「The Ta」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When it is determined that Ta>Tr and Tr>Tm and when it is determined that Ta<Tr and Tr<Tm, action of the switching means 100 is stopped.例文帳に追加

Ta＞Tr，且つ、Tr＞Tmと判定されたとき、及び、Ta＜Tr，且つ、Tr＜Tmと判定されたときには、スイッチング手段100の動作を停止する。 - 特許庁

Parent elements of the hydrogen storage material are Zr, V, Fe, Ta, Ni, Ti, Nb, Mg and Th.例文帳に追加

水素吸蔵物質としては、母体元素がZr,V,Fe,Ta,Ni,Ti,Nb,Mg,Th がある。 - 特許庁

A controller (50) calculates the mean temperature difference ΔTH between the refrigerant and air from the formula ΔTH=((Ti-Ta)-(To-Ta))/(ln((Ti-Ta)/(To-Ta))) based on the detected temperatures Ti, To and Ta.例文帳に追加

コントローラ（50）では、各検出温度Ｔi，Ｔo，Ｔaに基づき、ΔＴＨ＝((Ｔi−Ｔa)−(Ｔo−Ｔa))／(ln((Ｔi−Ｔa)／(Ｔo−Ｔa)))という式から、冷媒と空気との平均的な温度差ΔＴＨが算出される。 - 特許庁

The formula (1) is as follows: ΔR=|((Ta×Na)-(Tb×Nb))/((Ta+Tb)/2×(Na+Nb)/2)|, wherein Ta and Tb denote a film thickness at any two points in the film plane; and Na and Nb denote the birefringence (Δn) at the two points, respectively.例文帳に追加

△Ｒ＝｜((Ta×Na)−(Tb×Nb))/((Ta＋Tb)/２×(Na＋Nb)/２)｜ …（１）（上記式中、ＴａおよびＴｂは、フィルム面内の任意の２点におけるフィルム厚み、ＮａおよびＮｂは、当該２点それぞれにおける複屈折率（△ｎ）を意味する） - 特許庁

Or, by arranging a Ta pipe 13 in an inner side of the Nb or Nb-Ta alloy pipe, a (Mg+B)/Ta/Nb/Cu (or a Cu alloy) or (Mg+B)/Ta/Nb-Ta/Cu (or the Cu alloy) structure is provided.例文帳に追加

あるいは、ＮｂまたはＮｂ−Ｔａ合金パイプの内側にＴａパイプ１３を配置することにより、（Ｍｇ＋Ｂ）／Ｔａ／Ｎｂ／Ｃｕ（またはＣｕ合金）、あるいは（Ｍｇ＋Ｂ）／Ｔａ／Ｎｂ−Ｔａ／Ｃｕ（またはＣｕ合金）構造とする。 - 特許庁

The pulse widths of the air temperature signals Ta show air temperatures and the frequency of the signals Ta is the same as that of the air quantity signals Q.例文帳に追加

空気温度信号Taはパルス幅が空気温度を示し周波数は空気量信号Qと同一である。 - 特許庁

The semiconductor device has a solder diffusion barrier layer of Ta/TaN or Ta/TaN/Ta on the Ni protective layer of the circuit wiring board.例文帳に追加

この半導体装置は、回路配線基板のＮｉ保護層上にＴａ／ＴａＮまたはＴａ／ＴａＮ／Ｔａのはんだ拡散バリア層を持つ。 - 特許庁

As the result, the internal stress of the ta-C film can be relaxed, and the toughness of the ta-C film can be improved.例文帳に追加

その結果、ｔａ−Ｃ膜の内部応力が緩和され、ｔａ−Ｃ膜の靱性が向上する。 - 特許庁

Then the control device is designed to produce TST from the time acquired from the TA and the message digest.例文帳に追加

その後、制御装置は、TAから取得した時刻と、メッセージダイジェストとからTSTを生成する。 - 特許庁

A TA detecting circuit 5 detects TA from the waveforms (a) and transmits a TA generation notice (c) to an AGC control circuit 6 and an ECC circuit 8.例文帳に追加

ＴＡ検出回路５はリード波形ａからＴＡを検出し、ＡＧＣ制御回路６とＥＣＣ回路８とにＴＡの発生を通知ｃする。 - 特許庁

When the assist torque Ta is not present, the gear 211a is engaged with the gear 212b.例文帳に追加

そして、アシストトルクTaのない状態ではギア２１１ａがギア２１２ｂと噛み合う状態とする。 - 特許庁

When current tolerance of Ta and NiCr, so to speak electro-migration tolerance is compared, Ta being a high melting point metal is highly excellent, then electro-migration of the resistance line 40 is greatly improved by using the Ta thin film 42 to hold the NiCr thin film 42.例文帳に追加

TaとNiCrの電流耐性、いわゆるエレクトロマイグレーション耐性を比較した場合、高融点金属であるTaの方が大幅に優れており、このようなTa薄膜４２でNiCr薄膜４２を挟み込む構造とすることにより、抵抗線４０自体のエレクトロマイグレーション耐性が大幅に向上する。 - 特許庁

The TA cloning kit is characterized by containing the T-plasmid vector.例文帳に追加

さらに、前記Tプラスミドベクターを含むことを特徴とするTAクローニングキットを構築する。 - 特許庁

It is desirable that the Ta exists in the main-phase crystal grains as a Ta-Fe compound.例文帳に追加

Ｔａは主相結晶粒中にＴａ−Ｆｅ化合物として存在することが望ましい。 - 特許庁

It is desirable that the Ta exists in the crystal boundary phase as a Ta-Fe compound.例文帳に追加

Ｔａは粒界相中にＴａ−Ｆｅ化合物として存在することが望ましい。 - 特許庁

The Ta film which is not anodized functions as a Ta layer 108 of the gate wiring.例文帳に追加

陽極酸化されないＴａ膜がゲート配線のＴａ層１０８として機能する。 - 特許庁

Thereafter, the Ta film is anodized to form the anodized Ta film 13.例文帳に追加

その後、上記のＴａ膜に対し、陽極酸化を行いＴａの陽極酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

The diffusion preventive layer 3 is formed in a structure using tantalum (Ta) or niobium (Nb).例文帳に追加

上記拡散防止層３として、タンタル（Ta）またはニオブ（Nb）を用いた構造とする。 - 特許庁

After that, opening of a throttle TA corresponding to the maximum amount of oxygen absorption Cmax is calculated (step 103).例文帳に追加

その後、最大酸素吸蔵量Cmaxに応じたスロットル開度TAが算出される（ステップ１０３）。 - 特許庁

Ano nageshi no naganaginata wa ta ga naganaginata zo (whose long halberd is that halberd on the horizontal piece of timber in the frame of the house)? 例文帳に追加

あの長押の薙刀は誰が長薙刀ぞ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

in China during the Chou dynasty, the position 'Ta ssu-ma' (referred to in Japanese as 'Daishiba') 例文帳に追加

大司馬という,中国周代の官職 - EDR日英対訳辞書

Particularly, the carbides of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta or the like are suitable.例文帳に追加

特にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ等の炭化物が好適である。 - 特許庁

(iii) The relation among the barrel setting temperature Ta(°C) of a kneading section of the melting/kneading shaft, the softening point Tm(°C) of the binder resin, and the outflow starting temperature Tfb(°C) of the binder resin is Tfb≤Ta≤Tm.例文帳に追加

iii）該溶融混練軸のニーディング部のバレル設定温度Ta（℃）と結着樹脂の軟化点Tm（℃）及び結着樹脂の流出開始温度Tfb（℃）の関係がTfb≦Ta≦Tm。 - 特許庁

One of the two 4-th lens groups (Gr4A, Gr4B) is switched and arranged in the optical path as the closest to image-side lens group of the objective optical system (TA), so as to optionally vary the focal length of the objective optical system (TA).例文帳に追加

対物光学系(TA)の最も像側のレンズ群として２つの第４レンズ群(Gr4A,Gr4B)のうちのいずれか１つを光路中に切替配置することにより、対物光学系(TA)の焦点距離を任意に変更しうるように構成した。 - 特許庁

Son: Okinaga Ta Wake no Miko (息長田別王, only appearing in the "Kojiki".) 例文帳に追加

息長田別王（おきながたわけのみこ。『古事記』のみ） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Amongst players, the shakuhachi is sometimes referred to simply as "bamboo" ("ta-ke"). 例文帳に追加

演奏者のあいだでは単に竹とも呼ばれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As the bulb metal, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, etc., are given.例文帳に追加

バルブメタルには、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ等が挙げられる。 - 特許庁

(Li, Na, K, Bi)(Nb, Ta)O3 BASED PIEZOELECTRIC MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｉ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ３系圧電材料及びその製造方法 - 特許庁

(CoFe)ZrNb/Ta/Hf-BASED TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

（ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

The first protection film 15 consists of Ti, Ta or Nb.例文帳に追加

第１の保護膜１５は、Ｔｉ，ＴａまたはＮｂからなる。 - 特許庁

The alarm clock device (10) comprises an illumination control part (40), having a time setting part (51) for setting the rising scheduled time (Ta), an alarm part (30) for generating the alarm sound at the rising scheduled time (Ta), an illumination part (20), and first and second parts (41, 42).例文帳に追加

目覚まし装置（10）は、起床予定時刻（Ta）を設定する時刻設定部（51）、起床予定時刻（Ta）にアラーム音を発生するアラーム部（30）、照明部（20）、及び第１及び第２制御部（41,42）を有した照明制御部（40）を備えている。 - 特許庁

A throttle aperture correction value (Δθ1) is set according to the length of a measuring time of the timer Ta, and a larger throttle aperture correction value (Δθ1) is set in proportion to the length of a measuring time of the timer Ta.例文帳に追加

タイマTaの計測時間の大小によってスロットル開度補正値(Δθ１)が設定され、タイマTaの計測時間の大きいほど、大きなスロットル開度補正値(Δθ１)が設定される。 - 特許庁

The sputtering target consists of a high-purity Ta material.例文帳に追加

スパッタリングターゲットは高純度Ｔａ材からなる。 - 特許庁

Ta SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｔａスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

The imaging interval P is calculated with a formula P=Ta-Tb.例文帳に追加

撮像間隔PはＰ＝Ｔa−Ｔｂによって求められる。 - 特許庁

The resistance line 40 is obtained by laminating NiCr thin film 41 and a Ta thin film 42, the Ta thin films 42 are arranged on the NiCr thin film 41, so as to hold the Ni Cr thin film 41.例文帳に追加

抵抗線４０は、NiCr薄膜４１とTa薄膜４２との積層膜であり、Ta薄膜４２がNiCr薄膜４１の上下に配置されて、NiCr薄膜４１を挟み込むように構成されている。 - 特許庁

The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.例文帳に追加

下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

A broadcast CSG TA is received and the broadcast CSG TA is accessed if an identifier of the broadcast CSG TA matches the stored CSG TA identifier.例文帳に追加

ブロードキャストされたＣＳＧ ＴＡが受信され、ブロードキャストＣＳＧ ＴＡの識別子が、すでに格納されているＣＳＧ ＴＡ識別子と一致する場合には、ブロードキャストＣＳＧ ＴＡがアクセスされる。 - 特許庁

A process selecting the pump to be operated at next time to make accumulated operation time in the predetermined staircase shape is performed a period Tb which is equal to or shorter than a period Ta in the fixed period Ta.例文帳に追加

積算運転時間が予め設定された分布となるように次回運転するポンプを選択する処理は、一定期間Ta内においてTa以下の期間であるTbのみ行う。 - 特許庁

An inertia estimator 7 estimates an inertia estimation value Jhat from the disturbance estimation values d1(ta), d2(ta), d1(tb), d2(tb) and the nominal values Jn1, Jn2 of inertia that are stored in the memory 6.例文帳に追加

イナーシャ推定器７は、メモリ６に保存された、外乱推定値d1(ta)、d2(ta)、d1(tb)、d2(tb)およびイナーシャのノミナル値Jn1、Jn2からイナーシャ推定値Jhatを推定する。 - 特許庁

The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加

下部層３１はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層３３も同様の組成で形成される。 - 特許庁

In a dry etching apparatus equipped with a chamber 10 that etches the processing object, shielding plates 30 consisting of Ta, Ti or an alloy containing Ta or Ti are arranged in the chamber.例文帳に追加

被処理物をエッチングするチャンバー１０を備えたドライエッチング装置において、前記チャンバー内に、Ta、あるいはTi、あるいはTaまたはTiを含む合金からなる遮蔽板３０が配置されている。 - 特許庁

In addition, as necessary, the composition of the overlaying metal 14 is made to contain one or more kinds among Cr, Ta and W at a rate of, in wt%, ≤6% Cr, ≤10% Ta, and ≤5% W.例文帳に追加

また必要に応じて肉盛金属１４の組成を、Cr，Ta，Wの１種若しくは２種以上を重量％でCr：≦6％，Ta：≦10％，W：≦5％で含有する組成となす。 - 特許庁

To provide Fe-Ni-(Nb, V, Ta) based flat metal soft magnetic powder, and to provide Fe-Ni-(Nb, V, Ta) based oxide film-coated flat metal soft magnetic powder with an oxide film formed on the surface of the same powder.例文帳に追加

Fe-Ni-(Nb,V,Ta)系扁平金属軟磁性粉末およびこの粉末の表面に酸化膜を形成したFe-Ni-(Nb,V,Ta)系酸化膜被覆扁平金属軟磁性粉末を提供する。 - 特許庁

The cemented carbide base material is composed of 5.0-<8.0 wt% of Co, 3.0-8.0 wt% of cubic carbide comprising Ti, Ta and Nb satisfying 0.05-0.3 of ratio Ti/(Ti+Ta+Nb), and WC as residual parts having 1.5-3.5 μm of grain diameter in the sintering condition.例文帳に追加

超硬合金基材は、5.0〜<8.0wt％のCo、Ti/(Ti+Ta+Nb)比率が0.05〜0.3のTi、Ta及びNbの3.0〜8.0wt％の立方晶炭化物、焼結状態で1.5〜3.5μｍ粒径の残部WCの組成を有する。 - 特許庁