STRESSを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 22485件
The alloy is heat-treated at a sufficient temperature to achieve stress relief.例文帳に追加
この合金は応力除去が達成されるのに十分な温度で熱処理される。 - 特許庁
To provide NAND flash cells to minimize program stress while allowing random page programming operations.例文帳に追加
ランダムページプログラム動作を可能にしながらプログラムストレスを最小にするNANDフラッシュセル。 - 特許庁
To protect an electronic component mounted on a circuit board from external stress.例文帳に追加
回路基板に実装された電子部品を外部応力から保護することができる。 - 特許庁
To provide a vibrator durable to stress corrosion and chemical corrosion.例文帳に追加
応力腐食、化学的腐食などに対する耐性を持つ振動子を提供する。 - 特許庁
To provide a resin-sealed semiconductor device that can relieve the stress applied to a semiconductor element from filler without separately providing a stress relieving layer.例文帳に追加
応力緩和層を別途設けることなく、半導体素子に加えられるフィラーによる応力を緩和させる樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The stress generated by welding is alleviated by heat-treating a place opposite the weld zone, without generating residual stress to the weld zone additionally.例文帳に追加
溶接部と正反対の部位に熱処理を施すことにより、溶接部に付加的な残留応力を生じさせることなく溶接によってもたらされる応力を緩和する。 - 特許庁
COPPER ALLOY SHEET MATERIAL EXCELLENT IN STRENGTH, BENDABILITY, STRESS RELAXATION CHARACTERISTIC AND FATIGUE CHARACTERISTIC例文帳に追加
強度、曲げ加工性、応力緩和特性、疲労特性に優れる銅合金板材 - 特許庁
As a result, excessive stress at the butt welding section can be prevented.例文帳に追加
この結果、突合せ溶接部位で応力が過大になるのを防止することができる。 - 特許庁
As a result, the ends of the scintillator 34 are prevented from peeling off due to the stress of the support substrate 33 since large stress is not generated in the support substrate 33.例文帳に追加
これにより、支持基板33には大きな応力が発生しないので、支持基板33の応力を原因とするシンチレータ34の端部の剥離を防止することができる。 - 特許庁
To provide a more efficient method for applying appropriate one of tensile stress and compressive stress to one or more transistors on a semiconductor substrate.例文帳に追加
引っ張り応力または圧縮応力のうちの適当なものを、半導体基板上の1つまたは複数のトランジスタに与えるための方法、より効果的なものへと改良する。 - 特許庁
Thereby, when the optical cable 24 and the electric cable 22 are pulled at the same time, stress is applied to the electric cable 22 having larger strength, and stress is not applied to the optical cable 24.例文帳に追加
このため、光ケーブル24及び電気ケーブル22が同時に引っ張られた際に、強度の強い電気ケーブル22にストレスがかかり、光ケーブル24にはストレスがかからない。 - 特許庁
To provide a brake disc which can withstand a long period of use by restraining stress concentration to a bolt hole edge due to thermal stress caused by braking.例文帳に追加
ブレーキングにより発生する熱応力によるボルト孔縁部への応力集中を抑制することにより、長期間の使用に耐え得るブレーキディスクを提供する。 - 特許庁
To easily introduce compressive stress in a short time in a method for manufacturing an impeller.例文帳に追加
インペラの製造方法において、短時間で容易に圧縮応力を抽入する。 - 特許庁
At1g13990 gene or At4g01026 gene in Arabidopsis thaliana is transferred and expressed in a plant to impart the plant with resistance to environmental stress such as drought stress.例文帳に追加
シロイヌナズナ中に存在するAt1g13990遺伝子又はAt4g01026遺伝子を植物に導入発現させ、その植物に乾燥ストレスなどの環境ストレスに対する耐性を付与する方法。 - 特許庁
To provide a controller for a hybrid vehicle capable of securing travel performance responding at a high level, in either case of laying stress on a mileage or of laying stress on drivability.例文帳に追加
燃費重視及びドライバビリティ重視のどちらの場合であっても、高いレベルで応えた走行性能を確保することが可能なハイブリッド車両の制御装置を提供する。 - 特許庁
Then, in a welding part residual stress analysis stage 4, the residual stress of the welding part is calculated based on the heat transfer analysis result obtained in the analysis stage 3.例文帳に追加
次に、溶接部残留応力解析段階4において、溶接部伝熱解析段階3で得られた伝熱解析結果をもとに、溶接部残留応力を計算する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING LOW STRESS NON-(111) ORIENTED LARGE VOLUME CRYSTAL WITH REDUCED STRESS BIREFRINGENCE AND HOMOGENOUS REFRACTIVE INDEX, AND CRYSTAL PRODUCED BY THE SAME例文帳に追加
減じられた応力複屈折及びより均質な屈折率をもつ低応力大容積の非(111)配向結晶の製造方法及び同方法により製造される結晶 - 特許庁
Then, when a stress of lateral direction is generated, this stress is absorbed by the elastic deformation of the contactor 1, and horizontal slippage between the work 2 is not generated.例文帳に追加
また、横方向の応力が生じた場合には、接触子1の弾性変形によりこの応力を吸収し、ワーク2との間で横ズレを生じることがない。 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT FOR PERFORMING BURN-IN TEST OF AC STRESS AND TESTING METHOD USING THE SAME例文帳に追加
交流ストレスのバーンインテスト可能な集積回路及びこれを用いたテスト方法 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a photomask blank which lessens the warpage of a substrate by film stress (relieves the film stress) and improves the density and denseness of the films.例文帳に追加
膜応力による基板の反りの低減(膜応力の緩和)や膜の密度や緻密性の向上を図ることができるフォトマスクブランクスの製造方法等を提供する。 - 特許庁
To reduce the possibility of breakage of a core melt holding device due to thermal stress.例文帳に追加
熱応力による炉心溶融物保持装置の破損の可能性を低減する。 - 特許庁
To reduce a visual stress applied to a user and an electrical stress applied to lighting circuits that arise when a target value for brightness under lighting environment is set.例文帳に追加
照明環境の明るさに対する目標値を設定する際に利用者に与える視覚的なストレスや点灯回路に与える電気的なストレスを低減する。 - 特許庁
To objectively grasp a heat stress condition of a worker who works while wearing a protector, and to report the heat stress condition to the worker himself/herself and a third person.例文帳に追加
防護装具を着用して作業する作業者のヒートストレス状況を客観的に把握し、このヒートストレス状況を作業者自身及び第三者に報知する。 - 特許庁
To reduce stress concentration generated at the corner parts of slots and cause the reduced stress concentration to occur at parts shifted from the shortest parts of the slots from a rotor periphery.例文帳に追加
スロットの角部で生じる応力集中を低減すると共に低減した応力集中を外周とスロットの最短部からずれた部位に生じさせる。 - 特許庁
To provide a stress evaluation method capable of suppressing pain and psychological burden in specimen collection and capable of simply evaluating stress with sufficient accuracy.例文帳に追加
検体の採取時における痛みや心理的負担が抑制され、簡便に、且つ十分な精度でストレスを評価することができるストレスの評価方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING INTERNAL STRESS OF COMPOSITE STRUCTURE MATERIAL DUE TO RADIOACTIVE DIFFRACTION例文帳に追加
放射線回折による複合構造材料の内部応力を計測する方法 - 特許庁
To provide an oxide for thin film transistor which can achieve high mobility while exhibiting excellent stress tolerance (an amount of threshold voltage shift before and after stress application is small).例文帳に追加
高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。 - 特許庁
PROTECTIVE AGENT AGAINST ENVIRONMENTAL STRESS OF MICROORGANISM, AND FERMENTED FOOD AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
微生物の環境ストレス保護剤、並びに発酵食品及びその製造方法 - 特許庁
MAN-CONVEYOR STRESS ANALYSIS METHOD, STRESS ANALYSIS PROGRAM FOR EXECUTING THE SAME, AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM RECORDING THE SAME例文帳に追加
マンコンベアの応力解析方法、当該応力解析方法を実行する応力解析プログラム、及び当該応力解析プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁
An ammonia treated BTBAS film is especially excellent in providing a high-stress characteristic and is capable of maintaining the high-stress characteristic even if annealing is repeated.例文帳に追加
アンモニア処理されたBTBAS膜は特に高応力特性の提供に優れており、さらに、アニールを繰り返してもその高応力特性を維持する能力を有する。 - 特許庁
The photocatalyst 110 is activated by irradiating the photocatalyst 110 with the light beam LT emitted from the stress-luminescent body when the external force EF is exerted on the stress-luminescent body 120.例文帳に追加
応力発光体120に外力EFを加えた時に発光する光線LTを光触媒110に照射して光触媒110を活性化する。 - 特許庁
To provide a gas sensor element hardly causing damage or failure due to mechanical stress and thermal stress and having good durability, responsiveness and superior early activity.例文帳に追加
機械的応力や熱応力による損傷や不良が生じ難く,耐久性に優れ,応答性,早期活性に優れたガスセンサ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The movable part formation substrate 2 has, formed on the movable part 23, a stress relaxation part 5 which mitigates residual stress generated when the armature 24 and the plate 25 are welded together.例文帳に追加
可動部形成基板2は、可動部23に、アーマチュア24とプレート25との溶接に伴って発生する残留応力を緩和する応力緩和部5が形成されている。 - 特許庁
The treatment with the high-pressure homogenizer is preferably performed under the stress of 5-13 MPa.例文帳に追加
本発明の高圧ホモジナイザー処理は5〜13MPaで行うことが好ましい。 - 特許庁
A self-contraction stress calculation means calculates the self- contraction distortion and the self-contraction stress of concrete based on the temperature and effective material age (S6, S8).例文帳に追加
自己収縮応力算定手段は、コンクリートの温度および有効材齢に基づいて、コンクリートの自己収縮ひずみおよび自己収縮応力を算定する(S6,S8)。 - 特許庁
To attain application to a medical job site by objectively displaying stress change to be easily viewed.例文帳に追加
ストレス変化を見やすく客観的に表示し、医療現場への応用を図る。 - 特許庁
This polyester fiber comprising the polytrimethylene terephthalate-based polyester has 50-150°C peak temperature of thermal stress, and 0.13-0.39 cN/dtex peak value of the thermal stress.例文帳に追加
ポリトリメチレンテレフタレート系ポリエステルからなるポリエステル繊維であって、該繊維の熱応力のピーク温度を50〜150℃、熱応力のピーク値を0.13〜0.39cN/dtexとする。 - 特許庁
The defect position and the area which is subject to stress are compared with each other and the defects are classified into classes based on the form and the result of a photoelasticity stress measurement.例文帳に追加
欠陥の位置および応力を受けた領域の位置を互いに比較し、欠陥をその形状および光弾性応力測定の結果に基づいてクラスに分類する。 - 特許庁
The wall thickness L is made thinner in the thrusting direction, and the rigidity is reduced, and the deformation of the lip part 22 by a thermal stress to be an inner stress is also suppressed.例文帳に追加
スラスト方向ではその肉厚Lが薄くなり、剛性が小さくなって、内的応力である熱応力によるリップ部22の変形がやはり抑制される。 - 特許庁
To provide technology easing thermal stress generated on a turbine blade.例文帳に追加
タービン翼に発生する熱応力を緩和することができる技術を提供する。 - 特許庁
In the temperature fuse 1, the reed 3 has a stress alleviation part which alleviates the stress to be applied to the reed 3 when the temperature fuse 1 is mounted on the substrate 10.例文帳に追加
温度ヒューズ1は、リード3が、温度ヒューズ1を基板10に取り付ける際にリード3にかかる応力を緩和する応力緩和部を有することを特徴とする。 - 特許庁
In working, the formation thus experiences a tensile stress σt applied to the obverse side of the fulcrum portion 13 and a compressive stress σc applied to the reverse side, as shown by broken lines.例文帳に追加
そのため加工時には、破線のように支点部13の表面側に引張応力σt が、裏面側に圧縮応力σc が加わった状態で形成される。 - 特許庁
To remove a BGA from a printed board while surrounding parts are protected from thermal stress.例文帳に追加
周囲の部品を熱ストレスから保護しつつ、BGAをプリント基板から取り外す。 - 特許庁
To suppress degradation of a piezoelectric characteristic by reducing a residual stress in a piezoelectric laminate.例文帳に追加
圧電積層体の残留応力を低減し、圧電特性の劣化を抑制する。 - 特許庁
This laminating structure 20 receives a compressive stress of larger than 2,200 ppm and smaller than 12,000 ppm via solder 2 from a heat sink 3 which is a stress source.例文帳に追加
この積層構造20は、応力源であるヒートシンク3から半田2を介して2200ppmよりも大きく12000ppm以下の圧縮応力を受けている。 - 特許庁
To sufficiently enhance stress acting on a cleaving groove at cleaving time.例文帳に追加
開裂時に開裂溝に作用する応力を十分に高めることができるようにする。 - 特許庁
This lowers the effects caused by the high internal stress in the nitride silicon film 9 to lower an internal stress in gate oxide films 4A and 4B of the transistors 50A and 50B.例文帳に追加
それによって窒化シリコン膜9の高い内部応力による影響を低減し、トランジスタの50A、50Bのゲート酸化膜4A、4Bの内部応力を低減する。 - 特許庁
Thus, the residual stress generated in the recess 2 of the base shell 1 is equal to the residual stress generated in the dent 21 formed on the opposite side of the recess 2.例文帳に追加
これにより、ベースシェル1の凹部2に発生する残留応力と、凹部2の反対側に形成された圧痕21に発生する残留応力と、を等しくすることができる。 - 特許庁
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