換され、スライス回路２１においてスライス電圧でスライスされて増幅回路１６において増幅される。 - 特許庁

To reduce the number of times of flash light required when measuring an I-V characteristic, without damaging the characteristic of a solar cell.例文帳に追加

太陽電池の特性を損なうことなく、Ｉ−Ｖ特性測定の際のフラッシュ光必要回数を減少させる。 - 特許庁

(3) A method is the one in which the method (1) is combined with an I-V curve transformation formula by the change in solar radiation intensity and temperature.例文帳に追加

（３）上記（１）の方法に、日射強度・温度変化によるＩ−Ｖカーブ変換式を組合せる方法。 - 特許庁

To provide a driver unit that has linear I-V property, at a driver unit (driver unit for driving a data transmission line) in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置内のドライバ部（データ伝送路を駆動するドライバ部）において、線形なＩ−Ｖ特性をもつドライバ部を提供する。 - 特許庁

To increase the on-state breakdown voltage, to improve the I-V characteristics, and to suppress generation of leak current through the protection layer of a compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体装置に関し、オン耐圧を高め、また、Ｉ−Ｖ特性を改善するとともに、保護層を介したリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

An I/V converting part 102 converts the electric current into the voltage, and outputs it to first and second voltage amplifying parts 103, 104.例文帳に追加

Ｉ／Ｖ変換部１０２は、電流を電圧に変換して、第１および第２の電圧増幅部１０３および１０４に出力する。 - 特許庁

Then, the power generating efficiency determination/adjustment part 52 controls I-V characteristics of the fuel cell so as to obtain the determined power generating efficiency.例文帳に追加

そして、発電効率決定・調節部５２は、決定した発電効率が得られるように燃料電池のＩ−Ｖ特性を制御する。 - 特許庁

A control part 107 controls the I/V converting part 102 through a switch circuit 108 when receiving the detection signal.例文帳に追加

制御部１０７は、検知信号が入力するとスイッチ回路１０８を介してＩ／Ｖ変換部１０２を制御する。 - 特許庁

To provide an I/V converting circuit and a DA converter capable of extending the pass band of a signal and reducing current consumption.例文帳に追加

信号の通過帯域を広くとることができ、消費電流も削減することができるＩ／Ｖ変換回路およびＤＡコンバータを提供する。 - 特許庁

The estimation formula of the IV characteristics of the fuel cell is found with the stored each (I, V) data (S160-S180).例文帳に追加

そして、格納している各（Ｉ，Ｖ）データを用いて燃料電池のＩＶ特性の推定式を求める（Ｓ１６０〜Ｓ１８０）。 - 特許庁

The current Ia is converted into a voltage Vb by an I-V conversion circuit 9 to be inputted to the circuit 41.例文帳に追加

電流ＩａはＩ−Ｖ変換回路９によって電圧Ｖｂに変換され、定電流源制御回路４１に入力される。 - 特許庁

An extinction plate having a proper extinction rate is put on cells to be analyzed without changing the intensity of the radiating light, and the I-V characteristics (b) is measured.例文帳に追加

照射光の強度を変えずに被解析対象セルの上を適当な減光率の減光板を被せ、Ｉ−Ｖ特性ｂを測定する。 - 特許庁

To provide a method for verifying anonymous payment by defined parties (I, V) in a communication system to provide a public key base.例文帳に追加

公開鍵基盤を提供する通信システムにおいて、定義されたパーティ（Ｉ、Ｖ）により匿名支払を検証するための方法を提供する。 - 特許庁

The I-V characteristic of a sample D whose electron mobility is by three times larger than that of the sample C, and whose dislocation density is at 1/3 or less is not different from that of the sample C.例文帳に追加

試料Ｃよりも電子移動度が３倍大きく、転位密度が１／３以下の試料ＤのＩ−Ｖ特性は試料Ｃと変わらない。 - 特許庁

To provide a method of measuring I-V characteristics of a solar cell that can improve measurement precision, and to provide the solar cell.例文帳に追加

測定精度を向上可能な太陽電池のＩ−Ｖ特性の測定方法及び太陽電池を提供する。 - 特許庁

To obtain an I-V conversion circuit for an optical transmission/ reception that can cope with a high speed pulse at a large signal input.例文帳に追加

大信号時の高速度のパルスにも対応可能な光送受信回路用のＩ−Ｖ変換回路を得る。 - 特許庁

The solar battery module is irradiated with a uniform light (e.g. 1 sun) to measure the I-V characteristics (a).例文帳に追加

太陽電池モジュール上に均等な光（例えば１ｓｕｎの）を照射してＩ−Ｖ特性ａを測定する。 - 特許庁

To provide a thermomodule having I-V characteristics alterable depending on the use, and to provide a semiconductor module employing it.例文帳に追加

用途に応じてＩ−Ｖ特性を変更することが可能なサーモモジュールおよびこれを用いた半導体レーザモジュールを提供すること。 - 特許庁

Since the I-V characteristics of the fuel cell changes in accordance with supplying oxidation gas volume, the oxidation gas volume (that is, a stoichiometric air ratio) supplied to the fuel cell is adjusted to control the power generating efficiency by changing of the I-V characteristics.例文帳に追加

燃料電池のＩ−Ｖ特性は、供給する酸化ガス量に応じて変動するため、本発明では燃料電池に供給する酸化ガス量（すなわちエアストイキ比）を調整し、Ｉ−Ｖ特性を変えることで発電効率の調節を行う。 - 特許庁

The "Theoretical I-V Curve Creation Method" disclosed as an I-V curve creation method of a solar cell is improved by the following improvements (1) to (3) so that an accurate and general-purpose method is obtained and the evaluation of an amount of output and generated power is made more appropriate by improving the precision of solar radiation measurement data etc.例文帳に追加

太陽電池のＩ−Ｖカーブ作成法として公開している「理論的Ｉ−Ｖカーブ作成法」に次の（１）〜（３）の改良をした正確・汎用的な方法と、日射測定データの精度等の向上をはかるなどにより、出力・発電量評価をより的確なものにした。 - 特許庁

A grayscale property corresponding to cell gap thickness and an I/V property of a transistor is measured beforehand, and compensation values are determined so that the grayscale data can be compensated to proper grayscale data from the cell gap, the I/V property of the transistor, and reference grayscale data.例文帳に追加

セルギャップの厚さやトランジスタのＩ／Ｖ特性に対応する階調特性を予め測定しておき、セルギャップやトランジスタのＩ／Ｖ特性と基準となる階調データから適切な階調データに補正できるように補正値を定める。 - 特許庁

The system is provided with both a switching part for switching among the output pins for determining output differences between pins to be tested and outputting them and an I/V converter for converting output of the switching part into a voltage and determines output differences between the pins on the basis of output of the I/V converter.例文帳に追加

本装置は、被試験対象におけるピン間の出力差を求める出力ピンの切り換え、出力を行う切換部と、この切換部の出力を電圧に変換するＩ／Ｖ変換器とを備え、Ｉ／Ｖ変換器の出力によりピン間の出力差を求めることを特徴とする装置である。 - 特許庁

Accordingly, even when the increasing rate of the I/V value of the TFD by the annealing process at the center area of the initial circuit board 200 is small, the I/V characteristic does not fluctuate since a thick insulating film is formed to the first metal layer 222 formed in such a region.例文帳に追加

従って、元基板２００の中心領域でのアニール処理によるＴＦＤのＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層が形成されるので、Ｉ／Ｖ特性がばらつかない。 - 特許庁

When learning and renewing the I-V curve, a target stationary power generation amount for learning and renewing the I-V curve is set up, and a target air flow amount and a target gas flow amount for generating the target power generation amount are calculated.例文帳に追加

Ｉ−Ｖカーブを学習して更新する場合には、Ｉ−Ｖカーブを学習して更新するための目標定常発電量を設定し、当該目標定常発電量を発電するように目標空気流量及び目標燃料ガス流量を算出する。 - 特許庁

An I/V conversion circuit 37 converting current supplied from the battery pack 13 to voltage is installed on the cellular phone body side, and voltage from the I/V conversion circuit 37 is fed back to the voltage detecting circuit 22 of the battery pack 13.例文帳に追加

また、携帯電話機本体側には、電池パック１３から供給される電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換回路３７を設け、このＩ／Ｖ変換回路３７からの電圧を電池パック１３の電圧検出回路２２に帰還する。 - 特許庁

The battery learning part 42 includes an I-V characteristics curve learning module 44 carrying out learning of an I-V characteristics curve, and a learning inhibition determination module 46 determining whether an acquisition interval of impedance values exceeds a given predetermined threshold interval, and inhibiting learning when it does.例文帳に追加

電池学習部４２は、Ｉ−Ｖ特性線の学習を行うＩ−Ｖ特性線学習モジュール４４と、インピーダンス値の取得間隔が予め定めた所定の閾値間隔を超えているか否かを判断し、超えているときは学習を禁止する学習禁止判断モジュール４６とを有する。 - 特許庁

An optical amplifier circuit has the EPI-SUB structure photodiode PD, an I/V conversion circuit 101 which converts a current outputted from the PD to a voltage, and a correction circuit which is arranged between the PD and the I/V conversion circuit 101 and removes charge/discharge currents caused by a stray capacity of the PD from the current outputted from the PD.例文帳に追加

光増幅回路は、エピ−サブ構造のフォトダイオードＰＤと、前記ＰＤから出力される電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換回路１０１と、前記ＰＤと前記Ｉ／Ｖ変換回路１０１との間で、前記ＰＤから出力される電流から前記ＰＤの寄生容量に起因する充放電電流を除去する補正回路とを備える。 - 特許庁

The main configuration includes an I/V converter 501 creating voltage signal through I/V conversion of current output depending on collected charge, an ADC circuit 503 creating digital signal through A/D conversion of the created voltage signal, an FPGA 504 calculating the beam position using created digital signal, and a radiation dosage termination signal transmitting/receiving section 505 receiving timing signal.例文帳に追加

主な構成は、収集電荷に応じた電流出力をＩ／Ｖ変換して電圧信号を生成するＩ／Ｖ変換器501、生成した電圧信号をＡ／Ｄ変換してデジタル信号を生成するＡＤＣ回路503、生成したデジタル信号を用いてビーム位置を演算するＦＰＧＡ504、そして、タイミング信号を受信する線量満了信号送受信部505である。 - 特許庁

A required output voltage determining part 53 and a required output current determining part 54 respectively determine the required output voltage (Vfc_-REQ) and the required output current (Ifc_-REQ) of the fuel cell to become necessary in order to obtain the targeted total electric power (Psys) based on the I-V characteristics estimated by the I-V characteristics estimating part 52.例文帳に追加

要求出力電圧決定部５３と要求出力電流決定部５４は、Ｉ−Ｖ特性推定部５２により推定された燃料電池のＩ−Ｖ特性に基づいて、目標総電力（Ｐsys）を得るのに必要となる燃料電池の要求出力電圧（Ｖfc_REQ）と要求出力電流（Ｉfc_REQ）をそれぞれ決定する。 - 特許庁

In the SZ slots 23 for the optical cable having SZ spiral grooves I-V which are carved on an outer circumference and whose directions alternately turn around at a predetermined turning angle, circumferential angular positions in a slot cross section of a plurality of the turning centers of each spiral groove do not always exist at the same angular position in the longitudinal direction of the slot.例文帳に追加

所定反転角で交互に螺旋の向きが反転するＳＺ螺旋状溝 I〜V が複数条外周面に刻設された光ケーブル用ＳＺスロット２３において、各螺旋状溝の複数の反転中心部のスロット断面における円周角度位置が、スロットの長手方向において常に同一の角度位置に存在しないようにすること。 - 特許庁

This device is provided with a multiple-divided photoelectric conversion element 6 to detect a reflected light from an optical disk 1 during information recording, an I-V converter circuit 8 for applying voltage conversion to a signal from the photoelectric conversion element 6 to output it, and a band switching means for switching the transmission band of the output signal from the photoelectric conversion element 6 in the I-V conversion circuit 8.例文帳に追加

光ディスク装置は、情報記録時に光ディスク１からの反射光を検出するための複数に分割された光電変換素子６と、光電変換素子６からの信号を電圧変換して出力するＩ−Ｖ変換回路８と、Ｉ−Ｖ変換回路８において光電変換素子６からの出力信号の伝送帯域を切り替える帯域切り替え手段とを有する。 - 特許庁

Current signals outputted from individual photo detectors A-D are converted to voltage signals by I/V converters 14, 14,..., and after added by an adding device 16, they are formed to the RF signals having the signal level nearly the same as the voltage signal outputted from the signal I/V converter 14, by attenuating with an attenuator 17.例文帳に追加

個々の受光素子Ａ〜Ｄから出力される電流信号はＩ／Ｖ変換器１４，１４，…で電圧信号に変換され、加算器１６で加算された後、減衰器１７で減衰することにより、単一のＩ／Ｖ変換器１４から出力される電圧信号とほぼ同一の信号レベルであるＲＦ信号とされる。 - 特許庁

To precisely measure an inductance of a power module, an IC package or the like, compared with an inductance measurement (typically a four-terminal pair method) using an I-V method known conventionally.例文帳に追加

従来から知られるＩ−Ｖ法を用いたインダクタンスの測定（典型的には４端子対法）に比して、パワーモジュールやＩＣパッケージ等のインダクタンスを精度よく測定すること。 - 特許庁

According to this control, an excess current from the photoelectric conversion element PD is quickly discharged when the input signal level is high so as to quicken the trailing of the I-V conversion output waveform thereby suppressing distortion (thickened waveform) in the output waveform.例文帳に追加

この制御により、大信号時は、光電変換素子ＰＤからの余剰電流を速く放電させ、Ｉ−Ｖ変換出力波形の立ち下がりを速くして、出力波形の歪み（太り）を押さえることが可能となる。 - 特許庁

Respective I/V conversion circuits 30_1-n are provided for each sensor capacity Cs to convert a differential current between a corresponding detection current Is_i and an averaged detection current I_AVE into detection voltages Vs_1-n.例文帳に追加

Ｉ／Ｖ変換回路３０_１〜ｎは、それぞれがセンサ容量Ｃｓごとに設けられ、対応する検出電流Ｉｓ_ｉと平均化された検出電流Ｉ_ＡＶＥとの差分電流を検出電圧Ｖｓ_１〜ｎに変換する。 - 特許庁

The display controller 1 includes a V-I conversion circuit 8 for image data and a mode register 10, and the source driver 2 includes an I-V conversion circuit 21 for image data.例文帳に追加

表示コントローラ１には画像データ用Ｖ−Ｉ変換回路８及びモードレジスタ１０を設け、ソースドライバ２には画像データ用Ｉ−Ｖ変換回路２１を設ける。 - 特許庁

In a step S3, an image coordinate (u_i, v_j) is obtained by applying a distortion correction function by polynomial approximation about the pixel position (u_di, v_dj) determined to be included in the circle Cd.例文帳に追加

ステップＳ３では、円Ｃｄに内包されると判断された画素位置（ｕ_ｄi，ｖ_ｄj）について多項式近似による歪曲補正関数を適用して画像座標（ｕ_ｉ，ｖ_ｊ）を得る。 - 特許庁

Ni Schottky contacts are formed on four kinds of n-GaN wafers whose electron mobilities are different, and their I-V characteristic is measured at room temperature.例文帳に追加

電子移動度の異なる４種類のｎ−ＧａＮウエハにＮｉショットキー接触を形成し、室温でＩ−Ｖ測定行った結果によれば、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以下の試料Ａ，ＢのＩ−Ｖ特性は漏れ電流が大きい。 - 特許庁

A comparator 260 (reference signal generating section) generates a reference signal 26 for a synchronous detection based on the output signal of the I/V conversion circuit 200.例文帳に追加

コンパレーター２６０（参照信号生成部）は、Ｉ／Ｖ変換回路１００の出力信号に基づいて、同期検波用の参照信号２６を生成する。 - 特許庁

In a step S4, an image coordinate (u_i, v_j) is obtained by applying a distortion correction function by logarithmic approximation about the pixel position (u_di, v_dj) determined not to be included in the circle Cd.例文帳に追加

ステップＳ４では、円Ｃｄに内包されないと判断された画素位置（ｕ_ｄi，ｖ_ｄj）について対数式近似による歪曲補正関数を適用して画像座標（ｕ_ｉ，ｖ_ｊ）を得る。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のＩ−Ｖ特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The light-receiving circuit has: a photo diode 6 to convert an optical input signal to a current signal; and an I-V conversion circuit 8 to convert the current signal to a voltage signal.例文帳に追加

本発明にかかる受光回路は、光入力信号を電流信号に変換するフォトダイオード６と電流信号を電圧信号に変換するＩ−Ｖ変換回路８を有する。 - 特許庁