| 意味 | 例文 |
INTERPOSERを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 890件
In a combination substrate 10, a connection pad 42G of a lower substrate 12L and a connection pad 42F of an upper substrate 12U are electrically connected by a post 86 fitted into a through-hole 82 of an interposer 12M.例文帳に追加
組合せ基板10では、インターポーザ12Mの貫通孔82に嵌入されたポスト86により下基板12Lの接続用パッド42Gと上基板12Uの接続用パッド42Fとを電気接続する。 - 特許庁
Mechanisms 532, 536, 538, 546 are disclosed, which are suitable for determining the degree of adjustment by "stacking" the space converter and the interposer, and by adjusting orientation of the space converter.例文帳に追加
間隔変換器と介在体とを「積み重ね」,間隔変換器の配向を調整して、どのぐらいの調整をすべきかを決定するための適切な機構532、536、538、546が開示される。 - 特許庁
To effectively lessen thermal expansion mismatching of a surface-mounted interposer with a wiring board and to ensure the heat insulation state between one mounted electronic component and the other mounted electronic component.例文帳に追加
表面実装されるインターポーザの配線基板との熱膨張ミスマッチを有効に緩和すると共に、実装される一方の電子部品と他方の電子部品との断熱状態を確保すること。 - 特許庁
The low profile can be obtained by employing a semiconductor interposer having a Young's modulus larger than that of a resin forming electrical connection by conductive paths formed of minute metal balls and employing a flip-chip structure.例文帳に追加
樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザの採用、電気接続を複数の微小な金属塊から成る導電路で形成、フリップチップ構成の採用などにより、低背化が達成された。 - 特許庁
To provide an interposer which is bonded to a semiconductor element without using an adhesive component such as an adhesive and a method of manufacturing the same, and a semiconductor package which can be made thin and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
接着剤等の接着成分を用いることなく半導体素子との接着が可能なインターポーザおよびその製造方法、薄型化し得る半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Contacts of microsprings 5 at the free portion permit temporary interconnection of devices, while solder applied over the free portion permits permanent connection of devices to the interposer 2.例文帳に追加
自由部分のマイクロスプリング5接点がデバイスの一時的相互接続を可能にし、その一方で自由部分全体を覆って付けられたはんだがデバイスとインターポーザ2との恒久接続を可能にする。 - 特許庁
The guide pin 1c of the photoelectric wiring board 1 is fitted into a fitting hole 2e opened on the interposer 2b and the guide pin 4c of the guide member 4 is fitted into the fitting hole 5b of the guide member 5.例文帳に追加
インタポーザ2bに開設された嵌合穴2eに光電気配線板1のガイドピン1cを嵌合させると共に、ガイド部材5の嵌合穴5bにガイド部材4のガイドピン4cを嵌合させる。 - 特許庁
Moreover, an electronic part component 7, where a low-density part 20 is mounted through solder 30 on an interposer board 6, is mounted on through a conductive adhesive 5 on the above main body board 3.例文帳に追加
また、インターポーザ基板6に対して、低密着部品20が半田30を介して実装された電子部品構成体7が、上記本体基板3に導電性接着剤5を介して実装されている。 - 特許庁
To provide a highly reliable area array type semiconductor device capable of preventing teardown inside a resin, since the separation between a mold sealing resin and an interposer substrate will not be caused even when a heat shock is applied thereon.例文帳に追加
熱衝撃が加えられた場合も、モールド封止樹脂とインターポーザ基板との剥離が起こらず、樹脂内の破壊を防止できる、信頼性の高いエリアアレイ型半導体装置を提供する。 - 特許庁
The integrated circuit chip 320 is coupled to the interposer 330 via a second plurality of electrical contacts 325 without use of an adhesive surrounding the second plurality of electrical contacts 325.例文帳に追加
集積回路チップ320は、複数の第2の導電性コンタクト325を介してインターポーザ330に結合され、そしてこれら第2の導電性コンタクト325の周りには接着剤は設けられない。 - 特許庁
On an active face 1 of an IC chip 10 to be flip-chip-mounted, a plurality of stud bumps 4 are formed which are to be bonded to pad electrodes 7 on the surface of an interposer 6 via ACF 5, etc.例文帳に追加
フリップチップ実装されるICチップ10の能動面1には、インターポーザ6表面のパッド電極7にACF5等を介して接合される複数個のスタッドバンプ4が設けられている。 - 特許庁
Subsequently, dielectric layers 14 and 14C are laminated, respectively, on the undersurface of the substrate 11 and on the dielectric layer 14A, and a recess 19A is provided in the substrate 11 thus completing an interposer 10A.例文帳に追加
次に、基板11の下面および誘電体層14A上にそれぞれ誘電体層14,14Cを積層したのち、基板11に凹部19Aを設けることにより、インターポーザ10Aが完成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an SiP type semiconductor device wherein exposure height positions of through vias can be kept uniform on one side of an interposer opposite from a side where semiconductor chips are mounted.例文帳に追加
半導体チップが搭載されている側に対するインターポーザの裏面側における貫通ビアの露出高さ位置を均一に保つことが可能なSiPタイプの半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
This interposer comprises a silicon substrate 20, a plurality of conduction holes 27 are formed through the silicon substrate 20, and ends of the conduction holes 27 are provided with the probes 12 via pads 45, respectively.例文帳に追加
インターポーザは、シリコン基板20を含み、シリコン基板20には貫通した複数の導通孔27が形成され、複数の導通孔27の一方の端部には、パッド45を介してプローブ12が設けられる。 - 特許庁
The semiconductor components 3 of CSP structures are mounted on the main face of the interposer substrate 1 through a plurality of bump electrodes 23 whose diameters and adjacent pitches are larger than the bump electrodes 18.例文帳に追加
また、インターポーザ基板1の主面には、上記バンプ電極18よりも直径および隣接ピッチが大きい複数のバンプ電極23を介してCSP構成の半導体部品3が実装されている。 - 特許庁
The semiconductor assembly comprises first and second chips having an integrated circuit and an active surface having a plurality of input/ output connecting pads, and an insulating material interposer having a plurality of conductive paths.例文帳に追加
集積回路および複数の入出力接続パッドを含む能動表面を備えた第1、第2チップと、複数の導電経路を備えた絶縁材インターポーザとを有するアセンブリを提供する。 - 特許庁
To provide a means for improving quality by reducing the generation of a board crack at the periphery of a mold resin upon gate cutting when a semiconductor device using an organic wiring board as an interposer is manufactured.例文帳に追加
有機配線基板をインターポーザーとした半導体装置を製造する際の、ゲートカット時に発生するモールド樹脂周辺の基板クラック発生を減少させ、品質の向上を図る手段を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a semiconductor chip can be connected to a semiconductor chip or wiring board without being thermally damaged; a manufacturing method thereof; and an interposer.例文帳に追加
半導体チップに熱的なダメージを与えることなく半導体チップを半導体チップまたは配線板に接続することができる半導体装置およびその製造方法ならびにインターポーザを提供すること。 - 特許庁
The interposer 10 having a first nonconductive layer 11, an extended electrode 12 and an IC chip 13 is mounted on an antenna-formed sheet 20 having a second nonconductive layer 21 and an antenna 22.例文帳に追加
第1非導電層11と、拡大電極12と、ICチップ13とを有するインターポーザー10を、第2非導電層21と、アンテナ22とを有するアンテナ形成済シート20上に実装する。 - 特許庁
A laminated module 40 that includes an interposer 30, a first semiconductor device 11b and a second semiconductor device 12b and a cover 42 that covers an entire laminated module 40 are mounted on a substrate 10.例文帳に追加
基板10上に、インターポーザ30、第1半導体デバイス11b及び第2半導体デバイス12bを含む積層モジュール40と、積層モジュール40の全体を覆うカバー42とを搭載する。 - 特許庁
To provide an interposer capable of alleviating stress generated in a function part of a semiconductor chip caused by a difference in a linear expansion coefficient between the semiconductor chip and a mounting substrate, and improving reliability.例文帳に追加
半導体チップと実装基板との線膨張率差に起因して半導体チップの機能部に生じる応力をより緩和することができ且つ信頼性を高めることができるインタポーザを提供する。 - 特許庁
To provide a technology for laminating a plurality of chips of the same design and increasing three-dimensional connection information transfer ability, by eliminating a spacer and an interposer in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置において、同一設計による複数のチップを積層することと、スペーサやインターポーザを廃止して三次元結合の情報伝送能力を高めることができる技術を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of being easily manufactured at a low cost and improving the degree of freedom of design, a method for manufacturing the semiconductor device and a method for manufacturing an interposer substrate.例文帳に追加
容易かつ安価に製造することができると共に設計の自由度を高めることができる半導体装置、半導体装置の製造方法、及びインターポーザ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an interposer having a built-in capacitor which can sufficiently ensure capacity while it is small and can be preferably manufactured at lower cost than in a conventional way, and to provide a semiconductor device equipped with the same.例文帳に追加
小型でも十分な容量を確保することができ、好ましくは、従来よりも低コストに製造することができるキャパシタ内蔵インタポーザ及びそれを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor module in which passive components can be mounted with excellent reliability and space saving on an interposer and miniaturization of the semiconductor module can be achieved, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
優れた信頼性を持って受動部品を実装でき、インターポーザー上の省スペース化及び半導体モジュールの小型化を可能にする半導体モジュールならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁
Both ends of the interposer 130 are folded in a state that a metallic layer 132 connected to an IC module 111 is exposed to a surface on which the IC module 111 is loaded, and the interposer 130 is loaded on a resin sheet 115 in a state that the folded part of the metallic layer 132 is kept into contact with a land part 117 connected to the antenna 112 formed on the resin sheet 115.例文帳に追加
ICモジュール111が搭載された面にICモジュール111と接続されて形成された金属層132が露出するようにインターポーザ130の両端を折り畳み、このインターポーザ130を、樹脂シート115に対して、折り畳まれた部分の金属層132が、樹脂シート115上に形成されたアンテナ112と接続されたランド部117と接触するように搭載する。 - 特許庁
The antenna formed sheet 20 and the interposer 10 are continuously moved and pressurized between a rotary pressurizing body 40 and a receiving member 60, and the first non-conductive layer 11 is fused by a rotary heating part 47 heated by a fixed heater 45 inside the rotary pressurizing body 40, and the extended electrodes 12 and 12 of the interposer 10 are joined to the antenna 22 of the antenna formed sheet 20.例文帳に追加
回転押圧体40と受け部材60との間でアンテナ形成済シート20およびインターポーザー10を連続的に移動させながら挟圧するとともに、回転押圧体40の内部にある固定ヒータ45により加熱された回転加熱部47によって第1非導電層11を融解し、インターポーザー10の拡大電極12,12とアンテナ形成済シート20のアンテナ22とを接合させる。 - 特許庁
The memory card 1A includes: a wiring board 2; four memory chips M1 to M4 stacked on a main surface of the wiring board; and a controller chip 3 and an interposer 4, both mounted on a surface of the memory chip M4 of the uppermost layer.例文帳に追加
メモリカード1Aは、配線基板2とその主面上に積層された4枚のメモリチップM1〜M4と最上層のメモリチップM4の表面上に実装されたコントローラチップ3およびインターポーザ4とを備えている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, in which a chip is bonded to a resin sealing body under a state of high mechanical strength in a structure, where leads led out from an interposer are connected with the connection electrodes (pads) of the chip.例文帳に追加
インターポーザから導出されるリードをチップの接続電極(パッド)に接続する構造において、チップが樹脂封止体に機械的強度が高い状態で密着している半導体装置を提供する。 - 特許庁
An organic light-emitting device 30 of includes an organic light-emitting element 20, a heat insulation material 11 that covers surfaces of the light-emitting element 20, and an interposer 14 that is electrically connected to the organic light-emitting element 20.例文帳に追加
本発明による有機発光装置30は、有機発光素子20と、有機発光素子20の表面を覆う断熱材11と、有機発光素子20が電気的に接続されたインターポーザ14とを備えている。 - 特許庁
In a fourth step, the first insulating layer 131 is bonded onto a second insulating adhesive 132a, and both of them are heated and pressed, thus performing the flip-chip bonding of the semiconductor chip 110 to the interposer 120.例文帳に追加
第4の工程で、第1の絶縁層131を第2の絶縁性接着剤132a上に貼り合わせ、両者を加熱加圧することで半導体チップ110をインターポーザ120にフリップチップ接合させる。 - 特許庁
To obtain a thin and small semiconductor device incorporating an interposer and a manufacturing method thereof, in which manufacturing process is simplified, while copying with reduction in size and high density.例文帳に追加
本発明はインターポーザを内設すると共に小型薄型化が図られた半導体装置およびその製造方法に関し、小型化及び高密度化に対応すると共に製造工程の簡略化を図ることを課題とする。 - 特許庁
In this constitution, an interposer having a connection terminal is interposed between the inspecting object 1 and the test substrate, and the inspecting object 1 is also allowed to be connected to the test substrate 2 via the connection terminal.例文帳に追加
また、上記構成において、被検査体1と試験基板の間に、接続端子を有するインターポーザを介在させ、この接続端子を介して被検査体1と試験基板2を接続するようにしてもよい。 - 特許庁
To provide a probe card which enables grating arrangement of a contact without reducing spring properties of the contact and besides can prevent breakdown of a circuit or a circuit element incorporated in a chip or an interposer.例文帳に追加
接触子のばね性を低下させずに接触子を格子配置することができ、また、チップまたはインターポーザに内在する回路や回路要素が破壊されることを防止することができるプローブカードを提供する。 - 特許庁
To provide a printed wiring board utilized as an interposer and exhibiting stabilized stress reducing action and elastic modulus, even under a sharp temperature change, and to provide a ball grid array package using the printed wiring board.例文帳に追加
インターポーザーとして利用され、大幅な温度変化の下でも安定した応力緩和作用と弾性率を示すプリント配線基板およびこのプリント配線基板を使用したボールグリッドアレイパッケージを提供する。 - 特許庁
The joint of the lead and a connection electrode is surrounded by a part of the side of an opening made in the interposer, and the reinforcing member and the resin sealing body is formed to cover the joint at the surrounded part.例文帳に追加
リードと接続電極との接続部分は、インターポーザに形成された開口部の辺の一部及び補強部材で取り囲まれ、この取り囲まれた部分に樹脂封止体が接続部分を被覆するように形成される。 - 特許庁
The interposer includes a plurality of metallized vias electrically connected with one of the electrodes of the thin-film dielectric capacitor; the vias 314, 316 and 318 for transmitting an electric power, ground and signal to the ceamic substrate 305 and the integrated circuit.例文帳に追加
薄膜誘電体コンデンサのどちらかの電極に電気接続する複数のメタライズ・ビアと、セラミック基板305と集積回路の間に電力、接地、信号を伝えるビア314,316,318とを含む。 - 特許庁
The interposer 1 has a prepreg 11, a conductor pattern (circuit) 12 formed on one surface of the prepreg, and a coating layer (solder resist layer) 13 formed so as to cover at least a part of the conductor pattern.例文帳に追加
インターポーザ1は、プリプレグ11と、前記プリプレグの片面に形成された導体パターン(回路)12と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように形成された被覆層(ソルダーレジスト層)13とを有する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of directly bonding the semiconductor device to a packaging substrate without using an interposer, and capable of highly accurately positioning when cutting off into individual semiconductor devices.例文帳に追加
インターポーザを用いずに半導体装置を実装基板に直接接合することを可能にし、個々の半導体装置に分離切断する際、位置決め精度の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The space transformer 506 and the interposer 504 are piled so that orientation of the space transformer 506, namely, orientation of the tip of the probe element 524, can be adjusted without changing orientation of the probe card 502.例文帳に追加
間隔変換器506の配向、従ってプローブ要素524の先端の配向が、プローブカード502の配向を変更することなく調整可能なように、間隔変換器506と介在体504が「積み重ね」られる。 - 特許庁
The leads from the interposer, that is, dummy leads 13' unrelated to electric connection are increased to bring the chip 11 into tight contact with the resin filling material 15 in high mechanical strength.例文帳に追加
インターポーザから導出されるリードを増やして、つまり、電気的接続とは無関係のダミーリード13′を増やしてチップ11が樹脂封止体15に機械的強度が高い状態で密着するように構成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a multi-layered wiring substrate, as well as the multi-layered wiring substrate, that can be used for mounting an IC chip excellent in heat-resistance and adhesive reliability after moisture absorption, or as an interposer of an IC package.例文帳に追加
耐熱性や吸湿後の接着信頼性に優れたICチップ搭載用や、ICパッケージのインターポーザーに用いることが出来る多層配線基板の製造方法および多層配線基板を提供する。 - 特許庁
A semiconductor package 10 has a constitution in which a semiconductor chip 11 having a plurality of pads on a principal surface is electrically connected to an interposer 12 leading-out external terminals by a flip chip structure.例文帳に追加
半導体パッケージ10は、主表面に複数のパッド部が形成された半導体チップ11がフリップチップ構造によって、外部端子を導出するインターポーザ12と電気的に接続された構成になっている。 - 特許庁
A probe card assembly 500 includes: a probe card 502; a space converter having a contact structure (probe element) 524, which is a space converter 506; and an interposer 504 disposed between the space converter and the probe card.例文帳に追加
プローブカード・アセンブリ500が、プローブカード502と、間隔変換器506であり、接触構造(プローブ要素)524を有する間隔変換器と、間隔変換器とプローブカードの間に配設される介在体504とを含む。 - 特許庁
In a plurality of ground layers of a mother board (10) on which a semiconductor chip 30 is mounted through an interposer (20), noise guiding through-vias GH for leading the electromagnetic noise from the semiconductor chip 30 to the underlayer is provided.例文帳に追加
半導体チップ30がインターポーザ(20)を介して搭載されるマザーボード(10)の複数のグランド層に、半導体チップ30からの電磁界ノイズを下層側に導くノイズ案内貫通ビアGHが設けられている。 - 特許庁
The low profile can be obtained by employing a semiconductor interposer having a Young's modulus larger than that of a resin, forming electrical connection by conductive paths 20 formed of minute metal balls 13 and employing a flip-chip structure.例文帳に追加
樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザの採用、電気接続を複数の微小な金属塊13から成る導電路20で形成、フリップチップ構成の採用などにより、低背化が達成された。 - 特許庁
To provide a thermosetting resin composition that can be used as an insulating layer for rigid circuit boards, flexible printed circuit boards and interposer substrates for mounting semiconductors because of its excellent dielectric property and high adhesion to metal.例文帳に追加
誘電特性、金属との接着性に優れる、半導体実装用のリジッド配線板、フレキシブルプリント配線板及びインタポーザー基板の絶縁層として使用できる熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
A bonding pad 15 of the semiconductor chip 1 is electrically connected to a bonding terminal 6 provided on the substrate 4 or a bonding pad 35 of another semiconductor chip 2 via the interposer chip 3 by wire bonding.例文帳に追加
半導体チップ1のボンディングパッド15…は、ワイヤボンディングによりインターポーザチップ3を介して、基板4に設けられているボンディング端子6…または別の半導体チップ2のボンディングパッド35…と電気的に接続されている。 - 特許庁
The substrate side electrodes 5 provided on a semiconductor chip mount face 1b of the interposer substrate 1 and chip side electrodes 9 provided to the semiconductor chip 4 are electrically connected by using bonding wires 10.例文帳に追加
インターポーザ基板1での半導体チップ搭載面1bに設けられた基板側電極5と半導体チップ4に設けられたチップ側電極9とがボンディングワイヤー10を用いて電気的に接続されている。 - 特許庁
The IC socket 102 has a wiring part 123v connected in common to a plurality of electrode pads (power electrodes) 151v constituting an electrode group 156v provided for the interposer 106 as in-socket wiring.例文帳に追加
ICソケット102は、ソケット内配線として、インターポーザ106が有する電極群156vを構成する複数の電極パッド(電源電極)151vに共通に接続される配線部123vを有する。 - 特許庁
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