「XP-A」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

A detection circuit 10, a switch T and an alarm unit 11 are provided as a safety means, so as to break a commercial electric power source E to an X-ray tube power source XP and to alert by the alarm unit 11, when outputs of the inlet side sensor S1 or the outlet side sensor S2 exceed a threshold value.例文帳に追加

また安全手段として検出回路１０、スイッチＴ、警報機１１を設け、入口側センサＳ１、出口側センサＳ２の出力がしきい値を越えた場合に、Ｘ線管電源ＸＰへの商用電源Ｅを遮断するとともに、警報機１１により警報を発令する。 - 特許庁

In the semiconductor distribution Bragg reflector having periodical changes in refraction factor and for reflecting incident light by a lightwave interference, a layer having a small refraction factor is composed of Al_xGa_1-xP (0<x≤1) and a layer having a larg refraction factor is composed of Al_yGa_1-yP (0≤y<x≤1).例文帳に追加

屈折率が周期的に変化し、入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡において、屈折率が小なる層はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＰ（０＜ｘ≦１）からなり、屈折率が大なる層はＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＰ（０≦ｙ＜ｘ≦１）からなる。 - 特許庁

This exhaust structure of the combine harvester is provided by passing the exhaustive pipe XP as slanting and facing upward between the threshing device 4 and recovering part 5 from the exhaust part 67 of the engine 60, and being supported by a box body 4S constituting the threshing device 4.例文帳に追加

排気管ＸＰがエンジン６０の排気部６７から脱穀装置４と回収部５との間を斜め上向きに通され、脱穀装置４を構成する筐体４Ｓに支持されている排気構造とした。 - 特許庁

Also, in a step S2, when the number XP of the holes is not matched with the set value, it is determined that the paper sheets P have been extracted while being overlapped, and the paper sheets P are treated as excluded tickets, and delivered to an exclusion ticket collection device 9.例文帳に追加

また、ステップＳ２において、孔の数ＸＰが設定値と一致しない場合には、紙葉類Ｐの重ね取りと判断して当該紙葉類Ｐを排除券扱いとし、排除券集積装置９に搬送する。 - 特許庁

To provide an etchant of a compound semiconductor, capable of removing Ga_xIn_1-xP semiconductor (0.9≤x≤1.0), along with an etching method of the compound semiconductor using the relevant etchant, and a method of manufacturing a compound semiconductor light emitting device using the relevant etching method.例文帳に追加

Ｇａ_xＩｎ_1-xＰ半導体（0.9≦ｘ≦1.0）を除去することができる化合物半導体のエッチング液、当該エッチング液を用いた化合物半導体のエッチング方法、及び当該エッチング方法を用いた化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This cooling device inhibits diagnosis of an operation condition of the thermostat 61 when a ratio of an integrated value of amount of change of simulation water temperature in an idle condition to an integrated value of amount of change of simulation water temperature in a normal running condition is above an upper limit ratio XP.例文帳に追加

そして、アイドル状態における模擬水温変化量の積算値と通常走行状態における模擬水温変化量の積算値との比率が上限比率ＸＰ以上のとき、サーモスタット６１の作動状態の診断を禁止する。 - 特許庁

A generation part 11 generates correction information to a secondary white point (Xt, Yt, Zt) from: luminance information Yw of information (Xw, Yw, Zw) of a primary white point that is a white point of color information on a given object to be processed; and luminance information Yp of a target white point (Xp, Yp, Zp).例文帳に追加

生成部１１は、与えられた処理対象の色情報の白色点である第一の白色点の情報（Ｘｗ，Ｙｗ，Ｚｗ）の輝度情報Ｙｗと目標とする白色点（Ｘｐ，Ｙｐ，Ｚｐ）の輝度情報Ｙｐから第二の白色点（Ｘｔ，Ｙｔ，Ｚｔ）への補正情報を生成する。 - 特許庁

The weight coefficient calculator 28 executes an adaptation algorithm based on a corrected input signal Xp resulting from multiplying the inputted complex I/Q signal by the correction coefficient and an error signal (e) and calculates the weight coefficient W.例文帳に追加

ウェイト係数算出部２８は、入力された複素Ｉ／Ｑ信号に修正係数が乗じられた修正入力信号Ｘ_pと誤差信号ｅに基づいて適応化アルゴリズムを実行し、ウェイト係数Ｗを算出する。 - 特許庁

This method is composed of interleave type processing provided with a preprocessing phase for preparing an auxiliary symbol composed of an auxiliary complex sample Ak concerning each initial symbol and a processing phase including the inverse Fourier transformation of a size N concerning each auxiliary symbol, and the transmission of 2N pieces of real number output data xp.例文帳に追加

各初期シンボルについての補助複素サンプル（Ａｋ）からなる補助シンボルが作られる前処理フェーズと、各補助シンボルについてのサイズＮの逆フーリエ変換を含む処理フェーズと、を含むインターリーブ型の処理、および２Ｎ個の実数出力データ（ｘｐ）の送信からなる方法である。 - 特許庁

Length Xr of an inner peripheral face 32 of a ring roller 22 in the direction vertical to the direction of tangential line and the direction of normal line of a contact part 28 is set to be larger than length Xp of an outer peripheral face 33 of each pinion roller 23 in the vertical direction.例文帳に追加

接触部２８の接線方向及び法線方向と垂直方向におけるリングローラ２２の内周面３２の長さＸｒが、この垂直方向における各ピニオンローラ２３の外周面３３の長さＸｐよりも長く設定されている。 - 特許庁

The evaluation equipment for a butadiene polymerizing catalyst calculates the best stable structure of the butadiene polymerizing catalyst which comprises (A) a metallocene complex that is a group V transition metal compound represented by a general formula: Rn M(O)m Xp, and (B) an ionic compound of non-coordinating borate anions and cations, and evaluates a relationship of the following formulas (1) and (2).例文帳に追加

（Ａ）一般式 Ｒn Ｍ（Ｏ）m Ｘp （で示される周期律表第Ｖ族遷移金属化合物であるメタロセン型錯体、及び（Ｂ）非配位性ボレートアニオンとカチオンとのイオン性化合物からなるブタジエン重合用触媒の最安定構造を計算することを特徴とする、下式（１）及び（２）の関係を満足するブタジエン重合用触媒の評価装置に関する。 - 特許庁

When the ink droplets are delivered in the intermediate region using a main pixel pitch Xp and a sub-pixel pitch Yp as sides to print an image with a high resolution among a plurality of the nozzles formed on the inclined line, the position of the print head is controlled so that the ink droplets are delivered in the same intermediate region from the nozzles included in the same managing unit.例文帳に追加

高解像度画像をプリントするために主画素ピッチＸｐと副画素ピッチＹｐとを一辺とする中間領域にインク滴を吐出する場合には、傾斜ライン上に形成された複数のノズルのうち、同じ管理単位に含まれるノズルからインク滴を同じ中間領域に吐出すようにプリントヘッドの位置を制御する。 - 特許庁

After that, the maximum value Δθmax of the phase difference in the phase profile is compared with the predetermined standard value Δθt, and when the Δθmax is bigger than the Δθt, the second candidate Xp of the diaphragmatic position is determined as the diaphragmatic position X1 for the occasion when a navigator sequence NP1 is performed.例文帳に追加

その後、位相プロファイルにおける位相差の最大値Δθmaxを、予め定められた所定の基準値Δθｔと比較し、Δθmax＞Δθｔである場合、横隔膜の位置の第２候補Ｘｐを、ナビゲータシーケンスＮＰ１が実行されたときの横隔膜の位置Ｘ１として決定する。 - 特許庁

To solve the problem that printing performed by using data for display processed by DDI cannot be executed in an image forming apparatus with a raster image processing apparatus such as PCL5/XP RIP since the raster image processing apparatus can not process bitmap data of halftone and interleave.例文帳に追加

ＰＣＬ５／ＸＰ ＲＩＰのようなラスター画像プロセッサは、ハーフトーン及びインターリーブのビットマップデータを処理できないため、このようなラスター画像プロセッサを備えた画像形成装置においては、ＤＤＩで処理された表示用のデータを利用するような印刷を実施できない。 - 特許庁

In the solution analyzing method for analyzing the solution containing the chemical substance, a direct current on which minute AC is superimposed, in applied across electrodes to measure impedance at every voltage of AC and the steady value of the real component Rp and/or imaginary component Xp of the impedance is calculated.例文帳に追加

本発明は、化学物質を含んだ溶液を分析する溶液分析方法であって、電極間に微小交流が重畳された直流を印加して前記直流の各電圧におけるインピーダンスを測定し、インピーダンスの実数成分Ｒｐ及び／又は虚数成分Ｘｐの定常値を求めることを特徴とする。 - 特許庁

In this martensitic stainless steel, Cr content, decided by the relational formula between the frequency of the peaks Yp in the histogram of the number of picture elements obtained by analyzing the photographed image of the surface in the state of mill scales to be left after mill scale removing treatment by a shot blast method and the gradient value Xp showing the frequency of the peaks Yp is 9 to 15 mass %.例文帳に追加

ショットブラスト法によるミルスケール除去処理後のミルスケール残り状態を、その表面の撮影画像を解析して得られる画素数ヒストグラムのピーク度数Ｙｐと、このピーク度数Ｙｐを示す階調値Ｘｐとの関係式で定めたＣｒ含有量が９〜１５質量％のマルテンサイト系ステンレス鋼材。 - 特許庁

Voltage correction processing 20 corrects a fully charging voltage VF and a discharge ending voltage VE set beforehand by using the battery temperature T, and a reference corrected capacity calculation processing 21 obtains a new reference, capacity XT based on collected present battery temperatures by using the corrected fully charging voltage VFT and the discharge ending voltage VET and a reference capacity Xp equivalent to 1% of the total capacity of the battery set beforehand.例文帳に追加

電圧補正処理２０がバッテリの温度Ｔを用いて予め設定されている満充電電圧ＶＦ、放電終止電圧ＶＥを補正し、基準補正容量算出処理２１がこの補正した満充電電圧ＶＦＴ、放電終止電圧ＶＥＴと予め設定されているバッテリの総容量の１％に相当する基準容量Ｘｐとを用いて、収集したバッテリの現在の温度Ｔに基づく新たな基準容量ＸＴを求める。 - 特許庁