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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > INTERPOSERの意味・解説 > INTERPOSERに関連した英語例文

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INTERPOSERを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 890



例文

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SILICONE INTERPOSER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MODULE例文帳に追加

半導体装置の製造方法、シリコンインターポーザの製造方法および半導体モジュールの製造方法 - 特許庁

The interposer chip also includes one or more flexures 302 connecting the base portion to the chip mounting portion.例文帳に追加

インターポーザ・チップは、また、ベース部をチップ実装部に接続する1つまたは複数の屈曲部302を含む。 - 特許庁

To electrically insulate a pattern excluding a connecting part of an antenna, from an interposer without forming an insulating layer on the interposer, and to prevent the antenna from being damaged when the external force is added.例文帳に追加

インターポーザ上に絶縁層を形成することなくアンテナの接続部分以外のパターンとインターポーザとを電気的に絶縁することができるとともに、外力が加わった場合にアンテナを傷つけることを防ぐ。 - 特許庁

To provide a method and device for mounting an interposer for continuously accelerating processing in the case of mount-processing the interposer onto a wiring circuit represented by the antenna, etc., of non-contacting IDs.例文帳に追加

インターポーザーを非接触ID類のアンテナ等に代表される配線回路上に搭載処理するにあたり、処理を連続的に高速にするインターポーザー搭載方法およびインターポーザー搭載装置を提供する。 - 特許庁

例文

The ultrasound transducer (106) also includes an integrated circuit (156) coupled to the interposer layer (154) and electrically connected to the array (146) of acoustic elements through the dematching layer (152) and the interposer layer (154).例文帳に追加

超音波トランスデューサ(106)はまた、介在層(154)に結合されておりデマッチング層(152)及び介在層(154)を通して音響素子のアレイ(146)に電気的に接続されている集積回路(156)を含んでいる。 - 特許庁


例文

Particularly, the stress is absorbed in the interposer 70 by using a material (having a Young's modulus of 0.010-1.0 GP) which is softer than the IC chip 110 and package substrate 10 as the insulating substrate 80 constituting the interposer 70.例文帳に追加

特に、インターポーザ70を構成する絶縁性基板80として、ICチップ110、パッケージ基板10よりも柔らかい材質(ヤング率0.010〜1.0GP)を用いることで、インターポーザ70内で応力を吸収する。 - 特許庁

Further, a decoupling capacitor is electrically connected so as to straddle both the conductor flat plate connected to the ground line of the interposer substrate and the conductor flat plate connected to the power supply line of the interposer substrate.例文帳に追加

さらに、インターポーザー基板のグランドラインと接続された導体平板、およびインターポーザー基板の電源ラインと接続された導体平板の両方にまたがるようにデカップリングコンデンサを電気的に接続させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a silicon interposer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and a plurality of semiconductor chips loaded on the first surface side of the silicon interposer.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、第1の面と当該第1の面と反対の第2の面とを有するシリコンインターポーザと;前記シリコンインターポーザの第1の面側に搭載された複数の半導体チップとを備える。 - 特許庁

Each terminal of a semiconductor chip 2 is connected to a bonding pad formed at an interposer of a CSP, using a bonding wire, and the bonding pad is connected to a corresponding connection terminal of the CSP by rewiring of the interposer.例文帳に追加

半導体チップ2の各端子は、CSPのインタポーザに形成されたボンディングパッドにボンディングワイヤを用いて接続され、該ボンディングパッドは、インタポーザの再配線によってCSPの対応する接続端子に接続されている。 - 特許庁

例文

Grooves 16 or protrusions provide a bonding surface between the interposer substrate 7 and a mold sealing resin 5, provided so as to cover semiconductor chips 1, 12, with a recessed and projected configuration, and are formed on the interposer substrate 7 for mounting the semiconductor chips 1, 12.例文帳に追加

半導体チップ1,12を実装するインターポーザ基板7に、前記半導体チップ1,12を覆って設けるモールド封止樹脂5との接合面を凹凸状にする溝部16または凸条を形成する。 - 特許庁

例文

The interposer 106 for mounting a semiconductor chip thereon is fixed to an IC socket 102 mounted on a board 101.例文帳に追加

基板101に実装されたICソケット102に、半導体チップが実装されるインターポーザ106を固定する。 - 特許庁

As a result, a fluid is guided to the internal flow channel 23 through the internal flow channel 45 of the interposer 13.例文帳に追加

その結果、インターポーザ13の内部流路45を経由してチップ側内部流路23に流体が導かれる。 - 特許庁

In the IC chip mounting package 1, a film base material 2 and an IC chip 3 are connected via an interposer 4.例文帳に追加

ICチップ実装パッケージ1は、インターポーザ4を介してフィルム基材2とICチップ3とが接続されている。 - 特許庁

The method further comprises a step of forming a plurality of through holes 8 at the part opposed to the central part of the chip of the interposer 2.例文帳に追加

インターポーザ2の半導体チップの中央部分に対向する部分に、複数の貫通穴8を形成する。 - 特許庁

A bottom side of the interposer substrate is electrically connected to an upper side of the base substrate by vertical connectors 150.例文帳に追加

インターポーザ基板の底部側は、垂直コネクタ150によってベース基板の上部側に電気的に結合される。 - 特許庁

The internal flow channel 23 on the chip side and the internal flow channel 45 on the side of the interposer 13 are connected in a fluid communicating manner.例文帳に追加

チップ側の内部流路23とインターポーザ13側の内部流路45とが流路的に接続される。 - 特許庁

Plural ribs 15 are arranged at the outer peripheral parts of an interposer 11 and interval parts between the columns of solder bumps 14.例文帳に追加

複数本のリブ15を、インターポーザ11の外周部とはんだバンプ14の列間の隙間部分とに配設する。 - 特許庁

The acoustic sensor 51 and the interposer 52 and the like are covered with a cover 42 placed over the upper surface of the circuit board 43.例文帳に追加

音響センサ51やインターポーザ52などは、回路基板43の上面に被せたカバー42によって覆われる。 - 特許庁

To provide an interposer that can prevent the disconnection of a wiring pattern on an IC chip mounted on a package substrate.例文帳に追加

パッケージ基板に搭載したICチップで配線パターンの断線を防ぐことができるインターポーザを提供する。 - 特許庁

To inspect the electrical characteristics of each interposer with a sheet on which a plurality of interposers are provided.例文帳に追加

複数のインターポーザーを含むインターポーザー付シートの状態で各インターポーザーに対する電気的特性検査を行う。 - 特許庁

One interposer substrate 20 is disposed on a lower part of a capacitor element 2 as a body part of a laminated capacitor 1.例文帳に追加

積層コンデンサ1の本体部分となるコンデンサ素子2の下部に、一枚のインターポーザー基板20が配置される。 - 特許庁

The dummy lead connected to the interposer along with the lead improves bonding strength between the resin filling material and the chip.例文帳に追加

リードと共にインターポーザに取り付けたダミーリードが樹脂封止体とチップとの接合強度を向上させる。 - 特許庁

A memory controller IC 7 is formed at the center of the silicon interposer 2 and is connected to the re-wiring circuit 5.例文帳に追加

シリコンインターポーザー2の中央にメモリコントローラIC7を形成して前記再配線回路5に接続する。 - 特許庁

To provide an interposer having one or more hollow electrical contact buttons arranged in a carrier.例文帳に追加

担体の中に配置された1つまたは複数の中空の電気接点ボタンを有するインタポーザを提供すること。 - 特許庁

The interposer 10 is bound with the antenna-formed sheet 20 with a stapler 30 using metallic staple needles 35.例文帳に追加

インターポーザー10とアンテナ形成済シート20とを、ホチキス器具30により金属ホチキス針35で結合させる。 - 特許庁

An extended electrode 12 of the interposer 10 is electrically connected to the antenna 22 of the antenna formed sheet 20.例文帳に追加

インターポーザー10の拡大電極12とアンテナ形成済シート20のアンテナ22とを電気的に接続させる。 - 特許庁

The interposer is used for obtaining conduction with an electronic device by pressing it on the electrode of the electronic device.例文帳に追加

本発明のインターポーザは、電子機器の電極に押し当てて、電子機器との導通を得るために使用する。 - 特許庁

An antenna substrate 6 is formed by sticking a pair of conductive members 8 on one side of the substrate 7 by a sticking means 11 and arranging the antenna A consisting of the conductive members 8 on the substrate 7, and an interposer 1 is stuck to the antenna substrate 6 by an adhesive means 5 provided in the interposer 1, thereby connecting a terminal 3 for antenna connection of the interposer 1 to the antenna A.例文帳に追加

基材7の片面に一対の導電材8を貼着手段11により貼り合わせて、導電材8からなるアンテナAを基材7上に配したアンテナ基材6を形成し、インターポーザ1を、このインターポーザ1に設けた粘着手段5でアンテナ基材6に貼り合わせて、インターポーザ1のアンテナ接続用端子3とアンテナAとを接続させた。 - 特許庁

The interposer allows an allowable current value in a path for carrying a large current therethrough to be increased and allowing large-consumption-power integrated circuit elements to be mounted thereon by: mounting the integrated circuit elements on both sides of the interposer comprising a semiconductor substrate; and making wiring materials, wiring pattern densities and the like of the interposer by using techniques different from each other on both sides thereof.例文帳に追加

半導体基板から成るインターポーザの表裏面に集積回路素子を搭載し、インターポーザの配線材料、配線パターン密度などを表裏面では異なった技術で作成することにより、大電流が流れる経路での許容電流値を大きくすることができ、大消費電力の集積回路素子をインターポーザへ実装できるようにした。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an interposer 18, the semiconductor element 10 formed on the interposer 18 with a central padding 23 formed on an element formation surface, and a bonding wire 20 that electrically connects the central padding 23 and the interposer 8, while the edge of the element forming surface of the semiconductor element 10 through which the bonding wire 20 passes is formed into a taper shape.例文帳に追加

半導体装置100は、インターポーザー18と、インターポーザー18上に形成され、センターパッド23が素子形成面に形成された半導体素子10と、センターパッドとインターポーザー18とを電気的に接続するボンディングワイヤ20とを含み、ボンディングワイヤ20が通過する半導体素子10の素子形成面の縁部がテーパ状に形成されている。 - 特許庁

Accordingly, when a high-frequency electric signal is applied to the back of the interposer board A, electric charges are accumulated on the surface in a short time, so that high-frequency inspection data on the interposer board A can be detected by measuring the charge.例文帳に追加

よって、インターポーザー基板Aの裏面に高周波の電気信号を印加すると、表面には短時間で電荷が蓄えられるため、電荷を測定することによりインターポーザー基板Aの高精度の検査データを検出することができる。 - 特許庁

A contact 46 is provided between the first interposer 12 and a second interposer 32, so that a first end 47 connects to a first wiring pattern 14 and a second end 48 connects to a second wiring pattern 34.例文帳に追加

コンタクト部46は、第1の配線パターン14に第1の端部47が接続するとともに第2の配線パターン34に第2の端部48が接続するように、第1及び第2のインターポーザ12,32の間に設けられている。 - 特許庁

To provide an interposer for a UTP cable for preventing a twist of a cable in manufacture of the same to facilitate the fixing of paired twisted wire cores to a partition wall part, and for enhancing flexibility, and to provide a UTP cable in which the interposer is inserted.例文帳に追加

ケーブル製造時における捻れを防止して対撚り線心を隔壁部の間に固定し易くさせるとともに、柔軟性を向上させたUTPケーブル用介在及び該介在を挿入したUTPケーブルを提供する。 - 特許庁

The lamination ceramic capacitor 20 is mounted on the interposer 30 so that main surfaces of the internal electrodes 200 are arranged parallel to a main surface of the interposer 30, i.e., the first main surface and the second main surface of the insulation substrate 31.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサ20は、インターポーザー30の主面すなわち絶縁性基板31の第1主面および第2主面に対して内部電極200の主面が平行になるように、インターポーザー30へ実装される。 - 特許庁

A plurality of inductors L1 and L2 are arranged in the chip peripheral region of an interposer in plan view as external elements of a semiconductor chip 30 on the interposer mounted on a mother board, and are formed utilizing a substrate wiring layer thereof.例文帳に追加

複数のインダクタL1とL2が、マザーボードに搭載されたインターポーザ上の半導体チップ30の外付け素子として、平面視でインターポーザのチップ周辺領域に配置され、その基板配線層を利用して形成されている。 - 特許庁

To provide an interposer and a semiconductor device using the interposer capable of suppressing damage caused by the heat distortion of an interlayer insulating film, a wiring layer or the like inside a semiconductor element, and capable of improving the reliability of the semiconductor device.例文帳に追加

熱歪による半導体素子の内部の層間絶縁膜や配線層等の損傷を抑制し、半導体装置の信頼性の向上に寄与することができる「インターポーザ及びこれを用いた半導体装置」を提供すること。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor package 1 comprises: a semiconductor chip 4 mounted on an interposer substrate 2; and a conductive shield layer 7 covering a sealing resin layer 5 and at least part of side surfaces of the interposer substrate 2.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体パッケージ1はインターポーザ基板2上に搭載された半導体チップ4と、封止樹脂層5およびインターポーザ基板2の側面の少なくとも一部を覆う導電性シールド層7とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises the interposer 2 using a glass substrate having the same coefficient of thermal expansion as that of a semiconductor chip 3 and being excellent in strength, pressure resistance and water resistance, and the semiconductor chip 3 fixed on this interposer 2.例文帳に追加

半導体チップ3と線膨張係数が同等であって強度、耐加圧性、耐水性の良好なガラス基材を用いたインターポーザー2と、このインターポーザー2上に固定された半導体チップ3とからなる半導体装置1。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor apparatus which can prevent the generation of a non-filling area of an underfill material in a clearance between a semiconductor chip and an interposer substrate, and wherein the semiconductor chip is less liable to be peeled off from the interposer substrate.例文帳に追加

半導体チップとインターポーザ基板との隙間にアンダーフィル材の未充填領域が発生することを防止し、半導体チップがインターポーザ基板から剥離することがない、信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The plurality of semiconductor memory chips are stacked on a first main face of a wiring substrate, also an interposer chip is stacked on the plurality of semiconductor memory chips, and further a semiconductor controller chip is stacked on the interposer chip.例文帳に追加

配線基板の第1の主面上に、複数の半導体メモリチップを積層するとともに、前記複数の半導体メモリチップ上にインターポーザチップを積層し、さらに前記インターポーザチップ上に半導体コントローラチップを積層する。 - 特許庁

The created image data and image data of the non-defective interposer board A stored in a storage means provided on the computer 3 are compared to judge the quality of the interposer board A with high accuracy.例文帳に追加

作成された画像データと、コンピュータ3に備えられた記憶手段に記憶される良品のインターポーザー基板Aの画像データとを比較することにより、インターポーザー基板Aの良否を高精度に判断することが可能である。 - 特許庁

In the semiconductor device having the solder balls 7 mounted on an interposer 6, the solder balls of a smaller size than specified in the standard are highly densely mounted on a solder ball electrode on a circuit wire drawn on a solder ball mounting surface of the interposer.例文帳に追加

インターポーザ6に半田ボール7を搭載する半導体装置おいて、規格で定めたサイズより小さい半田ボールを、インターポーザの半田ボール搭載面上に引かれた回路配線上の半田ボール用電極に高密度に搭載する。 - 特許庁

To provide a novel interposer to meet requirements of electronic elements with different structures or characteristics, and a method for forming the same.例文帳に追加

異なる構造や特性を持つ電子要素の要求に合致する新規なインターポーザとその形成方法を提供する。 - 特許庁

An interposer 20a, which comprises a first nonconductive sheet 11, an extended electrode 12 and an IC chip 20, is prepared.例文帳に追加

第1非導電体シート11と、拡大電極12と、ICチップ20とからなるインターポーザー20aを準備する。 - 特許庁

To avoid defects in solder joining caused by the miniaturization and thinning of an interposer and improve a service life in solder joining.例文帳に追加

インターポーザの小型・薄型化に起因するはんだ接合不良を回避し、かつはんだ接合寿命を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor package for high-speed operation, which can improve an increase in cost accompanying multilayering of an interposer substrate.例文帳に追加

インターポーザー基板の多層化に伴うコスト増大を改善できる高速動作用半導体パッケージ構造を提供する。 - 特許庁

Thus, irrespective of existence of an interposer, the multi-chip package can be manufactured using a lower chip having a center pad structure.例文帳に追加

それにより、インターポーザの有無にかかわらず、センターパッド構成を有する下部チップを使用してマルチチップパッケージを製造できる。 - 特許庁

An interposer board 12 is assembled to a motherboard 13 by the use of a columnar core 14 in place of usual BGA balls.例文帳に追加

従来のBGAボール4に代えて柱状コア14を用いてマザー基板13にインターポーザ基板12を組み付ける。 - 特許庁

Further, shielded wiring 25 passing between the inductors L1 and L2 is formed utilizing the upper-surface wiring layer of the interposer.例文帳に追加

また、インターポーザの上面配線層を利用して、インダクタL1とL2の間を通る遮蔽配線25が形成されている。 - 特許庁

例文

The interposer layer (154) is formed to have an acoustic impedance lower than the acoustic impedance of the dematching layer (152).例文帳に追加

介在層(154)は、デマッチング層(152)の音響インピーダンスよりも低い音響インピーダンスを有するように形成される。 - 特許庁




  
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