「Ni on」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing an Ni thin film having satisfactory adhesion on the surface of a polyimide resin.例文帳に追加

ポリイミド樹脂表面に密着性が良好なＮｉ薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low-resistance electrode with high reliability on SiC at a low cost using a Ni silicide.例文帳に追加

Ｎｉシリサイドを用いてＳｉＣ上で信頼性の高い低抵抗の電極を低コストで得る。 - 特許庁

A Ni film 16 is formed on the Cu electrode 12 in the through-hole 14.例文帳に追加

スルーホール１４内においてＣｕ電極１２上にＮｉ膜１６が形成されている。 - 特許庁

It is preferable that the metallic material on the boundary surface contains Ni which is sprayed to the joined zone.例文帳に追加

境界面の金属質材料は接合区域に噴霧するニッケルを含むのがよい。 - 特許庁

To form an Ni silicide layer having excellent heat resistance on an n-type silicon layer.例文帳に追加

Ｎ型シリコン層上に優れた耐熱性を持つＮｉシリサイド層を形成できるようにする。 - 特許庁

An Fe or Ni layer is arranged on the Al layer as a clad material 4.例文帳に追加

そしてクラッド材４として、Ａｌ層上にＦｅまたはＮｉ層を配置する。 - 特許庁

A barrier metal layer of Ni, Pt or Pd is formed on the close contact layer.例文帳に追加

密着層の上に、ＮｉまたはＰｔまたはＰｄを材料としたバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

A fine particle 103 of a metal chosen from Co and Ni is directly formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の上に、ＣｏおよびＮｉより選択された金属の微粒子１０３を直接形成する。 - 特許庁

As a result, the CNT is formed in the quantity corresponding to Ni content in the substrate 1 on the substrate 1.例文帳に追加

これにより、基板１上に、基板１中のＮｉ含有量に応じた量のＣＮＴが生成する。 - 特許庁

Hard thin film composed of DLC thin film (73) is formed on a surface of the Ni-P plating layer 71.例文帳に追加

さらに、このＮｉ−Ｐメッキ層（71）の表面には、ＤＬＣ薄膜（73）から成る硬質薄膜が形成される。 - 特許庁

To obtain a full bonding strength using lead-free solder, without depending on an underlying Ni layer.例文帳に追加

鉛フリーはんだを用い、下地のＮｉ層によらずに充分な接合強度を得る。 - 特許庁

A catalyst layer 101 of Ni or the like is deposited on the surface of an HOPG (Highly Ordered (Oriented) Pyrolytic Graphite) substrate 100.例文帳に追加

ＨＯＰＧ基板１００の表面にＮｉなどの触媒層１０１をデポジットする。 - 特許庁

The Pd plating is performed on the brush substrate through Ni undercoating.例文帳に追加

そして、このＰｄメッキは、ブラシ基材の上にＮｉ下地メッキを介してメッキされる。 - 特許庁

The surface electrode 11 has a structure of, for example, having an Ni film 13 laminated on an Al film 12.例文帳に追加

表面電極１１は、例えばＡｌ膜１２の上にＮｉ膜１３が積層された構造である。 - 特許庁

As the transition metal 2 supported on the surface of the substance 1 containing Ba_2TiO_4 as a main component, Ni is used.例文帳に追加

また、Ｂａ_2ＴｉＯ_4を主成分とする物質の表面に担持させる遷移金属としてＮｉを用いる。 - 特許庁

The method further comprises the step of forming an Ni/Au/In film 9 on a p-type GaP substrate 8 of a plane orientation (100).例文帳に追加

（１００）面方位のｐ型ＧａＰ基板８上にＮｉ／Ａｕ／Ｉｎ膜９を形成する。 - 特許庁

The sensor case 42 is formed by applying Ni-Cu plating on molded resin.例文帳に追加

なお、センサケース４２は、成形された樹脂にＮｉ−Ｃｕメッキを施されて形成される。 - 特許庁

To perform an error checking process of NC-data Ni based on contents in parameter data Pi.例文帳に追加

ＮＣデータＮｉのエラーチェックをパラメータデータＰｉの内容に基づきチェック可能とする。 - 特許庁

This method fundamentally enables the CVD of Ni on Mo or Wo.例文帳に追加

この発明は、基本的に、ＭｏまたはＷの上にＮｉのＣＶＤを可能にする。 - 特許庁

Then, Ni silicide layers 113 are formed on the Hf silicide layers 111.例文帳に追加

その後、Ｈｆシリサイド層１１１上にＮｉシリサイド層１１３を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COATING LAYER OF HEAT-RESISTANT CERAMIC THIN FILM ON Ni-BASED HEAT-RESISTANT ALLOY例文帳に追加

Ｎｉ基耐熱合金への耐熱セラミックス薄膜の被覆層の形成方法 - 特許庁

As a result, the CNT forming region and the CNT non-forming region are formed on the Ni substrate 1.例文帳に追加

これにより、Ｎｉ基板１にＣＮＴ生成領域とＣＮＴ非生成領域が形成される。 - 特許庁

When performing electroless Ni plating of the conductive part 4 formed on the surface of the ceramic prime field 1 containing the borosilicate glass, an amine compound such as glycine is added as a complexing agent to the electroless Ni plating solution used to form an Ni-P coating 5 on the conductive part 4.例文帳に追加

ホウケイ酸系ガラスを含有したセラミック素体１の表面に導電部４を形成し、該導電部４に無電解Ｎｉめっきを施す場合、錯化剤としてグリシン等のアミン化合物が添加された無電解Ｎｉめっき液を使用し、導電部４にＮｉ−Ｐ皮膜５を形成する。 - 特許庁

A plated member 10 is obtained by performing Ni strike plating on the metal member 1 and after that, forming an Ni primary plating layer by electroplating and further performing electroplating on the Ni primary plating layer using a plating solution containing silver cyanate and copper cyanate to form an Ag-Cu containing alloy plating layer 5.例文帳に追加

金属部材１上にＮｉストライクめっきを行った後、電解めっきによってＮｉ下地めっき層３を形成し、さらに、その上にシアン銀、シアン銅を含むめっき液を用いて電解めっきを行いＡｇ−Ｃｕ含有合金めっき層５を形成しためっき部材１０。 - 特許庁

For this purpose, Ni(nickel) plate is laid on the surface of W or Re-W alloy of the main body 2 of the probe pin, to provide a Ni plate layer 4 with a thickness of 2 μm, for example, and Cu plate is laid on the surface of the Ni plate layer 4 to provide a Cu plate layer 5 with a thickness of 2 μm, for example.例文帳に追加

そのため、プローブピンの本体２のＷまたはＲｅ−Ｗ合金の表面にＮｉ（ニッケル）メッキを施して厚さ例えば２μｍのＮｉメッキ層４を設け、さらにそのＮｉメッキ層４の表面にＣｕメッキを施して厚さ例えば２μｍのＣｕメッキ層５を設ける。 - 特許庁

In the technique, after forming a Ni-Pt alloy film on a semiconductor substrate 1, a first heat treatment having a heat-treatment temperature of 210-310°C is performed by a heater heating apparatus as to form a Pt addition Ni silicide layer 33 of (PtNi)_2Si phase by making a Ni-Pt alloy film react on Si.例文帳に追加

半導体基板１上にニッケル−白金合金膜を形成した後、熱処理温度が２１０〜３１０℃の１回目の熱処理をヒータ加熱装置で行うことで、ニッケル−白金合金膜とシリコンとを反応させて（ＰｔＮｉ）_２Ｓｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, though, after the Ni plating treatment, Cu plating is applied on the Ni plating, the Ni plating treatment has been executed as the pretreatment (passivation suppressing plating treatment), by which the formation of a passive state on the wire rod is prevented or suppressed, so that sufficient Cu plating adhesion can be obtd.例文帳に追加

さらに、Ｎｉメッキ処理後にはＣｕメッキがＮｉメッキの上から施されるが、上記Ｎｉメッキ処理が前処理（不働態化抑制メッキ処理）として行われているため、線材Ｗへの不働態形成が防止ないし抑制されており、十分なＣｕメッキ密着性が得られるものとなっている。 - 特許庁

The laminate for forming the wiring substrate is provided with a conductor layer which is formed on a substrate, a cap layer which is formed on the conductor layer and includes Ni and an Ni diffusion preventing layer which is made between the conductor layer and the cap layer and does not include Ni.例文帳に追加

基体上に、導体層と、前記導体層の上にＮｉを含むキャップ層と、前記導体層と前記キャップ層との間にＮｉを含まないＮｉ拡散防止層とを有することを特徴とする配線付き基体形成用の積層体。 - 特許庁

To provide the rust resistance of an Fe-Ni alloy material at a low cost by suppressing the use of excess protective films by directly forming a compound oxide film for rust resistant protection on the surface of the Fe-Ni alloy material without depending on metallic plating and pasting of the protective films.例文帳に追加

金属めっきや保護フィルムの貼着に頼ることなく、Fe−Ni合金材料の表面に、耐錆保護用複合酸化物皮膜を直接形成することにて、過剰な保護皮膜の使用を抑えてこの合金材料の耐錆性を低コストで実現すること。 - 特許庁

After forming a semiconductor film on a substrate, an Ni film is deposited on the semiconductor film while heating the substrate, thereby forming an Ni silicide on the semiconductor film.例文帳に追加

基板上に半導体膜を形成し、前記基板を加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, after forming a semiconductor film on a substrate, the Ni film is deposited on the semiconductor film while heating the substrate to 450°C or higher, thereby forming the Ni silicide on the semiconductor film.例文帳に追加

また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.例文帳に追加

半導体基板（１）と、前記半導体基板に形成されたｐ型不純物拡散層（２）と、前記拡散層上に形成されたＮｉシリサイド（３）と、を備え、前記Ｎｉシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク（６）を有する。 - 特許庁

Alternatively, after forming a semiconductor film on a substrate, the Ni film having a thickness of 10 nm or more is deposited on the semiconductor film while heating the substrate to 450°C or higher, thereby forming the Ni silicide on the semiconductor film.例文帳に追加

また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 - 特許庁

A board 1 is equipped with electrode pads 5 as the exposed parts of a metal layer formed on a board main body 2, an NI plating layer 9 formed on the surface of the board main body 2, and an Au plating layer 10 formed on the Ni plating layer 9.例文帳に追加

基板１は、基板本体２に形成された金属層のうち露出部分である電極パッド５と、この表面に形成されたＮｉメッキ層９及びこの上に形成されたＡｕメッキ層１０と備える。 - 特許庁

An Ni-P film 8 with a double structure is formed on an electrically conductive part 7 formed on the surface of a ceramic element assembly 6, and an Au film 9 is further formed on the surface of the Ni-P film 8.例文帳に追加

セラミック素体６の表面に形成された導電部７上に２層構造のＮｉ−Ｐ皮膜８が形成され、さらに該Ｎｉ−Ｐ皮膜８の表面にＡｕ皮膜９が形成されている。 - 特許庁

In the method for producing surface treated copper foil for electromagnetic wave shielding composed of: arranging copper foil as a cathode in an electroplating bath; and forming a blackening plated layer on the surface of the copper foil, utilizing an electroplating bath comprising Co, Ni, an ammonium compound and a complexing agent, a blackening plated layer comprising Co and Ni is formed on the surface of the copper foil.例文帳に追加

電解メッキ浴に銅箔を陰極に配置し、上記銅箔の表面に黒化メッキ層を形成させることから成る電磁波遮蔽用表面処理銅箔の製造方法において、Co、Ni、アンモニウム化合物及び錯化剤を含む電解メッキ浴を利用して上記銅箔表面にCo及びNiを含む黒化メッキ層を形成させる。 - 特許庁

To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.例文帳に追加

水晶振動子表面にＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをＡｕバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたＮｉ膜、Ａｇ膜とＮｉ膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing semiconductors excellent in adhesivity to various members such as a semiconductor element and a lead frame, soldering resistance on substrate mounting, and especially adhesivity to a preplating frame of Ni, Ni-Pd, Ni-Pd-Au or the like.例文帳に追加

半導体素子、リードフレーム等の各種部材との接着性、基板実装時の耐半田性、特にＮｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームとの密着性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an Ni-based alloy flux-cored wire which shows excellent weldability in welding of all positions typically on 9% Ni steels and Ni-based alloy steels and gives a weld metal having good pitting resistance, bead appearance, and resistance to hot cracking.例文帳に追加

９％Ｎｉ鋼及びＮｉ基合金鋼等の溶接において、全姿勢における溶接作業性が優れていると共に、良好な耐ピット性及びビード外観が得られ、良好な耐高温割れ性を有する溶着金属が得られるＮｉ基合金フラックス入りワイヤを提供する。 - 特許庁

Concretely, the Ni plating layers having a thickness of 2.5 to 5 μm are formed on both sides, and the etching is carried out only to the mounting side of semiconductor elements, thereby the Ni plating layer of the mounting surface side is formed 0.5 to 2 μm thinner than the Ni plating layer of the rear surface side.例文帳に追加

具体的には、表裏面に２.５〜５μｍの厚さを有するＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみをエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを裏面側のＮｉめっき層より０.５〜２μｍ薄くする。 - 特許庁

In the plated steel sheet for the positive electrode can of the alkali manganese battery, an Fe-Ni diffusion plated layer or an Fe-Ni diffusion plated layer and an Ni plated layer are deposited on the side to be used as the inside face of the can, and the thickness of an oxidation film in the oustermost surface layer is 50 to 1,000 nm.例文帳に追加

本発明の要旨は、アルカリマンガン電池正極缶用のメッキ鋼板であって、缶内面になる面にＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層、またはＦｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とＮｉメッキ層が形成され、その最表層の酸化膜厚みが、５０〜１０００ｎｍであることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide an optimum pickling treatment method in the preceding stage of a pickling process in hot rolling-annealing for a stainless steel, an Fe-Ni based alloy and an Ni based high alloy for reducing the using amount of acid exerting serious influence on the quality and environment.例文帳に追加

品質や環境に深刻な影響を与える酸の使用量の削減及び低減するための、ステンレス鋼、Ｆｅ-Ｎｉ基合金およびNi基高合金の熱間圧延−焼鈍酸洗の工程における、最適な前段の酸洗処理方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a new evaluation method of the biocompatibility with a biometal material capable of performing more simple and rapid analysis at a low cost and capable of evaluating the biometal material of every kind containing Ni based on a Ni separated form from a viewpoint of Ni allergy.例文帳に追加

より簡便、低コストで迅速な分析を可能とし、しかもＮｉの遊離形態に基づいて、Ｎｉ含有の各種の生体用金属材料を、Ｎｉアレルギーの観点からの評価をも可能とする、新しい生体適合性の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor, excellent in hot strength, adhesiveness to various members, such as a semiconductor element and a lead frame, soldering resistance when used for mounting parts on a base, and particularly tight adhesion to a pre-plating frame made of Ni, Ni/Pd, Ni/Pd/Au or the like.例文帳に追加

熱時強度に優れ、半導体素子、リードフレーム等の各種部材との接着性、基板実装時の耐半田性、特にＮｉ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のプリプレーティングフレームとの密着性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The hydrogen storage alloy is composed of a Ti-Cr alloy base metal 1 having the phase (bcc phase) of a body-centered cubic crystal structure as the main phase and Ni-containing regions (Ni-deposited phases 2 and Ti-Ni alloy regions 3) formed in a dispersed manner on the surface of the Ti-Cr alloy base metal 1.例文帳に追加

体心立方型結晶構造からなる相（ｂｃｃ相）を主相とするＴｉ−Ｃｒ系合金母材１と、このＴｉ−Ｃｒ系合金母材１表面に離散的に形成されたＮｉ含有領域（Ｎｉ被着相２、Ｔｉ−Ｎｉ系合金領域３）とを備えるようにした。 - 特許庁