「Word selection」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A decoding circuit section performing word line selection is constituted of a pre-decoder 6 and a row decoder 7 for further decoding its decoded output.例文帳に追加

ワード線選択を行うデコード回路部は、プリデコーダ６とそのデコード出力を更にデコードするロウデコーダ７とから構成される。 - 特許庁

one end of each word line WL1,...WL5 is connected to a ground point VSS through row selection switches RSW1,...RSW5.例文帳に追加

ワード線ＷＬ１，・・・ＷＬ５の一端は、ロウ選択スイッチＲＳＷ１，・・・ＲＳＷ５を介して、接地点ＶＳＳに接続される。 - 特許庁

Consequently, defective reading is prevented even if voltage of the non-selection word line of the first cell array is made high and over program is caused, and variation of data is prevented by lowering voltage of the non-selection word line of the second cell array and suppressing read- disturbance.例文帳に追加

その結果，第１のセルアレイの非選択ワード線の電圧を高くして，オーバープログラムが発生してもリード不良を回避するようにし，第２のセルアレイの非選択ワード線の電圧は低くして，リードディスターブを抑制してデータが変化することを回避するようにする。 - 特許庁

When the plurality of word recognition result candidates 10 exist and the similar word recognition result candidates 10 exist among them, a similar word determining part 5 performs selection from the similar candidates 10 to obtain a word recognition result 11, which is the recognition result of the character string 13.例文帳に追加

類似単語判定部５により、この単語認識結果候補１０が複数ありこれら複数の単語認識結果候補１０の中に類似した単語認識結果候補１０が存在するときに、この類似した単語認識結果候補１０の中から選択してこの文字列１３の認識結果である単語認識結果１１とする。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device includes a data bus line in a word line direction that extends along the word line direction over multiple memory planes, a bit string selection circuit that switches whether to electrically connect the data bus line in the word line direction to a bit line or not, and a sub latch circuit connected to the data bus line in the word line direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリプレーンに跨ってワード線方向に沿って延びるワード線方向データバス線と、ワード線方向データバス線とビット線とを電気的に接続するか否かを切り替えるビットストリング選択回路と、ワード線方向データバス線に接続されるサブラッチ回路とを備える。 - 特許庁

To obtain the carefully selecting means for the meaning property of a word which can improve the precision of a concept base and the computer- readable recording medium where the careful selection program for the meaning property of a word is recorded.例文帳に追加

概念べ一スの精度を向上させることができる単語の意味属性の精選方法及び単語の意味属性の精選プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

An NMOS transistor 313 is turned on and a word line 142 is set to a ground level, until the word line 142 is selected by a selection signal XW0, in a pre-charging time period of a bit line.例文帳に追加

ビット線のプリチャージ期間で、ワード線１４２が選択信号ＸＷ０によって選択されるまでの間は、ＮＭＯＳトランジスタ３１３がＯＮになってワード線１４２が接地レベルにされる。 - 特許庁

First and second signal supply sections 60, 66 supplying respectively sub-word signals to four sub-word selection signal lines arranged at the sub-row decoders 90 are provided at both ends of a Y direction.例文帳に追加

Ｙ方向の両端に、サブローデコーダ９０に配置された４本のサブワード選択信号線にサブワード選択信号をそれぞれ供給する第１，第２の信号供給部６０，６６が設けられる。 - 特許庁

In a matching part 71, a compound word correspondence item selection part 72 composes a word with syntax information on respective words of the term dictionary 73 and decides whether it is applicable to a retrieval item.例文帳に追加

照合部７１において、複合語対応項目選択部７２では、用語辞書７３の各単語の構文情報によって単語を合成して検索項目に対応できるか否か判定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which threshold voltage measurement of a nonvolatile memory cell can be conducted by linearly changing a word line selection level without directly driving a word line by a D/A converting circuit.例文帳に追加

Ｄ／Ａ変換回路で直接ワード線を駆動することなくワード線選択レベルをリニアに変化させて不揮発性メモリセルの閾値電圧測定を可能にする半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

Selection transistors are characterized in that an N-channel MOS transistor 2 and a P-channel MOS transistor 3 are connected in parallel, and the word line and an inversion word line are connected to gates.例文帳に追加

選択トランジスタがＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２とＰチャンネルＭＯＳトランジスタ３とを並列接続され、ゲートにそれぞれワード線と反転ワード線とが接続された構成であることを特徴とする。 - 特許庁

An OR circuit 25 is the OR circuit of (m) inputs and when any one of redundant word select signals RD1-RDm becomes 'H' level, a word line selection inhibit signal RDE is outputted at 'H' level, for example, to a row decoder.例文帳に追加

オア回路25は、m入力の論理和回路であり、冗長ワード選択信号RD1〜RDmの内1つでも「H」レベルとなった場合、ワード線選択禁止信号RDEが例えば「H」レベルで行デコーダ3へ出力される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of improving word selection speed, and reducing an operation current.例文帳に追加

ワード選択スピードを向上することができ、また動作電流の低減を図ることが可能な半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

In read out operation, the row selecting circuit 2 supplies first voltage to a word line WLi to be connected to a selection memory cell Cij.例文帳に追加

読み出し動作では、ロウ選択回路２が、選択メモリセルＣｉｊに接続するワード線ＷＬｉに第１電圧を供給する。 - 特許庁

An analysis object word selection part 22 deletes unnecessary words from the keywords and calculates a keyword score for each keyword to narrow analysis object words.例文帳に追加

分析対象語選択部２２が、キーワードから不要語を削除し、キーワードごとにキーワードスコアを計算して分析対象語を絞り込む。 - 特許庁

The book has more translator's notes than Shigeno version and it seems the author had difficulty with translation word selection but the book is not highly evaluated and it is referred to as an inferior contents (Sumiyoshi 1973). 例文帳に追加

重野本より注釈は多く、訳語に苦労したことがうかがえるが、内容は凡庸と評されている（住谷1973）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The 'L' level is transmitted to the wiring 13A of the polysilicon layer, and the potential of the disconnected word line is coerced to the potential at the non- selection time.例文帳に追加

その”Ｌ”レベルがポリシリコン層の配線１３Ａに伝達され、断線したワード線の電位は非選択時の電位に強制される。 - 特許庁

At this time, as all word lines in a selection block are Vread, VDD is transferred to channels of all memory cells in a cell unit.例文帳に追加

この時、選択ブロック内の全ワード線がＶｒｅａｄであるため、セルユニット内の全メモリセルのチャネルにＶＤＤが転送される。 - 特許庁

A sense amplifier 8 amplifies cell information read out based on selection of a word line, a block control circuit 21 is provided with a word line multiple selection function selecting simultaneously a plurality of word lines in a plurality of blocks, a sense amplifier driving circuit 22 controls activation and de-activation of the sense amplifier 8 based on an output signal of the block control circuit 21.例文帳に追加

センスアンプ８は、ワード線の選択に基づいて読み出されるセル情報を増幅し、ブロック制御回路２１は複数のブロック内の複数本のワード線を同時に選択するワード線多重選択機能を備え、センスアンプ駆動回路２２はブロック制御回路２１の出力信号に基づいて、センスアンプ８の活性化及び不活性化を制御する。 - 特許庁

A word line driver 23 applies voltage VSS to a selection word line WL, and applies such voltage VUX' of voltage value that potential difference applied to the memory cell MC arranged at the crossing part of the selection-driven bit line BL and the dummy word line DummyWL is smaller than ON-voltage Von of a diode Di.例文帳に追加

ワード線ドライバ２３は、選択ワード線ＷＬに電圧ＶＳＳを印加するとともに、ダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬに、選択駆動されたビット線ＢＬとダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬとの交差部に配置されるメモリセルＭＣにかかる電位差がダイオードＤｉのオン電圧Ｖｏｎより小さくなるような電圧値の電圧ＶＵＸ’を印加する。 - 特許庁

Block selection signal lines ZSB extending along a X direction in the sub-row decoder 90 are connected to the second signal supply section 66, and a sub-word selection signal is generated based on its potential.例文帳に追加

第２の信号供給部６６には、サブローデコーダ９０内をＸ方向に沿って延びるブロック選択信号線ＺＳＢが接続され、その電位に基づいてサブワード選択信号を生成する。 - 特許庁

An X decoder 25 supplies voltage appropriate for processing to the two memory cell arrays of different types through the corresponding word lines in accordance with selection by the memory layer selection 26.例文帳に追加

Ｘデコーダ２５は、メモリ層選択部２６の選択にしたがって、それぞれに対応するワード線を通じて互いに異なる種類の２つのメモリセルアレイに各処理に応じた電圧を供給する。 - 特許庁

A first etching stop film 118 made of a thin nitride film and a second etching stop film 120 made of a high dielectric film having a different etching selection ratio are formed at the upper portion of the selection line and the word line.例文帳に追加

それらの上部に薄い窒化膜からなる第１のエッチング停止膜１１８と、さらにエッチング選択比の異なる高誘電体膜からなる第２のエッチング停止膜１２０を形成する。 - 特許庁

A control circuit performs writing operation to memory cells of one page along a selection word line by applying a write pulse voltage to the selection word line, and then performs verification reading operation to confirm whether the data writing to the memory cells of the one page is completed.例文帳に追加

制御回路は、選択ワード線に書き込みパルス電圧を印加することにより選択ワード線に沿った１ページのメモリセルに対する書き込み動作を実行した後、１ページのメモリセルに対するデータ書き込みが完了したか否かを確認するベリファイ読み出し動作を実行する。 - 特許庁

When data are read out, a bit line potential VBL is larger than a source line potential VSL, and a word line potential VWL_s of a selection cell MC_s is larger than the bit line potential VBL, and a word line potential VWL_us of a non-selection cell MC_us is smaller than the source line potential VSL.例文帳に追加

データの読み出し時、ビット線電位ＶＢＬはソース線電位ＶＳＬより大きく、選択セルＭＣ＿ｓのワード線電位ＶＷＬ＿ｓは、ビット線電位ＶＢＬより大きく、非選択セルＭＣ＿ｕｓのワード線電位ＶＷＬ＿ｕｓは、ソース線電位ＶＳＬより小さい。 - 特許庁

A memory cell array of a NAND type flash memory is divided into a first cell array and a second cell array, at reading, first voltage is applied to a non-selection word line of the first cell array, second voltage being lower than the first voltage is applied to a non-selection word line of the second cell array.例文帳に追加

NAND型のフラッシュメモリのメモリセルアレイを，第１のセルアレイと第２のセルアレイとに分割し，リード時において，第１のセルアレイの非選択ワード線には第１の電圧を印加し，第２のセルアレイの非選択ワード線には第１の電圧より低い第２の電圧を印加することを特徴とする。 - 特許庁

The non-selection word line bias circuit 9A applies the prescribed voltage to a non-selection memory transistor whose drain region is connected electrically to a drain region of the selected memory transistor through a nonvolatile word line in the direction where voltage between a drain and a gate is relaxed in injecting electron charges.例文帳に追加

非選択ワード線バイアス回路９Ａは、電荷注入時に、そのドレイン領域が、選択されたメモリトランジスタのドレイン領域と電気的に接続されている非選択のメモリトランジスタに対し、ドレインとゲート間の電圧を緩和する向きに、所定の電圧を非選択のワード線を介して印加する。 - 特許庁

A PL selecting circuit 70R comprises a transistor TE1 which is turned on when a word line WL is selection voltage and supplies a plate line selection signal PS(R) to a plate line LPL(R), and a transistor TE2 which is turned on when the word line WL is non-selection voltage and sets the plate line LPL(R) to a voltage level of GND.例文帳に追加

ＰＬ選択回路７０Ｒは、ワード線ＷＬが選択電圧の場合にオンになり、プレート線ＬＰＬ（Ｒ）にプレート線選択信号ＰＳ（Ｒ）を供給するトランジスタＴＥ１と、ワード線ＷＬが非選択電圧の場合にオンになり、プレート線ＬＰＬ（Ｒ）をＧＮＤの電圧レベルに設定するトランジスタＴＥ２を含む。 - 特許庁

In a voltage selecting circuit 300 selecting voltage of each supply line 210-240, in both cases (read-period and write-period) in which positive or negative selection voltage is applied to a selection memory cell, one side of potential of the non-selection word voltage supply line 240 and the non-selection bit voltage supply line 220 is made fixed.例文帳に追加

各供給線２１０〜２４０の電圧を選択する電圧選択回路３００は、選択メモリセルに正又は負の選択電圧を印加するいずれの場合（リード期間とライト期間）も、非選択ワード電圧供給線２４０及び非選択ビット電圧供給線２２０の一方の電位を固定とした。 - 特許庁

A final write-in page in the block BLK is compared with a correction page, and read-out voltage V_select applied to a selection word line WL is selected.例文帳に追加

ブロックＢＬＫ内の最終書き込みページと補正ページとを比較し、選択ワード線ＷＬに印加する読み出し電圧Ｖ_selectを選択する。 - 特許庁

The process cost can be reduced because a distribution layer does not have to newly be provided even though the hierarchical word lines and the hierarchical block selection line method are applied.例文帳に追加

階層ワード線や階層ブロック選択線方式を適用しても、新たに配線層を設ける必要がないので、プロセスコストを低減できる。 - 特許庁

A word table 30 records the various features and keywords showing those features in association with each other, and a keyword selection part 31 retrieves the word table 30 based on the extracted features, and selects the pertinent keywords.例文帳に追加

ワードテーブル３０は、様々な特徴と、その特徴を表すキーワードとを関連づけて記録しており、キーワード選択部３１は、抽出された特徴に基づいてワードテーブル３０を検索し、該当するキーワードを選択する。 - 特許庁

The curtailed word formation supporting device and the program therefor include a basic abbreviation substitution processing part 14, an abbreviated name formation processing part 15, and the other definition selection processing part 16 whereby the formation of a candidate for an abbreviated name is performed for one word using a different method.例文帳に追加

基本略語置換処理部１４、略称生成処理部１５および他定義選択処理部１６により、同一の語句に関してそれぞれ異なる方法で略称候補の生成をそれぞれ行う。 - 特許庁

A word line WL1 is set to word line selection voltage for program (1 V), a control gate CG [i+1] is set to control gate voltage for program (5.5 V), and a control gate CG [i] is set to override voltage (2.5 V).例文帳に追加

ワード線ＷＬ１をプログラム用ワード線選択電圧（１Ｖ）に設定し、コントロールゲートＣＧ［ｉ＋１］をプログラム用コントロールゲート電圧（５．５Ｖ）に設定し、コントロールゲートＣＧ［ｉ］をオーバライド電圧（２．５Ｖ）に設定する。 - 特許庁

The interaction device 1 is provided with: a user information input means 10; a primary word extraction means 20; a concern level determination means 30; a relevant word database 40; a relevant word selection means 50; fixed sentence database 60; a response sentence creation means 70; and a response sentence output means 80.例文帳に追加

対話装置１は、ユーザ情報入力手段１０、主要語抽出手段２０、関心度判定手段３０、関連語データベース４０、関連語選択手段５０、定形文データベース６０、応答文作成手段７０、および、応答文出力手段８０を具備する。 - 特許庁

This device is provided with a plurality of word lines and bit lines connected to memory cells, a circuit for supplying voltage associated with temperature to a word line selected for reading out a state of memory cells, and a circuit for supplying the prescribed voltage to a word line of non- selection to read out a state of memory cells.例文帳に追加

メモリセルに連結された複数のワードライン及びビットラインと、メモリセルの状態を読み出すため選択されたワードラインに温度に連動する電圧を供給する回路と、メモリセルの状態を読み出すため非選択のワードラインに所定の電圧を供給する回路とを備える。 - 特許庁

To prevent a malfunction due to multiple selection between a disconnected word line and a normal word line easy to occur when wiring of a low resistance side is disconnected in a semiconductor memory of a word-suspension structure connecting here and there the wiring that the word line is formed on a wiring layer of low resistance and the wiring formed on the wiring layer of high resistance and making parallel them.例文帳に追加

ワード線が、抵抗の低い配線層に形成された配線と、抵抗の高い配線層に形成された配線とを所々で接続して並列にした、「ワード吊り」構造の半導体記憶装置において、低抵抗側の配線が断線したときに生じやすい、断線ワード線と正常ワード線との間の多重選択による誤動作を防止する。 - 特許庁

A word line control part 13 controls the voltage of a high level showing that the word line control 13 has not selected the word line for the memory cell M accessed or not accessed on the basis of, a control signal ϕ for controlling the voltage of a high level of the word line WL and on the basis of a selection signal WLDEC outputted by a main decoder 11.例文帳に追加

メモリセルＭへのアクセス時と非アクセス時に応じてワードラインＷＬのハイレベルの電圧値を制御するための制御信号φと、メインデコーダ１１が出力する選択信号ＷＬＤＥＣとを基に、ワードライン制御部１３は、ワードラインＷＬが非選択であることを示すハイレベルの電圧値をメモリセルＭのアクセス時と非アクセス時に応じて制御する。 - 特許庁

Gates of the read selection switches SW of the dummy cells are also connected to the read word lines RWL(i), RWL(ref), but the dummy cell does not function as the memory cell since the read selection switches and MTJ (Magnetic Tunnel Junction) elements MTJ are being cut off.例文帳に追加

リードワード線ＲＷＬ（ｉ），ＲＷＬ（ｒｅｆ）には、ダミーセルのリード選択スイッチＳＷのゲートも接続されるが、ダミーセルは、リード選択スイッチＳＷとＭＴＪ素子ＭＴＪとが切断されているため、メモリセルとして機能しない。 - 特許庁

The image is searched in the descending order of a value obtained by subtracting the number of non-selection times for each user ID or a user overall non-selection degree from the scores calculated by the relevant word search parts 36 according to a predetermined rule.例文帳に追加

画像の検索は、関連語検索部３６が算出したスコアからユーザＩＤ毎の非選択回数、あるいはユーザ全体の非選択度を所定の規則で減じた値が大きい画像から順に行われる。 - 特許庁

A retrieval unit 93 retrieves content related to the selected content by using selection relevant information that is the selected relevant information as a search word.例文帳に追加

検索部９３は、選択された関連情報である選択関連情報を検索語句として、選択されたコンテンツに関係する関係コンテンツを検索する。 - 特許庁

Voltage (VBOOST) transmitted to a selection word line is divided, and a reference cell (RCA-RCC) is set to a conduction state according to divided voltage.例文帳に追加

選択ワード線に伝達される電圧（ＶＢＯＯＳＴ）を分圧し、分圧電圧に従って参照セル（ＲＣＡ−ＲＣＣ）を導通状態に設定する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric storage device in which a non-selection memory cell can be protected even in a transition period at which a potential supplied to a word line and a bit line is changed.例文帳に追加

ワード線、ビット線に供給される電位が変化する過渡期においても、非選択メモリセルを保護できる強誘電体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

After that, the drain side select-gate line SGD is set to VSG2, and a write-in potential Vpgm is applied to a selection word line (time t2-t3).例文帳に追加

この後、ドレイン側セレクトゲート線ＳＧＤが、ＶＳＧ２に設定され、書き込み電位Ｖｐｇｍが選択ワード線に印加される（時刻ｔ２〜ｔ３）。 - 特許庁

A current is not made to flow in each memory cell SDD by voltage of approximately 1.2 V applied to the non-selection word line US-WL, disturbance is relaxed.例文帳に追加

非選択ワード線ＵＳ−ＷＬに印加した約１．２Ｖ程度の電圧によって、各々のメモリセルＳＤＤには電流が流れず、ディスターブを緩和する。 - 特許庁