「INTERPOSER」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

An interposer 12 to which an LSI 11 is mounted is a combination of a rigid wiring board 12_1 and a flexible wiring board 12_2, and the combined section of both wiring boards is an element mounting part to which the LSI 11 is mounted.例文帳に追加

ＬＳＩ11が搭載されるインターポーザ12は、リジット配線基板12_１２とフレキシブル配線基板12_２とを合体したものであり、両配線基板の合体された部分が素子搭載部になされており、その部分にＬＳＩ11が搭載される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor chip 12; a substrate 13 on which solder balls 15 are formed; and an interposer 11A having heat-dissipating capability arranged between the semiconductor chip 12 and the substrate 13 so as to oppose the circuit-forming surface 22 of the semiconductor chip 12.例文帳に追加

半導体チップ１２と、半田ボール１５が形成された基板１３と、半導体チップ１２の回路形成面２２と対向するよう半導体チップ１２と基板１３との間に放熱機能を有するインターポーザ１１Ａを配設する。 - 特許庁

A backside electrode 26 with a solder ball 28 for an electrode is provided away from each other between a backside pad insulating part 24 and an inter-chip insulating part 25 when the CSP 10 is mounted on a motherboard, on the backside of the interposer substrate 10.例文帳に追加

ＣＳＰは、インターポーザ基板の裏面には、ＣＳＰをマザー基板に実装する際に電極となるはんだボール２８付き裏面電極２６が、相互に離隔して、裏面パッド絶縁部２４とチップ間絶縁部２５との間に設けてある。 - 特許庁

Thereby the IC chip 9 of the interposer 4 is connected with the land at one end of the antenna via the opposite land 5, the jumper part and the opposite land and is connected with the land at the other end of the antenna via the opposite land 7b.例文帳に追加

これにより、インターポーザー４のＩＣチップ９が、対向ランド部５、ジャンパー部、対向ランド部を介して、アンテナ部の一端のランド部に接続されるとともに、対向ランド部７ｂを介して、アンテナ部の他端のランド部と接続される。 - 特許庁

Furthermore, there may be provided a sheet-formed component having the similar coefficient of thermal expansion as that of a semiconductor package 60 in which the interposer 55 is mounted on an opposite surface to the side of mounting the semiconductor element 51 of the tabular insulator 56.例文帳に追加

さらに、板状絶縁体５６の、半導体素子５１を搭載する側と反対側の面に、インターポーザ５５が実装される半導体パッケージ６０と同程度の熱膨張係数を有するシート状部材を設けてもよい。 - 特許庁

The interposer allows the distance between the mounting substrate 21 and the BGA 22 to be the same thickness as that of the semiconductor part 23 or more, and electrically connects between a solder ball of the BGA 22 and a conductive pattern of the mounting substrate 21.例文帳に追加

インターポーザー１０は、実装基板２１とＢＧＡ２２との間の距離を半導体部品２３の厚さと同じかそれ以上にするとともに、ＢＧＡ２２のソルダーボールと実装基板２１の導電パターンとの間を電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, the method preventing the occurrence of interfacial delamination between a release layer and insulating layer of a lowermost interposing layer in (an assembly including) the manufacturing of an interposer and the mounting of a semiconductor chip.例文帳に追加

インターポーザの製造および半導体チップの実装（を含むアセンブリ）に際し、剥離層とインターポーザ最下層の絶縁層との間で界面剥離が生じることを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor package, conductor flat plates 2, 3 where bumps 4 are formed are disposed at a periphery of a semiconductor device 1, and the conductor flat plates are connected to a ground line or power supply line of the interposer substrate through the conductor bumps 4.例文帳に追加

半導体パッケージにおいて、半導体デバイス１の周囲に導体バンプ４が形成された導体平板２、３を配置させ、導体平板を導体バンプを介してインターポーザー基板のグランドライン、または電源ラインと接続させる。 - 特許庁

To provide a carrier member that provides improved retention to individual contact elements resulting in LGA interposer connectors with improved manufacturability, reliability, and more uniform mechanical and electrical performance.例文帳に追加

製造の容易さが改善され、信頼性が高まった、より均一な機械的および電気的性能を備えたＬＧＡインターポーザ・コネクタをもたらす、個々の接触要素に対する改善された保持を提供するキャリア部材を提供すること。 - 特許庁

To provide an interposer substrate reduced in deformation of the substrate for fixing a measuring terminal, allowing the measuring terminal to accurately measure electric characteristics of a part serving as a semiconductor chip, and facilitating recognition of an alignment mark.例文帳に追加

測定端子を固定するための基板の変形が少なく、測定端子が半導体チップとなる部分の電気特性を正確に測定することができ、かつアライメントマークを認識しやすくするためのインターポーザ基板を提供する。 - 特許庁

By forming the opening 16 and the projection 17 at the same time, the high-frequency device 1 that can be accurately aligned, with respect to a mount substrate such as an interposer substrate can be obtained without increasing the number of processes.例文帳に追加

開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 - 特許庁

A plurality of approximately elliptical electrodes 21 are formed in matrix, while inclining the direction of long axis against the longitudinal/ lateral directions of the matrix, on the ball terminal bonding face 3a of the interposer 3 of a CSP 1.例文帳に追加

ＣＳＰ１のインターポーザ３のボール端子接合面３ａに、縦横方向にマトリクス状に近似楕円形形状の複数の電極２１が、マトリクスの縦横方向に対して長軸方向を斜めにして形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first semiconductor chip 30 placed on the first surface 12 of an interposer 10 so that a through hole 20 and a first electrode 34 overlap, and a second semiconductor chip 40 stacked on the first semiconductor chip 30.例文帳に追加

インターポーザ１０の第１の面１２には、貫通穴２０と第１の電極３４がオーバーラップするように第１の半導体チップ３０が搭載され、第１の半導体チップ３０には第２の半導体チップ４０が積み重ねられている。 - 特許庁

In connection between a semiconductor chip 10 having an electrode 11 and an interposer substrate 12, an anisotropic conductive film 13 wherein resin particles 22 are disposed is disposed between the chip and substrate and heated to form a junction thereof.例文帳に追加

電極１１を有する半導体チップ１０とインターポーザ基板１２との接続において、樹脂粒子２２を分散させた異方性導電膜１３を両者の間に介在させて加熱して接合を行なうようにしたものである。 - 特許庁

The circuit element 20 is provided with: the land 2 of the circuit element side formed, corresponding position of the solder 4b of printed board side of the interposer 1 side; and the solder 4a (solder ball) of the circuit element side, formed on the land 2 of the circuit element side.例文帳に追加

また、回路素子２０は、インターポーザ１のプリント基板側半田４ｂに対応する位置に形成される回路素子側ランド２、その回路素子側ランド２上に形成される回路素子側半田４ａ（半田ボール）などを備える。 - 特許庁

Thus, due to such a module that the LED flash light 5 and the circuit 11 are respectively arranged on the front and rear surfaces of the interposer board 12 in a three-dimensional manner, the required mounting area can be reduced substantially.例文帳に追加

このように、インターポーザ基板１２の表裏面にそれぞれＬＥＤフラッシュライト部５と回路部品部１１とを分けて３次元的に配置しモジュール化しているので、それぞれに必要な実装面積を大幅に縮小することができる。 - 特許庁

The silicon substrate, the metal substrate or the glass substrate is capable of being applied with high-temperature treatment for crystallizing a high dielectric body and, therefore, the big capacity passive elements are formed on the interposer or the substrate or the re-wiring on the mounting chips.例文帳に追加

シリコン基板、金属基板又はガラス基板は高誘電体の結晶化のための高温処理が可能であるため、インターポーザである基板上に又は搭載チップの再配線上に大容量の受動素子を形成する。 - 特許庁

An interposer 50 is provided with an insulating base material 1, connection terminals 2, connection terminals 7 to be connected with a signal input terminal of the flat panel display and a conductive structure that electrically and mutually connects the connection terminals 2 and 7 to be paired.例文帳に追加

インターポーザ５０は、絶縁性基材１と、接続端子２と、平面パネルディスプレイの信号入力端子と接続される接続端子７と、対を成す接続端子２，７を電気的に互いに接続する導通構造とを備えている。 - 特許庁

The sealing resin is formed by potting a sealing resin 15 around the interposer 4 with a potting nozzle 20, or by potting the sealing resin 15 from the surrounding of the IC chip 3, i.e., from a device hole 8.例文帳に追加

上記封止樹脂は、ポッティングノズル２０によってインターポーザ４の周囲に封止樹脂１５をポッティングするか、あるいは、ＩＣチップ３の周囲、すなわち、デバイスホール８から封止樹脂１５をポッティングすることによって形成される。 - 特許庁

When an impact is applied to the mirror cylinder 22 by an external force, the cushion material 62 is held between the interposer 50 and the inner wall 1410 of a first housing 14 and deformed in the thickness direction thus relaxing the impact.例文帳に追加

外力による衝撃が鏡筒２２に加わった場合に、クッション材６２がインターポーザー５０と第１の筐体１４の内壁１４１０との間で挟まれてその厚さ方向に変形することにより衝撃が緩和される。 - 特許庁

The interposer 20 includes a spacer 34 formed in an overlapped region with the semiconductor chip 10 of the second face 24, and a land 32 formed outside the overlapped region with the semiconductor chip 10 of the second face 24.例文帳に追加

インターポーザ２０は、第２の面２４の半導体チップ１０とのオーバーラップ領域内に形成されてなるスペーサ３４と、第２の面２４の半導体チップ１０とのオーバーラップ領域外に形成されてなるランド３２と、を有する。 - 特許庁

An interposer 22 for mounting a semiconductor element 24 of the semiconductor device 20 sealed by a resin 30 after the element 24 is mounted is formed so that only four corners 22a of its side face are externally exposed from the resin 30.例文帳に追加

半導体素子２４を実装した後に樹脂３０で封止してなる半導体装置２０の半導体素子２４を実装するインタポーザ２２をその側面の四隅２２ａだけが樹脂３０から外部に露出するよう形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which semiconductor chips are laminated on a substrate, the semiconductor chips are electrically connected to an electrode, provided in the substrate or in another semiconductor chip via an interposer chip 31 by wire bonding.例文帳に追加

半導体チップを基板上に積層させた半導体装置において、半導体チップは、ワイヤボンディングによりインターポーザチップ３１を介して、基板あるいは別の半導体チップに設けられている電極と電気的に接続される。 - 特許庁

The semiconductor module is provided with a slope surface 41 connecting the rear surface 12b of the IC chip 12 to the first surface 10a of the interposer 10, and a connection wiring 25 for electrically connecting the connection pads 18 to the conductive connection portions 21 via the slope surface 41.例文帳に追加

ＩＣチップ１２の裏面１２ｂとインターポーザー１０の第１面１０ａとを結ぶ傾斜面４１と、傾斜面４１を介して接続パッド１８と導電接続部２１とを電気的に接続する接続配線２５とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a semiconductor element 51, an interposer 52A on which the semiconductor element 51 is mounted via a post 54A and in which a solder ball 57 is set, a wire 56 connecting the semiconductor element 51 and the interposer 52A electrically, and sealing resin 53 sealing the semiconductor element 51, the wire 56 and the like.例文帳に追加

半導体素子５１と、この半導体装置５１がポスト５４Ａを介して搭載されると共に半田ボール５７が配設されたインターポーザー５２Ａと、半導体素子５１とインターポーザー５２Ａとを電気的に接続するワイヤ５６と、半導体素子５１及びワイヤ５６等を封止する封止樹脂５３とを有する半導体装置において、インターポーザー５２Ａにワイヤ５６が挿通されるワイヤ挿通部５８Ａを形成すると共に、このワイヤ挿通部５８Ａの両側にインターポーザー５２Ａの変位を規制する補強部６４を設ける。 - 特許庁

To provide a highly reliable thin-film capacitor element, interposer, and semiconductor device having no bad influence on the other device etc. connected thereto even when a problem such as an electrical breakdown etc. occurs in the thin-film capacitor, and to provide manufacturing methods therefor.例文帳に追加

薄膜キャパシタに絶縁破壊等の問題が生じた場合であっても、接続されている他のデバイス等に悪影響を及ぼすことのない、信頼性の高い薄膜キャパシタ素子、インターポーザ、半導体素子、及び、これらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize high quality for an interposer board and an electronic component body other than the miniaturization and narrow pitch of an electrode pad and connection land.例文帳に追加

マザー基板とバンプ接続するインターポーザ基板の下面側の電極パッドの小形化により電子部品実装体に衝撃，振動等の機械的衝撃が加わった場合に電極パッドが剥離してパッケージの接続不良や位置ずれ，性能不良が発生している。 - 特許庁

To provide a package structure, that can achieve high packaging density, improve a radiation property, and be easily assembled in a semiconductor package that is composed by integrating a semiconductor chip, an interposer, and a heat sink, and is mounted on one surface of a mother board.例文帳に追加

半導体チップ、インターポーザ及びヒートシンクが一体化されてなり、マザーボードの一面に搭載される半導体パッケージにおいて、実装密度の高密度化、放熱性の向上、及び、簡単な組付性を実現可能なパッケージ構造を提供する。 - 特許庁

To provide an optical waveguide module with a positioning means independent of forming accuracy of a socket and an interposer, in which module a precise optical coupling is formed at a low cost, and to provide a photoelectric converter and optical waveguide member used as components of the optical waveguide module.例文帳に追加

ソケットやインターポーザーの成型精度に依存しない位置合わせ手段を有し、高精度な光結合を低コストで形成可能な光導波モジュール、並びに、その構成部材としての光電変換装置及び光導波部材を提供すること。 - 特許庁

A first rectangular semiconductor element is provided in a rectangular opening formed on an upper surface of an interposer provided on one surface of the lead frame, and a second rectangular semiconductor element is provided on the other surface side of the lead frame.例文帳に追加

リードフレームの一方の面上に設けられたインターポーザーの、上面に形成された矩形状の開口部内に矩形状の第１の半導体素子を設け、前記リードフレームの他方の面側において矩形状の第２の半導体素子を設ける。 - 特許庁

The interposer 102 has at least one wire 110 formed astride the first region 150 and the second region 160, and the cross-sectional shape of the wire 110 is different in the first region 150 and in the second region 160.例文帳に追加

インターポーザ１０２は、第１の領域１５０および第２の領域１６０に跨って形成された少なくともひとつの配線１１０を有し、配線１１０の断面形状が、第１の領域１５０と第２の領域１６０において異なっている。 - 特許庁

The bump 15 of a sharp shape or a notch formed on the electrode surface of the chip is used at a wiring 6 of an insulating film board 5 of the interposer to contact, breaking an oxide film or a birt formed on the wiring surface.例文帳に追加

インターポーザである絶縁フィルム基板５の配線６にチップ１の電極面に形成した鋭い形状のバンプ又は切り込み加工を施したバンプ１５を使用して配線表面に形成された酸化皮膜や汚れを破りながら接触させる。 - 特許庁

An interposer 6A has a stepped part 6Aa formed at a constant distance to the wiring board 3 or semiconductor chips 4, and also has connection electrodes 9 with projection parts 10 formed in a hole shape (cylindrical shape) at the stepped part 6Aa.例文帳に追加

インターポーザ６Ａには配線板３または半導体チップ４との距離を一定にする階段部６Ａａが形成されており、その階段部６Ａａには突出部１０を有する孔形状（円筒形状）の接続電極９が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce switching noise while avoiding reduction of a mounting density, by incorporating a decoupling capacitor providing a high capacity density in a circuit board as an interposer suitable when a semiconductor chip is mounted in the wiring board.例文帳に追加

半導体チップを配線基板に実装する場合のインターポーザに適した回路基板に、容量密度を高くできるデカップリングキャパシタを内蔵させ、実装密度を低下させることなくスイッチングノイズを低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily bond an antenna formed sheet and an interposer and a release sheet, and to reduce the amounts of adhesive necessary for formation of an adhesive layer.例文帳に追加

アンテナ形成済シート、インターポーザーおよび離型シートを簡易に接着させることができ、また接着剤層を形成するために必要な接着剤の量を少なくすることができるインターポーザーの実装方法およびインターポーザー実装済シートを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the use of a conductive material as an external terminal is reduced and which has the external terminal having a large contact area between the external terminal and an interposer, and its manufacturing method, a circuit board and electronic equipment.例文帳に追加

外部端子としての導電材料の使用量が少なく、外部端子とインターポーザとの接触面積の大きい外部端子を有する半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor chip, which can be laminated with no interposer in between and the laminated semiconductor chip is connected electrically regardless of the size thereof, and a method for manufacturing it, a semiconductor device, a computer, a circuit board and an electronic equipment.例文帳に追加

インターポーザを介することなく積層可能であり、積層した半導体チップをその大きさに関係なく電気的に接続できる半導体チップおよびその製造方法、半導体装置、コンピュータ、回路基板ならびに電子機器を提供すること。 - 特許庁

The interposer chip having a chip mounting region in which a semiconductor chip is mounted with a resin fixing material interposed therebetween includes an insulating film, and a wiring layer which is formed on the insulating film in contact therewith.例文帳に追加

チップ搭載領域を有し、前記チップ搭載領域に樹脂性の固定材を介して半導体チップが搭載されるインターポーザチップであって、絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記絶縁膜と接して形成される配線層とを具備する。 - 特許庁

The interposer 30a includes: a main body that has a channel 31 through which a fluid flows; and at least one of a heat radiation layer 61b and a heat reflection layer 61a disposed in predetermined regions on an inner wall of the main body that defines the channel 31.例文帳に追加

インターポーザ３０ａは、流体が流れるチャネル３１を持つ本体と、そのチャネル３１を画定する本体の内壁の所定領域に配置された熱放射層６１ｂ及び熱反射層６１ａの少なくとも一方とを有する。 - 特許庁

In a ceramic integral substrate 1 which is used in an interposer of a chip-size package and on which a semiconductor element can be mounted, a trapezoidal groove 3 is made in a rear surface of the substrate along a division line, the width of the groove 3 is made larger than that of a blade 14.例文帳に追加

チップサイズパッケージのインターポーザーに用いられ、表面に半導体素子が搭載可能なセラミック集合基板１において、裏面に分割ラインに沿って台形溝３を形成し、台形溝３の幅をブレード１４の厚さよりも大きく形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interposer IP to which a substrate power supply terminal 91V is provided, an interface chip IF where a surface bump FB is provided on one surface, with a rear surface bump BB provided on the other surface, and a core chip CC connected to the interface chip IF.例文帳に追加

基板電源端子９１Ｖが設けられたインターポーザＩＰと、一方の表面に表面バンプＦＢが設けられ、他方の表面に裏面バンプＢＢが設けられたインターフェースチップＩＦと、インターフェースチップＩＦに接続されたコアチップＣＣとを備える。 - 特許庁

A deformation amount when temperature changes are added to an insulating film is reduced, or restrained, by forming a broad portion 13 on a surface wiring 12 traversing an outer edge portion 1a of the semiconductor device 1 on a surface wiring 2 of an interposer 4, such as a printed-circuit board.例文帳に追加

プリント配線基板などのインターポーザ４の表面配線２の半導体素子１の外縁部１ａを横切る表面配線１２に幅広部１３を形成することで絶縁膜に温度変化が加わった際の変形量を低減、もしくは拘束する。 - 特許庁

The interposer having an IC chip and a connection terminal part formed on a base material surface or the inlet sheet having an antenna circuit equipped with the IC chip, on a base material surface is characterized in that an antistatic layer is formed on at least one surface side of the base material surface.例文帳に追加

基材面にＩＣチップと接続端子部が形成されたインターポーザあるいは基材面にＩＣチップを備えたアンテナ回路が形成されたインレットシートにおいて、前記基材面の少なくとも１面側に帯電防止層が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device 10 according to the present invention includes: an interposer 30 which has a conductor post 42 provided in a via 33 and a wiring pattern 41; a terminal 602 joined to the conductor post 42; and a junction film 80 formed on the conductor post 42.例文帳に追加

本発明の半導体装置１０は、ビア３３内に設けられた導体ポスト４２と配線パターン４１とを有するインターポーザー３０と、前記導体ポスト４２に接合された端子６０２と、導体ポスト４２に形成された接合膜８０とを有している。 - 特許庁

A metal core board mounting an LSI chip thereon is used as the interposer board, a core metal is exposed on the rear surface of the metal core board opposite to its front surface where the LSI chip is mounted, soldering pads are formed directly on the exposed core metal, the metal core board is soldered to the mother board by the use of the soldering pads.例文帳に追加

ＬＳＩチップを搭載したメタルコア基板をインターポーザ基板として用い、そのＬＳＩチップ搭載面の裏面のコアメタルを露出させ、はんだ接続用のパッドを直接コアメタルに形成し、そのパッドを用いてマザーボードにはんだ接続する。 - 特許庁