「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve performance of an element by forming an element isolation region having no recess in a semiconductor device having an SOI structure.例文帳に追加

本発明は、ＳＯＩ構造の半導体装置において、くぼみのない素子分離領域を形成し、素子の高性能化を図ることを目的とする。 - 特許庁

To prevent isolation of functional liquid and clogging of a nozzle when the functional liquid is ejected by surely cleaning a functional liquid drop ejection head.例文帳に追加

機能液滴吐出ヘッドを確実に洗浄して、機能液を吐出する際の機能液の分離やノズルの目詰まりを生じないようにする。 - 特許庁

To improve the performance of matching, isolation, an insertion loss, a phase difference (all of which can be expressed by normalized frequency) in wide band width.例文帳に追加

広い帯域幅において整合、アイソレーション、挿入損、位相差（いずれも正規化周波数で表わすことができる）性能を向上させること。 - 特許庁

As to a second isolation transistor 2, a third node /SN1 to be connected to the second memory cell is made to be one end and another end is set to a fourth node /SN0.例文帳に追加

第２分離トランジスタ２は、第２メモリセルに接続される第３ノード／ＳＮ１を一端とし且つ他端を第４ノード／ＳＮ０とする。 - 特許庁

Hereby, the element isolation oxide film 10 accumulated in the trench widens above the trench, and debots will not occur even by subsequent etchings.例文帳に追加

これにより、トレンチ内に堆積した素子分離酸化膜１０は、トレンチの上部で広がり、そ野後のエッチングによってもディボット２２が発生しない。 - 特許庁

Since the insulating layer 13 is formed on the bottom of the trench 5a, the lowering of the element isolation capacity and the increase of the floating capacity are suppressed.例文帳に追加

また、トレンチ５ａ底部には、絶縁層１３が形成されているため、素子分離能力の低下、および浮遊容量の増大が抑制される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of making a semiconductor substrate in a portion separated in an element isolation region low in resistance.例文帳に追加

素子分離領域で分離される部分の半導体基板を低抵抗化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the emitters of the plurality of first transistors are coupled to the common node through the respective isolation circuits, so the oscillator can be made compact.例文帳に追加

又、複数の第１トランジスタのエミッタがそれぞれのアイソレーション回路を介し共通ノードに結合されていることにより小型化が可能となる。 - 特許庁

This device comprises a plurality of trenches which are formed in a semiconductor substrate to define active regions, and an element isolation film filled in the trenches.例文帳に追加

この素子は半導体基板に形成されて活性領域を限定する複数個のトレンチと前記トレンチに満たされた素子分離膜とを含む。 - 特許庁

To provide a vibration isolation apparatus capable of detecting occurrence of an earthquake without needing an earthquake detection sensor nor stopping acceleration feedback loop control.例文帳に追加

地震検知センサを必要とせずに、加速度フィードバックループ制御を停止させることなく、地震の発生を検知する除振装置を提供する。 - 特許庁

To guide radioactive gas material in a reactor pressure vessel to a gas waste processing system after closing a main steam isolation valve during reactor shutdown.例文帳に追加

原子炉停止時、主蒸気隔離弁閉鎖後に原子炉圧力容器内の気体放射性物質を気体廃棄物処理系へ導出する。 - 特許庁

In the process for forming the sharp corner-free shallow trench isolation structure, first, an SiON layer and a mask layer are successively formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

シャープコーナーのないシャロートレンチ素子分離構造の製造工程では、先ず、SiON層とマスク層とを連続して半導体基板上に形成する。 - 特許庁

This EGR system 107 enables the removal and the isolation of at least one constituent within an exhaust gas flow 170 before the recirculation.例文帳に追加

ＥＧＲシステム（１０７）は、再循環前に排気流（１７０）内の少なくとも１つの成分の除去及び隔離を可能にすることができる。 - 特許庁

Depth d2 at the bottom face end part 5a of the trench 5 is set deeper than the depth d1 at the bottom face central part 5b, thus ensuring the isolation voltage.例文帳に追加

トレンチ５の底面端部５ａの深さｄ２は底面中央部５ｂの深さｄ１よりも深く形成され、絶縁耐圧を確保できる。 - 特許庁

A pattern of a masking layer for local oxidation of silicon 12 is formed on this substrate 11, and an element-isolation insulating film 13 is formed by selectively oxidizing the pattern.例文帳に追加

この基板１１上に選択酸化用のマスク層１２のパターンを形成し、選択的に酸化して素子分離絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

The pattern of a first conductive film 104 and an element isolation film 106 are formed on a semiconductor substrate 100 to form a dielectric film 108.例文帳に追加

半導体基板１００上に第１導電膜１０４のパターンと素子分離膜１０６を形成し、誘電体膜１０８を形成する。 - 特許庁

The isolation circuit 1 is used for electrically separating separate ground layers 11, 12 from each other, and includes a transformer 2 and ferrite beads 3-1, 3-2.例文帳に追加

アイソレーション回路１は、別々のグランド層１１，１２を電気的に分離する回路であり、トランス２とフェライトビーズ３−１，３−２とを備えている。 - 特許庁

To form lateral structured IGBTs and diodes for flywheels in a dielectric isolation type semiconductor device without increasing the chip area.例文帳に追加

誘電体分離型半導体装置において、ラテラル構造のＩＧＢＴとフライホイール用のダイオードをチップ面積の増大をきたさずに形成する。 - 特許庁

On the upper electrode sheet 21, an air vent hole 21A is formed for communicating the electrode isolation space to the internal space of the cushion part.例文帳に追加

上部電極シート（２１）には、電極隔離空間をクッション部の内部空間に連通させるためのエアベント穴（２１Ａ）が形成されている。 - 特許庁

To provide a switch circuit having a high isolation and high maximum input power without increasing the number of power sources and greatly increasing the chip area.例文帳に追加

電源数の増加やチップ面積の大幅な増加なく、高いアイソレーションかつ最大入力電力の大きなスイッチ回路を提供すること。 - 特許庁

A sealable air gap (14) is formed between a heating element (16) and a base (11) for improving the thermal isolation of a semiconductor heater (10).例文帳に追加

加熱素子（１６）とベース（１１）との間に可密閉エア・ギャップ（１４）を形成することにより、半導体ヒータ（１０）の熱絶縁を改善する。 - 特許庁

After that, the photoresist pattern PR2 is removed and the insulation film 6 is subjected to a CMP treatment to make parts of the insulation film 6 left in the isolation grooves 4.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンＰＲ２を除去した後、絶縁膜６が分離溝４内に残されるように絶縁膜６をＣＭＰ処理する。 - 特許庁

A vertical displacement negating means (a rack 6) is provided for negating vertical directional displacement of the upper structure part 2 in a base isolation restoring process.例文帳に追加

免震・復元過程における上部構造部２の上下方向の変位を打ち消す上下変位打消し手段（ラック６）が備えられている。 - 特許庁

The expansion and contraction body 1 constituting the vibration isolation device is set in a uniflow type having a reservoir R between an outer tube 14 and a cylinder body 11.例文帳に追加

免震装置を構成する伸縮体１が外筒１４とシリンダ体１１との間にリザーバＲを有するユニフロー型に設定される。 - 特許庁

According to this structure, the deep-trench isolation region blocks the propagation of crystalline defects generated in the logical operation circuit region into the memory storage region.例文帳に追加

これにより、深いトレンチ分離領域は、論理回路領域で発生した結晶欠陥が、メモリ記憶領域へ伝搬するのを阻止する。 - 特許庁

The semiconductor elements are separated from each other by shallow trench isolation (STI) 12 formed in the surface layer of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

これらの半導体素子は、半導体基板１０の表層に設けられたシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）１２により互いに分離されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing damage to an element isolation structure and a semiconductor substrate in melting fuse wiring.例文帳に追加

ヒューズ配線を溶断する際に素子分離構造や半導体基板に与えるダメージを抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To assure isolation among plural antenna elements provided in a radio apparatus to be ready for broad multiple uses and multiple functions of a small-sized radio apparatus.例文帳に追加

小型の無線装置の広範な多用途・多機能化に対応して、無線装置に設けられた複数のアンテナ素子間のアイソレーションを確保する。 - 特許庁

Consequently, even a shallow photodiode can suppress deterioration in sensitivity effectively and sufficient isolation function can be realized because the photodiode is shallow.例文帳に追加

これにより、浅いフォトダイオードでも感度低下を有効に抑制でき、かつ、フォトダイオードが浅いことにより、十分な素子分離機能が実現できる。 - 特許庁

A liner film 11 is formed continuously from the inside wall of an element isolation groove 2 over the source/drain regions 8 and the gate electrode 4.例文帳に追加

素子分離用溝２の内壁から、ソース・ドレイン領域８上およびゲート電極４上まで連続してライナー膜１１が形成されている。 - 特許庁

The disc springs 12 and the oil damper 14 are disposed integrally and vertical base isolation can be performed efficiently on the overall building.例文帳に追加

本発明によれば、皿ばね１２とオイルダンパー１４が一体的に配置され、建屋全体を効率的に上下免震化することができる。 - 特許庁

A polysilazane film as the second element isolation insulating film 32 is applied over the entire surface so as to embed the concave part 31v and is densified by thermal oxidation.例文帳に追加

第２素子分離絶縁膜３２としてのポリシラザン膜が窪み部３１ｖを埋めるように全面塗布され、熱酸化により緻密化される。 - 特許庁

A thin-film active layer is processed into a plurality of mesa shapes, and an isolation layer and a metalized layer having reflexivity are formed over the surface of the mesa.例文帳に追加

薄膜活性層を複数のメサ形状に加工し、そのメサの表面に反射性を有するアイソレーション層とメタライズ層を形成する。 - 特許庁

The genus dehalococcoides bacteria obtained by the isolation method are used for purifying underground water and/or soil polluted with ethylene chloride.例文帳に追加

この単離方法により得られるデハロコッコイデス属細菌は、塩素化エチレンにより汚染された地下水及び／又は土壌の浄化に使用される。 - 特許庁

N type electrically conductive films 4n which being field shield electrodes are formed in isolation trenches 2 specifying the active regions 40 of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の活性領域４０を規定する分離トレンチ２内にはフィールドシールド電極であるＮ型導電性膜４ｎが形成される。 - 特許庁

There is provided the general isolation of antigen-specific T-cells, in detail, the T-cells specific to the autoimmune antigen.例文帳に追加

本発明は一般に、抗原特異的Ｔ細胞およびより詳細には自己抗原に対し特異的なＴ細胞の単離方法に関する。 - 特許庁

To provide a multistage refiner requiring no concentration operation and solvent removing operation in the isolation and refining of the solute component in a solution.例文帳に追加

溶液中の溶質成分の単離精製において、濃縮操作、溶媒除去操作を必要としない多段階精製装置を提供する。 - 特許庁

The FET is located on an embedded oxide (BOX) layer 212 and formed into an SOI silicon island 210 insulated by STI(shallow trench isolation).例文帳に追加

ＦＥＴは、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層２１２上に位置しＳＴＩ（シャロウ・トレンチ分離）で絶縁されたＳＯＩシリコン・アイランド２１０に形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 5 and a silicon oxide film 2 are formed to cover the trench isolation region, and a memory cell region is exposed by patterning them.例文帳に追加

トレンチ分離領域を覆うようにシリコン窒化膜５およびシリコン酸化膜２を形成し、これらをパターニングしてメモリセル領域を露出させる。 - 特許庁

Diodes D311 to D313, resistors R311 and R312, a capacitor C311 and an isolation amplifier InsOP measure the peak values of respective voltages of a three-phase alternating current.例文帳に追加

ダイオードＤ311〜Ｄ313、抵抗Ｒ311、Ｒ312、コンデンサＣ311および絶縁アンプＩｎｓＯＰは、三相交流の各相電圧のピーク値を測定する。 - 特許庁

To provide radio communication equipment which has high isolation between two independent antennas even if both the antennas are disposed close to each other.例文帳に追加

２つの独立したアンテナを近接して配置した場合においても、両アンテナ間において高いアイソレーションをもつ無線通信機を提供する。 - 特許庁

During isolation process in the serial/parallel conversion circuit 102, the port boundary of the multiplexed serial data is detected, based on the comma sign.例文帳に追加

シリアル−パラレル変換回路１０２における分離処理時に、多重されたシリアルデータのポート境界を上記のコンマ符号をもとに検知する。 - 特許庁

To provide a compact semiconductor switch whose isolation is high capable of using the on/off operation of a semiconductor element for switching.例文帳に追加

半導体素子のオンオフ動作をスイッチングに用いた半導体スイッチにおいて、小型でアイソレーションの高い半導体スイッチを得ることを目的とする。 - 特許庁

A vibration isolation means is provided between the buffer cassette 5 constituted to tilt freely and the stopper 57 for regulating the horizontal attitude of the buffer cassette 5.例文帳に追加

ところが、このバッファカセットを傾動させるときに、ストッパとの当接で衝撃が生じ、該バッファカセット内のウエハが位置ズレを起こしてしまう。 - 特許庁

To provide identification and isolation of a novel DNA, recombinant production of a novel polypeptide encoded by the DNA, and application of the polypeptide.例文帳に追加

新規なＤＮＡの同定及び単離、及び該ＤＮＡによりコードされる新規なポリペプチドの組換え生産と該ポリペプチドの用途を提供する。 - 特許庁