「Ru a」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NF1 is a metal film, preferably Ru or a Ru-based alloy like RuCr.例文帳に追加

ＮＦ１は、好ましくはＲｕまたはＲｕＣｒの様なＲｕ基合金である金属膜である。 - 特許庁

An Ru film 3, a PZT film 4 and an Ru film 5 are first formed sequentially on a substrate 2.例文帳に追加

先ず、Ｒｕ膜３、ＰＺＴ膜４、およびＲｕ膜５が基板２上に順次成膜される。 - 特許庁

For reduction of cost of a catalyst material, low-cost precursor bodies of Pt and Ru are used, to which a complexing agent forming chelates in a synthetic system under existence of a reducing agent to narrow reduction potential differences of Pt and Ru, and synthesize PtRu system catalyst with Pt and Ru atoms fully combined into an alloy.例文帳に追加

触媒材料コスト低減のため、安価なPtおよびRuの前駆区体を使用し、還元剤の存在下、合成系内にキレートを形成する錯化剤を添加することにより、PtとRuの還元電位差を狭め、PtとRu原子が十分に混合合金化したPtRu系触媒を合成する。 - 特許庁

One of the ferromagnetic material is CoFeB alloy or CoFe alloy, the other is CoFe alloy or NiFe alloy having a face-centered cubic structure grown on a Ta/Ru base layer, and the nonmagnetic material is Ru.例文帳に追加

強磁性体の一方は、CoFeB合金またはCoFe合金であり、他方はTa／Ru下地層上に成長した面心立方構造のCoFe合金またはNiFe合金であり、非磁性体がRuである。 - 特許庁

The conductive material is used for forming the thick-film resistor, being made into the paste comprising an Ru-based compound oxide, in which La is substituted for a part of Sr of SrRuO_3 and Al is substituted for a part of Ru.例文帳に追加

厚膜抵抗体の形成に用いる導電材料であって、SrRuO_3のSrの一部がLaで置換され、且つ、Ruの一部がAlで置換されたRu系複合酸化物を含む厚膜抵抗体用ペースト。 - 特許庁

Some suggest that the sound of "Ru" gradually disappeared in later years; removing "Ru" from 'Hiruko' leaves "Hiko" ("彦" (a kanji representing a man) and removing "Ru" from 'Hirume' leaves "Hime" ("姫" (meaning princess)). 例文帳に追加

後世になって『る』の音が消滅していったと見るむきもあり、「ヒルコ」の『る』を除けばヒコ（彦）となり、「ひるめ」の『る』を除けばヒメ（姫）となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To efficiently leach/recover a platinum group metal from a raw material comprising a platinum group metal including Ru and/or Rh.例文帳に追加

Ru及び又はRhを含む白金族金属を含む原料から、効率よく白金族金属を浸出・回収する。 - 特許庁

The intermediate layer 6 is formed with a Ru alloy.例文帳に追加

そして、中間層６は、Ｒｕ合金で形成する。 - 特許庁

The thin-film-forming apparatus transports a Ru film formed in a Ru chamber F1 to an oxidization chamber F2, and exposes the Ru film to an atmosphere of an oxidative gas to oxidize the Ru film (Step S14).例文帳に追加

薄膜形成装置は、ＲｕチャンバＦ１で形成するＲｕ膜を酸化チャンバＦ２に搬送し、酸化性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し酸化処理を施す（ステップＳ１４）。 - 特許庁

To provide an electrolytic cell device in which the precipitating in a solution as a fine particle of RuO_2 by a reduction reaction can be prevented when ruthenium (Ru) included in a solution is electrolysis-oxidized and thereby the Ru is volatile-separated as a tetroxide (RuO_4).例文帳に追加

溶液中に含まれるルテニウム(Ru)を電解酸化することにより、Ruを四酸化物（RuO_4）として揮発分離させる際に、還元反応によってRuO_2の微粒子として沈殿することを防止できる電解セル装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently separating Ru from a solution containing a platinum group element by oxidation distillation.例文帳に追加

白金族を含む溶液からRuを酸化蒸留で分離する際に、効率的に分離する方法を提供すること。 - 特許庁

A Ru film 13 as an underlying electrode of a capacitor is formed by a CVD method, using a Ru source material and oxygen radicals.例文帳に追加

下部キャパシタ電極としてのＲｕ膜１３をＲｕ原料と活性酸素を用いたＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

For example, a non-magnetic metal layer consisting of Ru or Ru alloy is formed as the non-magnetic layer 8.例文帳に追加

非磁性層８としては、例えばＲｕ又はＲｕ合金からなる非磁性金属層が形成されている。 - 特許庁

Before depositing a metal plug such as a Ru plug, a barrier layer is etched back until the surface of the barrier layer is below an upper edge of a contact hole.例文帳に追加

本発明は、Ruプラグなどの金属プラグを堆積する前、表面がコンタクトホール上端より低くなるまでバリア層をエッチバックする。 - 特許庁

To provide an Ru sputtering target for forming an Ru film or an Ru oxide film excellent in adhesion and used at the time of forming an electrode for the capacitor of a semiconductor memory of a high integrating degree or the like and to provide Ru raw material powder for producing the Ru sputtering target.例文帳に追加

高集積度の半導体メモリーのキャパシタ用電極などを形成する際に使用される密着性に優れたＲｕ膜または酸化Ｒｕ膜を形成するためのＲｕスパッタリングターゲットおよびそのＲｕスパッタリングターゲットを製造するためのＲｕ原料粉末を提供する。 - 特許庁

During the growth of the Ru doping semi-insulating semiconductor layer, gas containing halogen atoms is added simultaneously with hydrogen independently of raw material gas of a compound semiconductor and carrier gas so as to suppress bonding between Ru and hydrogen.例文帳に追加

Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 - 特許庁

The catalyst for carbon monoxide methanation is made by depositing Ru and a metal other than Ru and the deposition amount of Ru and the metal other than Ru lies the range of 0.5 to 15 wt.% in the catalyst.例文帳に追加

ＲuとＲu以外の金属が金属酸化物担体に担持されてなり、ＲuとＲu以外の金属の担持量が触媒中に０．５〜１５重量％の範囲にあることを特徴とする一酸化炭素メタネーション用触媒。 - 特許庁

To improve a uniformity of a film thickness distribution and film quality of an Ru film or an Ru alloy film and an adhering force to a base material, at a sputtering target made from Ru or a Ru alloy used for formation of an electrode of a thin-film capacitor mounted on a DRAM or a FRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭやＦＲＡＭに搭載される薄膜キャパシタの電極形成などに用いられるＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｒｕ膜やＲｕ合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地に対する付着力を向上させる。 - 特許庁

Gote-ru' was a catchword at that time, meaning 'to complain.' 例文帳に追加

「ゴテる」は「不平や不満を言うこと」を意味する当時の流行語。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To easily form Ru doping semi-insulating semiconductor layer having higher insulation with high reproducibility even under a growth environment in which a large amount of hydrogen exists in order to practically use a buried type optical semiconductor element using the Ru doping semi-insulating semiconductor layer.例文帳に追加

Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。 - 特許庁

To provide a microanalytical method in which the amount of Ru existing on the surface of a silicon wafer is analyzed in a short time so as to quickly deal with a contamination accident by the Ru element.例文帳に追加

シリコンウェハの表面に存在するＲｕの量を短時間に分析し、Ｒｕ元素による汚染事故に迅速に対処する。 - 特許庁

Further, a catalyst layer 41 containing Pt, Pd, Rh or Ru may be optionally set in the pipe 1 where the heating device 11 is set.例文帳に追加

さらに、加熱装置11が設置された配管1内には、Pt、Pd、Rh若しくはRuを含む触媒層41が設置される場合がある。 - 特許庁

As a result, the impurities contained in the Ru film can be so removed effectively and the Ru film can be made dense.例文帳に追加

その結果、Ｒｕ膜中の不純物を効果的に除去することができ、Ｒｕ膜の緻密化を図ることができる。 - 特許庁

An intermediate layer (IL) having a hexagonal close packing (hcp) crystal structure, and made from Ru or Ru alloy, is vapor-deposited in a sputter pressure substantially lower than before, so that a columnar structure of the intermediate layer decreases more than before, and a surface of the intermediate layer becomes smoother than before.例文帳に追加

六方最密(hcp)結晶構造を有するRu或いはRu合金から成る中間層(IL)を従来よりも実質的に低いスパッタ圧にて蒸着し、その結果、中間層の柱状構造が従来よりも減少し、中間層の表面が従来よりも平滑になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor having an RU lower electrode and a BST dielectric film for semiconductor elements which stabilizes the surface of the RU lower electrode before forming the BST dielec tric film in forming the capacitor, this improving the interface characteristic between the lower electrode and the dielectric film to raise the capacitor reliabil ity.例文帳に追加

本発明は、RU下部電極とBST誘電体膜を有するキャパシタを製造するにあたり、BST誘電体膜を形成する前にRU下部電極の表面を安定化するので、RU下部電極とBST誘電体膜との界面特性が改善され、キャパシタの信頼性が高められる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

A capacitor formed on a conductive plug of a semiconductor substrate has the composite storage node having the Ru conductive layer which covers the conductive plug and a conductive oxide layer of the perovskite structure covering the Ru conductive layer, a capacitor dielectric layer covering the composite storage node, and an electrode layer covering the capacitor dielectric layer.例文帳に追加

半導体基板の導電性プラグ上に形成されたキャパシタが、導電性プラグを覆うRu導電層およびRu導電層を覆いペロブスカイト構造の導電酸化層を有する複合記憶ノードと、複合記憶ノードを覆うキャパシタ誘電層と、キャパシタ誘電層を覆う電極層とを含む。 - 特許庁

Further, a mirror index of the surface of an Ru layer 5b is a (0002) plane.例文帳に追加

更に、Ｒｕ層５ｂの表面のミラー指数は（０００２）面となっている。 - 特許庁

To provide a RU target material used for depositing a RU thin film used for a hard disk or the like, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明は、ハードディスク等に使用されるＲｕ薄膜を形成するために用いるＲｕターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A catalyst is constituted of two or more metals and/or metal compounds selected from Ru, Ti, Mo, W, V, Ir, Nb, W, Cu, Ni, La, Ca, Cu, Zr, and Ta.例文帳に追加

触媒を、Ru、Ti、Mo、W、V、Ir、Nb、W、Cu、Ni 、La、Ca、Cu、 Zr及びTaから選ばれる２種以上の金属及び／又は金属化合物から構成する。 - 特許庁

Alternatively, a part of Ir is substituted by one or more elements selected from Ru, Rh, Pd, Os, Mo, Nb, Ta, Hf, W, Ti, Zr, Y, La Cr, and V in the above alloy.例文帳に追加

またIrの一部がRu,Rh,Pd,Os,Mo,Nb,Ta,Hf,W,Ti,Zr,Y,La,Cr、Vから選択される一種若しくは二種以上の元素で置換される前記合金。 - 特許庁

The thin-film-forming apparatus also transports the oxidized Ru film to a reduction chamber F3, and exposes the Ru film to an atmosphere of a reductive gas to reduce the Ru film (Step S15).例文帳に追加

また、薄膜形成装置は、酸化処理の施されたＲｕ膜を還元チャンバＦ３に搬送し、還元性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し還元処理を施す（ステップＳ１５）。 - 特許庁

To efficiently separate a first platinum group (Pt and Pd) and a second platinum group (Ru, Os, Rh and Ir) from a solution containing platinum group (Pt, Pd, Ru, Os, Rh and Ir).例文帳に追加

白金族（Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ）を含む溶液から第一白金族（Ｐｔ，Ｐｄ）と第二白金族（Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ）を効率よく分離する方法を見出すことである。 - 特許庁

The Ru complex oxide has a perovskite type crystalline structure, with a part of an Ru site substituted with at least a kind out of Ti and Zr.例文帳に追加

このＲｕ複合酸化物は、ペロブスカイト型結晶構造を有し、Ｒｕサイトの一部がＴｉ若しくはＺｒの少なくとも１種で置換されている。 - 特許庁

The conductive material contains a composite oxide of Lu and Ru.例文帳に追加

導電性材料がＬｕとＲｕとの複合酸化物を含有する。 - 特許庁

Some interpret Hinoko as 'a child of the sun' because "Ru" is archaic form of "No" in modern Japanese. 例文帳に追加

『る』は『の』古形であり「日の子」の意味になるという解釈がある - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A polycrystalline underlayer composed of Ru or an alloy consisting essentially of Ru and having hexagonal closest packing structure is disposed on a substrate.例文帳に追加

基板の上に、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕからなる多結晶の下地層が配置されている。 - 特許庁

The PtRu-based catalyst is used for an anode of the fuel cell and a proportion of Ru to a total amount of Pt and Ru on the surface is 45-60 atom.%, with an Ru elution under a specific condition per Ru 1g is 100 mg.例文帳に追加

本発明のＰｔＲｕ系触媒は、燃料電池の陽極に使用されるものであり、表面におけるＰｔとＲｕとの総量中、Ｒｕの割合が４５〜６０原子％で、特定条件下でのＲｕ溶出量がＲｕ１ｇあたり１００ｍｇのＰｔＲｕ系触媒である。 - 特許庁

By providing the Ru-doped InGaP graded layer 303 between the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304, the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304 not lattice-matching with each other can be formed as a buried layer with excellent crystallinity.例文帳に追加

ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 - 特許庁

Ruthenium-containing precursors for ruthenium-containing films deposition comprises a ruthenium precursor selected from the group consisting mainly of: Ru(XOp)(XCp), Ru(XOp)_2, Ru(allyl)_3, RuX(allyl)_2, RuX_2(allyl)_2, Ru(CO)_x(amidinate)_y, Ru(diketonate)_2(amidinate)_2, their derivatives and any mixture thereof.例文帳に追加

Ｒｕ（ＸＯｐ）（ＸＣｐ）、Ｒｕ（ＸＯｐ）_2、Ｒｕ（アリル）_3、ＲｕＸ（アリル）_2、ＲｕＸ_2（アリル）_2、Ｒｕ（ＣＯ）_x（アミジネイト）_y、Ｒｕ（ジケトネイト）_2（アミジネイト）_2、それらの誘導体およびそれらの混合物から実質的になる群から選ばれるルテニウム前駆体を含むルテニウム含有フィルム堆積用ルテニウム含有前駆体。 - 特許庁

Although it is true that the word "bow" has the meaning of "senshu (bow/stem/prow)," it also has the meaning of "saizenbu no o-ru (an oar nearest the front)." Taking into consideration that this invention relates to oars of a boat, the above-mentioned word should be translated as "saizenbu no o-ru (front side of an oar)." 例文帳に追加

bowという単語にはたしかに「船首」との意味もあるが、「最前部のオール」という意味も有している。 - 特許庁

The addition of n-ZnO to Ru/AC resulted in a pronounced increase in the degree of dispersion of Ru and in the acidic/basic sites concentration ratio.例文帳に追加

Ｒｕ／ＡＣにｎ−ＺｎＯを添加した結果、Ｒｕの分散度および酸性／塩基性部位濃度比が顕著に増大した。 - 特許庁

To enable ashing of a photosensitive material for which selection ratio to Ru is improved, and to prevent the partial loss of an Ru film.例文帳に追加

Ｒｕに対する選択比を向上させた感光材料のアッシングを可能にするとともに、Ｒｕ膜の部分的な消失を防ぐ。 - 特許庁

To provide a treatment method by which noble metals such as Pt, Ru are easily and efficiently separated and recovered together with Al alloy being a substrate, as a method for recovering noble metals such as Pt, R from a recording medium having an Al alloy substrate.例文帳に追加

Al合金基板を有する記録メディアからPt、Ru等の貴金属を回収する方法において、Pt、Ru等の貴金属と共に基板であるAl合金をも簡便かつ効率よく分離して回収できる処理方法を提供する。 - 特許庁

One embodiment combines a first layer of Ru with a second layer of B_4C.例文帳に追加

一実施態様では、Ｒｕの第１層をＢ_4Ｃの第２層と組み合わせている。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium is composed of a substrate, a ferromagnetic thin film and a Ru thin film or a Ru-based alloy thin film provided between the ferromagnetic thin film and the substrate.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体は、基板と、強磁性薄膜と、この強磁性薄膜と基板との間に設けられたＲｕ薄膜又はＲｕ基合金薄膜とからなる。 - 特許庁