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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > PLASMA LEVELの意味・解説 > PLASMA LEVELに関連した英語例文

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PLASMA LEVELの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 175



例文

The apparatus comprises a plasma display panel comprising a plurality of scan electrodes, and a scan driver which drives the plurality of scan electrodes, divides the plurality of scan electrodes into a plurality of scan electrode groups, and distinguishes a level of reset pulse supplied to at least one of the plurality of scan electrode groups from a level of reset pulse supplied to the others of the plurality of scan electrode groups.例文帳に追加

本発明は、複数のスキャン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、複数のスキャン電極を駆動させ、複数のスキャン電極を複数のスキャン電極群に分けて、複数のスキャン電極群のうち、少なくとも1つ以上に供給されるリセットパルスの大きさを他のスキャン電極群に供給されるリセットパルスの大きさと異なるようにするスキャン駆動部と、を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing fluorophor particles which have sufficient durability against thermal deterioration conditions at the level of a thermal treatment on the production of PDP (plasma display panel) panels, and against vacuum ultraviolet light (VUV) deterioration conditions at the irradiation level of VUV used as the exciting light of PDP, and whose mutual coagulation is prevented, and to provide fluorophor particles produced by the production method.例文帳に追加

例えば、PDPパネル製造時の熱処理水準の熱劣化条件、PDPの励起光として使用される真空紫外線(VUV)照射水準の真空紫外線劣化条件に対して十分な耐性を有し、且つ蛍光体粒子同士の凝集が抑制された蛍光体粒子の製造方法および当該製造方法により製造された蛍光体粒子を提供する。 - 特許庁

The invention relates to a method of relieving pain by administering a sustained release pharmaceutical tablet containing oxymorphone which produces a mean minimum blood plasma level 12 to 24 hours after dosing, as well as the tablet producing the sustained pain relief and an oxymorphone sustained release formulation containing about 5 mg to about 80 mg oxymorphone.例文帳に追加

本発明は、投薬の12時間〜24時間後での平均最小血漿レベルを生じる、オキシモルホンを含む放出制御性薬学的錠剤を投与することによって疼痛を軽減する方法、ならびに持続的な疼痛軽減を生じる錠剤に関する。 - 特許庁

A gas supply section 37 discharges a film-forming gas to the substrate 16, and electrodes 55-1 and 55-2 which are set electrically at a floating level and are arranged on the same side with respect to the surface of the substrate, receive an electric power from a power source, and generate plasma 4 to form the thin film on the surface of the substrate 16.例文帳に追加

ガス供給部37から基材16に向けて、成膜ガスが放出され、電気的にフローティングレベルに設定され、基材同一面側に配置された電極55−1、55−2間に電力が供給され、プラズマ4が発生し、基材16の表面に薄膜が形成される。 - 特許庁

例文

The plasma treatment device 10 comprises a means 20 for monitoring the drop of first high frequency power down to a specified level when second high frequency power is applied to a lower electrode 13 following to the application of the first high frequency power to an upper electrode 12.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置10は、第1の高周波電力を上部電極12に印加した後、第2の高周波電力を下部電極13に印加した際に、第1の高周波電力の電力値の所定値までの落ち込みを監視する監視手段20を設けたものである。 - 特許庁


例文

To provide a method for treating human patient suffered with a cardiovascular disease selected from arrhythmia, variant-form and exercise-induced angina, and myocardial infarction, administrated with ranolazine administration to keep plasma ranolazine near minimum effective level without causing peak fluctuation.例文帳に追加

ピークの変動を生じることなく血漿中ラノラジンが最小有効レベル付近に維持されるように、ラノラジン投与が投与される、不整脈、異型および運動誘発狭心症並びに心筋梗塞から選択される心血管疾患に罹患しているヒト患者を治療する方法の提供。 - 特許庁

In this dry etching apparatus, an annular protruding member 50 is protruded in the periphery of an upper electrode 18 toward an lower electrode 20, which loads a substrate W to be processed, to form a stepped level difference (d) against the upper electrode 18 to strengthen the electric field around the peripheral part of the upper electrode 18, and to increase the plasma density.例文帳に追加

このドライエッチング装置では、上部電極18の周囲で環状突出部材50が上部電極18に対して被処理基板Wを載置する下部電極20側へ突出して段差dを形成することで、上部電極18の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。 - 特許庁

In this dry etching apparatus, an annular protruding member 50 is protruded in the periphery of an upper electrode 18 toward an lower electrode 20, which loads a substrate W to be processed, to form a stepped level difference (d) against the upper electrode 18 to strengthen the electric field around the peripheral part of the upper electrode 18, and to increase the plasma density.例文帳に追加

このドライエッチング装置では、上部電極18の周囲で環状突出部材50が上部電極18に対して被処理基板Wを載置する下部電極20側へ突出して段差dを形成することで、上部電極18の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。 - 特許庁

At the time of driving the AC type plasma display panel which is constituted of an address period and a sustenance period, when gray levels is expressed by the sum of luminance of sub-fields to be selected, the mismatching of gray level expression due to luminance saturation is corrected by making the regularity of the selection order of sub-fields of lower bits different in accordance with gray levels.例文帳に追加

アドレス期間と維持期間とで構成されたAC型プラズマディスプレイパネルの駆動時に、選択するサブフィールドの輝度の和により階調を表現する場合に、階調レベルの高低により、下位ビットのサブフィールド選択順序の規則性を異ならせることにより、輝度飽和による階調表現の不整合を補正する。 - 特許庁

例文

Thereafter, when clogging occurs in the middle of the suction of the plasma component, a control part 10 determines whether the clogging is caused by the contact of a nozzle tip 40 with the separation agent or not based on a comparison result between the tip height of the nozzle tip 40 and the upper surface level of the separation agent at a clogging occurrence time.例文帳に追加

その後、血漿成分の吸引途中で閉塞が発生した場合、制御部10は、当該閉塞発生時のノズルチップ40の先端高さと分離剤上面レベルとの比較結果に基づいて、当該閉塞が、ノズルチップ40の分離剤への接触に起因する閉塞か否かを判定する。 - 特許庁

例文

To provide an apparatus for carring out a plasma chemical vapor deposition (PCVD) process, in which leakage of high frequency energy is small even when a high frequency output level of about 2.5 kW is used so as to enhance the vapor deposition speed in PCVD process for vapor depositing a doped or undoped layer onto the interior of a glass substrate tube.例文帳に追加

ドープされているか又はされていない層をガラス基材チューブの内側に蒸着させるプラズマ化学蒸着処理(PCVD処理)において、蒸着速度を上げるために約2.5kW以上の高周波出力レベルを用いた場合であっても、高周波エネルギーの漏洩の少ないPCVD蒸着処理装置を提供する。 - 特許庁

The flow rate load of gas is detected by the mass flow controllers, presence/absence of the plasma generated in the processing chamber is detected by the monochrometer, these detection signals are transmitted to the CPU and a control valve is controlled so that pressure of the processing chamber is at a specified level based on a control signal from the CPU.例文帳に追加

マスフローコントローラによってガスの流量負荷を検知すると共に、モノクロメータによって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成有無を検知し、これら検知信号をCPUに伝達すると共に、CPUからの制御信号に基づいて処理室が所定圧力になるようにコントロールバルブを制御する。 - 特許庁

The panel display device is equipped with a luminance control section 1 which forms corrected pixel data by multiplying each of input pixel signals by a coefficient corresponding to each pixel so as to correct the variations in the luminance levels between the pixels of a plasma display panel 10 in the case the display based on the signal of the same luminance level is performed.例文帳に追加

同一の輝度レベルの信号に基づく表示を実行した場合におけるプラズマディスプレイパネル10の画素間の輝度レベルのばらつきを補正するように、入力画素信号の各々に対し各画素に対応した係数を乗算して補正画素データを生成する輝度制御部1を備える。 - 特許庁

To produce a vessel having gas barrier properties of constantly higher quality than a certain level, even while an apparatus is continuously operated for a long period of time, by preventing non-ignition of plasma from occurring even when an automatic matching device causes a matching failure originating from an unexpected variation of impedance due to the exfoliation of a carbon-based contamination depositing on the apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、装置に付着した炭素系異物の剥離による不測のインピーダンス変化を原因とする自動整合器のマッチング不良が生じてもプラズマの不着火を防止し、長期連続運転を行なっても常に一定品質以上のガスバリア性を有する容器を製造することである。 - 特許庁

To reduce a high-frequency current flowing through a load circuit without increasing the thickness of an insulating substance, to feed high-frequency power of a predetermined level even with a low working pressure of plasma, and to facilitate the generation of discharge between electrodes without increasing the thickness of the insulating substance.例文帳に追加

絶縁物の厚さを厚くすることなく負荷回路に流れる高周波電流を少なくすることができ、また、プラズマの動作圧力が低いときでもプラズマに予め定めた一定レベルの高周波電力を供給することができ、さらに、絶縁物の厚さを厚くすることなく電極間の放電を発生し易くすることができるようにする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 has a lower electrode 22 having the mounting surface 221 and the lower electrode is provided with a pin (projection) 61 capable of freely projecting from the mounting surface 221, the pin 61 moving into a projection state wherein its tip surface 611 projects from the mounting surface 221 or into a storage state wherein the tip surface 611 is matched in level with the mounting surface 221.例文帳に追加

プラズマ処理装置1は、載置面221を備える下部電極22を有し、下部電極には、載置面221から出没自在なピン(突起)61が設けられており、突起61は、その先端面611が載置面221より突出した突出状態と、載置面221と一致した収容状態とに移動することを特徴とする。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、p型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

In a state in which an argon gas is supplied into a vacuum chamber 1, a relatively low level of high frequency power, for example, 300 W is supplied to a placement stage 2 (a lower electrode) from a high frequency power supply 11 to generate a weak plasma and act it to a semiconductor wafer W so as to control the state of the electric charge accumulated in the semiconductor wafer W.例文帳に追加

真空チャンバー1内にArガスを供給し、この状態で、まず高周波電源11から載置台2(下部電極)に、例えば、300W等の比較的低い高周波電力を供給して、弱いプラズマを発生させ、半導体ウエハWに作用させて半導体ウエハWの内部に蓄積された電荷の状態を調整する。 - 特許庁

A waste processing method comprising the steps of subjecting a waste ion exchange resin containing low-level radioactive materials used for purification of the coolant in a reactor to plasma treatment under the presence of carbon dioxide and/ or carbon monoxide, decomposing the waste ion exchange resin for the volume reduction, and converting the radioactive materials into materials having a low vapor pressure for the prevention of the vaporization thereof and the stabilization thereof.例文帳に追加

原子炉の冷却水の浄化に使用した低レベル放射性物質を含有する廃イオン交換樹脂を、二酸化炭素および/または一酸化炭素の存在下にプラズマ処理し、廃イオン交換樹脂を分解して減容し、かつ放射性物質を蒸気圧の低い物質に変えて揮散を防止し、安定化する廃棄処理方法。 - 特許庁

A panel used for the plasma display device can suppress the noise level in the highland by using an elastic body having elasticity for the sealing member 11 when the panel is sealed in a state in which a discharging space is formed between the front face substrate 1 with a plurality of display electrodes and a rear face substrate 2 with data electrodes arranged so as to cross the display electrodes.例文帳に追加

複数の表示電極を配置した前面基板1と前記表示電極に交差するようにデータ電極を配置した背面基板2との間に放電空間が形成されるように対向配置した状態にパネルを封着する際、封着部材11に弾性を有する弾性体を使用することにより、高地における騒音レベルを抑制することができるものである。 - 特許庁

To provide a noise reduction circuit for a semiconductor device that can reduce a high level noise caused by concentrated flowing of a momentary transient current (peak current) through power lines of IO buffers when many outputs are inverted in each semiconductor, using the IO buffer with an output in a plurality of bits and capable of a high output current capability, such as a data control circuit for plasma display and liquid crystal display.例文帳に追加

プラズマ表示や液晶表示のデータ制御回路のような複数ビットの出力をもち、出力電流能力の高いIOバッファを使用している半導体で出力の多数が反転した場合、出力IOバッファで瞬間的な過渡電流(ピーク電流)が電源線に集中的に流れることにより発生する大きなノイズを低減する半導体装置のノイズ低減回路を提供する。 - 特許庁

To enable easy and secure joining of alumina sintered bodies which are used as materials for plasma devices for fabricating semiconductor- fabricating devices, by forming a joint layer between the alumina sintered bodies using yttrium aluminum garnet (YAG) either alone or in combination with a rare-earth oxide other than YAG to minimize effects of thermal and mechanical stresses on the joints and to increase bond strength between the alumina sintered bodies to an unprecedented level.例文帳に追加

この発明は、アルミナ焼結体の結合層をイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)或いはこのYAGと少量のYAG以外の希土類酸化物とすることによって、接合部の熱応力や機械的応力による影響を少なくして、アルミナ焼結体の接合強度をこれまでになく高め、半導体製造装置製造用のプラズマ装置で使用される材料のアルミナ焼結体の接合を容易・確実にしようとするものである。 - 特許庁

The composition for releasing the pergolide to an individual requiring the pergolide therapy by the permeation through a body surface or membrane at a therapeutically effective rate contains pergolide mesylate in an amount effective for enabling successive release of the pergolide at least at 1 μg/cm^2×hr flow rate over the administration period to obtain the therapeutic plasma level of the pergolide, in a carrier.例文帳に追加

身体表面または膜を通る透過によってペルゴライド治療を必要とする個人に治療有効速度で身体表面または膜を通してペルゴライドを放出するための組成物であって、ペルゴライドの治療的血漿レベルを得るために、投与期間にわたり少なくとも1μg/cm^2・時間の流量によるペルゴライドの持続放出を可能にするのに有効な量のペルゴライドメシレートを担体中に含有する組成物である。 - 特許庁

In the method for easily and reliably removing harmful gas containing carbon monoxide gas in air, a catalyst gas having a metastable level and atmospheric air are supplied to electric discharge plasma generated by an electric discharge apparatus 15 through a humidifying apparatus 14, so that the concentration of atoms in metastable state which cause reaction as a catalyst at the time of reaction of the harmful gas containing carbon monoxide gas in the air with oxygen.例文帳に追加

準安定準位を有する触媒ガスと、大気中の空気とを加湿装置14を介して放電装置15により形成された放電プラズマに供給することにより、上記空気中の一酸化炭素ガスを含む有害ガスが酸素と反応する際の触媒として作用する準安定状態にある原子の濃度を高めるようにして、上記空気中の一酸化炭素ガスを含む有害ガスを容易に且つ確実に除去することができるようにする。 - 特許庁

例文

This is the power supply device for plasma generation in which the electrostatic capacity value C2 in the gas region is such a level as cannot be ignored compared with the electrostatic capacity value C1 of the dielectric, and AC power is supplied through a transformer 4.例文帳に追加

ガス領域の静電容量値C2が誘電体の静電容量値C1に比べて無視できないような大きさであり、トランス4を介して交流電力を供給するプラズマ発生用電源装置において、放電負荷5に対して並列または直列にインダクタンスを有するように構成すると共に、上記インダクタンスの値を、トランス4の2次側におけるインダクタンスの値Lが、放電期間における放電負荷の静電容量値C1により決定される値と、非放電期間における放電負荷の静電容量値C3=(C1×C2)/(C1+C2)により決定される値との間にあって、下記の式(1)を満足する値となるように設定する。 - 特許庁




  
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