「Si surface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.例文帳に追加

また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁

A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加

n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁

This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.例文帳に追加

この負極材料は、Si相とSiＣ相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiＣ相と接している。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR POLYCRYSTALLINE Si INGOT例文帳に追加

多結晶Ｓｉインゴットの表面処理方法 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR SI-BASE ALUMINUM ALLOY例文帳に追加

Ｓｉ系アルミニウム合金の表面処理方法 - 特許庁

To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.例文帳に追加

素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁

To remove metal impurities beneath the surface of Si, the main cause of surface defects on the Si surface, especially Ni of a transition metal, to make a high-cleanness Si surface and to planarize the Si surface accompanied therewith.例文帳に追加

Ｓｉ表面上の表面欠陥の主たる原因である表面下の金属不純物、特に遷移金属であるＮｉを除去し、Ｓｉ表面を高純度化し、それにともないＳｉ表面を平坦化する。 - 特許庁

When the wafers 11 and 12 are washed with the solution, an SiF linkage is left on the Si surface, because HF molecules react to an Si-O linkage on the Si surface and the Si-O linkage reacts to other HF molecules.例文帳に追加

洗浄時ＨＦ分子がＳｉ表面のＳｉ−Ｏ結合と反応し、Ｓｉ−Ｏ結合と他のＨＦ分子が反応しＳｉ表面にＳｉＦ結合が残る。 - 特許庁

The optical voltage is measured by transparent electrodes 16, 17 provided on the surface of the Si wafer.例文帳に追加

光電圧は、Siウエーハ表面に設けた透明電極１６，１７で測定する。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

To provide an Si-added high strength steel sheet having excellent phosphate treatability by controlling Si based oxides produced on the surface of the Si-added steel sheet having phosphate treatability remarkably inferior to that of soft steel.例文帳に追加

軟鋼よりも遥かにリン酸塩処理性が劣るSi添加鋼に対し、鋼板表面に生成するSi系酸化物を制御することで、リン酸塩処理性に優れたSi添加高強度鋼板を提供する。 - 特許庁

The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.例文帳に追加

質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁

The surface of the Si wafer or the surface of the film formed on the Si wafer is subjected to etching, whereby the surface of the Si wafer or the surface of the film formed on the Si wafer is turned uneven.例文帳に追加

Ｓｉウェーハ表面もしくはＳｉウェーハ表面に形成された膜を、エッチングすることによって該Ｓｉウェーハ表面もしくは該Ｓｉウェーハ表面に形成された膜に凹凸を形成するようにした。 - 特許庁

SLIDING MATERIAL OF Si-PARTICLE-CONTAINING Al-Si ALLOY AND METHOD FOR FORMING SLIDING SURFACE例文帳に追加

Ｓｉ粒子含有Ａｌ−Ｓｉ系合金摺動材及び摺動面の形成方法 - 特許庁

SI WAFER WITH ROUGHENED SURFACE, AND METHOD OF ROUGHENING Si WAFER例文帳に追加

表面に凹凸を形成したＳｉウェーハおよびＳｉウェーハ表面の凹凸形成方法 - 特許庁

A mole ratio [Si/Fe]_s of Si to Fe at the particle surface part with a high concentration of Si, is 0.004-1.例文帳に追加

Ｓｉが高濃度である粒子表面部位におけるＳｉとＦｅとのモル比〔Ｓｉ／Ｆｅ〕_Sは０．００４〜１である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING IRON POWDER HAVING SURFACE COATED WITH HIGH-Si LAYER例文帳に追加

表面高Ｓｉ層被覆鉄粉末の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF IMPURITY OF Si WAFER SURFACE例文帳に追加

Ｓｉウェーハ表面の不純物量の測定方法 - 特許庁

The Si crystal thin film is formed on the main surface of an Si substrate by bringing an Si melt into contact with the main surface of the Si substrate made of a metallurgical Si raw material or the like and performing liquid phase epitaxial growth at a temperature close to the melting point of Si.例文帳に追加

メタラジカルＳｉ原料などからなるＳｉ基板の主面に対してＳｉ融液を接触させ、Ｓｉの融点近傍で液相エピタキシャル成長を行い、前記Ｓｉ基板の前記主面上にＳｉ結晶薄膜を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has an Si substrate 1, an Si layer 12 provided on its Si substrate 1, and insulating separative layers 5, 6 for covering respectively the side surface and the bottom surface of the Si layer 12 of its MOS region.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に設けられたＳｉ層１２と、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２の底面および側面を覆う絶縁分離層５、６を備える。 - 特許庁

An imaging portion 10A uses one surface of a p-type Si substrate as an imaging surface.例文帳に追加

撮像部１０Ａは、ｐ型Ｓｉ基板の一表面を撮像面とする。 - 特許庁

To stably prevent the generation of surface flaws caused by red scales in an Si-contg. hot rolled steel sheet.例文帳に追加

含Si熱延鋼板において、赤スケールに起因した表面疵の発生を安定した防止する。 - 特許庁

A striped insulating film 26 is formed between a principal surface of the Si substrate 10 and a buffer layer 60-1.例文帳に追加

Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。 - 特許庁

Scattered light, caused by roughness of Si or a metal film surface, has high distribution on its rear side.例文帳に追加

Siや金属膜表面のラフネスで発生する散乱光は後方側に強い分布を持つ。 - 特許庁

Epitaxial growth of a crystal Si layer is made on a substrate having a porous Si layer on the surface.例文帳に追加

多孔質Ｓｉ層を表面に有する基板上に、結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

SURFACE MODIFYING METHOD OF SOLID COMPOUND HAVING Si-O-Si BOND BY USING LASER BEAM例文帳に追加

レーザー光を用いたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物の表面改質法 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

A sacrificial layer 2 is formed on the surface of a Si substrate 1, and an etching stop layer 4 is formed on the surface of the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に犠牲層２を形成し、エッチングストップ層４をＳｉ基板１の表面に形成する。 - 特許庁

Moreover, the elution of Si from a substrate front surface is suppressed.例文帳に追加

また、基板表面からのＳｉの溶出が抑制される。 - 特許庁

This new improved method is the method, where, from an Si substrate accompanied on its surface by an amorphous silicon dioxide, a crystalline alkaline-earth-metal oxide is obtained on the Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に結晶性アルカリ土類金属酸化物を作成する方法であって、表面に非晶質二酸化シリコンを伴うSi基板が得られる方法が提供される。 - 特許庁

When a GaN layer containing Si is made to adjoin the surface of a sapphire substrate, the c-axis orientational distribution of the GaN layer becomes narrower, as compared with the case where Si is not substantially contained.例文帳に追加

また、サファイア基板面上にSiを含有するGaN層を隣接させると、Siが実質的に含有されていない場合に比べてGaN層のc軸配向性の分布は狭くなる。 - 特許庁

To provide a method for forming 3C-SiC single crystal thin film of a single phase having less crystal defects on an Si wafer by making hetero epitaxial growth on the surface of an Si substrate.例文帳に追加

Si基板表面にヘテロエピタキシャル成長させることにより、Siウェハ上に結晶欠陥の少ない単相の3C-SiC単結晶薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

An Nb-Al-Si intermetallic compound containing 20 atomic % Al and 47 atomic % Si, forming a dense alumina protective film on the surface in a high temperature atmosphere and excellent in oxidation resistance, is obtained.例文帳に追加

Alを20原子%、Siを47原子%含有し、高温大気中において表面に緻密なアルミナ保護膜を形成し、耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物を得る。 - 特許庁

In this case the substrate of which major surface is (11) surface is used as the Si substrate.例文帳に追加

このとき、Ｓｉ基板として、（１１１）面を主面にした基板を使用する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for a polycrystalline Si ingot for uniformly polishing a surface of the polycrystalline Si ingot, and removing a straining-crushing layer of the surface of the polycrystalline Si ingot.例文帳に追加

多結晶Ｓｉインゴットの表面を均一に研磨し、また多結晶Ｓｉインゴットの表面の歪・破砕層を除去する多結晶Ｓｉインゴットの表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The SiC crystal is grown on a growth surface of a seed crystal serving as an Si surface using an Si-Cr-Ni-C melt comprising Si, C, Cr and Ni or an Si-Cr-C melt.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｃ、ＣｒおよびＮｉを含むＳｉ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃ融液またはＳｉ−Ｃｒ−Ｃ融液により、種結晶の成長面をＳｉ面としてＳｉＣ結晶を成長させる。 - 特許庁

Related to a device structure, a plurality of wafers are pasted together with at least one layer being Si, and the Si layer bonded to a wafer flat surface is inclined from (III) surface toward [1, 1, -2].例文帳に追加

デバイス構造において、複数のウェーハが張り合わされており、少なくとも１つの層がSiで、ウェーハ平面に対して接着したSi層が(111)面から[1,1,-2]方向へ傾いている構成を有している。 - 特許庁

The surface part has a portion where an Si concentration is 8-30 atom%, and the critical part has the Si concentration lower than that in the surface part.例文帳に追加

その表面部はＳｉ濃度が８〜３０原子％である部分を有し、臨界部は表面部よりもＳｉ濃度が低い。 - 特許庁

As a result, the upper surface edge part of the Si layer 2 can be oxidized without causing oxidation of a lower surface edge part of the Si layer 2.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ層２の下面エッジ部の酸化を伴うことなくＳｉ層２の上面エッジ部を酸化することができる。 - 特許庁

Then a gel film is obtained, by uniformly applying the hafnia sol solution to the surface of an Si wafer by the spinner method (500 rpm/5 seconds to 2,000 rpm/30 seconds).例文帳に追加

このゾル液をSiウェハにスピンナー法（500rpm/5秒→2000rpm/30秒）により均一に塗布してゲル膜を得る。 - 特許庁

In the Si-layer formation process, an Si layer 71 is formed on the surface of a monocrystal SiC base 70.例文帳に追加

Ｓｉ層形成工程では、単結晶ＳｉＣ基板７０の表面にＳｉ層７１を形成する。 - 特許庁

INTER-SI PSEUDO HYDROPHOBIC WAFER BONDING USING SOLUTION OF INTERFACE BONDING OXIDE AND HYDROPHILIC SI SURFACE例文帳に追加

親水性Ｓｉ表面と界面接合酸化物の溶解とを用いるＳｉ間擬似疎水性ウェハ接合 - 特許庁

Irregularities are provided to the surface of the Si wafer or the surface of a film formed on the surface of the Si wafer so as to make its surface roughness Ra as rough as 0.05 to 10 μm.例文帳に追加

Ｓｉウェーハ表面もしくはＳｉウェーハ表面に形成された膜に表面粗さＲａが０．０５μｍ以上１０μｍ以下の凹凸を形成するようにした。 - 特許庁

In a reflecting film comprising an Mo/Si multilayer film formed by laminating periodically an Mo layer 1 with the thickness of 2.8 nm and an Si layer 2 with the thickness of 4.2 nm as many as 100 (50-pair) layers in total on a substrate 3, an Ru layer 4 is formed on the Si layer 2 on the outermost surface side of a periodical structure.例文帳に追加

基板３の上に、厚さ2.8nmのMo層１と厚さ4.2nmのSi層２が周期的に合計100（５０対）層積層されたMo/Si多層膜からなる反射膜において、周期構造の最表面側にあたるSi層２上に、Ru層４が成膜されている。 - 特許庁

In a manufacturing process of an Si microphone 1, a lower sacrifice layer 30 formed of Al-Si is formed on the upper surface 29 of the Si substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。 - 特許庁