「Word selection」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To drive a word line to a selection state at a high speed, without making the array occupancy area or manufacturing processes increased.例文帳に追加

アレイ占有面積および製造工程を増加させることなく高速でワード線を選択状態へ駆動する。 - 特許庁

When disconnection occurs in the wiring 11 of the second aluminum layer, the output of the word line driver becomes 'L' at a non-selection time.例文帳に追加

第２アルミニウムの配線１１に断線が生じると、ワード線ドライバの出力は非選択時の”Ｌ”になる。 - 特許庁

Then, a matching part 14 calculates the score intended for the words retrieved by the extended word selection part 21 in addition to the words preliminarily selected by a word preliminary selection part 13, and a control part 11 defines a word string as a result of the speech recognition of the speech.例文帳に追加

そして、マッチング部１４において、単語予備選択部１３で予備選択された単語の他に、拡張単語選択部２１で検索された単語も対象として、スコアの計算が行われ、制御部１１において、音声の音声認識結果となる単語列が確定される。 - 特許庁

Selection of one partial character string is accepted from the generated partial character string, only the word including the selected partial character string is extracted from the retrieval results based on the word dictionary, and the extracted word is displayed.例文帳に追加

生成された部分文字列から一の部分文字列の選択を受け付け、選択された部分文字列を含む単語のみを単語辞書に基づく検索結果から抽出し、抽出された単語を表示する。 - 特許庁

An output data selection section 6 outputs a bit stream when the bit stream coincident with the reference word exists or outputs a bit stream by one word on the basis of word start position information that is stored when no coincident bit stream exists.例文帳に追加

基準ワードと一致するビット列が存在する場合はそのビット列を出力し、一致するビット列が存在しない場合は保持しているワード始まり位置情報に基づいて１ワード分のビット列を出力する。 - 特許庁

To provide a sub-word circuit in which speed delay at the time of non-selection of a word line, current consumption of a negative potential VKK, and control wiring can be reduced, and a semiconductor memory device using it.例文帳に追加

ワード線非選択時の速度遅延、負電位ＶKKの消費電流、制御配線の低減が可能なサブワード回路とそれを使った半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device in which non-selected word lines are set to negative voltage is provided with a circuit 40 setting non-selection word lines to a ground potential at the time of the prescribed mode.例文帳に追加

非選択のワード線を負電圧に設定する半導体装置において、所定モード時、非選択のワード線を接地電位に設定する回路４０を具備するようにした。 - 特許庁

The electric potential of a non-selection word line among a plurality of word lines 4 is set by a NWL voltage source 1 to be a prescribed potential (for example, -1/4Vcc=-0.2V).例文帳に追加

複数のワード線４のうち非選択ワード線の電位は、ＮＷＬ電圧ソース１により、所定の負電位（例えば−１／４Ｖｃｃ＝−０．２Ｖ）に設定される。 - 特許庁

A word replacing command means 19 replaces the corrected words selected by the contention word selection means 17 with the words recognized by the speech recognition means 5.例文帳に追加

単語置き換え指令手段１９は、競合単語選択手段１７により選択された訂正単語を、音声認識手段５により認識された単語と置き換える。 - 特許庁

The selection signal generation circuit activates one of selection signals corresponding to each of word line in accordance with an external command signal indicating a test operation mode and an external selection code signal for specifying word line voltage used for the memory device, during the test operation mode for discriminating whether the word line voltage is a desired level or not.例文帳に追加

選択信号発生回路は、ワードライン電圧が要求するレベルを有するか否かを判別するためのテスト動作モードの間に、テスト動作モードを示す外部命令信号及び前記メモリ装置に使用されるワードライン電圧を指定するための外部選択コード信号に応じてワードライン電圧の各々に対応する選択信号のうちの１つを活性化する。 - 特許庁

When correction target word selection means 109 selects a correction target word, correction candidate generation means 111 matches the correction target word to a word of read and syllable storage means 110 for generating a correction candidate in a word unit and acquires the number of retrieval candidates to the correction candidate.例文帳に追加

修正候補生成手段１１１は、修正対象単語選択手段１０９で修正対象単語が選択された場合、その修正対象単語と、読み・音節記憶手段１１０の単語とのマッチングを行い、単語単位の修正候補を生成し、かつ、修正候補に対する検索候補数を取得する。 - 特許庁

A bit line BLn of left-hand neighbor is grounded, and a voltage of the selection bit line BLn+1 is biased to 4.5 V, and a voltage of the selection word gate WLn is raised to 1.2 V which is slightly higher than a word gate threshold voltage, for controlling a programming current.例文帳に追加

左隣のビット線ＢＬｎは接地され、選択ビット線ＢＬｎ＋１は４．５Ｖにバイアスされ、プログラミング電流を制御するために、選択ワードゲートＷＬｎはワードゲート閾値電圧よりも僅かに高い１．２Ｖに上げられる。 - 特許庁

A DRAM apparatus has a bit line, a word line and a memory cell, and further has a word line potential control circuit that connects the word line and a counter electrode HVC1P of a plate of the memory cell during a predetermined period when a potential of the word line WL is switched from a selection potential VBOOT to a non-selection potential VNB.例文帳に追加

本発明に係るＤＲＡＭ装置は、ビット線と、ワード線と、メモリセルとを備えるＤＲＡＭ装置であって、前記ワード線ＷＬを選択電位ＶＢＯＯＴから非選択電位ＶＮＢに切り替える場合の所定期間に、前記ワード線と前記メモリセルのプレートの対極ＨＶＣ１Ｐとを接続するワード線電位制御回路を備えるものである。 - 特許庁

A caption setting mode is selected by a selection switch (1) and the selection and decision of the kind of a routine word and a language are performed by using only a telephoto-switch (2) and a wide-switch (3).例文帳に追加

選択スイッチ（1）によりキャプション設定モードを選択し、テレ-スイッチ（2）及びワイド-スイッチ（3）のみを用いて定型語と言語の種類の選択及び確定を行う。 - 特許庁

A conductive layer is formed in parallel to the semiconductor substrate, and functions as a word line of the memory cells, and a selection gate line of the bit side selection transistor and the source line side transistor.例文帳に追加

導電層は半導体基板に対して平行に形成され、メモリセルのワード線、及びビット線側選択トランジスタ、ソース線側トランジスタの選択ゲート線として機能する。 - 特許庁

A selection bit voltage supply line 210 and a non-selection bit voltage supply line 220 are connected to a bit line driving part 20 driving the plurality of word lines 50.例文帳に追加

複数のビット線５０を駆動するビット線駆動部２０には、選択ビット電圧供給線２１０及び非選択ビット電圧供給線２２０が接続される。 - 特許庁

At the time of erasing operation of a selection block BLOCK0, first positive voltage +3 V is applied to word lines WL32-WL63 of a non- selection block BLOCK1, while reference voltage 0 V is applied to sub-bit lines SBL11, SBL13,... SBL14095.例文帳に追加

選択ブロックBLOCK0の消去動作時、非選択ブロックBLOCK1のワード線WL32〜WL63に第１の正電圧＋３Ｖを印加すると共に、サブビット線SBL11,SBL13,…,SBL14095に基準電圧０Ｖを印加する。 - 特許庁

The improvement of program disturbance of the non-selection cell can be achieved by biasing a voltage of a non-selection word line WLn+1 to a slightly negative voltage such as -1 V.例文帳に追加

非選択セルのプログラムディスターブの改善は、非選択ワード線ＷＬｎ＋１を−１Ｖのような僅かに負の電圧にバイアスすることによって得ることができる。 - 特許庁

This device is provided with a selection line driver supplying selection voltage restricted lower than power source voltage to a string selection line while program voltage is supplied to a word line, and a slope control circuit controlling rising slope so that electrostatic coupling is not caused between the string selection line and a selected word line during program operation.例文帳に追加

プログラム電圧がワードラインに供給される間に、ストリング選択ラインに電源電圧より低く制限される選択電圧を供給する選択ラインドライバ、そしてプログラム動作の間、ストリング選択ラインと選択されたワードライン間に静電結合が発生しないように、プログラム電圧のライジングスロープを制御するスロープ制御回路を備える。 - 特許庁

Further, the device is provided with a potential change slope compensating part 100 decreasing difference between potential change slope in the selection word voltage supply line 230 and potential change slope in the non-selection bit voltage supply line 220, and difference between potential change slope in the selection bit voltage supply line 210 and potential change slope in the non-selection word voltage supply line 240.例文帳に追加

選択ワード電圧供給線２３０での電位変化勾配と非選択ビット電圧供給線２２０での電位変化勾配との差を少なくし、かつ、選択ビット電圧供給線２１０での電位変化勾配と非選択ワード電圧供給線２４０での電位変化勾配との差を少なくする電位変化勾配補正部１００を設けた。 - 特許庁

A main word signal is inputted to the first drive circuit through a first selection line driven by a first power supply voltage.例文帳に追加

メインワード信号は、第１電源電圧で駆動される第１選択線により第１ドライブ回路に入力される。 - 特許庁

A word selection means 22 selects one or more words from a voice recognition result of the voice recognition means 21.例文帳に追加

単語選択手段２２は、音声認識手段２１の音声認識結果から、１つもしくは複数の単語を選択する。 - 特許庁

The device has an operation circuit 9 for injecting electron injection and a non-selection word line bias circuit 9A as a function of a peripheral circuit.例文帳に追加

周辺回路の機能として、電荷注入の動作回路９と非選択ワード線バイアス回路９Ａを有する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a selection signal generation circuit 220, a word line voltage generation circuit 240, and a switch circuit 260.例文帳に追加

本発明による半導体メモリ装置は、選択信号発生回路、ワードライン電圧発生回路及びスイッチ回路を含む。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a selection signal generating circuit, a word line voltage generating circuit, and a switch circuit.例文帳に追加

本発明よる半導体メモリ装置は、選択信号発生回路、ワードライン電圧発生回路及びスイッチ回路を含む。 - 特許庁

Receiving this, a main decoder circuit 20 makes a word line in the bank in which erasing-verify is passed a whole non-selection state.例文帳に追加

これを受けて、メインデコーダ回路２０は、消去ベリファイがパスしたバンクにおけるワード線を全非選択状態とする。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device related to one embodiment includes: a memory cell array; a plurality of memory strings; a drain side selection transistor; a source side selection transistor; a plurality of word lines; a plurality of bit lines; a source line; a drain side selection gate line; a source side selection gate line; and a controlling circuit.例文帳に追加

一態様に係る不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ、複数のメモリストリング、ドレイン側選択トランジスタ、ソース側選択トランジスタ、複数のワード線、複数のビット線、ソース線、ドレイン側選択ゲート線、ソース側選択ゲート線、及び制御回路を有する。 - 特許庁

Then, a synonymous word 135b in a synonymous word group 134 is selected, and a description picture including a description 152b and an example 153b of the synonymous word 135b is displayed ( selection figure (c) ), and when a history registration key is operated, the synonymous word 135b is history-registered (manual history registration).例文帳に追加

そして、類義語群１３４中の類義語１３５ｂを選択して類義語１３５ｂの解説１５２ｂ及び用例１５３ｂを含む解説画面が表示させた後（選択図（ｃ））、ヒストリ登録キーを操作すると、類義語１３５ｂがヒストリ登録される（手動ヒストリ登録）。 - 特許庁

When the character string that the text selection part 26 selects includes a word, a text conversion part 27 acquires a reading and a meaning of the word by retrieval from a dictionary stored in a storage part 14, converts the word into the reading, and outputs it to a speech synthesis part 17, which pronounces the word.例文帳に追加

テキスト変換部２７は、テキスト選択部２６が選択した文字列に単語が含まれている場合に、記憶部１４に記憶された辞書を検索してその単語の読み及び意味を取得し、その単語を読みに変換した上で音声合成部１７に出力して発音させる。 - 特許庁

The word line drive circuit 30 applies a first selection voltage VDD to the control electrode of the selection transistor in a first period, and applies a second selection voltage VPP higher than the first selection voltage VDD to the control electrode of the selection transistor in a second period following the first period.例文帳に追加

ワード線駆動回路３０は、第１の期間においては選択トランジスタの制御電極に第１の選択電圧ＶＤＤを与え、第１の期間に続く第２の期間おいては選択トランジスタの制御電極に第１の選択電圧ＶＤＤよりも高い第２の選択電圧ＶＰＰを与える。 - 特許庁

A row decoder 20 applies a first negative voltage to a selection word line whose data is to be erased, and applies a second positive voltage to a non-selection word line whose data is not to be erased, in a state of applying an erasure voltage to a semiconductor region when performing erasure.例文帳に追加

ロウデコーダ２０は、消去動作時に、半導体領域に消去電圧を印加した状態で、データが消去される選択ワード線に負の第１の電圧を印加し、データが消去されない非選択ワード線に正の第２の電圧を印加する。 - 特許庁

A control circuit 6 performs verifying readout operation for confirming whether data writing is completed after writing one page along a selection word line to memory cells by applying a write pulse voltage to the selection word line.例文帳に追加

制御回路６は、選択ワード線に書き込みパルス電圧を印加することにより選択ワード線に沿った１ページのメモリセルに対する書き込み動作を実行した後、データ書き込みが完了したか否かを確認するベリファイ読み出し動作を実行する。 - 特許庁

The second memory cell string includes a plurality of second word lines that cross the active region between a second ground selection line and a second string selection line and the same first arrangement interval is provided between adjoining lines in the plurality of the second word lines.例文帳に追加

第２メモリーセルストリングは、第２接地選択ライン及び第２ストリング選択ラインの間の活性領域を横切る複数の第２ワードラインを含み、同じ第１配置間隔が複数の第２ワードラインの中の隣り合うラインの間に提供される。 - 特許庁

The first memory cell string including a plurality of first word lines that cross the active region between a first ground selection line and a first string selection line and a first arrangement interval is provided between adjoining lines in the plurality of the first word lines.例文帳に追加

第１メモリーセルストリングは、第１接地選択ライン及び第１ストリング選択ラインの間の活性領域を横切る複数の第１ワードラインを含み、複数の第１ワードラインの中の隣り合うラインの間に第１配置間隔が提供される。 - 特許庁

This device comprises a semiconductor substrate including a memory transistor region and a selection transistor region, a word line arranged on the memory transistor region of the semiconductor substrate, first and second selection lines arranged on the selection transistor region of the semiconductor substrate, a tunnel insulating film interposed between the word line and the semiconductor substrate and a selection gate insulating film interposed between the first and second selection lines and the semiconductor substrate.例文帳に追加

この装置は、メモリトランジスタ領域及び選択トランジスタ領域を含む半導体基板、半導体基板のメモリトランジスタ領域上に配置されるワードライン、半導体基板の選択トランジスタ領域上に配置される第１及び第２選択ライン、ワードラインと半導体基板との間に介在されるトンネル絶縁膜及び第１及び第２選択ラインと半導体基板との間に介在される選択ゲート絶縁膜を含む。 - 特許庁

Voltage of a main word line XWL1 of non-selection is in an H level, voltage of the SWL12 is held at an L level by a NMOS transistor of a sub-word line driving circuit 32.例文帳に追加

非選択の主ワード線ＸＷＬ１の電圧はＨレベルであり、ＳＷＬ１２の電圧は副ワード線駆動回路３２のＮＭＯＳトランジスタによってＬレベルに保持される。 - 特許庁

The data bus line in the word line direction, the bit string selection circuit and the sub latch circuit are provided in a belt-like region that extends along the word line direction between multiple memory areas.例文帳に追加

ワード線方向データバス線、ビットストリング選択回路及びサブラッチ回路は、複数のメモリ領域の間においてワード線方向に沿って延びる帯状領域に設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which high speed operation can be performed by reducing load applied to a sub-word selection line when a sub-word driver arranged for each memory mat is driven.例文帳に追加

メモリマット毎に配置されたサブワードドライバを駆動する際、サブワード選択線に加わる負荷を軽減することにより、高速動作を可能にした半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

A word/genre selection means 320 selects a word and its genre which represent the contents of each Web page, and a reading time calculation means 330 calculates the reading time of each Web page.例文帳に追加

単語・ジャンル選択手段３２０は、各Ｗｅｂページの内容を代表する単語およびそのジャンルを選択し、閲覧時間算出手段３３０は、各Ｗｅｂページごとの閲覧時間を算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which is operated at high speed by lightening a load applied to a sub-word selection line when sub-word drivers arranged for each memory mat are driven.例文帳に追加

メモリマット毎に配置されたサブワードドライバを駆動する際、サブワード選択線に加わる負荷を軽減することにより、高速動作を可能にした半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

A column selection circuit 10 includes m word line drivers for driving word lines WL prepared for every memory cell disposed in an m×n matrix (m and n are natural numbers).例文帳に追加

行選択回路１０は、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは自然数）のマトリクス状に配置されたメモリセルの行ごとに設けられたワードラインＷＬを駆動するｍ個のワードラインドライバを含む。 - 特許庁

When the selection of the locker 100 and a pass word are input, the input device 200 outputs the locker ID for the selected locker 100 and the pass word to the controller.例文帳に追加

入力装置２００は、ユーザからロッカー１００の選択及びパスワードを入力されると、選択されたロッカー１００のロッカーＩＤ及びパスワードを管理装置に出力する。 - 特許庁

In other word, since one small electronic equipment has two sets of bezels and switch groups capable of selection by depressing the position of the bezel, the number of switches capable of direct selection can be increased.例文帳に追加

即ち、ひとつの小型電子機器が二組の、ベゼルとベゼルの位置を押圧することで選択可能なのスイッチ群を有することで直接選択可能なスイッチの数を増やすことが出来る。 - 特許庁

Control gates of the MFMIS-type transistors are connected to operating voltage supply lines GL via the selection transistors P, while the gates of the selection transistors P are connected to word lines WL.例文帳に追加

ＭＦＭＩＳ型トランジスタの制御ゲートは、選択トランジスタＰを介して動作電圧供給線ＧＬに接続され、選択トランジスタＰのゲートはワード線ＷＬに接続されている。 - 特許庁

The total sum of the absolute values of the precharge potential (0.4V) of the non-selection bit line and minus potential (-0.2V) of the non-selection word line is set to be less than the power voltage Vcc (0.8V).例文帳に追加

前記非選択ビット線のプリチャージ電位（０．４Ｖ）と非選択ワード線の負電位（−０．２Ｖ）の絶対値との合計値は、電源電圧Ｖｃｃ（０．８Ｖ）未満に設定される。 - 特許庁