「PHOSPHIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, each indium phosphide nanowire is covered with the carbon film by depositing the carbon film on the surface of each indium phosphide nanowire by subsequently heating the indium phosphide nanowires at 950-1,050°C for 10-30 min while making an inert gas and methane gas flow.例文帳に追加

その後不活性ガス及びメタンガスを流しながら、引き続き、９５０℃〜１０５０℃に１０分〜３０分間加熱することにより、リン化インジウムナノワイヤーの表面に炭素膜を堆積させることで、リン化インジウムナノワイヤーを炭素膜で被覆する。 - 特許庁

In the method for non-polluting the metal phosphide residues or hydrogen phosphide by using active carbon, the metal phosphide residues or hydrogen phosphide is converted to a phosphorus compound having higher adsorbability to the active carbon by using a catalyst and is then adsorbed on the active carbon.例文帳に追加

金属リン化物残渣またはリン化水素を活性炭を用いて無害化する金属リン化物残渣またはリン化水素方法の無害化方法において、金属リン化物残渣またはリン化水素を触媒を用いて活性炭に対する吸着力がより強いリン化合物に変換し、しかる後に活性炭に吸着させる。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING DIODE LAMP例文帳に追加

リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法およびＬＥＤランプ - 特許庁

pn JUNCTION TYPE BORON PHOSPHIDE GROUP SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

The barrier layer is formed from the amorphous boron phosphide (BP) semiconductor layer.例文帳に追加

障壁層を非晶質のリン化硼素（ＢＰ）系半導体層から構成する。 - 特許庁

The flame retarder is preferable to be an inorganic hydroxide and/or a phosphide compound.例文帳に追加

前記難燃剤が無機水酸化物及び／又はリン化合物であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a boron phosphide-based compound semiconductor element which has a joint structure of a III group nitride semiconductor layer and a boron phosphide layer and which is superior in element characteristic.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層とリン化硼素層との接合構造を有する、素子特性に優れたリン化硼素系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

Indium phosphide nanowires are synthesized by heating a mixture 4 of an indium phosphide powder and an indium powder at 950-1,050°C for 0.5-0.8 h in an inert gas stream.例文帳に追加

リン化インジウム粉末とインジウム粉末の混合物４を不活性ガス気流中で９５０℃〜１０５０℃に０．５時間〜０．８時間加熱してリン化インジウムナノワイヤーを合成する。 - 特許庁

This boron phosphide-based semiconductor element is constituted by utilizing the oxygen-containing boron phosphide-based semiconductor layer containing boron and phosphorus as constituent elements and, in addition, oxygen.例文帳に追加

硼素とリンとを構成元素として含み、さらに酸素を含有する含酸素リン化硼素系半導体層を利用してリン化硼素系半導体素子を構成する。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND VAPOR- PHASE GROWTH METHOD THEREFOR例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長方法およびリン化硼素系半導体層 - 特許庁

The coating layer is made by dispersing a nickel phosphide into fluororesin, and causing an eutectoid reaction between the two substances.例文帳に追加

該被覆層はリン化ニッケルにフッ素樹脂を分散・共析することによって形成される。 - 特許庁

Nitrogen acts as an isoelectronic trap impurity in a boron phosphide based semiconductor.例文帳に追加

窒素はリン化硼素系半導体中で等電子的トラップ不純物として作用する。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素系化合物半導体素子、及びその製造方法、並びに発光ダイオード - 特許庁

Moreover, the negative electrode 23 includes manganese phosphide (for example, Mn_1.88P) as the negative electrode active material.例文帳に追加

また、負極２３は、負極活物質としてリン化マンガン（例えばＭｎ_1.88Ｐ）を有している。 - 特許庁

A process for forming the high-quality epitaxial indium phosphide layer on a silicon substrate can generate the relatively large (e.g. maximum diameter of 300 mm), high-quality indium phosphide film equipped with a relatively high mechanical stability provided by the silicon substrate.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板上に高品質のエピタキシャルリン化インジウム層を形成する方法とこの方法によって形成された半導体デバイスを提供するものである。 - 特許庁

To provide a method by which a low-resistance p-type boron phosphide layer (p-type boron phosphide semiconductor layer) can be formed stably on a crystalline substrate or a crystalline layer by a vapor phase growth method.例文帳に追加

結晶基板上または結晶層上に、低抵抗のｐ形リン化硼素層（ｐ形リン化硼素半導体層）を安定して気相成長するための手法を提供する。 - 特許庁

This fumigation method comprises supplying the hydrogen phosphide generator arranged on a water supply sheet with water necessary for generating the desired hydrogen phosphide through the water supply sheet from a water-containing material to generate the hydrogen phosphide from the hydrogen phosphide generator, and then subjecting a fumigated material which should be fumigated by the generated hydrogen phosphide to fumigation treatment, wherein the water supply sheet is kept in a wet state.例文帳に追加

所望するリン化水素を発生させるのに必要な水を、保水素材を通じ、水供給シートを介して、水供給シート上に配置したリン化水素発生剤に供給し、リン化水素発生剤からリン化水素を発生させて、発生したリン化水素により燻蒸されるべき被燻蒸物を燻蒸処理する燻蒸方法において、当該水供給シートを湿潤状態とすることを特徴とする燻蒸方法およびそれに用いる燻蒸装置。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子及び発光ダイオード - 特許庁

THERMALLY STABLE COLOR SINTERED MATERIAL CONTAINING BORIDE, CARBIDE, SILICIDE, NITRIDE OR PHOSPHIDE例文帳に追加

ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物又はリン化物を含む熱安定性着色焼結材料 - 特許庁

To provide a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting direct transition recombination behavior, in which recombination efficiency of carriers is enhanced with regard to indirect transition compound semiconductor, i.e., boron phosphide.例文帳に追加

本来、間接遷移型の化合物半導体であるリン化硼素に関して、キャリアの再結合効率を向上させた直接遷移的な再結合挙動を呈するリン化硼素系半導体層を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a boron phosphide buffer layer which readily and stably provides a continuous boron phosphide base crystal layer on a crystal substrate with unified crystal orientation.例文帳に追加

結晶基板上に、画一的な結晶面方位を有する連続性のあるリン化硼素系結晶層を簡便に且つ安定してもたらすためのリン化硼素緩衝層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a boron phosphide layer of a single crystal having little crystal defect density cannot be stably formed due to a large lattice mismatching degree of an Si single crystal substrate and the boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板とリン化硼素層との大きな格子不整合度に因り、結晶欠陥密度の少ない単結晶のリン化硼素層を安定して形成できない問題点を解決する。 - 特許庁

To solve the problems inherent to a conventional process for growing a high-quality indium phosphide thin film on a indium phosphide substrate, such as smallness of a wafer and brittleness and expensiveness of the substrate.例文帳に追加

従来のリン化インジウム基板上における高品質リン化インジウム薄膜成長による方法の特徴であるウエハサイズが小さく、脆く、且つ高価であるという固有の問題点を克服すること。 - 特許庁

Furthermore, a second boron phosphide single crystal layer is grown in a vapor phase on the first boron phosphide single crystal layer, thus obtaining a joint body of the first boron phosphide single crystal layer and the second boron phosphide single crystal layer formed thereon as the boron phosphide single crystal substrate.例文帳に追加

裏面に溝を設けた珪素単結晶基板の表面に、２５０℃を超え１２００℃以下の基板温度でＭＯＣＶＤ法により、硼素とリンとを含む非晶質層を気相成長させ、該非晶質層上に、第１のリン化硼素（ＢＰ）単結晶層を気相成長させ、珪素単結晶基板を除去した後、第１のリン化硼素単結晶層上に、第２のリン化硼素単結晶層を気相成長させて、形成した第１のリン化硼素単結晶層と第２のリン化硼素単結晶層の接合体をリン化硼素単結晶基板とする。 - 特許庁

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁

P-N JUNCTION BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT SOURCE FOR DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, ZENER DIODE, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子、ツェナーダイオード、及び発光ダイオード - 特許庁

To solve the problem that the resistance of a conventional p-type boron phosphide layer is sensitively changed due to a slight quantitative change of a p-type impurity to be added in a means for forming the p-type boron phosphide layer.例文帳に追加

従来のｐ形リン化硼素系半導体層の形成手段における、添加するｐ形不純物の僅かな量的変動により、リン化硼素結晶層の抵抗が敏感に変動してしまう問題を解決する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide type semiconductor device, in which a characteristic is advanced, providing a polycrystalline boron phosphide type semiconductor layer stably including twins which have twin faces having specific crystal directions.例文帳に追加

本発明は、特定の結晶方向を双晶面とする双晶を安定して含む多結晶のリン化硼素系半導体層を備えることにより、特性の向上したリン化硼素系半導体素子を提供する。 - 特許庁

The mixture of zinc sulfide powder and indium phosphide powder is put in a graphite-made vessel and heated at 1,250±50°C for 50±20 minutes while making an inert gas flow in the graphite-made vessel to produce the zinc phosphide nanoribbon having the branch-shaped part of the zinc sulfide nanowire.例文帳に追加

硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、1250±50℃に50±20分間加熱して、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝状部を有するリン化亜鉛ナノリボンを製造する。 - 特許庁

The conductive film is composed of phosphide particle coating in which raw material particles containing phosphide particles composed of Fe and/or a compound of Ti and P are formed to be adhered to at least one part of a surface of a base material.例文帳に追加

本発明の導電膜は、Ｆｅおよび／またはＴｉとＰとの化合物からなるリン化物粒子を含む原料粒子が基材の少なくとも一部の表面に付着して形成されたリン化物粒子塗膜からなる。 - 特許庁

To stably obtain an n-type or p-type boron-phosphide based semiconductor layer with precisely controlled carrier density by adding n-type or p-type impurities when the boron-phosphide based semiconductor layer is formed by a vapor-phase growing means.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を気相成長手段により成長する際、ｎ形またはｐ形不純物を添加して、精密に制御されたキャリア濃度のｎ形またはｐ形のリン化硼素系半導体層を安定して得る。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode provided in contact with the front surface of a conductive boron phosphide semiconductor layer having p-type conductivity (p-type boron phosphide semiconductor layer) is composed of lanthanum-iron-antimony (La-Fe-Sb) alloy layer.例文帳に追加

ｐ形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層（ｐ形リン化硼素半導体層）の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をランタン・鉄・アンチモン（Ｌａ・Ｆｅ・Ｓｂ）合金層から構成する。 - 特許庁

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide.例文帳に追加

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。 - 特許庁

The first optical material is, e.g. quartz and the second optical material is, e.g. silicon nitride(SiN) or gallium phosphide(GaP).例文帳に追加

例えば、第１の光学材料を石英とし、第２の光学材料を窒化ケイ素（ＳｉＮ）またはリン化ガリウム（ＧａＰ）とする。 - 特許庁

In this method, the p-type boron phosphide semiconductor layer is formed on the crystalline substrate 101 or the crystalline layer.例文帳に追加

結晶基板１０１上或いは結晶層上に、ｐ形リン化硼素半導体層を形成する方法である。 - 特許庁

The carbon film can prevent the deterioration of the properties of the indium phosphide nanowires by preventing the oxidation of them since it is chemically stable.例文帳に追加

炭素膜は化学的に安定なので、リン化インジウムナノワイヤーの酸化を防止して、性状が劣化することを防ぐ。 - 特許庁

A passivation layer 14 is formed on a sub-collector layer 12 where silicon of high concentration is doped in an indium phosphide material.例文帳に追加

リン化インジウム材料に高濃度のシリコンをドーピングしたサブコレクタ層１２上にパッシベーション層１４が形成される。 - 特許庁

Carcinogenicity of other compounds than indium phosphide is unknown but is thought indium as cause of carcinogen.例文帳に追加

リン化インジウム以外のインジウム化合物の発がん性は不明であるが、発がん性はインジウムに起因していると考えられる。 - 厚生労働省

To provide a light emitting element having a high light emitting intensity by diffusing element drive current to a light emitting region thoroughly in a boron phosphide semiconductor light emitting element having a pedestal electrode brought into contact with the surface of a boron phosphide crystal layer.例文帳に追加

リン化硼素結晶層の表面に接触させて台座電極を設けて成るリン化硼素系半導体発光素子にあって、発光領域に万遍なく素子駆動電流を拡散させて、高発光強度の発光素子を提供すること。 - 特許庁

To form a low-resistance boron phosphide semiconductor layer in crystal without using a complicated process, such as an impurity doping process, a thermal treatment, or the like, and to form a boron phosphide semiconductor device using the same.例文帳に追加

不純物ドーピングや熱処理等の煩雑な操作を要せず、低抵抗のリン化硼素系半導体層が帰結される様なリン化硼素系半導体層の結晶構成を提示し、同層を利用して、リン化硼素系半導体素子を構成できる様にする。 - 特許庁

The p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor layer is formed by adding beryllium (Be) to the boron phosphide (BP)-based semiconductor layer provided on the surface of a single-crystal substrate and containing boron (B) and phosphorus (P) as constituent elements as the p-type impurity.例文帳に追加

単結晶からなる基板の表面上に設けられた、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層に、ｐ形不純物としてベリリウム（Ｂｅ）を添加し、ｐ形リン化硼素（ＢＰ）系半導体層を形成する。 - 特許庁

To obtain a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting excellent crystallinity by reducing the density of crystal defect such as twin or lamination defect, and to enhance various characteristics as an element by utilizing the boron phosphide based semiconductor layer.例文帳に追加

燐化硼素系半導体層を双晶や積層欠陥等の結晶欠陥の密度の小さな結晶性に優れたものすることができ、この燐化硼素系半導体層を利用して、素子としての諸特性を向上させることができるようにする。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional heat treatment technique needs to coat the surface of a boron phosphide layer with a silicon nitride protective layer so as to obtain a low-resistance boron phosphide semiconductor layer, and further needs heat treatment for a long time.例文帳に追加

従来の熱処理技術では、低抵抗のリン化硼素半導体層を得るために、リン化硼素層の表面に窒化珪素の保護膜を被着させる必要がある上に、長時間に亘る熱処理が要求される問題点を解決する。 - 特許庁

To overcome the problem wherein a p-type boron phosphide-based semiconductor layer peels from the surface of a foundation layer when the semiconductor layer is formed by the conventional technology in which the semiconductor layer is formed by adding a p-type impurity composed of Zn or Mg to a boron phosphide-based semiconductor layer.例文帳に追加

Ｚｎ或いはＭｇからなるｐ形不純物を添加してｐ形伝導性のリン化硼素系半導体層を得る従来技術では、ｐ形リン化硼素系半導体層が下地層の表面から剥離してしまう問題を解決する。 - 特許庁