「bcb」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The resin padding part 24 is formed so as to pad the mesa parts 12, 52 and contains BCB resin.例文帳に追加

樹脂埋込部24は、半導体メサ部12,52を埋め込むように設けられＢＣＢ樹脂を含む。 - 特許庁

The surface reforming method includes a step A of forming a BCB layer on a surface of a target object, and a step B of exposing the top surface of the BCB to a CF_4 plasma.例文帳に追加

表面改質方法が、対象物体の表面上にＢＣＢ層を形成する工程Ａと、前記ＢＣＢ層の上面をＣＦ_4プラズマに曝す工程Ｂと、を含んでいる。 - 特許庁

Four metallic layers are provided on the silicon substrate 109 and BCB thin films 106.例文帳に追加

シリコン基板１０９及びＢＣＢ薄膜１０６上には４層の金属層が設けられている。 - 特許庁

After mixing a liquid divinylsiloxane bisbenzocyclobutene(DVS- BCB) monomer with a carrier gas, the monomer is sprayed in a low-pressure vaporizing chamber held at high temperatures to form aerosol of liquid particles of the organic monomer, and the BCB (organic) monomer is instantaneously vaporized via the aerosol to produce a BCB (organic) monomer gas.例文帳に追加

液体ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）モノマーをキャリアガスと混合した後、高温に保持された減圧気化室に噴霧して有機モノマーの液体微粒子からなるエアロゾルを形成し、該エアロゾルを介してＢＣＢモノマー（有機モノマー）を瞬時に気化させてＢＣＢモノマーガス（有機モノマーガス）を発生させる。 - 特許庁

The BCB film 110 is obtained by plasma-polymerizing monomer having a divinyl siloxane-bis-benzocyclobutene unit.例文帳に追加

ＢＣＢ膜１１０は、ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン単位を有するモノマーをプラズマ重合することにより得る。 - 特許庁

The BCB film 3 is dry-etched, using a Cl2/BCl3/O2 gas and the insulation film mask 4 to form a through hole 6 (c).例文帳に追加

それをマスクにＣｌ_2／ＢＣｌ_3／Ｏ_2ガスを用い、ＢＣＢ膜をドライエッチングし、スルーホール６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

A recess 10 is formed, in which the thickness of the BCB film 3 immediately below the resistor film 6 is made smaller in comparison with those of other thicknesses, and the resistor film 6 is formed on the BCB film 3 in the recess 10.例文帳に追加

そして、抵抗体膜６の直下方におけるＢＣＢ膜３の厚みが他に比べて薄くなった凹部１０が形成されており、この凹部１０におけるＢＣＢ膜３の上に抵抗体膜６が形成されている。 - 特許庁

Then a recess 10 wherein the thickness of the BCB film 3 immediately under the resistor film 6 is made smaller in comparison with others is formed, and the resistor film 6 is formed on the BCB film 3 in the recess 10.例文帳に追加

そして、抵抗体膜６の直下方におけるＢＣＢ膜３の厚みが他に比べて薄くなった凹部１０が形成されており、この凹部１０におけるＢＣＢ膜３の上に抵抗体膜６が形成されている。 - 特許庁

Wiring 2 made of copper is provided on an insulating layer 1 made of a polyimide resin via a BCB resin 6.例文帳に追加

ポリイミド樹脂からなる絶縁層１上にＢＣＢ樹脂６を介して銅からなる配線２が設けられている。 - 特許庁

A via hole 10 is provided in the insulating layer 3 and on the wiring 2 of the BCB resin 7, and wiring 4 made of copper is provided in the via hole 10 and on the insulating layer 3 via the insulating layer 3 and a BCB resin 8.例文帳に追加

絶縁層３およびＢＣＢ樹脂７の配線２上の部分にはヴィアホール１０が設けられ、ヴィアホール１０内および絶縁層３上には、絶縁層３とＢＣＢ樹脂８を介して銅からなる配線４が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor optical device capable of increasing a bonding strength between an electrode pad and a BCB resin.例文帳に追加

電極パッドとＢＣＢ樹脂との接合強度を高めることができる半導体光デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An underlying insulation layer 1, a lower metal wiring 2, having a TiN layer 2a on the surface, a BCB film 3, a SiN film 4a are formed sequentially (a).例文帳に追加

下地絶縁膜１、表面にＴｉＮ層２ａを有する下層メタル配線２、ＢＣＢ膜３、ＳｉＮ膜４ａを順に形成する（ａ）。 - 特許庁

An insulating layer 5 that is provided on the insulating layer 3 and is made of the polyimide resin is also formed on the wiring 4 via a BCB resin 9.例文帳に追加

絶縁層３上に設けられたポリイミド樹脂からなる絶縁層５は、配線４上にもＢＣＢ樹脂９を介して形成されている。 - 特許庁

An insulating layer 3 that is provided on the insulating layer 1 and is made of the polyimide resin is also formed on the wiring 2 via a BCB resin 7.例文帳に追加

絶縁層１上に設けられたポリイミド樹脂からなる絶縁層３は、配線２上にもＢＣＢ樹脂７を介して形成されている。 - 特許庁

First to third layers of BCB thin films 106 are laminated as a dielectric thin film on a silicon substrate 109 by spin coating and firing.例文帳に追加

シリコン基板１０９上に、誘電体薄膜として、第１から第３までの３層のＢＣＢ薄膜１０６がスピンコートと焼成により積層されている。 - 特許庁

A hollow 107 is formed just above an emitter electrode 105 on an emitter lead-out electrode 106 whose lower part is supported by a benzocyclobutane(BCB) film 104.例文帳に追加

ベンゾシクロブテン(ＢＣＢ)膜１０４により下方をサポートされたエミッタ取り出し電極１０６のエミッタ電極１０５直上の領域に窪み１０７を設ける。 - 特許庁

A wiring groove is provided to the BCB films 6 and 8, and the ALCAPTM 7 of the interlayer insulating film of laminated structure, a connection hole is provided from the bottom of the wiring groove and penetrating through the ALCAPTM 5 and the BCB film 4 functioning as an etching stopper for the connection hole, and an upper dual damascene wiring 9 and upper damascene wiring 9a are formed.例文帳に追加

このような積層構造の層間絶縁膜に対して、配線溝がＢＣＢ膜６，８とＡＬＣＡＰ^TM７に形成され、この配線溝底からＡＬＣＡＰ^TM５と接続孔のエッチングストッパーであるＢＣＢ膜４を貫く接続孔が形成され、上層デュアルダマシン配線９、上層ダマシン配線９ａが形成される。 - 特許庁

Since the aerosol large in specific surface area has a large vaporizing area and will vaporize before beginning a polymerization, if heated at high temperatures, this enables a BCB monomer gas of 0.1 g/min or larger at a high saturation vapor pressure of 200°C and a plasma polymerized BCB film can be formed at a rate more than 5 times as high as that in the prior art.例文帳に追加

これによって、比表面積の大きいエアロゾルは気化面積が大きく、高温加熱しても重合反応が生じる前に気化が生じるため、飽和蒸気圧の大きい２００℃での０．１ｇ／ｍｉｎ以上のＢＣＢモノマーガスが可能となり、プラズマ重合ＢＣＢ膜を従来の５倍以上の高速成膜が可能となる。 - 特許庁

The film 13 is a laminated film formed by laminating a planarization film 13a consisting of an insulative organic resin film, such as a BCB(benzo cyclobutene) resin film, a polyimide film and an acrylic resin film, and an insulating inorganic film 13b.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１３は、ＢＣＢ、ポリイミド、アクリル等の絶縁性有機樹脂膜でなる平坦化膜１３ａと、絶縁性無機膜１３ｂとの積層膜でなる。 - 特許庁

A SiCN film 108, a BCB film 110 and an MSQ film 112 are laminated on copper wiring formed of a barrier metal film 104 and a copper film 106 in this order.例文帳に追加

バリアメタル膜１０４および銅膜１０６からなる銅配線の上に、ＳｉＣＮ膜１０８、ＢＣＢ膜１１０およびＭＳＱ膜１１２をこの順で積層する。 - 特許庁

To provide a technology that reduces a cost for manufacturing a semiconductor device having a damascene wiring structure containing a copper wiring, a benzocyclobutene (BCB) insulating film, and a chromium adhered layer.例文帳に追加

Ｃｕ配線とベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）絶縁膜とＣｒ密着層とを含むダマシン配線構造を有する半導体装置の製造コストを低減するための技術を提供する。 - 特許庁

In the circuit board 1, a resistor film 6 and a wiring conductor film 7 are arranged, while being contacted directly on a dielectric BCB film 3 of a microstrip line.例文帳に追加

回路基板１において、マイクロストリップ線路の誘電体膜であるＢＣＢ膜３上には、抵抗体膜６及び配線導体膜７とが直接接触して設けられている。 - 特許庁

In the circuit board, a resistor film 6 and a wiring conductor film 7 are provided in direct contact on a BCB film 3 which is the dielectric film of a microstrip line.例文帳に追加

回路基板において、マイクロストリップ線路の誘電体膜であるＢＣＢ膜３上には、抵抗体膜６及び配線導体膜７とが直接接触して設けられている。 - 特許庁

Furthermore, among the circuit blocks BLKA1, BLKB and among each circuit block BLKB, BLKA2, boundary cells BCA, BCB are provided to determine the state of the power sources VDA, VDB and control transmission of signals, respectively.例文帳に追加

更に、回路ブロックＢＬＫＡ１，ＢＬＫＢ間、及び各回路ブロックＢＬＫＢ，ＢＬＫＡ２間には、それぞれ電源ＶＤＡ，ＶＤＢの状態を判定して信号の伝達を制御する境界セルＢＣＡ，ＢＣＢを設ける。 - 特許庁

To prevent exfoliation between insulating films in a semiconductor device where two layers of insulating film composed of a low dielectric constant material such as BCB and two layers of interconnection are laminated alternately on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上にＢＣＢ等の低誘電率材料からなる絶縁膜と配線とが各々２層交互に積層されて設けられた半導体装置において、絶縁膜間で剥離が生じにくいようにする。 - 特許庁

A first protection film 24 is formed to cover the side wall and bottom face of the recess surrounding the mesa portion 30, and a resin film 25 made of a BCB resin is formed to fill up the recess covered with the first protection film 24.例文帳に追加

メサ部３０を取り囲む凹部の側壁及び底面を覆うように第１の保護膜２４が形成されており、第１の保護膜２４に覆われた凹部を埋めるようにＢＣＢ樹脂からなる樹脂膜２５が形成されている。 - 特許庁

The fourth metallic layer 105c is used to constitute a matching circuit and a transmission line, and the third metallic layer 105b and the fourth metallic layer 105c constitute a parallel plane plate type capacity 103 having BCB thin films as an insulating material.例文帳に追加

４層目の金属層１０５ｃを用いて整合回路と伝送線路が構成されており、３層目の金属層１０５ｂと４層目の金属層１０５ｃとで、ＢＣＢ薄膜を絶縁体とした平行平板型容量１０３を構成している。 - 特許庁

On the upper surface of a passivation film 3 of silicon oxide, or the like, which is provided on the upper surface of a silicon substrate 1 excepting the peripheral part thereof, first and second insulating films 5 and 9 and first and second interconnections 8 and 12 formed of the low dielectric constant material such as BCB and the like are laminated alternately.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に設けられた酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３の上面の周辺部を除く領域にはＢＣＢ等の低誘電率材料からなる第１、第２の絶縁膜５、９と第１、第２の配線８、１２とが交互に積層されて設けられている。 - 特許庁

A main controller loaded in the vehicle conducts automatic control motion and gives an alarm regarding the obstacles existing in the front to the driver in a sensory way in accordance with a speed reduction instruction value BC, the total of a speed reduction reference instruction value BCB which increases and decrease with oblong waves in a predetermined cycle and a base value (offset value) which gradually increases as the time lapses.例文帳に追加

車両に搭載されたメインコントローラは、所定周期で矩形波状に増減する減速基準指令値ＢＣＢと、時間の経過に応じて漸増するベース値（オフセット値）との和である減速指令値ＢＣに従って、自動的な制動動作を実行することにより、前方に存在する障害物に関する体感的な警報をドライバに与える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The bonding pad for the optical semiconductor device includes a first adhesion assisting layer of an Si_3N_4 material formed on a semiconductor substrate, a bonding pad layer of a BCB material formed on the first adhesion assisting layer, a second adhesion assisting layer of an Si_3N_4 material formed on the bonding pad layer and a metallic electrode layer formed on the second adhesion assisting layer.例文帳に追加

本発明による光半導体デバイスのためのボンディングパッドは、半導体基板の上に形成されたＳｉ_３Ｎ_４材質の第１接着補助層と、第１接着補助層の上に形成されたＢＣＢ材質のボンディングパッド層と、ボンディングパッド層の上に形成されたＳｉ_３Ｎ_４材質の第２接着補助層と、第２接着補助層の上に形成された金属電極層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal display, capable of enhancing reflection efficiency by forming a rugged reflection plate, utilizing BCB to be a general organic insulating substance or an silicon nitride to be an inorganic insulating substance and manufacturing a reflection-type or semi-transmission type liquid crystal display, utilizing the ordinary manufacturing line of the liquid crystal display, as it is.例文帳に追加

一般的な有機絶縁物質であるＢＣＢまたは無機絶縁物質である窒化シリコンを利用して、凹凸状の反射板を構成して反射効率が高めることができ、かつ通常の液晶表示装置の製作ラインをそのまま利用して反射型または半透過型液晶表示装置を製造することができる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁