「Ru a」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

For the metallic pattern formation method, a metal film composed of Ru is formed on a substrate.例文帳に追加

該金属パターンの形成方法では、基板上にＲｕからなる金属膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a CVD-Ru film with excellent wettability of Cu.例文帳に追加

Ｃｕの濡れ性が良好なＣＶＤ−Ｒｕ膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly selective Ru(ruthenium) etching technique, using a photoresist as an etching-resistant mask.例文帳に追加

フォトレジストを耐エッチングマスクに用いたＲｕ（ルテニウム）の高選択エッチング技術を提供する。 - 特許庁

The thick film resistor contains a glass composition and a conductive material containing Ru.例文帳に追加

ガラス組成物及びＲｕを含む導電性材料を含有する厚膜抵抗体である。 - 特許庁

An insertion layer 48, made of a ruthenium(Ru), is arranged between a seed layer 42 and a free layer 43.例文帳に追加

シード層４２とフリー層４３との間に、ルテニウム（Ｒｕ）によりなる挿入層４８を配設する。 - 特許庁

The Ru layer has a thickness of 0.45±0.05 nm or 0.9±0.1 nm.例文帳に追加

そしてＲｕ層の厚みは、０．４５±０．０５ｎｍあるいは０．９±０．１ｎｍとする。 - 特許庁

A Ti film, a Ta film, a Ru film, or a MgO film or the like is formed as the orientation control film 3.例文帳に追加

配向制御膜３としては、Ｔｉ膜、Ｔａ膜、Ｒｕ膜又はＭｇＯ膜等を形成する。 - 特許庁

The CVD-Ru film is formed through a process of forming an Ru film on a substrate by CVD using a film forming material containing an organic metal compound and a process of annealing the substrate where the Ru film is formed in a hydrogen containing atmosphere.例文帳に追加

有機金属化合物を含む成膜原料を用いてＣＶＤにより基板上にＲｕ膜を成膜する工程と、前記Ｒｕ膜が成膜された基板に対し、水素含有雰囲気でのアニールを行う工程とによりＣＶＤ−Ｒｕ膜を形成する。 - 特許庁

At this time, the pressure of the gas forming the upper intermediate layer 16b is specified to be 5 to 12 Pa that is higher than 0.5 to 1 Pa for a lower Ru intermediate layer 16a.例文帳に追加

このときの上部中間層16bを形成するガス圧力は５Pa以上12Pa以下と，下部Ru中間層16aの0.5Pa以上1Paに比べて遙かに高い領域とする。 - 特許庁

As the Ru-PZT interface structure, when Ru and PZT come into direct contact at least locally, a large residual dielectric polarization value is displayed.例文帳に追加

ＲｕとＰＺＴの界面構造としては少なくとも局所的にＲｕとＰＺＴが直接接している時、極めて大きな残留分極を示した。 - 特許庁

The diamond electrode structure achieves electrical junction by providing a diamond on which an electrode made of ruthenium (Ru) or ruthenium oxide (RuO_2) is provided.例文帳に追加

ダイヤモンド表面にルテニウム（Ru）もしくは酸化ルテニウム（RuO_2）からなる電極を設けることにより、電気的接合を行うことを特徴とするダイヤモンド電極構造。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering highly pure Pt from a Pt-containing liquid containing at least Ru, wherein contamination of Ru is extremely reduced in the Pt.例文帳に追加

少なくともＲｕを含むＰｔ含有液から、Ｒｕの混入が著しく低減された高純度のＰｔを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for improving the effect of an alloy underlayer comprising Ru or Ru ally as the main component, for achieving the further improvement of a signal-to-noise ratio.例文帳に追加

さらなる信号雑音比向上を達成するために、ＲｕまたはＲｕを主成分とする合金下地層の効果を向上させる手段を提供する。 - 特許庁

ru 486 blocks the action of progesterone, a hormone that helps some cancers grow. 例文帳に追加

ru486は、一部のがんの増殖を促進するホルモンであるプロゲステロンの作用を阻害する。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The photosensitizer dye is a ruthenium (Ru) complex represented by the following general formula (1).例文帳に追加

下記の一般式（１）に示すような特定のＲｕ錯体である光増感色素。 - 特許庁

To obtain a brazing filler metal which consists mainly of Mo and does not contain Ru which is a rare metal.例文帳に追加

希少金属であるＲｕを使用しないＭｏを主成分とするろう材を得ること。 - 特許庁

The variable prize winning device 5 comprises a front-side unit FU and a rear-side unit RU.例文帳に追加

遊技機用可変入賞装置５は、前方側ユニットＦＵと後方側ユニットＲＵを備える。 - 特許庁

A conductive material contains a composite oxide of Er and Ru, i.e., Er_2Ru_2O_7.例文帳に追加

ＥｒとＲｕの複合酸化物、すなわちＥｒ_2Ｒｕ_2Ｏ_7を含有する導電性材料である。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium using a material more inexpensive than Ru and having magnetic characteristics equal to or more than that using Ru, and to provide a magnetic disk drive with the same.例文帳に追加

Ｒｕよりも安価な材料を用い、Ｒｕを使用したものと同等以上の磁気特性を有する磁気記録媒体及びこれを備えた磁気ディスク装置を提供すること。 - 特許庁

The sheet carrying device includes a carrying passage, a plurality of roller pairs Ru and Rd arranged along the carrying passage, and a control part for controlling the drive of the roller pairs Ru and Rd.例文帳に追加

シート搬送装置は、搬送路と、当該搬送路に沿って配設された複数のローラ対Ｒｕ，Ｒｄと、ローラ対Ｒｕ，Ｒｄの駆動を制御する制御部と、を備えている。 - 特許庁

A Ru silicide layer 25 is formed on the surfaces of plugs 22 in through-holes 19 piercing lower parts of lower electrodes 28 of information storing capacitance elements C and a Ru silicon nitride layer 26 is formed on the Ru silicide layer 25 surface.例文帳に追加

情報蓄積用容量素子Ｃの下部電極２８の下部に形成されたスルーホール１９内のプラグ２２の表面にはＲｕシリサイド層２５が形成され、Ｒｕシリサイド層２５の表面にはさらにＲｕシリコンナイトライド層２６が形成されている。 - 特許庁

To achieve establishment of a method for efficiently separating Pt and Ru from raw material containing Pt and Ru, the establishment being urgently needed since the amount of generation of the raw material containing Pt and Ru is anticipated to increase.例文帳に追加

ＰｔとＲｕとを含有する原料は今後発生量が増えるであろうと予想されるものであり、ＰｔとＲｕとを含有する原料からＰｔとＲｕとを効率的に分離する方法の確立が急務となっている。 - 特許庁

The Ru raw material powder for producing the Ru sputtering target has a compsn. contg. 1 to 9 ppm Si, and the balance Ru having ≥99.998% purity, and in which the content of W is limited to <1 ppm.例文帳に追加

（２）Ｓｉ：１〜９ｐｐｍを含有し、残部が純度：９９．９９８％以上のＲｕからなり、Ｗの含有量を１ｐｐｍ未満に限定した組成を有するＲｕスパッタリングターゲット製造のためのＲｕ原料粉末。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device capable of ensuring that the processing condition of Ru film can be maintained by preventing erosion of the Ru film at the time of removing the resist in the semiconductor device using the Ru film as an electrode.例文帳に追加

電極としてＲｕ膜を用いた半導体装置において、レジスト除去を行なうに際して、Ｒｕ膜の侵食を防止してＲｕ膜の加工形状を維持することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrolytic cell device 10 is to volatile separate Ru included in the solution as the tetroxide (RuO_4) by that the solution is electrolysis-oxidized between an action electrode 11 disposed contacting with the solution 14 and a counter electrode 12.例文帳に追加

溶液中に含まれるルテニウム（Ru）を、前記溶液１４と接触して配置された電極の作用極１１と対極１２間で電解酸化することにより、Ruを四酸化物（RuO_4）として揮発分離させるための電解セル装置１０である。 - 特許庁

A metal is at least one of ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), and rhodium (Rh).例文帳に追加

金属は、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、又は、ロジウム（Ｒｈ）のうち、少なくとも１種とした。 - 特許庁

To restrain the surface of a lower electrode of Ru or Ir from being roughened by oxidation.例文帳に追加

下部電極材料であるＲｕ、Ｉｒ表面の酸化による荒れを抑制する。 - 特許庁

This device is equipped with a plurality of Ru, Pd, Pt catalytic gas sensors having each different catalyst.例文帳に追加

触媒の異なる複数のＲｕ、Ｐｄ、Ｐｔ触媒ガスセンサが備えられている。 - 特許庁

As a result, the Ru silicon nitride layers 26 are oxidized sacrificially turning into Ru silicon oxynitride, to enable the prevention of the oxidation of the Ru silicide layers 25 from progressing in a high-temperature heat treatment in an oxygen atmosphere in a step of forming the dielectric films 29.例文帳に追加

これにより、誘電体膜２９を形成する工程で行われる酸素雰囲気中での高温熱処理の際に、Ｒｕシリコンナイトライド層２６が犠牲的に酸化されてＲｕシリコンオキシナイトライドとなり、Ｒｕシリサイド層２５の酸化の進行を防止できる。 - 特許庁

When a random number is larger than a selection factor SF, a room unit RU is preferentially disposed on a map area and, when the random number is less than the selection factor SF, no room unit RU is disposed in the map area.例文帳に追加

乱数が選択係数ＳＦより大きい場合、部屋ユニットＲＵが優先的にマップ領域に配置され、乱数が選択係数ＳＦ以下の場合、部屋ユニットＲＵがマップ領域に配置されない。 - 特許庁

Also disclosed are a method for producing a RU target material where, after the hot press, heating is performed at ≥1,100°C, and pressurization is performed under ≥50 MPa for ≥3 s, so as to be a density of ≥98%, and a RU target material obtained thereby.例文帳に追加

上記ホットプレス後に１１００℃以上に加熱し、５０ＭＰａ以上で３秒以上加圧を行い、密度９８％以上とするＲｕターゲット材の製造方法およびＲｕターゲット材。 - 特許庁

In a high temperature heat treatment in an oxygen atmosphere in a step of forming a dielectric film 29 on the lower electrodes 28, the Ru silicon nitride layer 26 is oxidated into Ru silicon nitride as a sacrifice to prevent the oxidation of the Ru silicide layer 25 from progressing.例文帳に追加

下部電極２８上に誘電体膜２９を形成する工程で行われる酸素雰囲気中での高温熱処理の際には、Ｒｕシリコンナイトライド層２６が犠牲的に酸化されてＲｕシリコンオキシナイトライドとなり、Ｒｕシリサイド層２５の酸化の進行が防止される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the Ru-Al intermetallic compound target, a reaction sintering method is used and metal Ru powder and metal Al powder are formed into an Ru-Al intermetallic compound composed essentially of B2 superlattice and then powder of the Ru-Al intermetallic compound prepared by pulverizing the intermetallic compound is sintered.例文帳に追加

金属Ｒｕ粉末と金属Ａｌ粉末とを反応焼結法により、実質的にＢ２規則格子からなるＲｕ−Ａｌ金属間化合物とし、次いで該金属間化合物を粉砕したＲｕ−Ａｌ金属間化合物粉末を焼結するＲｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法である。 - 特許庁

The surface layer of a silicon oxide film 37 including the inside of a groove 38 is spin-coated with a solution containing Ru as a main composition, it is dried at about 600 to 700°C, a seed layer 39 constituted of the Ru is formed, and an Ru film is deposited by a CVD method while the seed layer 39 is used as a seed.例文帳に追加

溝３８の内部を含む酸化シリコン膜３７の上層にＲｕを主成分として含む溶液を回転塗布した後、６００〜７００℃程度で乾燥させることでＲｕによって構成されるシード層３９を形成し、続いてシード層３９を種にＣＶＤ法でＲｕ膜を堆積する。 - 特許庁

The intermediate layer is constituted of a plurality of crystal grains distributed in the surface thereof and composed of Ru or an alloy consisting essentially of Ru and having hexagonal closest packing structure.例文帳に追加

中間層は、Ｒｕを主成分とする六方最密充填構造の合金、またはＲｕで形成され、面内に分布する複数の結晶粒で構成されている。 - 特許庁

The electrode film for feeding the plating power is composed of a film specifically made of at least one metal selected among Au, Pt, Rh, Ru and Pd, or an alloy thereof.例文帳に追加

メッキ給電用電極膜は、具体的には、Au、Pt、Rh、RuもしくはPdから選択された少なくとも一種又はそれらの合金の膜によって構成することができる。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

By removing Ru contamination, that is generated when forming the Ru film used for a capacitor electrode or the like, cross contamination to other wafers can be restrained effectively.例文帳に追加

キャパシタ電極などに用いられるＲｕ膜を形成する際に生じるＲｕ汚染を除いて他のウェハへのクロスコンタミネーションを効果的に抑制することができる。 - 特許庁

The lower base layer 14 is formed by depositing Ru or Ru alloy on a soft magnetic backing layer 12 in inert gas atmosphere including carbon oxygen.例文帳に追加

炭化酸素を含んだ不活性ガス雰囲気においてＲｕ又はＲｕ合金を軟磁性裏打ち層１２上に堆積させることにより下部下地層１４を形成する。 - 特許庁

Also, the layer is provided with a second intermediate layer 6b of non-granular structure of Ru metal film or Ru group alloy film is provided between a soft magnetic backlining layer 4 and the first intermediate layer 6a.例文帳に追加

また、軟磁性裏打層４と第１の中間層６ａとの間に、Ｒｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜の非グラニュラー構造の第２の中間層６ｂを備えるようにした。 - 特許庁

To provide a new method for producing a Pt-Ru alloy catalyst which exhibits high activity when methanol is oxidized and is used in a fuel cell.例文帳に追加

メタノール酸化活性の高い燃料電池用ＰｔＲｕ触媒の新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed is a method for producing a RU target material where Ru powder having a tap density of 10 to 30% and an oxygen content of ≤0.5% is packed into a carbon die, and is subjected to consolidation in an inert gas atmosphere by a hot press.例文帳に追加

タップ密度が１０〜３０％、酸素含有量が０．５％以下であるＲｕ粉末を、カーボン型に充填し、不活性ガス雰囲気中で、ホットプレスにより固化成形するＲｕターゲット材の製造方法。 - 特許庁

A third underlayer 3 and a second underlayer 4 are successively formed and then a Ru layer is formed as a first underlayer 5.例文帳に追加

続いて第３下地層３および第２下地層４を形成した後、第１下地層５としてＲu層を形成する。 - 特許庁

Therefore, the dense surface of a crystal forming the seed layer 5a and the dense surface of Ru forming the Ru layer 5b are parallel to each other, and distances between centers of the closest atoms are nearly equal between the seed layer 5a and Ru layer 5b.例文帳に追加

従って、シード層５ａを構成する結晶の稠密面とＲｕ層５ｂを構成するＲｕの稠密面とが平行になっていると共に、シード層５ａ及びＲｕ層５ｂの間で、最近接原子の中心間の距離がほぼ一致している。 - 特許庁

The biasing structure 150 includes a seed layer 114 of either Ir or Ru, a layer of ferromagnetic chemically-ordered FePt alloy hard bias layer 115 on the seed layer 114, and a Ru or Ru/Ir capping layer 118 on the FePt alloy hard bias layer 115.例文帳に追加

バイアス構造１５０は、Ｉｒ又はＲｕのシード層１１４と、そのシード層１１４上の強磁性で化学的配列が規則付けられたＦｅＰｔ合金ハードバイアス層１１５と、そのＦｅＰｔ合金ハードバイアス層１１５上のＲｕ又はＲｕ／Ｉｒキャッピング層１１８とを含む。 - 特許庁