「Independent variable」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

LNAs 5a, 5b, quadrature mixers 6a, 6b, phase-shifters 7a, 7b, and VCOs 8a, 8b are made independent from one another for each frequency band and share LPFs 14a-14d, HPFs 16a-16d, baseband variable gain amplifiers 15a-15f, and a PLL circuit 10.例文帳に追加

ＬＮＡ５ａ，５ｂ、直交ミキサ６ａ，６ｂ、移相器７ａ，７ｂ、ＶＣＯ８ａ，８ｂを周波数帯域ごとに独立させ、アンテナ１から受信される信号の周波数帯域が異なっても、ＬＰＦ１４ａ〜１４ｄ、ＨＰＦ１６ａ〜１６ｄ、ベースバンド可変利得増幅器１５ａ〜１５ｆ、及びＰＬＬ回路１０を共有する。 - 特許庁

In a method for designing a semiconductor integrated circuit, the film thickness of wiring is first modelled by a function including an area ratio (wiring data ratio) of wiring in a two-dimensional area where wiring is formed and an area ratio (non-wiring data ratio) of elements other than the wiring in the two-dimensional area as an independent variable (step S11).例文帳に追加

半導体集積回路設計方法において、まず、配線が形成された２次元領域における配線の面積割合（配線データ率）及びその２次元領域における配線以外の要素の面積割合（非配線データ率）を独立変数として含む関数により配線の膜厚をモデル化する（ステップＳ１１）。 - 特許庁

A controller 53, in the case that a circuit pressure of the independent attachment circuit 7 detected by a pressure sensor 5 rises to an excessive value, controls an electromagnetic proportional valve 57 in no relation to an operating signal of an operating lever 54 for the attachment, an opening area of the variable reducers 39, 40 of the diversion control valve 10 is controlled in a reducing direction.例文帳に追加

コントローラ53は、圧力センサ51により検出した独立アタッチメント回路７の回路圧が過大な値まで上昇した場合は、アタッチメント用操作レバー54の操作信号と関係なく電磁比例弁57を制御して、分流制御弁10の可変絞り39，40の開口面積を絞る方向に制御する。 - 特許庁

Common electrode lines C1, C2, C3... of the pixels having the same color layers arranged vertically are taken out in the vertical direction, and they are bundled at every color to be connected to CR, CG, CB, and independent variable power sources ER, EG, EB are connected to the CR, CG, CB, and applied voltages are adjusted respectively and independently.例文帳に追加

縦方向に配列されている同一色の色層を有する画素の共通電極線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３…を縦方向に引き出し、各色毎に束ねてＣＲ、ＣＧ、ＣＢに接続し、ＣＲ、ＣＧ、ＣＢには独立の可変電源ＥＲ、ＥＧ、ＥＢを接続し、それぞれに独立に印加する電圧を調整する。 - 特許庁

A root cause analysis block 112 reads a specific process model from the memory, uses a function, defining the process signal as an input, the rule base included in the process model 112 and the process signal as independent variables, and the root cause of the aberration as a dependent variable and determines a root cause of the aberration of the process model.例文帳に追加

根本原因分析ブロック112は、特定のプロセスモデルをメモリから読み出すとともにプロセス信号を入力とし、プロセスモデル112に含まれるルールベースとプロセス信号とを独立変数とし、異常の根本原因を従属変数とする関数を用いて、プロセスモデルの異常の根本原因を決定する。 - 特許庁

The capacity coupling type plasma processing device comprises an upper electrode divided into an inside upper electrode 60 and an outside upper electrode 62 in a radial direction, and a first and a second direct current voltages V_C, V_E independent of two variable DC power source 80, 82 are applied simultaneously to both of upper electrodes 60, 62.例文帳に追加

この容量結合型プラズマ処理装置は、上部電極を径方向で内側上部電極６０と外側上部電極６２とに二分割し、２つの可変直流電源８０，８２より独立した第１および第２直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eを両上部電極６０，６２に同時に印加するようにしている。 - 特許庁

When the preform of the variable vane 1 is formed by the a metal injection molding method, it is characterized in that burning is performed so as to finely and uniformly product independent bubbles and the injection molded preform is treated by hot hydrostatic pressure pressing so as to heighten the density of the preform.例文帳に追加

また金属射出成形法によって、可変翼１の素形材を形成する場合には、独立泡を細かく且つ均一に生成させるように焼結を行うとともに、射出成形された素形材に熱間静水圧プレス処理を施し、素形材の高密度化を図るようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

With the ion sheath of plasma effectively formed by the bias voltage, by a relative deposit on a processing face with a plasma CVD and ion infusion through the application of a negative DC pulse voltage, a control variable is increased to two by the independent control of the bias voltage and the DC pulse voltage, making the film forming efficiency and the film quality control compatible.例文帳に追加

バイアス電圧によりプラズマのイオンシースを効果的に生成してプラズマＣＶＤによる処理面に対する均一な堆積と、負の直流パルス電圧の印加によるイオン注入とにより、バイアス電圧と直流パルス電圧の独立的制御により制御変数が２つに増大して、成膜速度と膜質制御とを両立させることができる。 - 特許庁

The MEMS variable capacitor has such a configuration that a drive part 2 which is composed of a fixed electrode 21 and a movable electrode 23 in pairs and where the movable electrode 23 is oscillated to be driven by a drive signal and a capacitor 3 composed of the fixed electrode 31 and the movable electrode 33 in pairs are not only separately formed as an independent body but also disposed on a substrate 1 isolated from each other.例文帳に追加

ＭＥＭＳ可変キャパシタにおいて、固定電極２１と可動電極２３との対によって構成され、駆動信号により可動電極２３が振動駆動する駆動部２と、固定電極３１と可動電極３３との対によって構成されたキャパシタ部３とが、互いに分離した別体として形成され、かつ互いに離隔して基板上１に配置されている。 - 特許庁

The synchronous machine comprises a rotor coupled to a rotor cooling system; a stator around the rotor and separated from the rotor with an annular gap, between the rotor and the inner surface of the stator, wherein the annular gap has a variable thickness along the length of the gap; and a stator ventilation system independent of the rotor cooling system, wherein the stator ventilating system forces cooling gases through the annular gap.例文帳に追加

ロータ冷却システムに結合されたロータと、該ロータの周りに設けられ、その長さに沿って変化する厚さを有する、ロータとステータ内表面との間の環状ギャップによりロータから隔てられたステータと、環状ギャップを通して冷却ガスを強制的に流すようになっている、ロータ冷却システムとは独立したステータ通風システムとを含む同期機械が、開示される。 - 特許庁

In Lev (2001), as stated before, intellectual assets of companies are broadly categorized as R&D, organizational capital and human capital. Since R&D has long been studied in relation to corporate management, this analysis uses R&D, together with labor and capital, as an independent explanatory variable for corporate sales in a way that separates it from those that are not non-R&D intellectual assets.例文帳に追加

Lev（2001）において、前述したように、企業の知的資産を、R&D、組織上の資本及び人的資本とに大別しているが、R&Dについては従来より企業経営との関連で研究が行われているため、本分析では、労働及び資本と並んでR&Dを、非R&D知的資産以外と区別して、企業売上に対する独立した説明変数として使用している。 - 経済産業省

A variable gain amplifier circuit 1 comprises an output offset corrector 14, that corrects for damping fixed offset components which are independent of gain charges of an amplifier 11 among the DC offsets occurring at the output voltage of the amplifier part 11, and an input offset corrector 13 for correcting for damping the input offset component that changes, depending on the gain of the amplifier part 11.例文帳に追加

可変利得増幅回路１は、増幅部１１の出力電圧に生じるＤＣオフセットのうち、増幅部１１の利得の変化に依存しない固定オフセット成分を減衰する補正を行う出力オフセット補正部１４と、増幅部１１の利得に依存して変化する入力オフセット成分を減衰する補正を行う入力オフセット補正部１３とを備える。 - 特許庁