「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an easy isolation facility which is safe and highly airtight, and can singly respond to from an easy treatment to a high-level medical site or infection countermeasure.例文帳に追加

安全で高い気密性を備え、一つで簡易治療から高度な医療現場や感染対策まで対応できる簡易の隔離設備を提供する。 - 特許庁

To obtain a non-reciprocal circuit element capable of preventing a center frequency of isolation from being varied, by excluding influences of mount position deviation upon a circuit board of ferrite.例文帳に追加

フェライトの回路基板に対する実装位置ずれの影響を排除してアイソレーションの中心周波数の変化を防止できる非可逆回路素子を得る。 - 特許庁

To provide the base isolation structure of a nuclear fuel storage facility, which enables to automatically return a nuclear fuel storage rack that slides in case of an earthquake, to its original position.例文帳に追加

地震時に滑動する燃料貯蔵用ラックを自動的に元の位置に戻すことを可能にする核燃料貯蔵施設の免震構造を提供する。 - 特許庁

A support structure 140 of the imprint template holder 110 and/or the substrate holder 120 is attached to a vibration isolation system 150 attached to a base 160.例文帳に追加

インプリントテンプレートホルダ１１０および／または基板ホルダ１２０の支持構造１４０は、基部１６０に取り付けられた振動絶縁システム１５０に取り付けられる。 - 特許庁

An end of an upper face of the element isolation insulating layer 51 adjacent to the floating electrode layer 32 is positioned in a level lower than the upper face of the floating electrode layer 32.例文帳に追加

浮遊電極層３２に隣接する素子分離絶縁層５１の上面の端部は、浮遊電極層３２の上面よりも低い高さに位置する。 - 特許庁

The upper face of the element isolation insulating layer 51 has an inclination TL ascending toward a side of the floating electrode layer 42 from a side of the floating electrode layer 32.例文帳に追加

素子分離絶縁層５１の上面は、浮遊電極層３２の側面から浮遊電極層４２の側面へ向かって上昇する傾斜ＴＬを有する。 - 特許庁

On an LOCOS insulating film 13 covering the element isolation region 12, a plurality of polysilicon layers 15A, 15B and 15C are formed as fuse wiring.例文帳に追加

素子分離領域１２を覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３上には、ヒューズ配線として複数のポリシリコン層１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが形成されている。 - 特許庁

The solid-state imaging device is composed by including a substrate 19, pixels 2 formed on the substrate 19, and a multistage element isolation layer 31 for isolating the adjacent pixels from one another.例文帳に追加

基板１９と、基板１９に形成された画素２と、隣接する画素間を分離する多段素子分離層３１とを有して構成されている。 - 特許庁

To reduce an earthquake load acting on a structure in earthquakes, while securing the sound isolation performance of a floor slab and the like in normal times.例文帳に追加

例えば床スラブ等における平常時の遮音性能を確保しながら、地震時に構造物に作用する地震力を低減することを可能にする。 - 特許庁

To provide a damping device demonstrating a high base isolation effect with respect to a normal seismic wave, and suppressing resonance due to long period earthquake motions.例文帳に追加

通常の地震波に対して高い免震効果を発揮し、かつ、長周期地震動による共振を抑制する減衰装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device has an insulating film (oxide film) formed selectively only between STI element isolation and the PN-junction of the source/drain regions.例文帳に追加

その半導体装置では、ＳＴＩ素子分離とソース／ドレイン領域のＰＮ接合部分の間のみに選択的に絶縁膜（酸化膜）を形成している。 - 特許庁

To reduce loss of capacitive coupling by removing an insulating film remaining on sidewalls, when back-etching the insulating film in an element isolation groove of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の素子分離溝内の絶縁膜をエッチバック処理したときに側壁に残存する絶縁膜を除去して容量カップリングのロスを低減する。 - 特許庁

A silicon oxide film is etched by wet etching, while using the resist 10a as a mask so as to remove the element isolation insulating film remaining on the sidewalls on each trench 1a.例文帳に追加

レジスト１０ａをマスクとしてウェットエッチングでシリコン酸化膜をエッチングしてトレンチ１ａ内の側壁に残存する素子分離絶縁膜を除去する。 - 特許庁

To provide an electronic circuit unit that easily secure isolation of a high-frequency circuit while forming grounding lands in shapes for suppressing heat dissipation.例文帳に追加

接地用ランドを放熱が抑制できる形状に形成しつつ高周波回路のアイソレーションが確保しやすい電子回路ユニットを提供すること。 - 特許庁

To obtain an ESD protection element having a shallow trench isolation structure with an efficient ESD protection function without greatly increasing an occupied area.例文帳に追加

占有面積の大きな増加なく、十分なＥＳＤ保護機能を持たせたシャロートレンチ分離構造を有するＥＳＤ保護素子を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a shunt switch in which isolation can be improved, and provide a semiconductor device, a module and electronic equipment in which that shunt switch is built-in.例文帳に追加

アイソレーションを向上させることの可能なシャントスイッチ、並びにそのシャントスイッチを内蔵した半導体デバイス、モジュールおよび電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an upper frame base isolation supporting structure for a jib crane, capable of efficiently reducing a load to be transmitted from an upper frame to a jib when earthquake occurs.例文帳に追加

地震発生時に上部フレームからジブへ伝達される荷重を効率良く低減し得るジブクレーンの上部フレーム免震支持構造を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 4 and a first conductive film 5 are formed on an upper surface of a silicon substrate 1 and are etched, and an element isolation insulating film 2 is buried and formed.例文帳に追加

シリコン基板１の上面にゲート絶縁膜４、第１の導電膜５を形成し、これらをエッチングして素子分離絶縁膜２を埋め込み形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, which can suppress stress distortions and crystal defects in an end part of an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の端部における応力ひずみの発生及び結晶欠陥発生を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Finally, the insulation layer 300a in the shallow trench tank is planarized, and the height of the insulation layer 300a is made substantially equal to that of the first isolation layer 140.例文帳に追加

最後に、浅溝槽内の絶縁層３００ａを平坦化し、絶縁層３００ａの高さと第１遮断層１４０の高さをほぼ等しくする。 - 特許庁

To provide a phase isolation bus which has solved the problem of breakdown of a conductor supporter, resulting from corona discharge and thermal expansion of a conductor.例文帳に追加

コロナ放電並びに導体の熱膨張に基づく導体支持体の破損の問題などが解消された相分離母線を提供することを課題とする。 - 特許庁

A recessed part 22 is provided on an upper surface of a part of the element isolation region 11 sandwiched between the active region 10a and active region 10b.例文帳に追加

素子分離領域１１のうち活性領域１０ａと活性領域１０ｂとで挟まれた部分の上面には凹部２２が設けられている。 - 特許庁

The chitosanase is obtained by isolation and refining from at least one cultured product of Aspergillus oryzae, Aspergillus japonicus and Aspergillus sojae.例文帳に追加

アスペルギルス・オリザエ（Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｏｒｙｚａｅ）、アスペルギルス・ジャポニクス（Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｊａｐｏｎｉｃｕｓ）、アスペルギルス・ソジャエ（Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｓｏｊａｅ）の少なくとも１種の培養物から分離精製されるキトサン分解酵素。 - 特許庁

Furthermore, a barrier for isolation is not provided between the pair of photodiodes 101-1, 101-2 and cross talk of sensitivity is provided.例文帳に追加

さらには、前記一対のフォト・ダイオード１０１−１、１０１−２間には隔離のための障壁を設けず、感度のクロストークを持たせることで、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加

２次に亘るウェットエッチング工程により、ＣＭＰ工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Finally, no reaction portion of the salicide precursor is removed, while preserving the portion of the salicide precursor on the isolation region as the main body of the thermistor.例文帳に追加

最後に、分離領域上のサリサイド前駆体の部分をサーミスタの本体として保存しつつ、サリサイド前駆体の無反応部分の除去が行われる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which lowering of reliability due to poor gate insulation film of an element isolated by an element isolation strip can be prevented.例文帳に追加

素子分離帯により分離される素子のゲート絶縁膜の不良による信頼性の低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The underground structure execution method is provided to perform execution work for base isolation, waterproofing, prevention of a crack, dispersion of a load or reinforcement around an underground structure.例文帳に追加

地下構造物の周囲に免震、防水、亀裂防止、荷重分散あるいは補強の施工を行うようにした地下構造物の施工方法とした。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the substrate 1 is thermally oxidized in a dry oxidizing atmosphere which is reduced in oxygen concentration, and an element isolation thermal oxide film 5 is formed on the groove (i).例文帳に追加

その後、（ｉ）にてドライ酸化雰囲気中で酸素濃度を希釈して基板１の表面を熱酸化し、溝部分に素子分離熱酸化膜５を形成する。 - 特許庁

In this element, an active region 54 is defined by arranging a plurality of isolation films 52 and 53 in parallel at a constant interval in a specified region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

この素子は、半導体基板の所定領域に複数の素子分離膜５２，５３が一定間隔に平行に配置されて活性領域５４を画定する。 - 特許庁

To provide a multichannel coaxial type rotary joint having a plurality of choke structures whose isolation characteristics have been improved without causing passage characteristics to degrade.例文帳に追加

通過特性を劣化させずにアイソレーション特性を向上させた複数のチョーク構造を有する多チャンネル同軸形ロータリージョイントを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light receiving device in which the electrostatic breakdown and the surface inversion of an isolation region are eliminated while enhancing light receiving sensitivity.例文帳に追加

受光感度の向上を図りつつ、静電気による静電破壊や素子分離領域の表面反転の生じない半導体受光装置を提供する。 - 特許庁

A character region 62 containing a character part 61 is extracted from image data shown by a plurality of color components by using a region isolation processing part 8.例文帳に追加

複数の色成分で表される画像データから文字部分６１を含む文字領域６２が、領域分離処理部８によって抽出される。 - 特許庁

To provide a process that can obtain cephem compounds stably in high yield without isolation of unstable compounds that occur in the conventional cephem production process.例文帳に追加

従来の方法で生ずる不安定な化合物を単離することなく、安定にしかも高収率で一般式（３）のセフェム化合物を得る方法を提供する。 - 特許庁

Isolation can be provided by vacuum or a suitable material, and a phase change material can be located adjacent to electronic circuitry to maintain a low temperature.例文帳に追加

隔離は、真空または適切な材料により提供でき、低温を維持するために相変化材料を電子回路に隣接して設置することができる。 - 特許庁

The semiconductor device has an isolation region 20, that is insulated from both a low potential circuit region 10 and a high potential circuit region 30.例文帳に追加

半導体装置は、低電位回路領域１０と高電位回路領域３０の双方から絶縁分離されている分離領域２０を有している。 - 特許庁

In the peripheral circuit section, a resistive element 7a is provided comprising the second gate electrode material via the first insulating film 6 on the element isolation insulating film 2.例文帳に追加

周辺回路部において、素子分離絶縁膜２上に第１の絶縁膜６を介して第２のゲート電極材からなる抵抗素子７ａとを備える。 - 特許庁

Since the conductive layers 304 and 305 are provided on both isolation regions 303b and 303a, difference in diffusion of minority carriers from the well contact to the photodiode (diffusion layer) is suppressed.例文帳に追加

素子分離領域303b，303a上の両方に導電層304，305を設けることで、ウエルコンタクトからフォトダイオード（拡散層）への少数キャリアの拡散の差を少なくする。 - 特許庁

Signals for canceling the feedback signals are inputted into input terminals via the feedback capacitors 7a and 7b, respectively, whereby it is possible to enhance the feedback isolation characteristic of the differential amplifier.例文帳に追加

帰還用キャパシタ７ａ，７ｂを介して、帰還信号を打ち消す信号が入力端子に入力されるので、帰還アイソレーション特性が向上する。 - 特許庁

Further a thick oxide film 44 on the side surface of the trench 42 for element isolation and a thin gate oxide 45 on the side surface of the gate trench 43 are formed simultaneously.例文帳に追加

さらに、素子分離用トレンチ４２の側面に厚い酸化膜４４を、また、ゲートトレンチ４３の側面に薄いゲート酸化膜４５を同時に形成する。 - 特許庁

To secure isolation between ON and OFF of a transmission pulse in simple configuration and to satisfy a specification required for suppressing an unwanted signal on a time base.例文帳に追加

簡単な構成にして送信パルスのオン／オフ間のアイソレーションの確保及び時間軸上の不要信号の抑制について要求される仕様を満足させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with changed element isolation structure with improved carrier migration property, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は改良されたキャリア移動性を有する変更された素子分離構造を備える半導体素子とその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a high frequency module having: a circuit for suppressing unnecessary emission; and a structure which can ensure isolation of a device on the output side.例文帳に追加

不要放射を抑圧する回路とモジュール出力側のデバイスのアイソレーションを確保できる構造を有する高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁

The second clock signal is used as an input to a suitable clocked circuit of a type that benefits from optical isolation, such as an analog-to-digital converter (ADC).例文帳に追加

第２のクロック信号は、アナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）などの光絶縁から恩恵を受けるタイプの適当なクロック回路への入力として使用される。 - 特許庁

Then, a dielectric film and a conductive film for control gates are formed sequentially stacked in this order on the total structure including the element-isolation insulating film 122.例文帳に追加

その後、素子分離用絶縁膜１２２を含んだ全体構造上に誘電体膜およびコントロールゲート用導電膜を順次積層して形成する。 - 特許庁