「active edge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The piezoelectric actuator is constructed so that an electric field decreases towards the periphery of an active part at a peripheral edge of the active part of a piezoelectric film 24.例文帳に追加

圧電膜２４の活性部の周縁において電界が活性部の外周にいくに従って低下する構造とした。 - 特許庁

The cutting edge of the caisson is coated with paints containing a solid lubricant and a silicone surface active agent.例文帳に追加

ケーソン刃口を固体潤滑剤、シリコーン系界面活性剤を含む塗料で被覆した。 - 特許庁

An edge of a seal part facing the edge, which is positioned inside, of the edges of the positive electrode active material layer 13 and the negative electrode active material layer 15 offsetting each other is positioned inside of the edge, which is positioned outside, of the edges of the positive electrode active material layer 13 and the negative electrode active material layer 15 offsetting each other.例文帳に追加

また、互いにオフセットしている正極活物質層１３および負極活物質層１５のエッジのうちの内側に位置するエッジと対向するシール部のエッジは、互いにオフセットしている正極活物質層１３および負極活物質層１５のエッジのうちの外側に位置するエッジよりも、内側に位置する。 - 特許庁

Longitudinal axes of at least three active regions are parallel with one another and each of at least three active regions has a side edge intersecting with the longitudinal axis of its corresponding active region.例文帳に追加

少なくとも３つのアクティブ領域の縦軸は平行で、少なくとも３つのアクティブ領域は、それぞれ、対応するアクティブ領域の縦軸と交差する辺縁を有する。 - 特許庁

An edge detection circuit 32 detects an edge of a clock pulse CP transmitted while a gate signal S2 is active to output an edge detection pulse W1.例文帳に追加

ゲート信号Ｓ２がオンしている間に伝送されたクロックパルスＣＰのエッジがエッジ検出回路３２にて検出されて、エッジ検出パルスＷ１が出力される。 - 特許庁

The pair of active material layers 1c, 1d are coated with an active material on both surfaces of each metal foils 1a, 1b except one side edge.例文帳に追加

一対の活物質層１ｃ・１ｄは各金属箔１ａ・１ｂの両面に一方の側縁を除き活物質を塗着する。 - 特許庁

When the film 24 is formed on the light emitting edge 22 side and successively cooled to a room temperature, a compressive (+) strain is formed in the active layer 16 near the edge 22 and the band gap energy of the active layer 16 near the edge 22 increases and becomes larger than that of the active layer 16 inside the laser element 10.例文帳に追加

出射端面に低線膨張膜２４を成膜し、次いで室温まで放冷すると、出射端面近傍の活性層に圧縮（＋）歪が生じ、出射端面近傍の活性層のバンドギャップ・エネルギーが増大して、レーザ内部の活性層のバンドギャップ・エネルギーより大きくなる。 - 特許庁

The reference layer 54 is constituted so that a pair of both side edge parts are protrudes from a pair of corresponding edge parts of the active layer 50.例文帳に追加

基準層５４は、１対の両側の縁部が活性層５０の１対の対応する縁部よりはみ出すように構成される。 - 特許庁

An N-type edge face current block layer 7 is formed on the edge face of a resonator and an active layer disordered region 14 located in the vicinity of the resonator.例文帳に追加

共振器端面およびその近傍の活性層無秩序化領域１４上にｎ型端面電流阻止層７を形成する。 - 特許庁

Generation of a leak current via the gate electrode 32 is reduced in the circumferential edge 64 of the active layer 21.例文帳に追加

ゲート電極32を介した活性層21の周縁部64でのリーク電流の発生が少なくなる。 - 特許庁

An edge-emitting semiconductor laser is provided with a periodic structure layer 13 between an active layer 16 and an n-side electrode 32.例文帳に追加

活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３を設ける。 - 特許庁

In the electrode group, the metal lithium is disposed on both surfaces of a metal foil part not coated with the active material on an upper edge or a lower edge of the negative electrode plate.例文帳に追加

電極群は、負極板の上縁または下縁の活物質未塗工部分金属箔の両面に、金属リチウムが配置される。 - 特許庁

To provide a gang edge cutting device which can prevent falling-off of an active material layer at a cutting edge part of cut tape-like electrode materials.例文帳に追加

裁断されたテープ状電極材の裁断縁部における活物質層の脱落を防止できるギャング刃式裁断装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor power device which includes an edge terminal structure isolating an active cell from a die edge, by surrounding the active cell in the internal region of an epitaxial layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１２上のエピタキシャル層１６の内部領域におけるアクティブなセルを包囲しダイ・エッジ４８から分離するエッジ終端構造を含む半導体電力デバイス１００を提供する。 - 特許庁

To provide a method to make an impurity layer by ion implantation of an impurity into an edge part in side part and of an active region to prevent generation of a parasitic transistor phenomenon or an edge transistor phenomenon along the edge part in the side part of the active region even when the active region is refined to the limit.例文帳に追加

アクティブ領域を極限にまで微細化しても、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に不純物をイオン注入して、不純物層を形成でき、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に沿っての寄生トランジスタ現象又はエッジトランジスタ現象の発生を防止することができるようにする。 - 特許庁

Therefore, a window structure which is transparent to laser light is formed near the light emitting edge of the active layer.例文帳に追加

従って、レーザ光に対して透明な窓構造が活性層の出射端面近傍に形成される。 - 特許庁

Of surfaces of a substrate 1 coated with an active material, an active material is removed from a welding portion (one edge portion) 1a to which a collecting tab 2 is to be welded.例文帳に追加

活物質を塗布した基板１の表面のうち集電用タブ２を溶接すべき溶接箇所（一側縁部分）１ａから活物質を除去する。 - 特許庁

A phased array antenna includes an active or a beam forming array and an active edge element capable of transmitting and/or receiving radio wave signals.例文帳に追加

位相調整アレイ・アンテナは、能動又はビーム形成アレイ部と、信号の送信又は受信あるいはその両方を行う能動寄生素子とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can round off corners of an active region top edge without generating irregularity on the surface of the active region.例文帳に追加

活性領域表面に凹凸を生じることなく活性領域上端の角部を丸めることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A transition placing device (18) includes a phase measuring device (104) and measures a timing offset between an active edge of a beam detection signal and a rising edge of a reference clock.例文帳に追加

遷移配置装置(18)は位相測定装置(104)を含み、ビーム検出信号のアクティブエッジと基準クロックの立ち上がりエッジとの間のタイミングオフセットを測定する。 - 特許庁

The active layer formed inside each light emitting element is formed like a curve (kinked line), that extends from the front edge face 6 to the rear edge face 7, by which the disused light that leaks and propagates through a region other than an active layer can be less reflected from a rear edge face.例文帳に追加

各発光素子内の活性層を前端面６から後端面７にわたって曲線状（折れ線状）に形成することにより、活性層以外の領域内へ漏れ込んで伝搬する非所望光の後端面での反射を低減させることができる。 - 特許庁

On the formation surface of active layer, an InP embedded layer 34 is continuously provided from the side edge of the active layer in the central region to the ridge side surface, as a semiconductor laser whose band gap energy is larger than that of the active layer.例文帳に追加

活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、ＩｎＰ埋め込み層３４が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。 - 特許庁

A cathode plate 18 has an uncoated portion 24 on one edge side in a width direction and is coated with a cathode active material 26, and an anode plate 20 has an uncoated portion 28 on the other edge side in a width direction and is coated with an anode active material 30.例文帳に追加

正極板１８は、幅方向一端側に未塗布部位２４を設けて正極活物質２６が塗布され、負極板２０は、幅方向他端側に未塗布部位２８を設けて負極活物質３０が塗布される。 - 特許庁

A cathode plate 18 has an uncoated portion 24 on one edge side in a widthwise direction and is coated with a cathode active substance 26, and an anode plate 20 has an uncoated portion 28 on the other edge side in a width direction and is coated with an anode active substance 30.例文帳に追加

正極板１８は、幅方向一端側に未塗布部位２４を設けて正極活物質２６が塗布され、負極板２０は、幅方向他端側に未塗布部位２８を設けて負極活物質３０が塗布される。 - 特許庁

A first rising edge or a first falling edge of the boost voltage occurs between the start time of the boost voltage-output period and the start time of the active period of the gate signal, and a second rising edge or a second falling edge of the boost voltage occurs between the end time of the active period and the end time of the boost voltage-output period.例文帳に追加

ブースト電圧の第１立ち上がり端または第１立ち下がり端がブースト電圧出力期間の開始時点からゲート信号のアクティブ期間の開始時点までの間に位置し、ブースト電圧の第２立ち上がり端または第２立ち下がり端がそのアクティブ期間の終了時点からブースト電圧出力期間の終了時点までの間に位置する。 - 特許庁

Also the characteristics and the mobility of the thin-film transistor are evaluated by taking into consideration the effect of enhancement of the current in the edge plane of an active layer.例文帳に追加

また、活性層の端面の電流増大効果を考慮して、薄膜トランジスタの特性・移動度を評価する。 - 特許庁

The opening of the contact layer 108 is formed in a region including a region just above the active layer 103, and a distance between an end edge for normalizing the width of the opening of the contact layer 108 and the end edge of the active layer 103 is set so as to be 3 μm or less.例文帳に追加

コンタクト層１０８の開口は活性層１０３の直上の領域を含む領域に形成されており、コンタクト層１０８の開口の幅を規定する端縁と活性層１０３の端縁との距離が３μｍ以下である。 - 特許庁

In a negative electrode 11, an outer peripheral edge of an active material layer 13 is located at a position retreated from the outer peripheral edge of a negative electrode collector 12, and an outer peripheral end of the active material layer 13 is covered with an electrolytic layer 14.例文帳に追加

負極１１において、活物質層１３の外周縁が負極集電体１２の外周縁よりも後退した位置にくるように形成されているとともに、活物質層１３の外周端面が電解質層１４によって覆われている。 - 特許庁

To inhibit the occurrence of an undesired active edge in a signal transmitted to the clock terminal of a smart card.例文帳に追加

スマートカードのクロック端子に送信される信号内に望ましくないアクティブエッジが発生することを阻止することを目的とする。 - 特許庁

An inner ring 16 fixed to the same potential as a source electrode 14 is formed at the peripheral edge of the active region 1.例文帳に追加

この活性領域１の周縁部には、ソース電極１４と同電位に固定された内側リング１６が形成されている。 - 特許庁

The active layer 14 of the semiconductor laser has a DBR reflecting layer 15 on the emission-edge side, while a space for phase adjustment, where no DBR reflecting layer is formed, is provided between the emission edge 16 and the end of the emission-edge side of the DBR reflecting layer 15.例文帳に追加

活性層１４は出射側にＤＢＲ反射層１５を有し、出射端１６とＤＢＲ反射層１５の出射端側の端部との間にＤＢＲ反射層が形成されていない位相調整用の空間を設ける。 - 特許庁

To provide a backlight unit of side edge type capable of fine area active control, and to provide an image display device using the same.例文帳に追加

サイドエッジ型のバックライトできめ細かなエリアアクティブ制御が可能なバックライトユニット、およびこれを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electrodes effective for restricting the projection of an active material layer at the edge of a foil-like collector.例文帳に追加

箔状の集電体の縁部における活物質層の盛り上がりを抑制するのに有利な電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a thin portion of an oxide film is prevented from being formed at an edge of an active region when a surface layer portion of the active region is thermally oxidized.例文帳に追加

活性領域の表層部を熱酸化したときに、活性領域の縁に酸化膜の薄い部分が発生することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The central top surfaces 9t and the inclined edge surfaces 9e of the first active region 9a and the second active region 9b are covered with a first semiconductor pattern 15a and a second semiconductor pattern 15b.例文帳に追加

第１活性領域９ａ及び第２活性領域９ｂの中心上面９ｔ及び傾斜エッジ面９ｅは第１半導体パターン１５ａ及び第２半導体パターン１５ｂで覆われる。 - 特許庁

An embedded dielectric stressor element has an upper surface extending horizontally at a first depth below the main surface of a part of the active semiconductor region, such as an east edge portion of the active semiconductor region.例文帳に追加

埋込み誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の東部部分のような、該活性半導体領域の一部の主面より下方の第１の深さで水平方向に延びる上面を有する。 - 特許庁

The edge element has two functions; one is to serve as an active element used for transmitting and/or receiving radio wave signal, and the other is to offer uniform impedance to an edge element of the antenna array.例文帳に追加

寄生素子は、信号の送信又は受信あるいその両方を行うために用いられる能動素子も提供しながら、アンテナのアレイ部のエッジ素子に均一なインピーダンスを呈する二重の意図をになう。 - 特許庁

To provide an active matrix board suitable for manufacturing a composite active matrix board by preventing a defect film peeling occurring at the time of cutting off a side edge parts, a high-quality and high-reliability composite active matrix board using the same, and a display device and a detection device using this composite active matrix board.例文帳に追加

辺縁部を切断する時点で生じる膜浮き不良を防止し、複合アクティブマトリクス基板の製造に適したアクティブマトリクス基板と、これを用いた高品質で信頼性の高い複合アクティブマトリクス基板と、この複合アクティブマトリクス基板を用いた表示装置および検出装置とを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element having an active layer sandwiched by a pair of clad layers, hydrogen atoms are contained at least in the region close to the edge of its laser oscillator and the band gap of the active layer in the region close to the edge of the laser oscillator is larger than the band gap of the active layer in the inner region of the laser oscillator.例文帳に追加

一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする。 - 特許庁

The piezoelectric actuator may have a shape to gradually increase a film thickness of the peripheral edge of the active part of the piezoelectric film 24 towards the outside, a shape to gradually decrease a film thickness of a peripheral edge of an upper electrode 26 towards the outside, or a mesh shape at the peripheral edge of the upper electrode 26.例文帳に追加

圧電膜２４の活性部の周縁の膜厚が外側にいくに従って漸増する形状、上部電極２６の周縁の膜厚が外側にいくに従って漸減する形状、または、上部電極２６の周縁をメッシュ状としてもよい。 - 特許庁

In the positive active material, an absorption edge peak appearing in the vicinity of 530 eV at oxygen K absorption edge in X-ray absorption spectrum at the oxygen K absorption edge measured in an X-ray absorption fine structure (XAFS) analytical method shows certain behavior.例文帳に追加

この正極活物質は、Ｘ線吸収微細構造解析（ＸＡＦＳ）法で測定した酸素Ｋ吸収端におけるＸ線吸収スペクトルにおいて、酸素Ｋ吸収端の５３０ｅＶ付近に現れる吸収端ピークが一定の挙動を示すものである。 - 特許庁

A hollow is provided between an upper end edge portion of a part of each of the active areas in which the memory cell is formed and the insulating film in the element separation part.例文帳に追加

空洞が、アクティブエリアのメモリセルが形成された部分の上端縁部と素子分離部内の絶縁膜との間に設けられている。 - 特許庁

The spring has a main protruded strand (162) whose active end part (164) cooperates with the front transverse edge (60) of the card (C).例文帳に追加

この装置は、上側カバー（１４）が水平の上側プレート（４６）を備えたケージング（１２，１４）と、カードを取り出すためのスプリング（１６）とを有している。 - 特許庁

The active edge element is capable of transmitting and/or receiving radio waves, operating at the same frequencies with the array antenna or the frequencies different from those of the array antenna.例文帳に追加

能動寄生素子は、アレイ部と同じ周波数で又はアレイ部と異なる周波数で、送信又は受信あるいその両方を実施できる。 - 特許庁

As (111) plane or (001) plane appears, an edge 117 of the plane is used to detect the position of the active layer stripe 106.例文帳に追加

これにより、（１１１）面または（００１）面が現れるので、この面のエッジ１１７を利用して活性層ストライプ１０６の位置を検出する。 - 特許庁