「Li-N」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The thickness of the lithium film 28 is set at such a thickness that the incident proton beam loses its energy to a threshold value of the Li(p, n) reaction or lower before being output from the lithium film 28.例文帳に追加

リチウム薄膜２８の厚さを、入射した陽子ビームが当該リチウム薄膜２８から出射するまでの間に、そのエネルギーがLi(p,n)反応の閾値以下に低下させる厚さに設定する。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

The error Ej of the focus pixel is stored as a value obtained by adding Li and 2N-K/2 being an error bias D.例文帳に追加

フォーカスピクセルの誤差Ｅ_jは、Ｌ_iと誤差バイアスＤである２^N-K／２を加算したものとして記憶される。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

During cooling of the structure 15 and 17 produced in this way, the Li(Al, Ga)O_x substrate 7 completely or largely flakes off the III-N layers 15, or residues 7' can be removed if necessary, by using etching liquid, such as aqua regia.例文帳に追加

このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 - 特許庁

Alternatively, the BeMgZnSe clad layer or the ZnMgSSe clad layer is doped with Cl, Br, or I as an n-type dopant together with Li as a p-type dopant, wherein the ratio of Cl, Br, or I to Li is set at 0.1 to 0.7:1.例文帳に追加

またはｐ型ドーパントであるＬｉに、ｎ型ドーパントのＣｌ、Ｂｒ、Ｉを０．１〜０．７の割合でＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層あるいはＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に共ドープする。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond contains Li and N in an amount of ≥10 ppm, respectively, at the same depth from the crystal surface and has a sheet resistance of ≤10^7 Ω/square.例文帳に追加

本発明のｎ型半導体ダイヤモンドは、ＬｉとＮが結晶表面から同じ深さにそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有しており、シート抵抗が１０^７Ω／□以下である。 - 特許庁

A luminance comparison part 26 calculates the luminance mean value Lx of the whole image data and luminance mean values Li (i=1 to n) of the respective pieces of partial image data.例文帳に追加

輝度比較部２６は、画像データ全体の輝度平均値Ｌｘと、各部分画像データの輝度平均値Ｌｉ（ｉ＝１〜ｎ）とを算出する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a positive electrode mix containing a positive active material and lithium carbonate and an electrolyte containing LiPF6 and further at least one kind selected from the groups of LiBF4, imide-based lithium salt and Li(C2F5)nPF6-n (n=1 to 6).例文帳に追加

非水電解質二次電池において、正極合剤が正極活物質と炭酸リチウムを含み、電解液がＬｉＰＦ_6を含み、さらにＬｉＢＦ_4、イミド系リチウム塩、Ｌｉ（Ｃ_2Ｆ_5）_nＰＦ_6-n（但し、ｎ＝１〜６）からなる群から選ばれた少なくとも一種を含む。 - 特許庁

The location of the defective part of a relay transmission system 100, having plural relay systems Yi(i=1 to n) serially connected through outgoing transmission lines Li(i=0 to n) and incoming transmission lines Ui(i=0 to n) is executed by a maintenance testing device X and a maintenance return device Z.例文帳に追加

下り伝送路Ｌ_i （ｉ=０、〜ｎ）と上り伝送路Ｕ_i （ｉ=０、〜ｎ）により直列接続された複数の中継装置Ｙ_i （ｉ=１、〜ｎ）を有す中継伝送システム１００の障害箇所の特定を、保守試験装置Ｘと保守折返装置Ｚとで実行する。 - 特許庁

In the formula, XI is a halogen ion or a pseudo-halogen ion other than a cyanate ion; LI is an arbitrary ligand different from XI; n is an integer of 3-5; and m is an integer of -4 to +1.例文帳に追加

（Ｉ）［ＩｒＸ^I_nＬ^I_(6-n)］^m-（Ｘ^Iは、ハロゲンイオンまたはシアン酸イオン以外の擬ハロゲンイオンを表す。Ｌ^IはＸ^Iとは異なる任意の配位子を表す。ｎは３〜５の整数を表す。ｍは−４〜＋１の整数を表す。） - 特許庁

In the corrosion prevention method for a metal thermal spraying face, the thermal spraying face of metal selected from zinc, aluminum and a zinc/aluminum pseudo alloy is coated with an alkali aqueous solution consisting mainly of an alkali silicate (M_2O-nSiO_2); wherein, M is any one element selected from Na, K, Li and Cs, and also, n is 1 to 5.例文帳に追加

亜鉛、アルミ、及び亜鉛／アルミ擬合金から選択される金属溶射面に、ケイ酸アルカリ（Ｍ_２Ｏ・ｎＳｉＯ_２）〔但し、式中Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃｓのいずれかであり、かつｎは、１乃至５である。 - 特許庁

This solar cell 100 includes: a p-type semiconductor layer 7 formed of nickel oxide doped with Li, and formed by a sputtering method; and an n-type oxide semiconductor layer 3 joined to the p-type semiconductor layer 7.例文帳に追加

Ｌｉによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたｐ型半導体層７と、該ｐ型半導体層７と接合したｎ型酸化物半導体層３と、を備える太陽電池１００。 - 特許庁

The protective film treating agent is obtained by incorporating an alkali silicate to be represented by the formula: M_2O.nSiO_2 [wherein n is a number of 2-9; and M is at least one kind of Na, K, Li, and NR_4 (wherein R is an alkyl group)] into water.例文帳に追加

式Ｍ_2Ｏ・ｎＳｉＯ_2（式中、ｎは２〜９の数を表し，ＭはＮａ，Ｋ，ＬｉおよびＮＲ_4（式中、Ｒはアルキル基を表す）の少なくとも１種を表す）で表されるケイ酸アルカリを水に配合してなる保護皮膜処理剤。 - 特許庁

In the corrosion prevention method for a galvanized face, an alkali aqueous solution consisting mainly of an alkali silicate (M_2O-nSiO_2) is applied on either or both of a galvanized face and a galvanized face in which white rust is generated; wherein, M is Na, K, Li or Cs, and n is 1 to 5.例文帳に追加

亜鉛メッキ面及び白錆の発生した亜鉛メッキ面の一方又は両方に対して、ケイ酸アルカリ（Ｍ_２Ｏ・ｎＳｉＯ_２）〔但し、式中Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃｓのいずれかであり、かつｎは、１乃至５である。 - 特許庁

The nitrogen-containing carboxylic acid derivative is represented by general formula (I): Rf^1CH_2CH(OH)CH_2NH(CH_2)nCOOM (I) [wherein, M is H, NH_4, Li, Na or K; Rf^1 is a 3-6C fluoroalkyl group; (n) is 1 or 2].例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）Ｒｆ^１ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＮＨ（ＣＨ_２）ｎＣＯＯＭ （Ｉ）（式中Ｍは、Ｈ、ＮＨ_４、Ｌｉ、Ｎａ又はＫを示し、Ｒｆ^１は、炭素数が３〜６のフルオロアルキル基を示し、ｎは、１または２を示す。）で表される含窒素カルボン酸誘導体。 - 特許庁

The layered tin oxide is expressed by M_x/nM'_x/3Sn_1-x/3O_2 (wherein, M is a cation, an amine based organic compound having a positive charge or a high-molecular cation; n is the valence of M; M' is Li^+ or H^+; and x is the numerical value of 0.60 to 0.80).例文帳に追加

Ｍ_x/nＭ′_x/3Ｓｎ_1-x/3Ｏ_2（但し、Ｍは陽イオン、陽電荷を有するアミン系有機化合物あるいは高分子系カチオン、ｎはＭの価数、Ｍ′はＬｉ^+またはＨ^+であり、ｘは０．６０〜０．８０の数値）で示されることを特徴とする層状スズ酸化物とする。 - 特許庁

The half ester compound is represented by general formula (I): MOOC(CF_2)_nCOORf (I) (wherein, M is H, NH_4, Li, Na or K; n is an integer of 2-3; and Rf is a 4-6C alkyl group or alkylate group consisting of C, F and O as constituent components).例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）ＭＯＯＣ（ＣＦ_２）_ｎＣＯＯＲｆ （Ｉ）（式中Ｍは、Ｈ、ＮＨ_４、Ｌｉ、Ｎａ又はＫを示し、ｎ＝２〜３の整数、ＲｆはＣ、Ｆ、Ｏを構成成分とする、炭素数が４〜６のアルキル基またはアルキレート基を示す。）で表されるハーフエステル化合物。 - 特許庁

In the formula, A is one or more selected from the group consisting of alkali metals (Li, Na, K, Rb, Cs), alkaline earth metals (Mg, Ca, Sr, Ba) and NH_4; n is 1 when A is an alkali metal or NH4, or 2 when A is an alkaline earth metal.例文帳に追加

ただし、Ａは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）およびＮＨ_４からなる群から選ばれる１種以上であり、ｎは、Ａがアルカリ金属またはＮＨ_４の場合は１であり、Ａがアルカリ土類金属の場合は２である。 - 特許庁

In the formula, A is one or more selected from the group consisting of alkali metal (Li, Na, K, Rb, Cs), alkaline earth metal (Mg, Ca, Sr, Ba) and NH_4, and n is 1 when A is alkali metal or NH_4, and is 2 when A is alkaline earth metal.例文帳に追加

ただし、Ａは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）およびＮＨ_４からなる群から選ばれる１種以上であり、ｎは、Ａがアルカリ金属またはＮＨ_４の場合は１であり、Ａがアルカリ土類金属の場合は２である。 - 特許庁

In this case, (A) represents one or more kinds selected from a group consisting of alkaline metals (Li, Na, K, Rb, and Cs), alkaline earth metals (Mg, Ca, Sr, and Ba), and NH_4, n is 1 if (A) is an alkaline metal or NH_4, and is 2 if (A) is an alkaline earth metal.例文帳に追加

ただし、Ａは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）およびＮＨ_４からなる群から選ばれる１種以上であり、ｎは、Ａがアルカリ金属またはＮＨ_４の場合は１であり、Ａがアルカリ土類金属の場合は２である。 - 特許庁

The impurity is removed by subjecting a solution state obtained by dissolving the aryl(di)ethynylbenzoic acid and/or the salt thereof, represented by general formula (1) [wherein, Ar is an aromatic hydrocarbon group; n is 1 or 2; and M is H, Li, Na or K] in water and/or a protic solvent to an absorbent treatment.例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるアリール（ジ）エチニル安息香酸及び／又はその塩〔Ａｒ：芳香族炭化水素基；ｎ＝１〜２、Ｍ：Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ〕を、水及び／又はプロトン性溶媒に溶解した溶液状態において吸着剤処理し、不純物を除去する。 - 特許庁

The surfactant comprises a fluorine-containing phosphoric acid derivative defined by the following formula: (i) Rf-(CH_2)_n-PO(OM)_2 wherein M represents NH_4, Li, Na, K or H; n represents an integer of 1 to 3; and Rf represents an alkyl having 1 to 6 carbon atoms and one or more fluorine atoms.例文帳に追加

下記一般式（ｉ）Ｒｆ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＰＯ（ＯＭ）_２ （ｉ）（式中、Ｍは、ＮＨ_４、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ又はＨを表す。ｎは、１〜３の整数を表す。Ｒｆは、フッ素原子を１つ以上有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。）で表される含フッ素リン酸誘導体からなることを特徴とする界面活性剤。 - 特許庁

In the partially or fully semi-insulated or p-doped ZnO substrate, when the substrate is, in particular, in the form of a thin layer or film, or a nanowire and is simultaneously doped with an element selected from Na, Li, K and Rb, together with N and O, ZnO or GaN can epitaxially grow on the substrate.例文帳に追加

部分的に又は完全に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板であって、基板が、特に薄層、薄膜の形態またはナノワイヤーの形態であり、基板が、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ及びＲｂから選択される元素、Ｎ及びＯが同時にドーピングされ、それは、さらにＺｎＯまたはＧａＮにおいてこの基板上におけるエピタキシャル成長を可能にし得る。 - 特許庁

The method for producing an N-alkylborazine comprises a step for feeding an alkali borohydride represented by ABH_4 (A is Li, Na or K) into a reactor vessel, and a step for reacting the alkali borohydride with an alkylamine salt in a solvent by gradually feeding the alkylamine represented by RNH_3X (X is a halogen).例文帳に追加

反応容器中にＡＢＨ_４（Ａは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である）で表される水素化ホウ素アルカリを仕込む段階と、前記反応容器に、ＲＮＨ_３Ｘ（Ｒはアルキル基であり、Ｘはハロゲン原子である）で表されるアルキルアミン塩を徐々に供給して、溶媒中で水素化ホウ素アルカリとアルキルアミン塩とを反応させる段階とを含む、Ｎ−アルキルボラジンの製造方法である。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

In formula (1), R_1, R_2, and R_3 are each a 1 to 4C alkyl group; m is desirably an integer of 0 to 5; n is desirably an integer of 3 to 10; and M is desirably Li.例文帳に追加

工程１：下式（１）で表される化合物の存在下に、共役ジエンモノマー又は共役ジエンモノマーと芳香族ビニルモノマーとを重合させて、アルカリ金属末端を有する活性重合体を製造する工程工程２：該活性重合体と、下式（２）で表されるヘテロ環化合物を反応させて、両末端が変性された変性重合体ゴムを製造する工程式（１）において、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３はＣ１〜Ｃ４のアルキル基が、ｍは０〜５の整数が、ｎは３〜１０の整数が、ＭはＬｉが好ましい。 - 特許庁