「TMa」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This woven fabric obtained by using the polyurethane-urea elastic fibers containing 5 to 40% polyurethane compound, has a compression deformation temperature of 150 to 180°C measured by thermomechanical analysis (TMA) and has a number of seconds required for thermal cutting at 180°C of ≥30 sec.例文帳に追加

ポリウレタン化合物を５％〜４０％含有するポリウレタンウレア弾性繊維であって、熱機械測定分析（ＴＭＡ）による圧縮変形開始温度が１５０℃〜１８０℃であり、５０％伸長下、１８０℃における熱切断秒数が３０秒以上であるポリウレタンウレア弾性繊維を用いた織物。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

When metal glass is thermally sprayed, the linear expansion coefficient of the metal glass is measured by TMA (Thermomechanical Analysis), so as to obtain the inflection point thereof, and, while the temperature of the base material as the object for thermal spraying is controlled to 100°C or above, and also, to less than the above inflection point, the metal glass is thermally sprayed.例文帳に追加

金属ガラスを溶射するにあたり、金属ガラスの線膨張率をＴＭＡ（熱機械測定Thermomechanical Analysys）により測定してその変曲点温度を求め、溶射対象となる基材の温度を１００℃以上、且つ前記変曲点温度以下に温度管理しながら、前記金属ガラスを溶射する。 - 特許庁

The method for growing crystals of the group III nitride semiconductor includes steps of: heating a silicon substrate 100; and forming a concave structure 105 on a surface of the heated silicon substrate 100 by advance-feeding a gas containing at least TMA (trimethylaluminum).例文帳に追加

このＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長方法は、シリコン基板１００を加熱する工程と、加熱されたシリコン基板１００に対して、少なくともＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を含むガスを先出し供給することにより、基板表面に凹状構造１０５を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

However, the T is a temperature when a test piece having a gauge length of 20 mm from the body is cut out, raised from 30°C at 3°C/min and TMA-measured, resultantly set to a shrinkage factor = shrinkage quantity/ gauge length × 100(%) and the shrinkage factor becomes 0.66%.例文帳に追加

但しＴは、前記胴部より標点間距離２０ｍｍを有する試験片を切り出し、予備荷重なし、３０℃から３℃／ｍｉｎで昇温してＴＭＡ測定を行った結果において、収縮率＝収縮量／標点間距離×１００（％）としたとき、収縮率が０.６６％となるときの温度である。 - 特許庁

The heat shrinkable polyester film has the shrinkage factor of the film after the film is treated in warm water of 85°C for 10 s in a main shrinkage direction of 70 % or more and a maximum shrinkage stress in the main shrinkage direction by a thermal stress and strain measuring unit (TMA) of 12.0 MPa or less.例文帳に追加

熱収縮性ポリエステル系フィルムは、８５℃の温水中で１０秒間処理後のフィルムの収縮率が主収縮方向において７０％以上であり、熱応力歪み測定装置（ＴＭＡ）による前記主収縮方向の最大収縮応力が１２．０ＭＰａ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In forming Al2O3 film by ALE method using TMA and H2O on a glass substrate, CH3OH evaporated before forming film or during formation of film is introduced and surface treatment for increasing surface hydroxyl group concentration of the ground surface is carried out by exposing the ground surface in gas atmosphere of CH3OH.例文帳に追加

ガラス基板上にＴＭＡとＨ_2Ｏを用いたＡＬＥ法によりＡｌ_2Ｏ_3膜を形成するにあたって、成膜前及び成膜中に気化したＣＨ_3ＯＨを導入し、下地面を、ＣＨ_3ＯＨ分子の気体雰囲気中に暴露することにより、下地面の表面水酸基濃度を高める表面処理を行う。 - 特許庁

A raw material selected from an essence, a soup, a cooking drain and a soluble of a fish and their concentrated or diluted materials is adjusted to weak alkalinity of pH 7-10 and concentrated by heating under reduced pressure to give an essence of a fish having the content of nitrogen (TMA-N) in trimethylamine state based on total nitrogen amount of ≤2.5 mg/Ng.例文帳に追加

魚類のエキス、煮汁、蒸煮液、ソリブル、それらの濃縮又は希釈物から選ばれた原料を、ｐＨ７〜１０の弱アルカリ性に調整し、加熱下で減圧濃縮することによって、総窒素量に対するトリメチルアミン態窒素（ＴＭＡ−Ｎ）の含有量が２．５ｍｇ／Ｎｇ以下である魚類エキスを得る。 - 特許庁

The heat-and-pressure-resistant polyester bottle comprises molding a preform 10 made of polyester resin under biaxial orientation, wherein the circumferential orientation parameter measured by a laser Raman spectroscopy of a body part is 2.80 or more and the contraction amount at 80°C by TMA measurement is 15 μm or more.例文帳に追加

ポリエステル樹脂から成るプリフォーム１０を二軸延伸成形して成る耐熱圧性ポリエステルボトルにおいて、胴部のレーザーラマン分光法により測定した円周方向の配向パラメータが２．８０以上で且つＴＭＡ測定による８０℃における収縮量が１５μｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The film deposition method includes a heating step of heating a substrate at the predetermined temperature of substantially 200°C, and a reaction step of performing the film deposition by exposing the surface of the substrate to the alternate surface reaction of a reactive object such as TMA in vacuum while maintaining the surface of the substrate at the predetermined temperature, and growing a thin film on the substrate.例文帳に追加

成膜方法では、基板を所定の温度である略２００℃に加熱する加熱工程と、基板の表面を当該所定の温度に維持しながら真空中でＴＭＡ等の反応物の交互表面反応に曝して基板上に薄膜を成長させて成膜する反応工程とを行う。 - 特許庁

Electronic mail YEM in whose mail text the personal management data YMD are set is transmitted through the Internet to the network connection terminal 200 by using the mail address TMA, so that it is possible for the terminal user of the network connection terminal 200 to confirm the collected personal management data YMD of the disaster victim based on the electronic mail YEM.例文帳に追加

このメールアドレスＴＭＡにより個人管理データＹＭＤがメール本文に設定された電子メールＹＥＭをネット接続端末２００にインターネットで送信するので、そのネット接続端末２００の端末ユーザは収集された被災者の個人管理データＹＭＤを電子メールＹＥＭで確認することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a GaN-based semiconductor layer 15 on a substrate 10; a step of forming a gate insulating film 18 made of an aluminum oxide on the GaN-based semiconductor layer 15 by an ALD method by using TMA and O_2 or O_3; and a step of forming a gate electrode 24 on the gate insulating film 18.例文帳に追加

本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The narrow woven or knitted fabric is obtained by using a polyurethane-urea elastic fiber containing 5-40 wt.% polyurethane compound, and having ≥150°C and ≤180°C of a compression deformation-starting temperature by thermomechanometry (TMA), and ≥30 sec of a time for breakage by heat at 180°C under 50% elongation at least as a part thereof.例文帳に追加

ポリウレタン化合物を５重量％〜４０重量％含有し、熱機械測定分析（ＴＭＡ）による圧縮変形開始温度が１５０℃以上１８０℃以下であり、かつ５０％伸長下、１８０℃における熱切断秒数が３０秒以上であるポリウレタンウレア弾性繊維が少なくとも一部に用いられてなることを特徴とする細幅織編物。 - 特許庁

The lace knit is obtained by using a polyurethane-urea elastic fiber containing 5-40 wt.% polyurethane compound, and having ≥150°C and ≤180°C of a compression deformation-starting temperature by thermomechanometry (TMA), and ≥30 sec of a time for breakage by heat at 180°C under 50% elongation at least as a part thereof.例文帳に追加

ポリウレタン化合物を５重量％〜４０重量％含有し、熱機械測定分析（ＴＭＡ）による圧縮変形開始温度が１５０℃以上１８０℃以下であり、かつ５０％伸長下、１８０℃における熱切断秒数が３０秒以上であるポリウレタンウレア弾性繊維が少なくとも一部に用いられてなることを特徴とするレース編地。 - 特許庁

The wiring layer formed near the division grooves of the non-mounting surface is formed of a metal paste having the shrinkage start temperature by TMA in the range from -100°C to +80°C for the shrinkage start temperature of the glass ceramic composition, and having the final contraction amount in the range of ±10% for the final contraction amount of the glass ceramic composition.例文帳に追加

非搭載面の分割溝の近傍に形成された配線層を、ＴＭＡによる収縮開始温度が、ガラスセラミックス組成物の収縮開始温度に対して−１００℃乃至＋８０℃の範囲にあり、かつ最終収縮量が、ガラスセラミックス組成物の最終収縮量に対して±１０％の範囲にある金属ペーストにより形成することを特徴とする。 - 特許庁

For a semiconductor 1, a GaAs substrate 2 is set at a susceptor of MOCVD method, while the GaAs substrate 2 is heated under control, TMA, etc., as III group material, AsH3 as As material, DMHy(dimethyl hydrazine) of an organic nitride compound, etc., as nitrogen material, are supplied into a reaction chamber at the same time for growing with hydrogen as carrier gas.例文帳に追加

半導体１は、ＭＯＣＶＤ法のサセプターにＧａＡｓ基板２をセットし、ＧａＡｓ基板２を加熱制御しつつ、III 族原料としてＴＭＡ等を、Ａｓ原料としてＡｓＨ_3 を、窒素原料として有機系窒素化合物であるＤＭＨｙ等を、キャリアガスとして水素を使用して、これらの原料ガスとキャリアガスを同時に反応室内に供給して成長させる。 - 特許庁