「Ni on」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the colored stainless foil is carried out by cathode-electrolyzing a stainless foil used as a base material in an acidic aqueous solution containing Ni ion and triiron tetraoxide particles having 0.1-10 μm average particle diameter to form the coating film layer comprising triiron tetraoxide particles and metal (Ni) on the surface of the stainless foil.例文帳に追加

Ｎｉイオンと平均粒径0.1〜10μmの四酸化三鉄粒子を含む酸性水溶液中で、ステンレス箔を基材としてカソード電解して、前記ステンレス箔の表面に四酸化三鉄粒子と金属ニッケル（Ｎｉ）からなる被膜層を形成することで前記着色ステンレス箔を製造する方法。 - 特許庁

After an Al film 8 and an Ni film 9 are sequentially deposited on a gate electrode 4 and a source/drain diffusing layer 7, the heat treatment is conducted to form an Ni silicide layer 10 including Al at the upper part of the n-type silicon layer forming the gate electrode 4 and source/drain diffusing layer 7.例文帳に追加

ゲート電極４の上及びソース・ドレイン拡散層７の上にＡｌ膜８及びＮｉ膜９を順次堆積した後、熱処理を実施し、ゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層７を構成するＮ型シリコン層の上部にＡｌ含有Ｎｉシリサイド層１０を形成する。 - 特許庁

In a control unit 26, the motor generator 36 is controlled based on a spindle angle θ, the input number of revolution Ni and the output number of revolution No, and the input number of revolution Ni and output number of revolution No are mutually synchronized at the time of gear shift.例文帳に追加

制御ユニット２６では、スピンドル角度θ、入力回転速度Ｎｉ、出力回転速度Ｎｏに基づいてモータ・ジェネレータ３６を制御し、変速時に入力回転速度Ｎｉ、出力回転速度Ｎｏを同期させる。 - 特許庁

The reflecting electrode 2 formed on a substrate 1 has a first Al-(Ni/Co)-X alloy layer 2a containing X of Ni and/or Co of 0.1-2 atom% and La or the like of 0.1-2 atom% and a second Al oxide layer 2b containing Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に形成される反射電極２は０．１〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＬａなどのＸを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｘ合金層２ａと、ＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂとを有している。 - 特許庁

This is a fuel electrode catalyst to be provided to a fuel cell having a fuel electrode and an oxygen electrode, and a Pd-Au-Ni ternary system particulate which contains 1-80 at.% of Ni, contains Au of 0.1-10 at.% to Pd, and the rest is substantially Pd is carried on a conductive carbon.例文帳に追加

燃料極と酸素極とを備える燃料電池に供する燃料極触媒であって、１〜８０ａｔ．％のＮｉを含有し、Ｐｄに対して０．１〜１０ａｔ．％のＡｕを含有し、残部が実質的にＰｄからなるＰｄ−Ａｕ−Ｎｉ三元系微粒子が、導電性カーボンに担持されたものである。 - 特許庁

The conductive ceramic and the electrode terminal are joined to each other by forming a Ni film on the joint part of the conductive ceramic to the electrode terminal and the electrode terminal in contact with the joint part, coating the surface part of the Ni film with an Au film and interposing a brazing filler metal between the Au films.例文帳に追加

導電性セラミックの電極端子との接合部および該接合部と接する電極端子にＮｉ膜が形成され、該Ｎｉ膜の表層部がＡｕ膜で被覆され、該Ａｕ膜の間にろう材が介在して両者が接合されている。 - 特許庁

Then, the semiconductor substrate 1 is subjected to a thermal treatment, by which the Ni film is made to react on Si contained in the semiconductor substrate 1 so as to form an Ni silicide layer 4, and an eutectic layer 5 composed of the Au film and Si contained in the semiconductor substrate 1 is formed.例文帳に追加

次いで、半導体基板１に熱処理を施すことにより、そのＮｉ膜と半導体基板１が含むＳｉを反応させてＮｉシリサイド層４を形成し、Ａｕ膜および半導体基板１が含むＳｉからなる共晶層５を形成する。 - 特許庁

In the Ni plated layer formed on stainless steel fine lines for forming a mesh screen sheet, the ratio between the thickness of the most growing part in the face direction of the mesh screen sheet and the thickness of the most growing part in the thickness direction is set to 0.94 to 1.28.例文帳に追加

メッシュスクリーンシートを形成するステンレススチール細線上に形成されたNiメッキ層におけるメッシュスクリーンシートの面方向に最も成長した部分の厚さと厚み方向に最も成長した部分の厚さとの比率を0.94以上1.28以下の範囲とする。 - 特許庁

In the heat resistant member, a thermal barrier layer 3 composed of ceramics via a bonding layer 2 of an alloy substantially consisting of at least one selected from Ni and Co, Cr and Al is provided on the surface of a heat resistant alloy base material 1 essentially consisting of at least one selected from Ni and Co.例文帳に追加

ＮｉとＣｏの少なくとも１つを主成分とする耐熱合金基材１の表面上に、実質的にＮｉとＣｏの少なくとも１つとＣｒとＡｌからなる合金の結合層２を介してセラミックスからなる遮熱層３を設けた。 - 特許庁

A resistance thin film is formed on an insulating material substrate by conducting the sputtering using, as a sputtering target, a metal resistance material where Ta is included in 30 to 60 mass%, the remaining part includes Cr and Ni, and mass ratio to Ni of Cr is 0.5 to 1.1.例文帳に追加

Ｔａを３０〜６０質量％含み、かつ、残部はＣｒおよびＮｉを含み、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．５〜１．１である金属抵抗体材料をスパッタリングターゲットとして用いてスパッタリングを実施し、絶縁材料基板上に抵抗薄膜を形成する。 - 特許庁

In a lead frame 10 on which a Ni-plated layer is formed, the Ni-plated layer has a thick-film part 12b formed at the backside in connection with an external substrate, and a thin-film part 12a formed entirely or partially at the mounting side of a semiconductor element.例文帳に追加

Ｎｉめっき層が形成されたリードフレーム１０において、該Ｎｉめっき層は外部基板と接続する裏面側に形成されている厚膜部分１２ｂと、半導体素子の搭載面側の全面あるいは一部に形成されている薄膜部分１２ａとを有している。 - 特許庁

To provide a method for effectively manufacturing a Fe-Ni alloy for a shadow mask, which prevents a generation of streaking on boring by etching, to provide the Fe-Ni alloy for the shadow mask the shadow mask and a color picture tube.例文帳に追加

エッチングによる穿孔時に生ずるスジむらを抑制し得るシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金素材を効率よく製造する方法、スジむらの発生を抑制したシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金素材、シャドウマスク、カラー受像管を提供する。 - 特許庁

Thereby, if excitation strength NI_cl, NI_irs of each lens is operated based on such operating curve, the optimum opening angle can be materialized, even if a beam current value and luminance of an electron beam when the electron beam irradiates the sample are not directly found as they conventionally have been.例文帳に追加

したがって、このような動作曲線に基づいて各レンズの励起強度ＮＩ_cl，ＮＩ_irisを操作すれば、従来のように試料に照射されるときのビーム電流値や電子ビームの輝度を直接的に求めなくても、最適な開き角を実現することができる。 - 特許庁

In addition, in the case of a frame link where the linked website expressly bars misrepresentation by use of a frame, some theories affirm the existence of an infringement of public transmission rights (See p. 10 of October 1997 issue of "Copyright" commented by Yoshiyuki Miyashita on "Copyrights and Cyberspace ("cyberspace ni okeru chosaku-ken mondai ni tsuite" in Japanese)") 例文帳に追加

また、リンク先のウェブサイトにフレーム機能を使って他の素材と表示することを明確に禁止しているケースでのフレームリンクにおいて、公衆送信権侵害を認める見解もある（宮下佳之「サイバースペースにおける著作権問題について」コピライト 1997年10月号第 10頁）。 - 経済産業省

A mask pattern (selective mask) is formed on a nickel (Ni) film 1 after a desired pattern is formed on a resist film 3, a selective etching can be performed on a wafer W by merely dipping the wafer W on which the film 3 and the film 1 are coated into the process liquid to treat the wafers W with high throughput at the low cost.例文帳に追加

レジスト膜３に所望のパターンを形成した後、ニッケル(Ni)膜１にマスクパターン（選択マスク）を形成し、レジスト被膜３とニッケル膜１を被着したウエハＷを処理液に浸漬させるだけでウエハＷの選択的エッチングが可能であり、スループット高く低コストでウエハＷを処理できる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor substrate 2; a diffusion layer 4 provided in the semiconductor substrate; a gate insulation film 12 provided on the semiconductor substrate; a gate electrode 14 provided on the gate insulation film; and a Ni silicide layer 8 selectively provided on the diffusion layer, wherein a metal cap film 18 having Co as a main component is selectively provided on the Ni silicide layer 8.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板２と、半導体基板内に設けられた拡散層４と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１４と、拡散層上に選択的に設けられたＮｉシリサイド層８と、を含み、Ｎｉシリサイド層８上にはＣｏを主成分とするメタルキャップ膜１８が選択的に設けられている。 - 特許庁

The ceramic structure 10 has a conductor layer provided on a surface of a ceramic, and the conductor layer includes a metallized layer 14 bonded to a surface of the ceramic, an Ni plating layer 16 provided on the metallized layer, and diamagnetic metal layers 18 and 19 provided on the Ni plating layer.例文帳に追加

セラミックスの表面に導体層が設けられたセラミック構造体１０であって、導体層は、セラミックスの表面に被着されたメタライズ層１４と、メタライズ層上に設けられたＮｉメッキ層１６と、Ｎｉメッキ層上に設けられた反磁性金属層１８、１９と、を有して構成されたことを特徴とするセラミック構造体。 - 特許庁

The method for manufacturing the reflow Sn or Sn alloy plated sheet superior in migration resistance is characterized by forming an Ag plated layer on a copper or copper alloy sheet, forming a Cu or Ni plated layer on the Ag plated layer, forming a Sn or Sn alloy plated layer on the Cu or Ni plated layer, and then performing reflow treatment.例文帳に追加

銅または銅合金薄板の上にＡｇメッキ層を形成し、このＡｇメッキ層の上にＣｕまたはＮｉメッキ層を形成し、ＣｕまたはＮｉメッキ層の上にＳｎまたはＳｎ合金メッキ層を形成したのちリフロー処理することを特徴とする耐マイグレーション性に優れたリフローＳｎまたはＳｎ合金メッキ薄板の製造方法。 - 特許庁

This thermoelectric element includes two Cu-made electrodes 1 and 2, an n-shape SiC semiconductor bulk 4 provided on the electrode 1 via an Ni sheet 6, a p-type semiconductor bulk 5 provided on the electrode 2 via an Al sheet 8, and a single Cu-made metal electrode 3 provided on the semiconductor bulks 4 and 5 via Ni and Al sheets 7 and 9.例文帳に追加

熱電素子は、二つのＣｕ製の電極１，２と、電極１上にＮｉシート６を介して設けられるｎ型ＳｉＣ半導体バルク４と、電極２上にＡｌシート８を介して設けられるｐ型ＳｉＣ半導体バルク５と、半導体バルク４及び５上に、それぞれＮｉシート７及びＡｌシート９を介して、設けられる一つのＣｕ製金属電極３とを備えて構成される。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

A flip chip gold bump structure comprises a nickel layer on a gold bump formed on a chip and a copper layer on the nickel layer, to form a Ni/Cu barrier layer.例文帳に追加

フリップチップ金バンプ構造は、チップ上に形成された金バンプの上にニッケル層と、ニッケル層の上に銅層とを含み、Ｎｉ／Ｃｕ障壁層を構成する。 - 特許庁

A Cu pattern with Ni coated is formed on a metal substrate 11, on which a reflection means RF is tightly fitted while a light-emitting element 15 is mounted on a bottom surface.例文帳に追加

金属基板１１の上には、Ｎｉが被着されたＣｕパターンを形成し、この上に反射手段ＲＦを固着し、底面に発光素子１５を実装する。 - 特許庁

On a base material 1 based on Fe, a barrier layer 3 consisting of a metal whose standard electrode potential is not higher than -0.44 V, an Ni layer 4, a Pd layer 5 are formed in order, and an Au layer 6 is formed on the most surface.例文帳に追加

Ｆｅを主たる成分とする基材１上に、標準電極電位が−０．４４Ｖ以下である金属からなるバリア層３と、Ｎｉ層４と、Ｐｄ層５とが順次形成されており、最表面にＡｕ層６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a GaAs substrate having first and second main surfaces opposite to each other; a first metal layer formed on the first main surface of the GaAs substrate and formed of at least one of Pd, Ta, Mo; and a second metal layer formed on the first metal layer and formed of Ni alloy or Ni.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In a gate electrode 103 that is formed on a compound semiconductor layer 100 composed of GaN, an Ni layer 41 formed by Schottky junction, a low-resistance metal layer 42 that is composed of one metal selected from the group consisting of Au, Cu, and Al, and a Pd layer 44 formed between the Ni layer 41 and the low-resistance metal layer 42 are provided on the compound semiconductor layer 100 composed of GaN.例文帳に追加

ＧａＮからなる化合物半導体層１００上に形成されたゲート電極１０３において、ＧａＮからなる化合物半導体層１００上でショットキー接合してなるＮｉ層４１と、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択された１種の金属からなる低抵抗金属層４２と、Ｎｉ層４１と低抵抗金属層４２との間に形成されたＰｄ層４４を設けるようにする。 - 特許庁

On a underlying layer of Cu, or the like, formed on a substrate body, an Ni film or an Ni alloy film, a Pd film or a Pd alloy film, and an Au film are deposited sequentially and then heat treated at 200-300°C, for not longer than 120 sec, thus alloying the Pd film or the Pd alloy film and the Au film.例文帳に追加

基板本体上に形成されたＣｕなどからなる下地層に、順にＮｉ膜またはＮｉ合金膜、Ｐｄ膜またはＰｄ合金膜、Ａｕ膜を成膜し、これを２００℃から３００℃の温度で１２０秒以下の時間で熱処理して、前記Ｐｄ膜またはＰｄ合金膜と前記Ａｕ膜とを合金化する。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic parts has a process for forming a Ni-B film 2 on a ceramic base or a ceramic base 1 for a dielectric resonator by electroless plating and a process for forming a Cu film 3 or a Ag film 4 on the surface of the Ni-B film 2.例文帳に追加

本発明に係る高周波用電子部品の製造方法は、セラミック素体または誘電体共振器用セラミック素体１の表面上にＮｉ−Ｂ膜２を無電解めっきによって形成する工程と、Ｎｉ−Ｂ膜２の表面上にＣｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程とを有している。 - 特許庁

The voting is performed over plural stages, the number of voters Mi is determined in advance in each stage i, and the proper number of voting ports Xi is calculated on the basis of the number of voters Mi and the number of remaining voters Ni on the basis of stochastic process theory, whereby the number of winners mi can be close to the remaining number of winners Ni in the i stage.例文帳に追加

投票は複数段階に亘り、各段階ｉにおいて投票者数Ｍｉを事前に決めておき、確率過程論を用いて投票者数Ｍｉと残余の当選者数Ｎｉとから適切な投票口数Ｘｉを算出することにより、第ｉ段階における当選者数ｍｉが残余の当選者数Ｎｉに近くなるようにすることができる。 - 特許庁

In the circuit substrate 50 in which solder balls 65 composed of a lead(Pb)-free solder are connected to an electrode 55, the electrode 55 has a first layer 51 mainly composed of copper(Cu), a second layer 52 mainly composed of nickel(Ni) and formed on the first layer, and a third layer 54 mainly composed of a tin-nickel(Sn-Ni) alloy and formed on the second layer.例文帳に追加

電極５５に、鉛（Ｐｂ）フリー半田から成る半田ボール６５を接続される回路基板５０において、前記電極５５は、銅（Ｃｕ）を主成分とする第１の層５１と、前記第１の層上に形成されたニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第２の層５２と、前記第２の層上に形成された錫ニッケル（Ｓｎ−Ｎｉ）合金を主成分とする第３の層５４とを有する。 - 特許庁

The steel fuel pressure-feeding pipe for pressure-feeding gasoline is constructed by forming a Ni plated layer on the entire inner peripheral surface of the fuel pressure-feeding pipe and a rust-proof film made of a Zn plated layer or a Zn-based alloy plated layer on the Ni plated layer at least one end of the fuel pressure-feeding pipe.例文帳に追加

ガソリンを圧送するスチール製の燃料圧送配管であって、前記燃料圧送配管の全内周面にＮｉめっき層を設け、更に、前記燃料圧送配管の少なくとも一端の前記Ｎｉめっき層上にＺｎめっき層またはＺｎ基合金めっき層からなる防錆皮膜層を設けたことを特徴とするスチール製の燃料圧送配管。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on an impurity diffusion layer or a polycrystalline-Si layer formed on an Si substrate, a reaction region is defined while taking account of the diffusion coefficient of Ni in Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

On the surface of a conductor pattern 9 formed by depositing a metallized layer, an Ni plating layer, and an Au plating layer in order which is formed on other part than a wiring pattern 2 of an upper face of an insulation base 1; the mark 8 for image recognition is formed which is a recess with the bottom to the Ni plating layer by laser light.例文帳に追加

絶縁基台１の上面の配線パターン２以外の部位に形成された、メタライズ層とＮｉメッキ層とＡｕメッキ層とを順次積層して成る導体パターン９の表面に、レーザ光によって底がＮｉメッキ層に達している溝から成る画像認識用マーク８が形成されている。 - 特許庁

The laminated copper foil is manufactured through a step 1 for laminating a Ni plating layer and a Sn plating layer in this order at least on a part of the copper or copper alloy base material, a step 2 for forming the NiSn alloy layer on the boundary surface of the Ni plating layer and the Sn plating layer by a diffusion reaction, and a step 3 for removing the residual Sn plating layer.例文帳に追加

該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことによって製造することができる。 - 特許庁

This method for manufacturing the stamper for molding the optical disk substrate comprises forming a Ni-electroformed layer of a film state having a transferring surface on a photoresist master disk provided with a transferring surface pattern by an electroforming unit 101 and forming a heat insulating layer of a film state having thermal insulation property on the Ni-electroformed layer by a heat insulating layer molding unit 106.例文帳に追加

転写面パターンを備えたフォトレジスト原盤上に転写面を有するＮｉ電鋳層を成膜形成する電鋳ユニット１０１を設け、Ｎｉ電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成する断熱材成形ユニット１０６を設け、これらの電鋳ユニット１０１と断熱材成形ユニット１０６とによって断熱材が形成された光ディスク基板成形用スタンパを製造する。 - 特許庁

This method comprises the steps of: forming a Ni bump 6 with an electroless plating in an opening part 3a of a protection film 3 having insulation properties formed on an electrode pad 2 provided on a semiconductor substrate 1; and eliminating a plating solution residue 8 remaining in a gap 7 between the Ni bump 6 and the protection film 3.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた電極パッド２上に形成された、絶縁性を有する保護膜３の開口部３ａに、無電解めっきにてＮｉバンプ６を形成する工程と、上記Ｎｉバンプ６と保護膜３との隙間７に残留しためっき液残留物８を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁

The separator for the fuel cell forms a first layer film made of an alloy which consists of a metallic raw material, has a contact surface with an electrode or a collector and a gas vent groove and includes Ag, Ti, Ni or Cr to their alloy on the contact surface and, furthermore, a second layer film consisting of an alloy which includes Au, Pt or Hg or their alloy on the first layer film.例文帳に追加

金属母材からなり、電極又は集電体との接触面及びガス通気溝を有し、該接触面上にAg、Ti、Ni又はCr、或いはそれを含む合金からなる第一層皮膜が形成されており、更に第一層皮膜上にはAu、Pt又はHg、或いはそれを含む合金からなる第二層皮膜が形成されていることを特徴とする燃料電池用セパレータ。 - 特許庁

A Ni-Al series intermetallic compound layer 3 is formed on a Ni-Cr series alloy wire 1, and an Al_2O_3 film 4 is formed at the uppermost facial layer, or an Fe-Al series intermetallic compound layer 6 is formed on an Fe-Cr-Al series alloy wire 5, and the Al_2O_3 film 4 is formed at the uppermost facial layer.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｃｒ系合金線材１上にＮｉ−Ａｌ系金属間化合物層３が形成され、最表層にＡｌ_2Ｏ_3被膜４が形成されるか、またはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金線材５上にＦｅ−Ａｌ系金属間化合物層６が形成され、最表層にＡｌ_2Ｏ_3被膜４が形成されている。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on the impurity diffusion layer or polycrystalline Si formed on Si substrate, a reaction region is specified in consideration of the diffusion coefficient of Ni inside Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The karon (an essay on waka poems) written in "Utayomi ni ataeru sho" (Letters to Tanka Poets) placed an emphasis on the close observation in life of realism by sketches and graphics and included praise for "Manyoshu" (Collection of Ten Thousand Leaves) while rejecting "Kokinshu" (praise of "Collection of Ancient and Modern Literatures). 例文帳に追加

『歌よみに与ふる書』における歌論は俳句のそれと同様、写生・写実による現実密着型の生活詠の重視と『万葉集』の称揚・『古今集』の否定に重点が置かれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A comparator CP outputs an output signal to set on/off the operation of switching control sections CC1, CC3 on the basis of the comparison of voltage signals of a node Ng and a node Ni.例文帳に追加

コンパレータＣＰは、ノードＮｇとノードＮｉとの電圧信号との比較に基づいてスイッチング制御部ＣＣ１，ＣＣ３の動作のオン／オフを設定する出力信号を出力する。 - 特許庁

An underbump metal layer 18 and an auxiliary metal layer 23 of Ni are laminated on the upper surface of the intermediate metal layer 15 and a solder bump electrode 24 is joined on them.例文帳に追加

中間金属層１５の上面に、アンダーバンプメタル層１８及びＮｉの補助金属層２３を積層して、その上に半田バンプ電極２４を接合している。 - 特許庁

In the module, an Ni layer 5 is formed on a Cu layer 4 in the electrodes 12 and 13, a surface layer 6 is formed on the layer 5.例文帳に追加

これらの下部電極１２及び上部電極１３は、Ｃｕ層４の上に、Ｎｉ層５が形成され、更にＮｉ層５の上に、表面層６が形成されて、構成されている。 - 特許庁

To deposit Ni particles, used as catalyst particles for forming carbon nanotubes, on substantially only the bottom of a groove structure having a high aspect ratio, e.g. on only the bottom of a via hole of a semiconductor wiring.例文帳に追加

カーボンナノチューブを形成するための触媒パーティクルとなるＮｉパーティクルを、高アスペクト比の溝構造において実質的に底部のみ、例えば半導体配線のビア孔の底部のみにパーティクルを堆積する。 - 特許庁

On a Cu wiring layer 2 formed on the surface of a BGA package 1, an Ni junction layer 3 and an oxidation prevention layer 4 are laminated by an electroless plating method, and flux 5 is so applied as to cover the oxidation prevention layer 4.例文帳に追加

ＢＧＡパッケージ１表面に形成したＣｕ配線層２上に、Ｎｉ接合層３と酸化防止層４とを無電解メッキ法で積層して形成し、酸化防止層４を覆うようにしてフラックス５を塗布する。 - 特許庁

The release liner is obtained by forming a vapor deposition layer comprising a metal selected from Al, Ag, Au and Ni on at least the single surface of a base material film, and providing the release layer comprising a polyolefin resin on the vapor deposition layer.例文帳に追加

剥離ライナーは、基材フィルムの少なくとも片側にＡｌ、Ａｇ、Ａｕ及びＮｉから選択された金属による蒸着層が形成され、その蒸着層上にポリオレフィン樹脂からなる剥離層が設けられている。 - 特許庁