「Lattice energy」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An RF electric power is applied to a substrate holder while preventing damage of a strain lattice film to be formed by an oxygen negative ion and an epitaxial strain lattice having excellent crystallizability is formed by irradiation with a positive ion having a proper energy.例文帳に追加

形成される歪格子膜の酸素負イオンによる損傷を防止しながら、基板ホルダーにRF電力を印加して、適切なエネルギを有する正イオンの照射により、結晶性の良いエピタキシャル歪格子を形成させる。 - 特許庁

a quantum of energy (in a crystal lattice or other system) that has position and momentum and can in some respects be regarded as a particle 例文帳に追加

位置と運動量を持ち、ある観点からは粒子と見なすことができるエネルギー（結晶格子または他のシステムの）の量子 - 日本語WordNet

To inexpensively produce a lattice plate made of a thermoplastic synthetic resin having an arbitrary size with good productivity by reducing energy cost.例文帳に追加

熱可塑性合成樹脂製格子板を、任意な大きさで、生産性良く、エネルギ−コストを削減して安価に製造する。 - 特許庁

For a great earthquake, transition of an energy absorbing means occurs from the high damping rubber 34 to a lattice material 28.例文帳に追加

また、大きい地震の場合は、高減衰ゴム３４からラチス材２８へエネルギ吸収手段が移行される。 - 特許庁

Lattice polarization and energy level are kept unchanged, and electrical conduction is realized without change in the energy level, and it becomes possible to realize the superconductivity.例文帳に追加

格子偏極もエネルギー準位も何も変わらず、エネルギーレベルの変化なしで電気伝導が可能になり、超伝導が実現することを特徴とする超伝導材料である。 - 特許庁

Since the interaction of the coarse lattice nonwoven fabrics 5 and that of the fine lattice nonwoven fabrics 4 are sufficiently obtained when an impact is applied to the sandwich structure 1, the elastic modulus and impact energy absorbing characteristics of the sandwich structure 1 are enhanced.例文帳に追加

サンドイッチ構造体１に衝撃が加わった際における粗格子不織布５同士の相互作用、および微細格子不織布４同士の相互作用が充分に得られるので、サンドイッチ構造体１の弾性率および衝撃エネルギー吸収特性が高くなる。 - 特許庁

In addition, the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the first semiconductor layer 101 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the first semiconductor layer 101, and the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the third semiconductor layer 103 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the third semiconductor layer 103.例文帳に追加

加えて、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１とバンドギャップエネルギーが異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３とバンドギャップエネルギーが異なる。 - 特許庁

The diffraction lattice layer 25 has a lamination structure where a layer 25a having smaller band gap energy EG1 than band gap energy EGp of the adjoining clad layers 24 and 26 and a layer 25b having larger band gap energy EG2 than the band gap energy EG1 are stacked alternately, and the layer 25a is formed at a layer thickness Lclad where no ground state of the hole exists.例文帳に追加

回折格子層２５は、隣接したクラッド層２４，２６のバンドギャップエネルギーＥＧｐより小さいバンドギャップエネルギーＥＧ１を有する層２５ａと、ＥＧ１より大きいバンドギャップエネルギーＥＧ２を有する層２５ｂとが交互に積層された積層構造を有し、層２５ａはホールの基底準位が存在しない層厚Ｌcladに形成される。 - 特許庁

The compressive stress varies a vibration mode of a nano crystal lattice to shift the energy position of a corresponding raman phonon band higher or lower, which can be read by a spectroscopic means.例文帳に追加

該圧縮応力は、ナノ結晶格子の振動モードを変化させ、分光学的手段により読み取り可能である、対応するラマンフォノンバンドのエネルギー位置を上下にシフトさせる。 - 特許庁

A higher energy density is achieved by employing black lead having an average lattice spacing of (002) surface of 0.335 to 0.337 nm for an active material of a negative electrode that constitutes the lithium-ion capacitor.例文帳に追加

リチウムイオンキャパシタを構成する負極の活物質に、002の平均格子面間隔が0.335〜0.337nmの黒鉛を使用することで高エネルギー密度化を図ることができる。 - 特許庁

An energy band gap of the contact layer is greater than at least that of the photoelectric conversion layer, and the contact layer is lattice-matched with the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

コンタクト層のエネルギーバンドギャップは少なくとも光電変換層のエネルギーバンドギャップより大きく、また、コンタクト層は光電変換層と格子整合している。 - 特許庁

Since the interaction of the coarse lattice nonwoven fabrics 5 is sufficiently obtained when an impact is applied to the sandwich structure 1, the elastic modulus and impact energy absorbing characteristics of the sandwich structure 1 are enhanced.例文帳に追加

サンドイッチ構造体１に衝撃が加わった際における粗格子不織布５同士の相互作用が充分に得られるので、サンドイッチ構造体１の弾性率および衝撃エネルギー吸収特性が高くなる。 - 特許庁

Refined rules for designing quantum-splitting phosphors include the requirement of incorporation of Gd^3+ and Mn^2+ in the host lattice for facilitation of energy migration.例文帳に追加

量子分裂型蛍光体を設計するための改善された規則によれば、エネルギーの移動を容易にするため、ホスト格子中にＧｄ^3+及びＭｎ^2+を組込むことが要求される。 - 特許庁

It is considered that the oxidation and reduction reaction of A ions in the crystal lattice contribute to potential enhancement, so that a positive electrode active material by the use of the solid solution and the nonaqueous electrolyte secondary battery using it can realize high energy density.例文帳に追加

そして、結晶格子中のＡイオンの酸化還元反応が高電位化に寄与すると考えられるので、前記固溶体による正極活物質及びそれを用いた非水電解質二次電池は、高エネルギー密度化が可能となる。 - 特許庁

To obtain a high current gain by enabling ΔEg (energy gap difference between the emitter layer and the base layer) to be set large, without inviting lattice mismatch.例文帳に追加

格子不整合を招くことなくΔＥｇ（エミッタ層とベース層のエネルギーギャップの差）を大きく設定することができ、それによって高い電流利得率を得ることのできるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

The optical absorption layer 103 has a band gap energy corresponding to a wavelength of targeted light, is composed of a semiconductor with a lattice constant different from that of the substrate 101, and has distortion.例文帳に追加

光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。 - 特許庁

By providing a channel with a curved closed underdrain cross-section provided in a lattice-like configuration, kinetic energy of gas phase heating medium injection is converted efficiently into motive power without being affected by the external gas.例文帳に追加

閉塞暗渠断面の湾曲した流路を格子状に設けたことにより、気相熱媒体の噴射による運動エネルギーを外部気体の影響を受けずに効率良く動力に変換することが出来るものである。 - 特許庁

A lattice constant of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is small than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103, while a band-gap energy of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is larger than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103.例文帳に追加

また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁

The second low-resistance layer 111 is made of a dislocation layer of C54 or the like in which the lattice structure of the first low-resistance layer 111a is dislocated by thermal energy, and it is lower in electric resistance than the first low-resistance layer 111a.例文帳に追加

第２低抵抗層１１１は、第１低抵抗層１１１ａの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるＣ５４等の転位層であり、第１低抵抗層１１１ａより電気抵抗が低い。 - 特許庁

In this case, a plane view shape of the upper electrode 33 is like a net (where, like a square lattice) and the energy loss suppression portions 34 satisfy respective apertures (meshes) of the net-like upper electrode 33.例文帳に追加

ここにおいて、上部電極３３の平面視形状が網状（ここでは、正方格子状）であり、エネルギ損失抑制部３４が上記網状の上部電極３３の各開口部（網目）に満たされている。 - 特許庁

To inhibit defects such as lattice cracks, resin peeling, deformation or the like at the time of demolding in a shaping method of a composite optical resin by a light energy-hardening resin.例文帳に追加

光エネルギー硬化型樹脂による複合型光学樹脂の成形方法において、離型時の格子欠け、樹脂剥離、変形等の不良を防止する。 - 特許庁

In the layer 5, the composition of the GaInNAs is adjusted to make lattice match with the substrate 1, and band gap energy is reduced, to reduce contact resistance between the contact layer and the electrode.例文帳に追加

コンタクト層５は、ＧａＩｎＮＡｓの組成を調整して、ｎ−ＧａＡｓ基板１に格子整合し、かつバンドギャップエネルギーを小さくしてコンタクト層と電極との接触抵抗を低減している。 - 特許庁

If the Jacobian is inadequate, a multipurpose optimization judging part 15 calculates strain energy of a virtual spring coupling a calculation lattice and it deforms the virtual object model so as to optimize by using the strain energy and the Jacobian as multipurpose functions.例文帳に追加

ヤコビアンが不適当である場合、多目的最適化判断部15は、計算格子を結合する仮想ばねのひずみエネルギーを算出し、該ひずみエネルギーおよびヤコビアンを多目的関数として最適化するように仮想物体モデルを変形する。 - 特許庁

A substrate provided with a bottom semiconductor film 12 including a lattice constant of which difference from the lattice constant of a semiconductor film 13 is within 10%, as well as including band gap energy smaller than that of the semiconductor film 13, in a bottom layer of an etching region 14 of the semiconductor film 13 is dipped in etching solution.例文帳に追加

半導体膜１３のエッチング領域１４の下層に、半導体膜１３のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有するとともに、半導体膜１３の格子定数との差が１０％以内の格子定数を有する下地半導体膜１２を設けた基板を、エッチング液に浸漬する。 - 特許庁

The energy-band-modifying layer includes at least one non-semiconductor molecular layer constrained within a crystal lattice adjacent to the base semiconductor portion so that the superlattice has higher charge carrier mobility in the parallel direction than a case without the superlattice.例文帳に追加

前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。 - 特許庁

As an energy for raising the waterproofing plate, water reversely flowing through a rainwater drain pipe from the downstream side as the water is increased or water flowing down from the lattice cover of a rainwater catch basin installed near the plate is led to the lower part of a pit through the drain pipe to raise the waterproofing plate by the buoyancy of the floating body placed in the pit.例文帳に追加

防水板を立ち上げるエネルギーとして、増水につれて下流より雨水排水管を逆流してくる水、又は近傍に設けた雨水排水桝の格子蓋より流れ落ちる水を排水管にてピットの下部より導き、該ピットに載置した浮体の浮力により防水板を立ち上げる。 - 特許庁

Hereby, the detector behaves as if it has no lattice defect, and gamma detection is performed in this state, and energy resolution is temporarily recovered.例文帳に追加

放射線損傷を受けたＧｅ検出器に規定電圧をかけ、強いガンマ線源を検出器の近くに置き、十分多くの電子・空孔対を生成させると、これらが格子欠陥に取り込まれ、あたかも格子欠陥がなくなったかのような振る舞いをするようになる。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element in which current density is enhanced by constituting a current layer having band gap energy lower than that of a light emitting layer abutting against the light emitting layer, and a current layer having band gap energy higher than that of the light emitting layer of any one of quantum well, quantum lattice, or quantum dot structure, and dopant is prevented from advancing into the light emitting layer.例文帳に追加

本発明は、発光層に当接する発光層よりバンドギャップエネルギーの小さい電流層、発光層よりバンドギャップエネルギーの大きい電流層を量子井戸、量子格子、又は量子ドット構造のいずれかで構成して電流密度を高くし、発光層に不純物が進入することを防止した光半導体素子を提供することにある。 - 特許庁

A high luminance stress light-emitting material is a substance composed of at least one aluminate salt having a non-stoichiometric composition and having a lattice defect which emits light when the carrier having been excited by a mechanical energy returns to the ground state or a substance containing a rare earth metallic ion or a transition metallic ion as the center ion of the luminescence center in this host substance.例文帳に追加

非化学量論的組成を有するアルミン酸塩の少なくとも１種からなり、かつ機械的エネルギーによって励起されたキャリアーが基底状態に戻る際に発光する格子欠陥をもつ物質、又はこの母体物質中に希土類金属イオンや遷移金属イオンを発光中心の中心イオンとして含む物質からなる高輝度応力発光材料とする。 - 特許庁

Recovery strain energy becomes large with structure-controlled interaction between local strain and lattice strain in the alloy matrix phase developed at the forming time of the precipitations of carbide or nitride of V or Ti, and thus the shape recovery ratio of the ferrous shape memory alloy tube is clearly improved, and the strength can drastically be improved with the precipitation strengthening action.例文帳に追加

Ｖ、Ｔｉの炭化物や窒化物などの析出物の形成時に生じる局所歪みと合金母相の格子歪との間で、組織制御された相互作用により、回復歪エネルギーが大きくなって、鉄系形状記憶合金管の形状回復率を明瞭に向上させ、析出強化作用により強度をも顕著に向上させることが可能となった。 - 特許庁

Because N is added to the layer 4, lattice constant is small and wavelength is long, in addition, band gap energy is small because of the large electronegativity of N, and band discontinuity in a conduction band increases, overflow in implanted carrier remarkably decreases, and temperature characteristics are improved, as compared with a light emitting device where a GaInAsP/InP based material that is a conventional material is used.例文帳に追加

活性層４は、Ｎが添加されたことにより、格子定数が小さく、波長が長波長となり、また、Ｎがその電気陰性度が大きいことにより、バンドギャップエネルギーが小さく、かつ、伝導帯のバンド不連続が大きくなり、従来の材料系であるＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた発光素子に比べて、注入キャリアのオーバーフローが激減し、温度特性が向上している。 - 特許庁

This semiconductor laser is provided with an active layer 51 formed on a semiconductor substrate 49, a pair of cleaved end surfaces 55 that are formed by cleaving a wafer comprising the active layer 51, and a window layer 50 that is formed on at least one of the cleaved end surfaces 55 and has the band gap energy larger than that of the active layer 51 and the lattice constant smaller than that of the active layer 51.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、半導体基板４９上に形成された活性層５１と、上記活性層５１を有するウエハを劈開することにより形成された一対の劈開端面５５と、少なくとも一方の上記劈開端面５５上に形成され上記活性層５１より大きいバンドギャップエネルギーを有しかつ上記活性層５１より格子定数が小さい窓層５０と、を備える。 - 特許庁

This structure absorbing impact energy at the upper part of the car body of an automobile comprises the structure member of a car body; interior trims arranged at intervals internally of the car room of the structure member; at least one vertical rib 22 and a plurality of horizontal ribs 24; and lattice-form resin ribs 14 arranged at intervals of the distance.例文帳に追加

車体の構造部材と、この構造部材の車室内方に間隔をおいて配置される内装材と、少なくとも１つの縦リブ（２２）及び複数の横リブ（２４）を有し、前記間隔内に配置される格子状樹脂リブ（１４）とを備える自動車の車体上部において衝撃エネルギを吸収する構造である。 - 特許庁