「Memory Cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable individual evaluation tests for a memory cell connected to other adjacent word lines and a short-circuited word line.例文帳に追加

隣接する他のワード線と短絡したワード線に接続されているメモリセルについて個々の評価試験を可能にする。 - 特許庁

To provide a large-scale integrated circuit device equipped with a memory cell made of a ferroelectrics FET and highly integrated.例文帳に追加

強誘電体ＦＥＴからなるメモリセルを備え、高集積化された大規模の集積回路装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the redundancy selection circuit 300 can program freely an address required for testing a redundant memory cell.例文帳に追加

したがって、リダンダンシ選択回路３００は、リダンダントメモリセルをテストするために必要なアドレスも自由にプログラムすることができる。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND SYSTEM INCLUDING MULTI-LEVEL CELL USING MODIFIED READ VOLTAGE, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

変更された読み出し電圧を用いるマルチレベルセルを含む不揮発性メモリ装置及びシステム、並びにその動作方法 - 特許庁

After that, the word WL0 is not activated and the word line WL1 is activated, data 0 of the memory cell 1-1 is read out.例文帳に追加

その後、ワード線ＷＬ０を立ち下げ、ワード線ＷＬ１を立ち上げてメモリセル１−１のデータ０を読み出す。 - 特許庁

In the semiconductor device, a memory cell and a data line are controlled with a reset signal so that data can be reliably outputted.例文帳に追加

半導体装置は、リセット信号によりメモリセルとデータ線を制御することで、確実なデータ出力が可能となる。 - 特許庁

To provide a memory cell in which a step margin is increased for a misalignment in a COB structure.例文帳に追加

ＣＯＢ構造において、誤整列に対する工程マージンを大きくしたメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having cell transistors with a high coupling ratio, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高いカップリング比を有するセルトランジスタを備えた不揮発性半導体記憶装置およびその製造方を提供する。 - 特許庁

Existence of a read error of data of one read unit is examined from each row X1-X16 of a memory cell array 6 (A).例文帳に追加

メモリセルアレイ６１の各行Ｘ１−Ｘ１６から１つの読み出し単位のデータを読み出しエラーの有無を調べる（Ａ）。 - 特許庁

A gate insulating film 33 in the memory cell formation region 25 is made thin, and its peripheral gate oxidation film 34 is made thick.例文帳に追加

メモリセル形成領域２５のゲート絶縁膜３３は薄く、その周辺のゲート酸化膜３４は厚く形成されている。 - 特許庁

One zero-dimensional surface element 100 is stored in a memory about each cell 200 located at the surface of the object.例文帳に追加

ひとつのゼロ次元のサーフェスエレメント１００を、オブジェクトのサーフェスに位置する各セル２００についてメモリに格納する。 - 特許庁

An ECC circuit 12A has an error correction function of N (N:natural number) bits for output data of a memory cell array 11.例文帳に追加

ＥＣＣ回路１２Ａは、メモリセルアレイ１１の出力データに対してＮ（Ｎは自然数）ビットのエラー訂正機能を有する。 - 特許庁

A tunnel magnetoresistive device TMR constituting a MTJ memory cell is connected between a bit line BL and a strap SL.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、ビット線ＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁

In the state of covering a peripheral circuit region with the silicon nitride film 5, the gate oxide film 7 is formed in a memory cell region.例文帳に追加

周辺回路領域をシリコン窒化膜５で覆った状態で、メモリセル領域にゲート酸化膜７を形成する。 - 特許庁

To secure a long refresh cycle time by securing long data maintain period even when there is certain current leakage from a memory cell.例文帳に追加

メモリセルから少々の電流洩れがあっても、データ保持時間を長く確保して、長いリフレッシュサイクル期間を得る。 - 特許庁

METHOD OF FORMING MEMORY CELL INCLUDING CAPACITOR THAT INCLUDES STRONTIUM TITANATE BASED DIELECTRIC LAYER, AND DEVICE OBTAINED THEREFROM例文帳に追加

チタン酸ストロンチウムベースの誘電体層を有するキャパシタを備えたメモリセルの形成方法およびそれから得られるデバイス - 特許庁

In a memory cell MC, a P-type silicon film 11 acting as a plate electrode is selectively provided on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

メモリセルＭＣでは、半導体基板１上に、プレート電極としてのＰ型シリコン膜１１が選択的に設けられる。 - 特許庁

The SRAM includes: a memory cell 1; a column address decoder 14; a precharge control circuit 15; and a precharge circuit 121.例文帳に追加

本発明によるＳＲＡＭは、メモリセル１、列アドレスデコーダ１４、プリチャージ制御回路１５、プリチャージ回路１２１を具備する。 - 特許庁

To reduce the cell area of a magnetic memory device by eliminating the overlapping coverage of connecting wiring for a TMR element.例文帳に追加

ＴＭＲ素子に対する接続配線の合わせ余裕を無くして磁気メモリ装置のセル面積の縮小化を図る。 - 特許庁

To write desired information at high speed into a memory cell which stores data in nonvolatile manner while preventing the increase of the chip area.例文帳に追加

チップ面積の増大を防止しつつ、不揮発的にデータを記憶するメモリセルに所望の情報を高速に書き込む。 - 特許庁

To provide an erasure method for a flash EEPROM which erases a memory cell by controlling accumulation of electric charge.例文帳に追加

電荷の蓄積を制御することによりメモリセルを消去するフラッシュＥＥＰＲＯＭの消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a defective cell can be efficiently tested during test operation.例文帳に追加

本発明は、テスト動作中に効率的に不良セルを検査可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To easily set first and second magnetic tunnel junction elements to be formed in a memory cell to a mutually-opposite resistive state.例文帳に追加

メモリセルに形成される第１および第２磁気トンネル接合素子を、簡易に互いに逆の抵抗状態に設定する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device and a method of manufacturing the same capable of improving insulating characteristics of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルにおける絶縁特性が向上する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory for effectively screening a failure caused by variation in threshold of a cell transistor.例文帳に追加

セルトランジスタの閾値のばらつきに由来する不良の効果的なスクリーニングが可能な強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive memory device having a three- dimensional cell laminated structure suitable for high integration and a method for manufacturing it.例文帳に追加

高集積化に適した３次元のセル積層構造を持つ磁気抵抗メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, the stored data are again read out from the target memory cell and it is determined whether the write data coincide with the read data.例文帳に追加

この後、再び、書込対象のメモリセルの記憶データを読出し、書込データと読出データの一致／不一致を判定する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device with a two-bit cell structure, which has enhanced programming efficiency and a reduced size and is produced at lower costs.例文帳に追加

２ビットセル構造を持つ不揮発性メモリー装置に於いて、プログラミング効率を改善し、小型化し、コストを低減する。 - 特許庁

The MR ratio of the magneto-resistance element Ref is set to be half of the MR ratio of the magnet-resistance element in the memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＲｒｅｆのＭＲ比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のＭＲ比の半分に設定されている。 - 特許庁

A write-in control section 16 generates a write-pulse signal in accordance with the write-enable signal and supplies it to a memory cell array 19.例文帳に追加

書き込み制御部１６はライトイネーブル信号に応じてライトパルス信号を発生し、メモリセルアレイ１９に供給する。 - 特許庁

To make same both of writing "0" performance for a memory cell and writing "1" performance independently of variation of processes.例文帳に追加

プロセスのばらつきにもかかわらず、メモリセルへの「０」の書き込み性能と「１」の書き込み性能とを同じようにすること - 特許庁

To provide a method for manufacturing a fuse element, wherein a stable P/W replacement factor is achieved at inspecting a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの検査に際し、安定したＰ／Ｗ置換率を達成できるヒューズ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, it may be possible to prevent that current supplying ability of the transfer transistor changes depending on a layout in the memory cell.例文帳に追加

これにより、トランスファトランジスタの電流供給能力がメモリセル内のレイアウトに依存して変化することを防止できる。 - 特許庁

To provide a writable read-only memory that suppresses a leak current in an off cell and is low-cost and easy to manufacture.例文帳に追加

オフセルでのリーク電流が抑えられ、低コストで作製し易い書込み可能型読出し専用メモリを提供する。 - 特許庁

To reduce the chip area of an MRAM device formed of a magnetic body memory cell, provided with a magnetic tunnel junction part.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのチップ面積削減を図る。 - 特許庁

A control circuit controls potentials of the bit line and the word line according to input data and writes the data in the memory cell.例文帳に追加

制御回路は入力データに応じて前記ワード線、ビット線の電位を制御し、前記メモリセルにデータを書き込む。 - 特許庁

An n-well 23 and a p-well 24 are formed on a silicon substrate 22, and a memory cell forming region 25 is formed in the p-well 24.例文帳に追加

シリコン基板２２に、Ｎウェル２３、Ｐウェル２４を形成し、Ｐウェル２４にはメモリセル形成領域２５を設ける。 - 特許庁

On the other hand, when stored data in the memory cell C is at a 'L' level, a capacitor is not connected between the bit line BL and the word line LWL.例文帳に追加

一方、記憶データが「Ｌ」レベルであるとき、ビット線ＢＬ及びワード線ＬＷＬ間にコンデンサは接続されない。 - 特許庁

To the 1st memory cell group, writing is carried out in the 1st mode so that 1st threshold distribution can be obtained.例文帳に追加

第１のメモリセルグループに対しては、第１の閾値分布が得られるように、第１のモードにより書き込みを実行する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which carries out a required operation and is equipped with a memory cell region that can be lessened in size.例文帳に追加

所望の動作を行い、かつ、メモリセル領域の縮小化を図ることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Data supplied to a bit line from the outside at the time of write-in operation is amplified by the sense amplifier, and written in the memory cell.例文帳に追加

書き込み動作時に、外部からビット線に供給されたデータは、センスアンプで増幅され、メモリセルに書き込まれる。 - 特許庁

Further, electrical signals in which recording and erasing pulse widths are equalized, are applied to the memory cell.例文帳に追加

さらに相変化型不揮発性メモリ素子に対して記録と消去のパルス幅を等しくした電気信号を印加する。 - 特許庁

The power-supply node of the static memory cell is connected to a first power supply voltage via a power supply voltage supplying means.例文帳に追加

スタティックメモリセルの給電ノードは、電源電圧供給手段を介して第１の電源電圧に接続される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element having a selecting transistor structure and a SONOS cell structure and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

選択トランジスタ構造とＳＯＮＯＳセル構造とを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently perform error correction even if multi-value information stored in a multi-value memory cell is lost.例文帳に追加

多値メモリセルに記憶されている多値情報が失われても、誤り訂正を効率よく行うことができるようにする。 - 特許庁