PHOTO LITHOGRAPHYの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 105件
To provide a film having excellent photo lithography processing resistance.例文帳に追加
フォトリソプロセス耐性に優れたフィルムを提供する。 - 特許庁
PHOTO LITHOGRAPHY PROCESS DEVICE AND DEFECT INSPECTION DEVICE例文帳に追加
フォトリソプロセス装置および欠陥検査方法 - 特許庁
HIGH REFRACTIVE INDEX LIQUID FOR PHOTO LITHOGRAPHY例文帳に追加
フォトリソグラフ用高屈折率液体 - 特許庁
PHOTO ACID-GENERATING AGENT, PRODUCTION METHOD THEREOF AND RESIN COMPOSITION FOR PHOTO LITHOGRAPHY例文帳に追加
光酸発生剤、その製造方法及びフォトリソグラフィ用樹脂組成物 - 特許庁
Preferably, the color conversion film is manufactured by a photo lithography method.例文帳に追加
好ましくは、色変換膜はフォトリソグラフィー法により製造する。 - 特許庁
PELLICLE FRAME, AND PELLICLE FOR PHOTO-LITHOGRAPHY USING THE FRAME例文帳に追加
ペリクルフレーム、および該フレームを用いたフォトリソグラフィー用ペリクル - 特許庁
PELLICLE FRAME AND PELLICLE FOR PHOTO LITHOGRAPHY USING IT例文帳に追加
ペリクルフレーム及びそれを用いたフォトリソグラフィー用ペリクル - 特許庁
METHOD OF MONITORING OPTICAL INTEGRATOR OF PHOTO-LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加
ホトリソグラフィ・システムの光インテグレータをモニタする方法 - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING SMOOTH DIGITAL COMPONENT BY DIGITAL PHOTO LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加
スムーズなデジタル成分をデジタルフォトリソグラフィーシステムで作成するためのシステムおよび方法 - 特許庁
To enable repair of a resist open failure part in photo lithography processes.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程中でのレジストオープン不良部のリペアを可能とする。 - 特許庁
PHOTO-CURING COMPOSITION FOR NANOIMPRINT LITHOGRAPHY, AND NANOIMPRINTING METHOD例文帳に追加
ナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物およびナノインプリント方法 - 特許庁
PHOTOCURABLE COMPOSITION FOR PHOTO-NANOIMPRINT LITHOGRAPHY AND MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE WITH PATTERN例文帳に追加
光ナノインプリントリソグラフィ用光硬化性組成物、及びパターン付き基板の製造方法 - 特許庁
After a photo-resist film PR is formed on a lens material film 111Z, the photo-resist film PR is pattern processed by a photo-lithography, thereby forming a resist pattern PRp on the lens material film 111z.例文帳に追加
レンズ材膜111zの上にフォトレジスト膜PRを成膜後、そのフォトレジスト膜PRをフォトリソグラフィによってパターン加工し、レンズ材膜111zの上にレジストパターンPRpを形成する。 - 特許庁
One groove 13 is formed on a silicon substrate 11 by using a photo-lithography technology, for example, by executing etching meanderingly.例文帳に追加
シリコン基板11上に、フォトリソグラフィ技術を用いて一本の溝13を例えば蛇行状にエッチングして溝13を形成する。 - 特許庁
After the garnet ferrite layer is deposited on the substrate, a pattern made of unit elements with a suitable size by a photo lithography method etc. is formed.例文帳に追加
ガーネットフェライト層の基板上への堆積後に、フォトリソグラフィー法等により適切な大きさの単位要素からなるパターンを形成する。 - 特許庁
To prevent the formation of a connection electrode with fault due to excessive etching by etching fluid in the etching process of a photo lithography method.例文帳に追加
フォトリソグラフィ法におけるエッチング工程時に、エッチング液による過食刻によって不良な接続電極が形成されるのを防止する。 - 特許庁
Next, stripes of grooves 54 are formed on the GaAs layer 53 by photo-lithography, and an InAs layer is then formed by MBE.例文帳に追加
次に、フォトリソグラフィ法により、GaAs層53にストライプ状の溝54を形成した後、MBE法によりInAs層を形成する。 - 特許庁
A resist film 14 is formed on the Al film 13, and patterned by a photo lithography method, and an opening 14a is formed.例文帳に追加
Al膜13上にレジスト膜14を形成して、フォトリソグラフィー法によりパターニングして開口部14aを形成する。 - 特許庁
To provide an anti-fuse element capable of selectively providing a fuse member without the interruption of any photo-lithography process and a method for manufacturing this anti-fuse element.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程を経ずに選択的にヒューズ部材を設けることのできるアンチヒューズ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To achieve high productivity by eliminating an excessive photo lithography process and to simultaneously achieve a high-quality multi-layered thin film.例文帳に追加
余分なフォトリソグラフィー工程を省略し高生産性を実現すると同時に高品質の多層薄膜を実現できるようにする。 - 特許庁
The manufacturing method of a thin film transistor display panel uses the following photo mask of the present invention for lithography.例文帳に追加
本発明による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法は本発明による次の光マスクをリソグラフィに利用する。 - 特許庁
As shown in Fig. 1(b), the photo resist layer 14 is exposed to light, thereby forming a passage pattern 14A about 10 μm wide by lithography.例文帳に追加
そして、図1(b)に示すように、このフォトレジスト層14が露光され、リソグラフィにより幅約10μmの流路パターン14Aが形成される。 - 特許庁
A lithography simulation is carried out with respect to the chip layout data (22), and anticipation layout data (23) after photo-resist exposure is generated.例文帳に追加
チップレイアウトデータ(22)に対してリソグラフィシミュレーションを実施し、フォトレジスト露光後の予想レイアウトデータ(23)を生成する。 - 特許庁
To provide an ultraviolet polarizing beam splitter cube for photo-lithography which can provide high resolution.例文帳に追加
高い解像度を提供することが出来るフォトリソグラフィ用偏光ビームスプリッタキューブの提供。 - 特許庁
To provide an optical recording medium for authoring in which a rugged pattern is formed by a simple process without using photo-lithography.例文帳に追加
フォトリソグラフィーを使わない簡単なプロセスで凹凸パターンを形成することのできるオーサリング用光記録媒体を提供する。 - 特許庁
The process is significantly simplified since a photo lithography method is not used in the forming process of the blast mask.例文帳に追加
さらに、ブラストマスクの形成工程でフォトリソグラフィー法を用いないので、工程を著しく簡略化できる。 - 特許庁
In the immersion lithography process, the photo resist layer is formed on a material layer, and an acid compensating layer is formed on the photo resist layer.例文帳に追加
本発明の液浸リソグラフィ・プロセスにおいて、材料層上にフォトレジスト層を形成し、当該フォトレジスト層上に酸補償層を形成する。 - 特許庁
The photocurable composition for the photo-nanoimprint lithography comprises (a) a polymerizable compound, (b) a photopolymerization initiator and (c) a surface-active photo polymerization initiator, and its viscosity at 25°C is ≥3 mPa s and ≤30 mPa s.例文帳に追加
(a)重合性化合物と、(b)光重合開始剤と、(c)界面活性光重合開始剤と、を含み、25℃における粘度が3mPa・s以上30mPa・s以下である光ナノインプリントリソグラフィ用光硬化性組成物。 - 特許庁
The substrate for imprint of the present invention is a substrate used in photo nanoimprint lithography, and characterized in that a metal compound layer is formed on a substrate and on the metal compound layer, an intermediate layer having an adhesive force with a photo curing resin used in the photo nanoimprint lithography larger than that of the metal compound layer is formed.例文帳に追加
本発明のインプリント用基板は、光式ナノインプリントリソグラフィにおいて用いられる基板であって、基板上に金属化合物層を形成してなり、該金属化合物層上に、光式ナノインプリントリソグラフィに用いられる光硬化性樹脂との密着力が、金属化合物層より大きな中間層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁
To provide an electrode plate for flat panel display provided with a photo spacer having a uniform thickness and not causing hindrance to rubbing in the rubbing processing where the thickness of the photo spacer is not excessively decreased by a load in a panel assembling process and the thickness and the shape of the photo spacer formed by the photo lithography method can be made stable.例文帳に追加
パネル組み立て工程における荷重によってフォトスペーサがその厚みを減じ過ぎることなく、また、フォトリソグラフィ法によって形成されたフォトスペーサの厚さ及び形状が安定したものとなり、さらに、ラビング処理において、フォトスペーサの厚さが均一なラビングの障害になることのないフォトスペーサを具備するフラットパネルディスプレイ用電極板を提供すること。 - 特許庁
To provide a replica mold having high durability against chemical, thermal and mechanical stresses, and suitably usable in various nano-lithography technologies including thermal NIL (NanoImprint Lithography) and photo NIL, and to provide a method for simply and inexpensively fabricate the replica mold.例文帳に追加
化学的、熱的および機械的なストレスに対して高い耐久性を有し、熱NILおよび光NILを含む種々のナノリソグラフィー技術に好適に用いることができるレプリカモールドおよび、簡便かつ安価にレプリカモールドを作製する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加
石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pellicle frame capable of preventing a reduction in exposure area by preventing inward deflection of a frame caused by the tension of a pellicle membrane, and obtaining a pellicle having excellent dimensional precision and excellent affixing positional accuracy on a photo-mask, and a pellicle for photo-lithography using the frame.例文帳に追加
ペリクル膜の張力によるフレームの内側への撓みを防止して露光領域の減少を防止するとともに、寸法精度およびフォトマスク上への貼付位置精度に優れたペリクルを得ることができるフレーム、及び該フレームを用いたフォトリソグラフィー用ペリクルを提供する。 - 特許庁
To solve a problem relating to a photo-mask that is an essential problem in a wiring board manufacturing method using a photo-lithography technology, and furthermore, to provide a technology for solving a problem wherein poor resist resistance is due to wiring microfabrication.例文帳に追加
フォトリソグラフィー技術による配線基板製造方法における本質的な課題と言えるフォトマスクに関わる問題を解決し、さらに、配線微細化によって引き起こされるレジスト耐性不足の問題を解決する技術を提供する。 - 特許庁
Thus, by the lithography for forming the groove 9a in the first insulating film 4a, a photo resist film (not illustrated) can be made small in thickness.例文帳に追加
このように形成することにより、第一絶縁膜4aに溝9aを形成するためのリソグラフィにおいて、フォトレジスト膜(不図示)の膜厚を薄くすることができる。 - 特許庁
The photo-curing composition for shielding light contains alkali soluble binder resin, and can be used for image formation by a lithography method, or can be used for image formation by an ink jet method, for example.例文帳に追加
本発明の遮光用光硬化性組成物は、例えば、アルカリ可溶性バインダー樹脂を含み、且つリソグラフィー法による画像形成に用いることができ、また、インクジェット法による画像形成に用いることもできる。 - 特許庁
A coating material layer 130 contains an acid 134 capable of neutralizing a base quencher 124 from a photo sensitive layer, and a polymer 132 as a carrier of the acid 134 and insoluble in an immersion fluid used in an immersion lithography process.例文帳に追加
コート材料層130が、感応層からのアルカリ性クエンチャー124を中和させる酸134と、酸134のキャリアであり、液浸リソグラフィ工程で用いられる液浸流体に溶解しないポリマー132とを含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which a vertical bipolar transistor with high performance and high power consumption and another vertical bipolar transistor with low power consumption can be obtained at the same time without a photo lithography step.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく、高性能・高消費電力の縦型バイポーラ・トランジスタと低消費電力の縦型バイポーラ・トランジスタとを同時に得ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide an improved photo-curable slip for preparing a ceramic spacer and glass-ceramic spacer by three-dimensional lithography.例文帳に追加
本発明の目的は、セラミックスペーサーおよびガラスセラミックスペーサーの立体リトグラフによる調製のための改良された光硬化性スリップを提供することである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing wiring, which dispenses with a photo-lithography process when connecting between patterns of an upper layer and lower layer, and a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
本発明は、上層と下層のパターンを接続するに際し、フォトリソグラフィ工程が不必要な配線の作製方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁
To provide efficient and accurate interpolation techniques for controlling processes in industrial processing of movement along with an orbit specified at a specific time by an accurate position, for example, in photo lithography.例文帳に追加
特定の時間に正確な位置によって規定される軌道に沿った移動とする産業処理、例えばフォトリソグラフィーにおいて、これらのプロセスを統制する、効率的かつ正確な補間技術を提供する。 - 特許庁
To form the line width CD of a pattern, and a sidewall angle SWA uniformly in a substrate surface in each substrate that is etched after a photo lithography process.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程後にエッチング処理が施された基板において、パターンの線幅(CD)とサイドウォールアングル(SWA)とを夫々、前記基板面内で均一に形成すること。 - 特許庁
To form a desired resist pattern accurately by devising a lithography process so that dimensional error of a mask pattern in a photo mask is easily and certainly corrected.例文帳に追加
リソグラフィープロセスを工夫することにより、フォトマスクにおけるマスクパターンの寸法誤差を容易且つ確実に補正し、所望のレジストパターンを正確に形成する。 - 特許庁
To provide a method for patterning a transparent conductive film by which an excessive photo lithography step can be eliminated, high productivity be realized, and a high-quality multilayer thin film be also realized.例文帳に追加
余分なフォトリソグラフィー工程を省略し高生産性を実現すると同時に高品質の多層薄膜を実現することができる透明導電膜のパターニング方法を提供することを目的とする - 特許庁
To provide a hydrodynamic bearing using a photo-lithography having excellent wear resistance which is capable of improving the difficulty in working a very small groove in an inner hole wall of the hydrodynamic bearing, and its manufacturing method.例文帳に追加
動圧軸受の内孔壁の微細な溝の加工の困難度を改善することができ、より良い耐磨耗性を有するフォトリソグラフィー技術を用いた動圧軸受とその製造方法する。 - 特許庁
At least one organic EL layer constituting an EL element is patterned by a photo lithography method.例文帳に追加
上記目的を達成するために、本発明は、EL素子を構成する少なくとも1層の有機EL層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることを特徴とするEL素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
An adhering layer 35 is patterned on an insulating film 34, a resist 52 is patterned by photo lithography method and metal nano ink is ejected toward an opening of the resist 52 from an ink jet head.例文帳に追加
絶縁膜34に密着層35をパターニングし、フォトリソグラフィー法によりレジスト52をパターニングし、インクジェットヘッドからレジスト52の開口にむけて金属ナノインクを吐出する。 - 特許庁
To provide a fine pattern method for forming a pattern by a photo-lithography technology, and for precisely working lower layer materials by using the pattern as a mask.例文帳に追加
フォトリソグラフィ技術においてパターンを形成し、且つ、それをマスクに用い、下層材料を精度良く加工する微細パターン方法を提供することにある。 - 特許庁
To suppress facility cost or the like without using a fine wiring working technology such as a photo lithography process, thereby achieving cost reduction in manufacturing a plasma display panel.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程などの微細配線加工技術を用いずに、設備費用等を抑え、プラズマディスプレイパネル製造時の低コスト化を実現する。 - 特許庁
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