「INTERPOSER」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To simply and easily measure the amplitude of a semiconductor chip or a bonding tool in a production field as to a flip-chip bonder which sucks the semiconductor chip to the bonding tool and bonds its bump to an electrode on an interposer substrate by ultrasonic welding.例文帳に追加

ボンディングツールに半導体チップを吸着し、そのバンプをインターポーザ基板上の電極と超音波溶着によって接合させるフリップチップボンダにおいて、半導体チップあるいはボンディングツールの振幅を簡易的にしかも生産現場で容易に測定できるようにする。 - 特許庁

Chips 61 and 62 are not provided with a power supply line in the chip but the interposer side power supply lines 53 and 54 are formed up to the position of a bump 16 for supplying power to the modules 31-34, respectively.例文帳に追加

チップ６１およびチップ６２には、チップ内の電源配線が形成されていないが、インターポーザ側電源配線５３およびインターポーザ側電源配線５４が、それぞれ、モジュール３１乃至モジュール３４のぞれぞれに電源を供給するバンプ１６の位置まで形成されている。 - 特許庁

To enable many bypass capacitors mounted on a mother board to be built as sheet-shaped capacitors in the interposer board of a semiconductor package so as to make semiconductors operate stably, and to provide a device in which a reduction of components can be achieved.例文帳に追加

マザーボード上に実装された多数のパスコンを半導体パッケージのインターポーザー基板にシート状のコンデンサを内蔵されることによって、半導体の安定動作を促進させるとともに部品点数の削減が実現できるデバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁

The printed wiring board 1 is used as an interposer of a ball grid array package, including a three or more multi-layer sheet structure comprising a rigid insulating layer 8 and a porous PTFE sheet 9, wherein the porous PTFE sheet 9 is arranged on an internal layer.例文帳に追加

プリント配線基板１は、ボールグリッドアレイパッケージのインターポーザーとして用いられるものであり、リジッド絶縁層８および多孔質ＰＴＦＥシート９からなる３層以上の多層シート構造を有し、多孔質ＰＴＦＥシート９は内層に配置されている。 - 特許庁

The stress caused by the difference between the coefficients of thermal expansion of a multilayer printed wiring board 10 having a large coefficient of thermal expansion and the IC chip 110 having a small coefficient of thermal expansion can be absorbed by interposing the interposer 70 between the package substrate 10 and IC chip 110.例文帳に追加

インターポーザ７０をパッケージ基板１０とＩＣチップ１１０との間に介在させることで、熱膨張の大きな多層プリント配線板１０と熱膨張の小さなＩＣチップ１１０との間の熱膨張率差による応力を吸収させることができる。 - 特許庁

To improve connection reliability of bumps provided between electrodes of an interposer board and pads of a semiconductor chip and to enable high density mounting by attaining the high density wiring, the reduction of pitches between the electrodes of the semiconductor chip, and the reduction of the area of the semiconductor chip.例文帳に追加

インターポーザ基板の電極と半導体チップのパッドとの間に介装するバンプの接続信頼性を向上させるとともに、高密度配線を可能とし、半導体チップの電極間の狭ピッチ化と小面積化を図り、高密度実装を可能にする。 - 特許庁

This printed circuit board image inspection system 1 is formed by a printed circuit board inspection device 2 for detecting potential distribution by applying an electric signal to an interposer board A, and a computer 3 for creating image data according to the detected potential distribution information.例文帳に追加

プリント回路基板画像検査システム１は、インターポーザー基板Ａに電気信号を印加して電位分布を検出するプリント回路基板検査装置２、及び検出される電位分布情報に基づいて画像データを作成するコンピュータ３から構成されている。 - 特許庁

An interposer 55 is provided with an elastic tabular insulator 56, a plurality of conductors 57 which penetrate and are embedded in the thickness direction of the insulator, and a sheet-formed component 70 provided on a surface at the side of mounting a semiconductor element 51 of the tabular insulator 56.例文帳に追加

インターポーザ５５は、弾性を有する板状絶縁体５６と、その厚さ方向に貫通して埋め込まれた複数の導体５７と、板状絶縁体５６の、半導体素子５１を搭載する側の面に設けられたシート状部材７０とを有している。 - 特許庁

The interposer 15 is constituted by having a support base 17, a continuity part 18 formed from a joining surface (first surface) with the electrode pad 11 to a second surface, and a solder fillet forming part 22 connected electrically to the second surface side of the continuity part 18 and so formed as to be exposed on the lateral side.例文帳に追加

インターポーザ１５は、支持基板１７と、電極パッド１１との接合面（第１面）から第２面にかけて形成される導通部１８と、前記導通部１８の第２面側と電気的に接続され、側面に露出して形成された半田フィレット形成部２２と、を有して構成される。 - 特許庁

The interposer comprises an insulation film 11, a silicon dendrite 12 piercing the front and back sides of the insulation film 11 and a conductive film 13 provided between the side of the silicon dendrite and the insulation film 11 so as to cover the circumference of the dendrite 12.例文帳に追加

絶縁膜１１と、この絶縁膜の表裏両面を貫通するように設けられたＳｉ針状結晶１２と、このＳｉ針状結晶の側面と絶縁膜１１との間に、Ｓｉ針状結晶１２の周囲を覆うように設けられた導電膜１３とを具備することを特徴としている。 - 特許庁

In a molding process (step S3) after the wire-bonding process, the interposer 1 whereon the IC chip 3 is mounted via the die-bonding material 2, with the pad 8 wire-bonded to the pad 8 of the IC chip 3 by the wires 4, is transferred into a molding metal die.例文帳に追加

ワイヤーボンディング工程が終了すると、続いてステップＳ３のモールド工程にて、ダイボンド材２を介してＩＣチップ３が実装され、インターポーザ１のパッド８とＩＣチップ３のパッド８との間にワイヤー４によってワイヤーボンディングされたインターポーザ１をモールド成形金型内へ配置する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device is constituted by mounting a semiconductor chip, through solder resist, on the surface of an interposer substrate partially coated with the solder resist at the wiring section wherein concentration of stress on the solder resist is reduced by altering the arrangement of the solder resist and the wiring section.例文帳に追加

配線部の表面の一部がソルダーレジストにて被覆されたインターポーザ基板の表面にソルダーレジストを介して半導体チップを搭載してなる半導体装置において、ソルダーレジストや配線部の構成を変更することなく、ソルダーレジストへ加わる応力の集中を低減する。 - 特許庁

The plurality of vias 220 include a first via 220V and a second via 220G; when the semiconductor chip is mounted on the interposer 220, a first current path including the first via 220V constitutes a power supply path and a second current path including the second via 220G constitutes a ground path.例文帳に追加

複数のビア２２０は第１のビア２２０Ｖと第２のビア２２０Ｇとを含み、当該インターポーザ２２０に半導体チップが搭載されたとき、第１のビア２２０Ｖを含む第１の電流経路が電源経路を構成し、第２のビア２２０Ｇを含む第２の電流経路がグランド経路を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, manufacturing method thereof and electronic equipment, wherein semiconductor chips can be electrically connected to an external device or the like without using another auxiliary means such as an interposer and the stacked chips can electrically be connected regardless of their sizes.例文帳に追加

インターポーザ等の他の補助的手段を用いることなく半導体チップを外部装置等に電気的に接続することが可能であり、積層した半導体チップをその大きさに関係なく電気的に接続できる半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供すること。 - 特許庁

To quickly and continuously and surely mount an interposer on an antenna formed sheet, and to use a mounting device to be used for the mounting operation continuously in a long term.例文帳に追加

インターポーザーのアンテナ形成済シートへの実装作業を短時間で連続的かつ確実に行うことができ、しかもこの実装作業で用いられる実装装置を長期間連続で使用することができるインターポーザーの実装方法およびこの実装方法により得られるインターポーザー実装済シートを提供すること。 - 特許庁

The interposer 15 includes a support substrate 17, a conduction portion 18 formed from a bonding surface (first surface) to the electrode pad 11 to a second surface, and a solder fillet formation portion 22 electrically connected to the second surface side of the conduction portion 18 and formed while exposed on a side surface.例文帳に追加

インターポーザ１５は、支持基板１７と、電極パッド１１との接合面（第１面）から第２面にかけて形成される導通部１８と、前記導通部１８の第２面側と電気的に接続され、側面に露出して形成された半田フィレット形成部２２と、を有して構成される。 - 特許庁

The interposer 1 is formed of a surface side groove wiring 2 and a backside groove wiring 3, formed in grooves 5, 6 engraved, respectively, on both surfaces of a semiconductor wafer W through insulating films 8, and a penetrating electrode 4 which conducts the surface side groove wiring 2 with the backside groove wiring 3.例文帳に追加

インターポーザ１を、半導体ウェハWの両表面にそれぞれ刻設された溝５、６の内部に絶縁膜８を介して表面側溝配線２および裏面側溝配線３とを形成し、表面側溝配線２と裏面側溝配線３とを貫通電極４で導通させる。 - 特許庁

This epoxy resin composition for the interposer comprises (A) an epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule, (B) on ortho-cresol novolak resin as a curing agent, (C) a flame retardant, and (D) a spherical fused silica as essential components, is preferably compounded with (E) a coupling agent.例文帳に追加

（Ａ）１分子中に３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤としてオルソクレゾールノボラック、（Ｃ）難燃剤、及び（Ｄ）球状溶融シリカを必須成分とすることを特徴とするインターポーザ用エポキシ樹脂組成物であり、好ましくはさらに（Ｅ）カップリング剤を配合する。 - 特許庁

The semiconductor package 10A having a semiconductor device 12 connected to outer peripheral electrode 15a of an interposer 11A faces a wiring substrate 21A across a gap G, and is joined to the outer peripheral land 24a of the wiring substrate 21A by soldering to constitute an electronic substrate 20A.例文帳に追加

インターポーザ１１Ａの外周電極１５ａに接続された半導体素子１２を有する半導体パッケージ１０Ａは、間隙Ｇを介して配線基板２１Ａと対向し、配線基板２１Ａの外周ランド２４ａに半田接合されて電子基板２０Ａが構成されている。 - 特許庁

The interposer is constituted of an insulation film and a conductive pattern and is provided with a flat electrical conduction path, formed on one side of the insulating film and a projected electrical conduction path, going beyond the other side of the insulating film or coming into contact with the other side.例文帳に追加

絶縁フィルムと導電パターンとから形成されるインターポーザにおいて、この絶縁フィルムの一方の面上に形成された平坦な電気導通路と、この絶縁フィルムの他方の面を超えて、または他方の面の表面に接して形成された突起状の電気導通路と、を備えたインターポーザである。 - 特許庁

To provide a relaying substrate that is particularly suitable for interposer for CSP(Chip Size Package) which can use junction by ultrasonic wave junction (USB) and solder paste without use of BGA and enable external inspection of the junction area after mounting to external substrate without excessive enlargement for semiconductor element.例文帳に追加

ＢＧＡを利用することなく、超音波接合（ＵＳＢ）やハンダペーストによる接合を利用でき、しかも半導体素子に対して過度に大きくならず、外部基板へ実装した後で接合部の外観検査が可能な、ＣＳＰ用インターポーザに特に適した中継基板を提供する。 - 特許庁

In the laminated type semiconductor package where a plurality of semiconductor chips 5 and an interposer 6 are laminated and electrical connection is performed by wire bonding, a polyimide film is used as a spacer, where polyimide film has a glass transition temperature not less than 300°C, a 5-20 GPa tensile elastic modulus, and a -3 to +8 ppm/°C coefficient of linear expansion.例文帳に追加

複数の半導体チップ５とスペーサ６を積層し、ワイヤボンディングにより電気的接続を行う積層型半導体パッケージにおいて、スペーサとして、ガラス転移温度が３００℃以上、引張弾性率が５〜２０ＧＰａ、線膨張係数が−３〜＋８ｐｐｍ／℃であるポリイミドフィルムを用いる。 - 特許庁

The antenna circuit board 2 and the interposer board 7 are laminated so that the antenna electrodes 3a and 3b of the board 2 are closely fitted to the extended electrodes 11a and 11b of the board 7, and both the substrates are mutually fixed after pressing local portions of one-side electrodes into the other electrodes.例文帳に追加

アンテナ回路基板２のアンテナ電極３ａ，３ｂとインターポーザー基板７の拡大電極１１ａ，１１ｂとを密着させるように両基板を積層し、次いで、一方の電極の局所を他方の電極に圧入した後において両基板同士を固着する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stably performing electrical connection between connecting parts possessed by an interposer and a semiconductor chip which are laminated, and high in productivity, a semiconductor device, a manufacturing method of an electronic part high in the reliability of connection, and the electronic part.例文帳に追加

積層されたインターポーザおよび半導体チップが備える接続部間の電気的な接続を安定的に行い得るとともに生産性の高い半導体装置の製造方法および半導体装置、また、接続信頼性の高い電子部品の製造方法および電子部品を提供すること。 - 特許庁

When a special paper and a plain paper are contained in a printing job, a print control unit 33 instructs, at first, to perform print processing of the pages of special papers, to interrupt the print processing temporarily upon completion of the print processing of the special papers, and to set the output results in an interposer.例文帳に追加

印刷制御部３３は、印刷ジョブ中に特殊紙と普通紙が含まれる場合、先ず、特殊紙のページの印刷処理を実行し、特殊紙の印刷処理が終了した場合、印刷動作を一旦中断させ、出力結果をインターポーザに設定する旨の指示を行う。 - 特許庁

To provide a flexible multi-layer circuit substrate that is prepared by using a polyimide film remarkably improving adhesion reliability after an environment test such as PCT and a cold shock test, and can be used for the interposer of a semiconductor package dealing with minute processing for high density.例文帳に追加

ＰＣＴや冷熱衝撃試験などの環境試験後における接着信頼性が著しく改善されたポリイミドフィルムを用いて作成され、高密度化のための微細加工に対応可能な半導体パッケージのインターポーザーにも用いることができるフレキシブルな多層回路基板を提供する。 - 特許庁

To relieve internal stress when a printed circuit board for a semiconductor or the semiconductor device is manufactured, to reduce curvature variation of an interposer caused before or after a reflow stage, to stably manufacture the semiconductor device, and to improve the yield in a secondary mounting stage.例文帳に追加

半導体装置用プリント配線板または半導体装置としたときの内部応力を緩和することができ、リフロー工程前後で生じるインターポーザーの反り変動を小さくすることができ、半導体装置を安定して製造でき、且つ二次実装工程時の歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by face down mounting a semiconductor element 2 on an interposer 1, flip-chip bonding the semiconductor element 2 and then sealing the gap formed at the flip-chip joint of the semiconductor element 2 and the back side of the semiconductor element 2 with the same material.例文帳に追加

インターポーザー１上に半導体素子２をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載し、半導体素子２のフリップチップ接合部に形成される間隙及び半導体素子２の背面側を同一材料で封止して形成される半導体装置に関する。 - 特許庁

A polyimide tape 4 serves as an electric connection interposer between a semiconductor device and the outside and has such a structure where slits 3 are cut in the tape 4 in a row or two rows on each outside of the wide part of a copper wiring 2 along it.例文帳に追加

半導体素子と外部との電気的接続用のインタポーザテープであるポリイミドテープは、銅バンプ部から所定の距離離れた位置に、銅配線の幅広部分の両側外方に該幅広部分の形状に沿って、スリットが１列または２列にわたり削成された構造とする。 - 特許庁

The sensor has silicon substrates 2 and 3, a displacement part (diaphragm) 8 formed in the silicon substrates 2 and 3, a detecting element for detecting a displacement amount of the displacement part, an electrode pad 11 connected electrically to the detecting element and formed on the silicon substrates, and an interposer 15 joined to the electrode pad 11.例文帳に追加

シリコン基板２、３と、シリコン基板２，３に形成された変位部（ダイアフラム）８と、変位部の変位量を検出するための検出素子と、検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板に形成された電極パッド１１と、前記電極パッド１１に接合されたインターポーザ１５と、を有する。 - 特許庁

To provide an LSI package with an interface module that is simple in structure, manufactured in an existing manufacturing line, and excellent in high frequency characteristic, and to provide an interposer substrate for use in the LSI package with the interface module, and a transmission line header inserted into receptacles of the package.例文帳に追加

構造が簡単で、既存の生産ラインによる生産が可能で、且つ高周波特性の良好なインターフェイスモジュール付ＬＳＩパッケージ、このインターフェイスモジュール付ＬＳＩパッケージに用いるインターポーザ基板、及びこのパッケージのレセプタクルの内部に挿入される伝送線路ヘッダーを提供する。 - 特許庁

To provide an interposer and an inlet sheet with an antistatic characteristic lasting for a long period of time without impeding communication owing to static electricity occurring during handling or in a manufacturing process nor deteriorating nor breaking an IC chip in the worst case.例文帳に追加

取り扱い中あるいは製造工程などにおいて生じる静電気によって通信が妨げられたり、場合によってはＩＣチップが劣化あるいは破壊されるなどがなく、長期にわたって永続する静電破壊防止特性を有するインターポーザおよびインレットシートの提供。 - 特許庁

The channel 71 of the interposer 70 is configured such that the fluid is adiabatically expanded during moving from a first region to a second region while having the first region with a relatively large cross-sectional area and the second region with a relatively small cross-sectional area.例文帳に追加

インターポーザ７０のチャネル７１は、断面積が相対的に小さい第１領域と、断面積が相対的に小大きい第２領域とを有していると共に、前記第１領域から前記第２領域へ移動する途中で流体が断熱膨張を引き起こすように構成されている。 - 特許庁

In addition, the pad electrodes 14 of the interposer 1 are unified to the smallest inter-chip connecting size and the sizes of pad openings 15a formed in a surface protective film 15 are also unified, the sizes and heights of the bumps 17 formed by flow soldering also become uniform.例文帳に追加

さらに、インターポーザ１のパッド電極１４を最も小さいチップ間接続用のサイズで統一し、さらに、表面保護膜１５に形成されるパッド開口１５ａのサイズも統一しているため、フロー・はんだ付けにより形成されるバンプ１７の大きさや高さも均一となる。 - 特許庁

An interposer 24 includes a body having a cavity 23 in which vacuum is maintained, insulation layers 22a and 22b which are respectively formed on an upper wall 20a and a lower wall 20b of the body, and heat reflection layers 21a and 21b which are respectively formed on the insulation layers 22a and 22b.例文帳に追加

インターポーザ２４は、真空に維持されたキャビティ２３を有する本体と、本体の上壁２０ａと下壁２０ｂにそれぞれ形成された絶縁層２２ａ及び２２ｂと、絶縁層２２ａ及び２２ｂの上にそれぞれ形成された熱反射層２１ａ及び２１ｂとを備える。 - 特許庁

At least one solder ball 5 used as a power supply terminal or a GND terminal in an interposer 1 is connected, as a common solder ball, with at least two pads 20 used as a power supply pad or a GND pad in a semiconductor chip 2.例文帳に追加

インターポーザ１において電源用端子又はＧＮＤ用端子として用いられる少なくとも１個のはんだボール５を共通はんだボールとして、半導体チップ２における電源用パッド或いはＧＮＤ用パッドとして用いられる少なくとも２個のパッド２０に接続する。 - 特許庁

Since the interposer 21 insulates electrically the rotor wedge 8 from the iron core 1, surface loss of the wedge 8 is reduced, and generation of spark between the wedge 8 and core 1 and local overheating are prevented when a current is induced on the rotor surface in the case of starting time of a static start system.例文帳に追加

この絶縁性介在物は回転子ウェッジと鉄心を電気的に絶縁するため、回転子ウェッジにおける表面損失を低減し、また、スタティックスタート方式の起動時のように、回転子表面に電流が誘起されても、回転子ウェッジ、鉄心間のスパークの発生、局部過熱を防止する。 - 特許庁

In an interposer board, the surface of a blind conduction body is used as an electrode pad or a land for connection, which is formed by forming plating layers on both end faces of a filler which is filled inside via holes piercing a printed wiring board, so as to be the same planarity as both surfaces of the printed wiring board.例文帳に追加

インターポーザ基板として、プリント配線基板を貫通しているバイアの穴内に充填材を該プリント配線板の表裏面と平担なるように充填した充填材の両端面にめっき層を形成した非貫通導通体の表面を電極パッドや接続用ランドとして使用する。 - 特許庁

One end of the wirings provided on the surface and in the inside of the interposer substrate 3 is electrically connected to the semiconductor chip 2, and the other end is branched and electrically connected to an external electrode 5a provided on the one surface 1a and to an external electrode 5b provided on the other surface 1b.例文帳に追加

インターポーザ基板３の表面および内部に設けられた配線の一端が、半導体チップ２と電気的に接続され、他端が分岐され、一方の面１ａに設けられた外部電極５ａと他の面１ｂに設けられた外部電極５ｂに電気的に接続されている。 - 特許庁

The interposer substrate 100 used for module-mounting the optical device on the substrate has a metal pattern 111 formed in a designated shape where the optical device is mounted and also has a through hole 112 (opening portion 110) for positioning formed by laser machining from above the metal pattern.例文帳に追加

基板上への光デバイスのモジュール実装に用いるインターポーザ基板１００は、光デバイスを搭載する位置に、所定形状に形成された金属パターン１１１を形成し、金属パターン上からレーザー加工して位置合わせ用の貫通孔１１２（開口部１１０）を形成する。 - 特許庁

The probe card assembly 200 is composed of an elastic contact structure 211, a space exchanger 210, a frame 212, an interposer 230, elastic contact structures 229 and 231, a frame 218, a printed wiring substrate 220, a drive plate 222, a stud 238, an extension stud 240, and a screw 224.例文帳に追加

プローブカードアセンブリ２００は弾性接触構造体２１１、空間交換機２１０、フレーム２１２、インターポーザ２３０、弾性接触構造体２２９および２３１、フレーム２１８、プリント配線ボード２２０、ドライブプレート２２２、スタッド２３８、延長スタッド２４０、ネジ２２４より構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a semiconductor chip and an interposer are arranged side by side on a carrier tape and which can provide good electrical characteristics with use of a short wiring pattern substantially symmetrical with respect to the semiconductor chip, can facilitate its manufacturing with a small size, and can improve its heat radiating performance.例文帳に追加

キャリアテープ上に半導体チップおよびインタポーザとを並置するとともに、半導体チップに対してほぼ対称の配線パターンの短い配線を用いて電気的特性を良好にし、製造が容易で、かつ、小型で放熱性が向上できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The stress caused by the difference between the coefficients of thermal expansion of a multilayer printed wiring board 100 having a large coefficient of thermal expansion and an IC chip 110 having a small coefficient of thermal expansion can be absorbed by interposing the interposer 70 between the package substrate 10 and IC chip 110.例文帳に追加

インターポーザ７０をパッケージ基板１０とＩＣチップ１１０との間に介在させることで、熱膨張の大きな多層プリント配線板１００と熱膨張の小さなＩＣチップ１１０との間の熱膨張率差による応力を吸収させることができる。 - 特許庁

A semiconductor package includes a structure that an insulating adhesion layer 17 having an electric insulation and adhesiveness is formed at an interposer side by an intermediate insulating layer 12, a re-wiring layer 15 formed on one side surface of a semiconductor chip 31 and an electrode member 21 is exposed to the front surface 17A of the insulating adhesion layer 17.例文帳に追加

半導体チップ３１の片面に形成される中間絶縁層１２、再配線層１５によるインタポーザ側に、電気絶縁性と接着性とを有する絶縁接着層１７が形成され、絶縁接着層１７の表面１７Ａに電極部材２１が露呈した構造とする。 - 特許庁

By providing a projection 20 on an insulating resin 13 of a penetrating electrode 6, it is possible to suppress a percentage that the insulating resin 13 is deteriorated by being decomposed into low molecules by degradation by heat applied when a semiconductor device 1 is mounted on an interposer 16 via a soldering bump 3, and to suppress a mounting failure.例文帳に追加

貫通電極６の絶縁樹脂１３上に、突起２０を設けることにより、半田バンプ３を介してインターポーザ１６に半導体装置１を実装する際の加熱により、絶縁樹脂１３が熱分解により低分子化され変質する率を低減し、実装不良を抑制することができる。 - 特許庁