N- O- Fの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21件
A(%)={F/(F+C+O+N)}×100... (1), wherein A is a proportion of the fluorine concentration, F is fluorine% by mass, C is carbon% by mass, O is oxygen% by mass, and N is nitrogen% by mass.例文帳に追加
A(%)={F/(F+C+O+N)}×100・・・(1)前記式(1)において、Aはフッ素濃度の割合、Fはフッ素質量%、Cは炭素質量%、Oは酸素質量%、Nは窒素質量%である。 - 特許庁
In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.例文帳に追加
そして、n型SiCz層エッチング工程では、Fを含有するガスとOを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりn型SiC層がエッチングされる。 - 特許庁
In formula (3), R^6 to R^8 are each a 1-12C organic group; and A is a group constituted of H, C, N, O, F, S, Si, and/or P.例文帳に追加
(3)中、R^6〜R^8は炭素数1〜12の有機基、AはH、C、N、O、F、S、Si及び/又はPから構成される基。 - 特許庁
The formula (1) is -[C(H,F)_2]_n-X-(CF_2)_m-SO_3H when X is O or a direct bond and n, m are respectively integers of 1 or more and 3 or less.例文帳に追加
−[C(H、F)_2]_n−X−(CF_2)_m−SO_3H ・・・(1) 但し、Xは、O又は直接結合、n、mは、それぞれ、1以上3以下の整数。 - 特許庁
The light-emitting particles are provided by covering the surface of the particles with a covering membrane consisting mainly of an organic carbon and containing ≥1 kind of an element among H, N, O, Si and F.例文帳に追加
発光体粒子は、粒子表面を、有機炭素を主体とし、H,N,O,Si,Fの中から1種類以上の元素を含む被覆膜で被覆している。 - 特許庁
Twenty hexagonal structural elements 11 are represented as A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S and T in order.例文帳に追加
20個の六角形構造要素11を順に要素A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S及びTとする。 - 特許庁
The high purity metals consisting of high purity chromium or high purity manganese are characterized in that the total amount of gas content of O, C, N, H, F, S, or the like is 200 ppm or less.例文帳に追加
O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。 - 特許庁
The category 1 includes the most powerful base stations B, C, D, E, F, G as next connection base stations and the category 2 includes base stations I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S to which the mobile station 40 is possibly connected.例文帳に追加
カテゴリ1には次接続基地局として最も有力な基地局B,C,D,E,F,Gが記載され、カテゴリ2には移動局40が接続する可能性のある基地局H,I,J,K,L,M,N,O,P,Q,R,Sが記載されている。 - 特許庁
A pair of global data I/O line provided commonly in the whole memory cell array is divided into each region corresponding to each of memory blocks 40-F, 40-N by a switch group SWI.例文帳に追加
メモリセルアレイ40全体に共通に設けられるグローバルデータI/O線対は、スイッチ群SWIによって、メモリブロック40−F,40−Nのそれぞれと対応する領域ごとに分割される。 - 特許庁
A method and apparatus for reducing the noise in an image (I_t) in a fluoroscopy image series of a moving object (O) have a differentiation of an image pixel between a moving pixel (N, P) and a fixed pixel (F) and an arithmetic processing of time filtering of the fixed pixel (F).例文帳に追加
運動している物体(O)のフルオロスコピィ画像系列内の画像(I_t)における雑音の低減の方法及び装置であって、運動しているピクセル(N、P)と固定しているピクセル(F)との間での画像のピクセルの区別と、固定しているピクセル(F)の時間フィルタ処理演算による処理とを有する。 - 特許庁
To provide a high-purity metal made of high-purity chromium or high-purity manganese for a sputtering target in which the content of gas components such as O, C, N, H, F and S is 200 ppm or less in total.例文帳に追加
O、C、N、H、F、S等のガス成分含有量が総量で200ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用の高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属を提供する。 - 特許庁
The grain-oriented electromagnetic steel sheet includes the electrically insulating coating made of an amorphous carbon-hydrogen network containing at least one of doping elements Si, O, N, B or F in a range from 1 to 20 atomic percent.例文帳に追加
Si、O、N、B又はFの少なくとも1種のドープ元素を絶縁被覆中に1〜20原子パーセントの範囲で含む非晶質の炭素−水素ネットワーク製の電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板とする。 - 特許庁
The covalent bond three dimensional network structure includes an Si-O covalent bond, Si-C bond, Si-H bond, C-H covalent bond, and C-C covalent bond, and if necessary, it can include an F and N.例文帳に追加
共有結合3次元ネットワーク構造は、Si−O共有結合、Si−C共有結合、Si−H共有結合、C−H共有結合およびC−C共有結合を含み、必要ならFおよびNを含むこともできる。 - 特許庁
ψ in the relation is a lens angle, (r) is a length from the lens element arrangement center O to the position where the lens element is arranged, (f) is a projection distance from a light source 12 to a fresnel lens and (n) is a refractive index of the fresnel lens.例文帳に追加
式中のφはレンズ角度であり、rはレンズ要素配置中心Oから当該レンズ要素が配置される位置までの長さであり、fは光源12からフレネルレンズまでの投射距離であり、nはフレネルレンズの屈折率である。 - 特許庁
The SATA I/F 50 makes a start of (N+1)th (wherein N is a positive integer) unit transfer next to Nth unit transfer on the serial ATA side wait until the Nth unit transfer of PIO (Programmed I/O) read on the parallel ATA side is completed after starting the Nth unit transfer on the serial ATA side when performing PIO read transfer.例文帳に追加
SATAI/F50は、PIOリード転送を行う際に、シリアルATA側の第N(Nは自然数)のユニット転送を開始した後、パラレルATA側のPIOリードの第Nのユニット転送が完了するまで、シリアルATA側の前記第Nのユニット転送の次の第(N+1)のユニット転送の開始を待たせる。 - 特許庁
Besides, when the second three-way valve B is used (the solenoid valve 1 is used as the N/O type solenoid valve), an assist hydraulic pressure generating means 8 generates assist hydraulic pressure in a first F/B chamber A7 to apply rightward "assist force" to a spool 3.例文帳に追加
さらに、第2三方弁Bの使用時(ソレノイドバルブ1をN/Oタイプとして用いる場合)に、アシスト油圧発生手段8によって第1F/B室A7へアシスト油圧を発生させることで、スプール3に右側に向かう「アシスト力」が加わる。 - 特許庁
The half ester compound is represented by general formula (I): MOOC(CF_2)_nCOORf (I) (wherein, M is H, NH_4, Li, Na or K; n is an integer of 2-3; and Rf is a 4-6C alkyl group or alkylate group consisting of C, F and O as constituent components).例文帳に追加
下記一般式(I)MOOC(CF_2)_nCOORf (I)(式中Mは、H、NH_4、Li、Na又はKを示し、n=2〜3の整数、RfはC、F、Oを構成成分とする、炭素数が4〜6のアルキル基またはアルキレート基を示す。)で表されるハーフエステル化合物。 - 特許庁
SiC is etched using plasma of an etching gas containing CHF_3, a gas containing CHF_3 and N_2, e.g. a mixture gas of CHF_3, N_2 and Ar, or an etching gas containing a material having C, H and F and a material having N but not containing a material having O.例文帳に追加
CHF_3を含むエッチングガス、CHF_3とN_2とを含むガス、例えばCHF_3とN_2とArの混合ガス、またはCとHとFとを有する物質とNを有する物質とを含みOを有する物質を含まないエッチングガスをプラズマ化してSiCをエッチングする。 - 特許庁
The amorphous carbon coated cutting tool and manufacturing method thereof are characterized in that in this amorphous carbon coated cutting tool coated with the amorphous carbon film, the amorphous carbon film contains at least one or more kinds of elements among B, Cl, S, P, F, O and N, and the content of the element ranges from 0.01 to 25%, both inclusive, by atomic%.例文帳に追加
非晶質カーボン皮膜を被覆した非晶質カーボン被覆切削工具において、該非晶質カーボン皮膜は、B、Cl、S、P、F、O、Nの少なくとも1種以上の元素を含有し、該元素の含有量は、原子%で、0.01%以上、25%以下であることを特徴とする非晶質カーボン被覆切削工具及びその製造方法である。 - 特許庁
Sec.172 Literary and Artistic Works 172.1. Literary and artistic works, hereinafter referred to as “works”, are original intellectual creations in the literary and artistic domain protected from the moment of their creation and shall include in particular: (a) Books, pamphlets, articles and other writings; (b) Periodicals and newspapers; (c) Lectures, sermons, addresses, dissertations prepared for oral delivery, whether or not reduced in writing or other material form; (d) Letters; (e) Dramatic or dramatico-musical compositions; choreographic works or entertainment in dumb shows; (f) Musical compositions, with or without words; (g) Works of drawing, painting, architecture, sculpture, engraving, lithography or other works of art; models or designs for works of art; (h) Original ornamental designs or models for articles of manufacture, whether or not registrable as an industrial design, and other works of applied art; (i) Illustrations, maps, plans, sketches, charts and three-dimensional works relative to geography, topography, architecture or science; (j) Drawings or plastic works of a scientific or technical character; (k) Photographic works including works produced by a process analogous to photography; lantern slides; (l) Audiovisual works and cinematographic works and works produced by a process analogous to cinematography or any process for making audio-visual recordings; (m) Pictorial illustrations and advertisements; (n) Computer programs; and (o) Other literary, scholarly, scientific and artistic works.例文帳に追加
第172条 文学的及び美術的著作物 172.1文学的及び美術的著作物(以下「著作物」という)とは,文学及び美術の領域において創作の時から保護される独創的な知的創作物をいい,特に次のものを含む。 (a)書籍,小冊子,論文その他の文書 (b)定期刊行物及び新聞 (c)口頭で行うために準備された講演,説教,演説及び学術論文(書面その他の形式にされるか否かを問わない) (d)書簡 (e)演劇用又は楽劇用の作品;舞踊の作品又は無言劇の演芸 (f)楽曲(歌詞を伴うか否かを問わない) (g)素描,絵画,建築,彫刻,版画,石版画その他の美術作品の著作物;美術作品のための模型又は下絵 (h)製造物品のための独創的な装飾的下絵又は模型(意匠として登録することができるものであるか否かを問わない)及び応用美術のその他の著作物 (i)地理学,地形学,建築学又は科学に関する図解,地図,図面,略図及び模型 (j)科学的又は技術的性質の図面又は模型 (k)写真の著作物(写真に類似する方法により製作された著作物を含む);幻灯スライド (l)視聴覚著作物及び映画の著作物(映画に類似する方法又は視聴覚記録物を製作する方法により製作された著作物を含む) (m)絵画入りの図解及び広告 (n)コンピュータ・プログラム (o)その他の文学的,学術的,科学的及び美術的著作物 - 特許庁
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