「c-bn」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The circuit 18a includes also a determination circuit 30 (RAn, AC#Bn#ROW, C#B#Rn) for determining whether the 2nd address is related with the 1st address or not and a circuit 30 for issuing a control signal to the memory 24.例文帳に追加

メモリ・コントローラ回路は又、第2アドレスが第1アドレスと関係しているかを決定する決定回路（３０、RAn、AC#Bn#ROW、C#B#Rn）と、メモリへ制御信号を発行する回路（３０）を含む。 - 特許庁

The c axis of the h-BN is oriented perpendicular to the pressing direction in press sintering, and the a axis of the h-BN is oriented parallel with the pressing direction in the above press sintering.例文帳に追加

本発明にかかるｈ−ＢＮのｃ軸は、加圧焼結時の圧力方向と垂直に配向しており、ｈ−ＢＮのａ軸が加圧焼結時の圧力方向と平行に配向している。 - 特許庁

To easily, surely and relatively inexpensively form a BN film for treatment containing a large quantity of c-BN phase on the surface of a casting die.例文帳に追加

鋳造用の金型の表面に、ｃ−ＢＮ相を多量に含んだ離型処理用のＢＮ皮膜を簡単且つ確実に、しかも比較的低コストで形成できるようにする。 - 特許庁

The constituents of the plasticizer comprises a naphthene-based base oil (Bn) and a naphthene-based residue (Bg) of reduced pressure distillation, having >300 penetration at 25°C.例文帳に追加

ナフテン系ベースオイル（Ｂｎ）と、２５℃における針入度が３００を超えるナフテン系減圧蒸留残さ（Ｂｇ）と、を可塑剤の構成成分とする。 - 特許庁

To provide a boron nitride film having satisfactory adhesiveness, a c-BN phase at a high rate and excellent practical properties.例文帳に追加

密着性が良好でｃ−ＢＮ相を高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素皮膜の提供。 - 特許庁

This image display device is provided with a display part 1 for displaying a cursor C and buttons B1 to Bn, an input part 2 for performing the movement of the cursor C and the selection of the buttons B1 to Bn and a control part 3 for controlling the display part 1 and the input part 2.例文帳に追加

画像表示装置を、カーソルＣ及びボタンＢ１〜Ｂｎを表示する表示部１と、カーソルＣの移動及びボタンＢ１〜Ｂｎの選択を行う入力部２と、表示部１及び入力部２を制御する制御部３とから構成する。 - 特許庁

The diamond and the c-BN each having the arbitrary shape of millimeter order are synthesized by irradiating graphite and hexagonal boron nitride (h-BN) with pulse laser from various directions, instantaneously and locally forming a high temperature and high pressure environment, and moving the position of condensing point on the graphite and h-BN to move the synthesis point 5.例文帳に追加

パルスレーザーを多方向からグラファイトおよび六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）に照射し、瞬間かつ局所的に高温高圧環境を作り出し、グラファイトおよびｈ−ＢＮ上の集光点の位置を移動させることにより、合成点５が移動し、ミリオーダーの任意形状ダイヤモンドおよびｃ−BＮが合成される。 - 特許庁

The moving speed of the cursor C at that time is made slower than the moving speed of the cursor C when the cursor C is pulled in to the central position of the buttons B1 to Bn.例文帳に追加

そのときのカーソルＣの移動速度は、ボタンＢ１〜Ｂｎの中心位置にカーソルＣを引き込む際のカーソルＣの移動速度よりも遅くする。 - 特許庁

The internal organ C of a subject is deformed in a plurality of segmentation surfaces Bn passing through a segmentation axis L set at an optional position and angle to the internal organ to create the internal organ C' after the deformation.例文帳に追加

臓器に対して任意の位置、角度で設定した分割軸Ｌを通る複数の分割面Ｂｎにおいて、被検体の臓器Ｃの重力による変形を行い、変形後の臓器Ｃ’を作成する。 - 特許庁

The Ni-Cu alloy composite plating solution 29 contains at least one selected from C, h-BN and MoS2 as self-lubricating particles 5, contains at least one selected from SiC, Si3N4, Al2O3, c-BN and diamond as hard particles 6, contains a cationic surfactant as a surfactant, and contains sodium saccharate as a hardness increasing agent.例文帳に追加

このＮｉ−Ｃｕ合金複合メッキ液２９は、自己潤滑粒子５としてＣ、ｈ−ＢＮ、ＭｏＳ_2のうちの少なくとも一つを含有し、硬質粒子６としてＳｉＣ、Ｓｉ_3Ｎ_4、Ａｌ_2Ｏ_3、ｃ−ＢＮ、ダイヤモンドのうちの少なくとも一つを含有し、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を含有し、硬度上昇剤としてサッカリン酸ナトリウムを含有する。 - 特許庁

To provide a boron nitride film which has satisfactory adhesion, comprises c-BN at a high ratio and has extremely excellent practicality even in the case a PVD process such as a sputtering process and an arc ion plating process is used.例文帳に追加

スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のＰＶＤ法を用いた場合でも密着性が良好でｃ−ＢＮを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。 - 特許庁

Since a buffer Bn-n of a small capacity provides a tentative storage location of cells C, a distribution circuit 3n receives a new cell Cn from an input buffer 2n and can apply processing to the cell.例文帳に追加

小容量バッファBｎ-ｎが一時的なセルＣの格納場所を提供するので、分配回路３_nは入力バッファ２_nから新しいセルＣ_nを受け取り、処理することが出来る。 - 特許庁

Slot images A1 to An, slot images B1 to Bn and slot images C1 to Cn obtained by consecutively photographing objects A, B and C are stored in a memory ((b) to (g) of Figure are referred to).例文帳に追加

被写体Ａ、Ｂ、Ｃを連写して得たスロット画像Ａ１〜Ａｎ、スロット画像Ｂ１〜Ｂｎ、スロット画像Ｃ１〜Ｃｎをメモリに記憶する（図１（ｂ）〜（ｇ））。 - 特許庁

The PZT film wherein a PZT film which contains an additive which is at least one of V, Nb, Re, C, N and BN (boron nitride), is vacuum molded on a substrate.例文帳に追加

基板上に添加物を含んだＰＺＴ系膜を真空成膜したＰＺＴ系膜体であって、前記添加物は、Ｖ，Ｎｂ，Ｒｅ，Ｃ，Ｎ，ＢＮの少なくとも１種類であることを特徴とするＰＺＴ系膜体である。 - 特許庁

The boron nitride film including the c-BN phase having 5 to 100 nm average grain diameter has a structure wherein the periphery of individual crystal is surrounded by an sp^2 bonding phase having 1 to 20 nm thickness.例文帳に追加

ｃ−ＢＮ相を含む窒化ホウ素皮膜であって、ｃ−ＢＮ相の平均結晶粒径が５〜１００ｎｍであり、各々の結晶の周りが厚さ１〜２０ｎｍのｓｐ^２結合相で囲まれた組織を有する窒化ホウ素皮膜。 - 特許庁

This cast iron contains, by weight, 1.5 to 3.0% C, 1.0 to 5.5% Si, 0.008 to 0.25% rare earth metal and 0.005 to 0.015% (B equivalent) BN, and the balance substantially Fe.例文帳に追加

重量％で、Ｃ：１．５〜３．０％、Ｓｉ：１．０〜５．５％、ＲＥＭ：０．００８〜０．２５％、ＢＮ：０．００５〜０．０１５％（Ｂ当量）を含有し、残部が実質的にＦｅからなる亜共晶球状黒鉛鋳鉄である。 - 特許庁

A C-axis is controlled so that at the terminal position of a linear interpolation block, the edge of a cutting tool is pointed straight in the traveling direction Bn → of the tool on the linear interpolation block defining the terminal position.例文帳に追加

直線補間ブロックの終点位置においてバイト工具の刃先が、その終点位置を定義している直線補間ブロックにおける工具進行方向Ｂｎ→に真直に向くように、Ｃ軸を制御する。 - 特許庁

Movement paths R1 to Rm of a traveling object of every moving section M1 to Mm to a start point A, a plurality of intermediate points B1 to Bn and a target point C are decided as follows.例文帳に追加

開始点Ａ、複数の中間点Ｂ１〜Ｂｎ、および目標点Ｃまでの、各移動区間Ｍ１〜Ｍｍ毎の移動体３の移動経路Ｒ１〜Ｒｍを、次のように定める。 - 特許庁

It is preferable to use a SiC-BN compound sintered body in which a reduced amount after heating for six hours in a nitrogen gas at 1,400°C is 0.1 mass% or less and a blast resistant test shows 0.05 mass% or less for one test.例文帳に追加

１４００℃の窒素ガス中で６時間加熱した後の減量が０．１質量％以下、かつ耐ブラスト性試験が０．０５質量％/回以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いることが好ましい。 - 特許庁

In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ１００ｎｍ〜３μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ５〜８０ｎｍ程度のｃ−ＢＮ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のダイヤモンド単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

The material for forming the silver ion water comprises a porous ceramic obtained by synthesizing the material by firing a mixed raw material containing (1) at least one kind of Ti and Zr, (2) Ag and (3) at least one kind of C, B, BN and B_4C.例文帳に追加

（１）Ｔｉ及びＺｒの少なくとも１種、（２）Ａｇ並びに（３）Ｃ、Ｂ、ＢＮ及びＢ_4Ｃの少なくとも１種、を含む混合原料を燃焼合成することにより得られる多孔質セラミックからなる銀イオン水生成用材料に係る。 - 特許庁

To provide a polycrystal c-BN cutting tool coated with CVD that can solve the problems of the adhesion strength, inter-layer peeling, and premature fault due to other decomposition paths of an α-alumina coating on a cemented carbide base.例文帳に追加

超硬合金基体上のα−アルミナコーティングは密着力の問題及び層間剥離および他の分解経路により、早期のコーティング障害を解決するＣＶＤコーティングされた多結晶ｃ−ＢＮ切削工具を提供する。 - 特許庁

Refractory material composed of <5 mass% C (graphite), 4-25 mass% BN (boron nitride) and 75-96 mass% ZrO_2 (zirconia) is used as a refractory material 1 in the slag line of the immersion nozzle for the continuous casting of steel.例文帳に追加

本発明品ノズルのスラグライン部の耐火材料１として、Ｃ(黒鉛)：５質量％未満，ＢＮ(窒化硼素)：４〜２５質量％，ＺｒＯ_２(ジルコニア)：７５〜９６質量％からなる耐火材料を用いた鋼の連続鋳造用浸漬ノズル。 - 特許庁

Using a variable distribution ratio αn, the amount of order Xn is distributed to the suppliers B and C, and the distributed ordered amount is distributed proportional to the lead times t1 and t2 from the order process An at the same time to calculate planned supply amounts Yn and Zn supplied from the supply processes Bn and Cn.例文帳に追加

変更可能な分配比αｎを用いて各発注量Ｘｎを供給元Ｂ，Ｃに分配し、この分配された発注量を同時刻の発注工程Ａｎからのリードタイムｔ１，ｔ２により比例配分して各供給工程Ｂｎ，Ｃｎの供給計画量Ｙｎ，Ｚｎを計算する。 - 特許庁

When a boron nitride film in which a c-BN content is ≥50% is deposited on a base material by a physical vapor deposition process using a target material comprising boron in an atmosphere including an inert gas, the film deposition is performed in a mixed gas atmosphere mixed with at least two kinds of Ar and He.例文帳に追加

基材に、不活性ガスを含む雰囲気中でホウ素を含むターゲット材料を用いた物理蒸着法でｃ−ＢＮの含有率が５０％以上である窒化ホウ素膜を成膜する際、少なくともＡｒとＨｅの２種が混合された混合ガス雰囲気中で成膜を行う。 - 特許庁

A kind of compound of B, C and N including BN, GaN, Si3N4, TiC, B4C and the like, some kinds of oxides including TiO2, Al2O3, MgO and the like and some dielectrics including SrTiO3 and the like can be used for it, and diamond-like carbon(DLC) or diamond particles can be used as well.例文帳に追加

ＢＮ、ＧａＮ、Ｓｉ_3Ｎ_4、ＴｉＣ、Ｂ__4Ｃ等を含むＢ、Ｃ、Ｎの化合物の一種、ＴｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3、ＭｇＯ等を含む酸化物の数種及び、ＳｒＴｉＯ_3等を含む強誘電体の幾つかが使用でき、またダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）又はダイヤモンド粒子も使用可能である。 - 特許庁

The high thermal conductive vanish 165 contains a high thermal conductive filler, boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si3N4), aluminum oxide (Al2O3), magnesium oxide (MgO), zinc oxide (ZnO), strontium titanate (SrTiO3), titanium dioxide (TiO2), silica (SiO2) or diamond (C).例文帳に追加

この高熱伝導性ワニス１６５は高熱伝導性フィラー、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、シリカ（ＳｉＯ２）、またはダイアモンド（Ｃ）を含む。 - 特許庁

A metal/insulator thin film heterostructure is used for a cold- cathode material forming a field emission element, one of diamond, AIN, and c-BN is used for an insulator layer, and one of Cu, Sn-Pb, Al, Ag, Au, W is used for a metal layer.例文帳に追加

電界放出素子を構成する冷陰極材料に金属／絶縁体薄膜ヘテロ構造を用いるにあたり、絶縁体層としてダイヤモンド、ＡｌＮ、ｃ−ＢＮのいずれか一種を用い、金属層としてＣｕ、Ｓｎ−Ｐｂ，Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗのいずれか一種を用いる。 - 特許庁

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁

The remote control device transmits clock information that a remote control clock 1 was moved forward by a predetermined time to a plural of data collecting devices B (B1 to Bn) via a network communication wire C to move the built-in clock 7 (7A to 7n) forward by a predetermined time, when a winter time onset discriminating means 2 detects the onset time of the winter time.例文帳に追加

ウィンタータイム開始判定手段２がウィンタータイム開始時刻を検知した場合、遠隔制御装置時計１を所定時間遅らせた時計情報をネットワーク通信線Ｃを介して複数台のデータ収集装置Ｂ（Ｂ１、・・・、Ｂｎ）に送信し、内部時計７（７Ａ、・・・、７ｎ）を所定時間遅らせるものである。 - 特許庁

Supply processes Bn and Cn in suppliers B and C are set at the same span as that of an order process An by shifting the span, forward from the order process An, by lead times t1 and t2, with the time required for manufacturing the articles and a storage time for the inputted order process An and an order amount Xn in the orderer A taken into account.例文帳に追加

入力された発注元Ａの発注工程Ａｎとその発注量Ｘｎに対して物品を生産するのに要する時間や保管時間などを考慮したリードタイムｔ１、ｔ２だけ発注工程Ａｎより前にズラして発注工程Ａｎと同一のスパンとして供給元Ｂ，Ｃの供給工程Ｂｎ，Ｃｎを設定する。 - 特許庁

This free-cutting steel has a composition comprising 50-150 ppm B, 70-200 ppm N, 3-50 ppm solution B which is determined by the expression (1), solution B=B-(N/1.7),例文帳に追加

成分組成として、B:50〜150ppm、N:70〜200ppm、下記（１）式による固溶B：3〜50ppmを含有し、好ましくはC:0.01〜1.2mass%、Si: 0.10超え1.5mass%以下、Mn: 0.3〜2.0mass%、S:0.015超え0.2mass%以下、Al:0.01〜0.1mass% 、更に、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉの一種または二種以上の鋼で、鋼中介在物として、1ｍｍ^２あたりに、円相当径で10μｍ以上のBN介在物50個以上と円相当径で3μｍ以下の微細硫化物500個以上を共に有する。 - 特許庁