「charge diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An output part 55 includes: a floating diffusion FD adjoiningly provided on a downstream side in the charge transfer direction of a transfer path 1; a source follower amplifier SFA outputting a signal according to a charge accumulated in the FD; and a transfer gate region 7 provided between the FD and the transfer path 1.例文帳に追加

出力部５５は、転送路１の電荷転送方向下流側の隣に設けられたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤに蓄積された電荷に応じた信号を出力するソースフォロアアンプＳＦＡと、ＦＤと転送路１との間に設けられた転送ゲート領域７とを含む。 - 特許庁

To provide a solid-state image sensor, capable of preventing charge from being injected from an impurity diffusion region such as a drain region to a floating gate and can improve S/N, and to provide an image capturing apparatus.例文帳に追加

ドレイン領域等の不純物拡散領域からフローティングゲートに電荷が注入されてしまうことを防止でき、Ｓ／Ｎを向上できる固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

In an electric charge section of a solid-state imaging device, a plurality of unit pixels 131, each of which has a photodiode 141, a first CCD 142, a second CCD 143 and a floating diffusion region 145, are arranged two-dimensionally.例文帳に追加

固体撮像装置の電荷部には、フォトダイオード１４１と、第１ＣＣＤ１４２、第２ＣＣＤ１４３、浮遊拡散領域１４５とを備える複数の単位画素１３１が、２次元に配列される。 - 特許庁

The solid-state imaging device 100 further includes a controller 110 for turning OFF the switching transistor 114 in a transfer period during which the signal charge is transferred from the photodiode PD1 to the floating diffusion FD1.例文帳に追加

また、固体撮像装置１００は、さらに、フォトダイオードＰＤ１からフローティングディフュージョンＦＤ１に信号電荷を転送する転送期間においてスイッチトランジスタ１１４をオフする制御部１１０を備える。 - 特許庁

A gate insulating film 103 made of the non-conductive charge trap layer, and a memory cell region having a memory cell made of a gate electrode and source/drain diffusion layers are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１に、非導電性電荷トラップ層からなるゲート絶縁膜１０３、ゲート電極およびソース・ドレイン拡散層とからなるメモリセルを有するメモリセル領域を形成する。 - 特許庁

Analog signals inputted from input terminals IN1 to IN3 are supplied to diffusion layer regions 221, 223 and 225 via transistors 301 to 303, and then accumulated as electric charge.例文帳に追加

入力端子ＩＮ１乃至ＩＮ３から入力されたアナログ信号はトランジスタ３０１乃至３０３を介して拡散層領域２２１、２２３および２２５に供給され、電荷として蓄積される。 - 特許庁

The memory cell comprises a control electrode 30, a pair of impurity diffusion regions 21, 22 functioning as first and second main electrodes; resistance change sections 24, 26; and the charge accumulating sections 50, 52.例文帳に追加

メモリセルは、制御電極３０と、第１及び第２の主電極として働く、一対の不純物拡散領域２１、２２と、抵抗変化部２４、２６と、電荷蓄積部５０、５２とを有している。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus for both range finding and imaging purposes the sensitivity and the saturated electric charge amount of which are improved by decreasing the capacitance of a floating diffusion part and increasing the area of a photoelectric conversion part.例文帳に追加

測距・撮像兼用の固体撮像装置において、浮遊拡散部の容量の減少、および光電変換部の面積の増加によって感度および飽和電荷量を向上させる。 - 特許庁

Thereafter, to obtain a desired threshold voltage, a positive charge is injected into the gate oxide film 3 by applying a given high voltage between the source-drain diffusion regions 6 and the gate electrode 4 via the contact plugs 8.例文帳に追加

その後、所望の閾値電圧となるよう、コンタクトプラグ８を介してソース・ドレイン拡散領域６とゲート電極４の間に所定の高電圧を印加してゲート酸化膜３内に正電荷を注入する。 - 特許庁

An imaging apparatus reads and amplifies a surplus signal corresponding to surplus charge overflowing from a photo diode to a floating diffusion while a transfer transistor is turned off, for each pixel of a pixel array.例文帳に追加

撮像装置は、画素配列の各画素において転送トランジスタがオフした状態でフォトダイオードからフローティングディフュージョンにあふれ出た余剰電荷に応じた余剰信号を読み出して増幅する。 - 特許庁

To prevent unnecessary charges from flowing into a photoelectric conversion part in a charge accumulation period when driving a CMOS solid-state image pickup device wherein an element isolation means comprises a diffusion layer and an insulating film thereon.例文帳に追加

素子分離手段を拡散層とその上の絶縁膜で構成したＣＭＯＳ固体撮像素子の駆動において、電荷蓄積期間の光電変換部に不要な電荷が流れ込まないようにする。 - 特許庁

A predetermined timing pulse ϕOG is supplied to a horizontal output gate part 6, the potential of a floating diffusion area 7 is supplied deep via a coupling capacitance, and a range of signal charge processing is expanded large.例文帳に追加

水平出力ゲート部６に所定のタイミングのパルスφOGを与え、カップリング容量を介してフローティングディフュージョン領域７の電位を深くし、信号電荷取り扱い範囲を大幅に拡大させる。 - 特許庁

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

A plurality of pixels are provided, each pixel including a photodetector unit 601 for converting an inputted optical signal into an electric charge and a suspended diffusion layer unit 603 for accumulating signals overflowing from the photodetector unit 601.例文帳に追加

入力してきた光信号を電荷に変換する受光素子部６０１と、受光素子部６０１から溢れ出た信号を蓄積する浮遊拡散層部６０３と、を含む複数の画素が設けられている。 - 特許庁

A pixel 10 includes a photodiode, a floating diffusion (FD), a transfer switch for transferring electric charge of the photodiode to the FD, and an amplification transistor for outputting a signal corresponding to the potential of the FD to a signal line 109.例文帳に追加

画素１０は、フォトダイオードと、フローティングディフュージョン（ＦＤ）と、フォトダイオードの電荷をＦＤに転送する転送スイッチと、ＦＤの電位に応じた信号を信号線１０９に出力する増幅トランジスタとを含む。 - 特許庁

To provide a cathode substrate having good electric charge injection efficiency by preventing diffusion of electron emitted from an emitter, of which, the electron injection efficiency is hardly scattered between respective cathode substrates, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

エミッタから放出される電子が拡散することを防止して電荷注入効率がよく、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき難いカソード基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

Also, design parameters R2-R1, R1, and L of a differential electricity mobility analyzer 21 are set by considering a parameter Sc for indicating the influence of space charge and a parameter σ for indicating the influence of Brownian diffusion.例文帳に追加

なお、微分型電気移動度分析器２１の設計パラメータＲ_２−Ｒ_１，Ｒ_１，Ｌは、空間電荷の影響を表すパラメータＳｃ、ブラウン拡散の影響を表す パラメータσを考慮して設定される。 - 特許庁

On a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11, a charge transmission path 13, floating diffusion region 14 composed of an n-type impurity region, n-type embedded region 16 and resetting drain region 15 are formed.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

Upon injection of neutrons, the α rays generated at the ^10B diffusion layer 10 produce an electron-hole pair 16 at a depletion layer of the p-n junction 13, the electric charge of which is then collected to the analysis circuit portion for analysis.例文帳に追加

中性子の入射により^１０Ｂ拡散層１０で発生したα線は、ｐｎ接合１３の空乏層で電子−正孔対１６を発生し、その電荷は解析回路部に収集され、解析される。 - 特許庁

This cleaning restricts the diffusion which passes a side wall, generates unnecessary charge carrier recombination in the trench side wall, and removes a defect, residue and impurities which bring about the cross talk between pixels from the trench side wall.例文帳に追加

このクリーニングは、側壁を通過する拡散を制限し、トレンチ側壁での不要な電荷キャリア再結合を生じさせ、画素間のクロストークをもたらす欠陥、残留物、不純物をトレンチ側壁から除去する。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing acceleration method and a device with diffusion (loss) due to space charge effects alleviated, while ion beams drawn out of ion sources enter an acceleration/focusing region by a beam acceleration electrode.例文帳に追加

イオン源から引き出したイオンビームがビーム加速電極による加速・集束領域に入射するまでの間に、空間電荷効果によって拡散（損失）することを軽減したイオンビーム引出加速方法及び装置の提供。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a control electrode 34, first and second impurity diffusion regions 24a and 24b, first and second resistance change portions 22a and 22b, and first and second charge accumulation portions 40a and 40b.例文帳に追加

制御電極３４と、第１及び第２不純物拡散領域２４ａ及び２４ｂと、第１及び第２抵抗変化部２２ａ及び２２ｂと、第１及び第２電荷蓄積部４０ａ及び４０ｂとを備えている。 - 特許庁

The horizontal transfer region 4 is tapered (both ends are tapered) so as to improve the charge detection sensitivity of a floating diffusion layer 3 which converts signal charge to voltage signals, and an overflow barrier 5 and the overflow drain 6 are provided adjacent to the final storage electrode 8a of the horizontal transfer region 4 along the shape of the horizontal transfer region 4.例文帳に追加

信号電荷を電圧信号に変換する浮遊拡散層３の電荷検出感度を上げるためにテーパ形状（両端先細り形状）となっている水平転送領域４の形状に沿って、オーバーフローバリア５とオーバーフロードレイン６が水平転送領域４の最終蓄積電極８ａ隣にまで設けられている。 - 特許庁

In the boundary region of the memory cell region and the contact region, a dummy word line 12 extending in parallel with the word line 5, a second charge holding film 4b, a second diffusion layer bit line 2b and a second embedded insulating film 3b in contact with the dummy word line 12 and the side face of the second charge holding film 4b are provided.例文帳に追加

メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線５と平行に延伸するダミーワード線１２と、第２の電荷保持膜４ｂと、第２の拡散層ビット線２ｂと、ダミーワード線１２及び第２の電荷保持膜４ｂの側面に接する第２の埋め込み絶縁膜３ｂとが備えられている。 - 特許庁

The floating diffusion charge detection system has incorporated a single feedback directly into the charge-detection node, the feedback being fed from a standard buffer amplifier A1 through a feedback amplifier A3, switching transistors S2 and S3 and capacitors C_f and C_h, the feedback significantly reduces kTC noise, has good linearity, and improves DR.例文帳に追加

フローティング・ディフュージョン電荷検出システムに、電荷検出ノード内へ、標準バッファ増幅器Ａ１からフィードバック増幅器Ａ３、スイッチ・トランジスタＳ２とＳ３、およびキャパシタC_fとC_hを通して供給される単一フィードバックを組み込み、ｋＴＣ雑音を著しく減少させ、良好な線形性を実現し、ＤＲを改善する。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate 1 on which a first diffusion region 2 and a second diffusion region 3 are formed separately from each other, a first insulating layer 4 formed on the semiconductor substrate 1, a charge storage layer 5 formed on the first insulating layer 4, a second insulating layer 6 formed on the charge storage layer 5, and a gate electrode 7 formed on the second insulating layer 6.例文帳に追加

本発明に用いられる不揮発性半導体記憶装置は、第１の拡散領域２および第２の拡散領域３が離間して形成された半導体基板１と、半導体基板１上に形成された第１の絶縁層４と、第１の絶縁層４上に形成された電荷蓄積層５と、電荷蓄積層５上に形成された第２の絶縁層６と、第２の絶縁層６上に形成されたゲート電極７と、を有する。 - 特許庁

A carrier diffusion preventing layer 25 is provided between a charge releasing layer 20 and one or more of semiconductor layers, which are a first semiconductor layer 10 and a second semiconductor layer 30, for preventing the diffusion into the layer 20 of carriers at least from one of the layers 10, 30, which reduces the dark current attributable to the capturing level.例文帳に追加

電荷放出層２０と第１の半導体層１０及び第２の半導体層３０のうち少なくとも一方の半導体層との間に形成され、少なくとも一方の半導体層から電荷放出層２０へのキャリアの拡散を防止するキャリア拡散防止層２５を設けるようにして、捕獲準位による暗電流を小さくするようにする。 - 特許庁

Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加

このため、電荷の転送部分となるｎ^-型の拡散層１５ａからなるＶ−ＣＣＤ１５の単位セル１０あたりの表面積は小さく、フォトダイオード２１の単位セル１０あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁

An imaging device comprises: a photodiode (PD) receiving light, generating electric charges according to the received light, and storing the charges; a floating diffusion (FD) storing electric charges; and an electric charge holding section (MEM) disposed between the PD and the FD.例文帳に追加

撮像装置は、光入力を受け該光入力に応じた電荷を発生して蓄積するフォトダイオード（ＰＤ）と、電荷を蓄積するフローティングディフージョン（ＦＤ）と、ＰＤとＦＤとの間に配置された電荷保持部（ＭＥＭ）とを備えている。 - 特許庁

In the channel area between the impurity diffusion layers 20 and 21, charge densities of an area 51 which can be controlled by the selection gate 18 and an area 52 which can be controlled by the memory gate 17 are different from each other.例文帳に追加

不純物拡散層２０，２１の間に位置するチャネル領域のうち、選択ゲート１８により制御され得る領域５１とメモリゲート１７により制御され得る領域５２とにおける不純物の電荷密度が異なる。 - 特許庁

When analyzing charge distribution or potential distribution of a material to which charged particle beam or electromagnetic wave is projected, movement of charged particles is tracked by combining a Monte Carlo method and a method for resolving a diffusion equation of charged particles.例文帳に追加

荷電粒子線または電磁波が照射された物質における電荷分布またはポテンシャル分布を解析するに当たり、モンテカルロ法と荷電粒子の拡散方程式を解く方法とを組み合わせて荷電粒子の運動を追跡する。 - 特許庁

A charge accumulation film and a gate electrode 105 are formed on a semiconductor layer, and two first conductivity diffusion regions A and B are formed in semiconductor layers on both sides of a channel region formed below the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体層上に電荷蓄積膜とゲート電極１０５を形成し、ゲート電極１０５の下部に形成されたチャネル領域の両側の半導体層に２つの第１導電型の拡散領域Ａ及びＢを形成する。 - 特許庁

A charge transfer path 13, a floating diffusion region 14 constituted of an n-type impurity region, an n-type buried region 16 and a reset drain region 15 are formed in a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

To facilitate achievement of complete transfer of a signal electric charge from a light receiving part to a floating diffusion layer in a unit pixel in which high sensitivity signal output is achieved using a source grounding amplification transistor and a very small capacity capacitor.例文帳に追加

ソース接地型の増幅トランジスタと微小容量の容量素子を用いて高感度信号出力を実現した単位画素において、受光部から浮遊拡散層への信号電荷の完全転送の実現を容易にする。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

The bulk semiconductor device has a charge interrupting film 7 formed below storage nodes 1 and 2 for storing data and has a MOSFET in which a channel part 12 between diffusion layers (1, 6) of a source and a drain is electrically connected to a substrate 11.例文帳に追加

本発明のバルク半導体デバイスは、データを保持する蓄積ノード１、２の下方に電荷遮断膜７が形成され、かつ、ソース・ドレインの拡散層間（１、６）との間のチャネル部１２が基板１１と電気的に接続されているＭＯＳＦＥＴを有する。 - 特許庁

A semiconductor storage device is configured of a semiconductor board 21 forming a trapezoidal step 21b, a first well 32, a gate electrode 38 fitted on the step through a gate oxide film 36, an impurity diffusion region 28, second wells 34a and 34b and the charge storage section 40.例文帳に追加

台状のステップ部21bが形成された半導体基板21と、第１ウェル32と、ステップ部上にゲート酸化膜36を介して設けられたゲート電極38と、不純物拡散領域28と、第２ウェル34a及び34bと、電荷蓄積部40とを備えて構成される。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor substrate 11, a gate insulating film 12, a gate electrode 13, two charge-holding portions 61 and 62 formed, while being spaced apart sideways from the gate electrode 13, two source/drain diffusion regions 17 and 18, and channel regions 41 and 42.例文帳に追加

半導体基板１１、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３、ゲート電極に対して側方に離間して形成された２つの電荷保持部６１、６２と、２つソース／ドレイン拡散層領域１７、１８と、チャネル領域４１、４２とを備える。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element with an element structure which makes it possible to form a light receiving surface side semiconductor layer (diffusion layer) reducing recoupling loss by controlling electric charge migration in a reducing atmosphere or inert gas atmosphere and its manufacturing method.例文帳に追加

電荷移動を制御し再結合損失を減少させる受光面側半導体層（拡散層）を還元雰囲気又は不活性ガス雰囲気で形成可能な素子構造を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Adsorbent such as activated carbon 31 for adsorbing evaporating fuel is filled in a casing 20 having a charge port 21 and a purge port 22 provided on one end and an atmospheric port 23 on another end and a diffusion retarding cartridge 36 is installed.例文帳に追加

一端にチャージポート２１とパージポート２２が設けられ、他端に大気ポート２３が設けられたケーシング２０に、蒸発燃料を吸着するための活性炭３１等の吸着材を充填すると共に、拡散遅延カートリッジ３６を装填する。 - 特許庁

An epitaxial semiconductor layer 2 is formed on an N-type semiconductor substrate 1, and a charge transfer channel 3 is formed in the epitaxial semiconductor layer 2, so that the increase in the impurity concentration in the semiconductor layer 2 due to the diffusion of impurities from the substrate 1 can be prevented.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１上にエピタキシャル半導体層２を形成し、エピタキシャル半導体層２内に電荷転送チャネル３を形成し、基板１からの不純物の拡散による半導体層２内の不純物濃度の増加を抑制する。 - 特許庁

Ion diffusion on the surface of a positive active material is improved, growth of a positive electrode film is suppressed even when the thickness of a positive active material layer is increased, and increase in charge transfer resistance in the positive electrode can be suppressed.例文帳に追加

これにより、正極活物質層表面でのイオン拡散性を改善し、正極活物質層の厚みを厚くした場合であっても正極皮膜の成長を抑制し、正極での電荷移動抵抗の上昇を抑制することができる。 - 特許庁

Charge holding portions 10A, 10B are formed on both sides of the gate electrode 13 respectively, and first and second diffusion-layer regions 17, 18 with a second conductive type are formed on regions of the semiconductor substrate 11 corresponding to the portions 10A, 10B, respectively.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側に電荷保持部１０Ａ，１０Ｂを夫々形成し、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂに対応する半導体基板１１の領域に第２導電型の第１，第２の拡散層領域１７，１８を夫々形成する。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

The photoelectric converter includes: a photo diode 5 as a photoelectric conversion part having a photoelectric conversion region and an n-type layer 3 functioning as a charge storage region wherein charges generated in the photoelectric conversion region are stored; and a transfer transistor which is disposed between the photo diode 5 and a floating diffusion region 6 and transfers signal charges stored in the n-type layer 3 to the floating diffusion region 6.例文帳に追加

光電変換領域と、前記光電変換領域で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能するｎ型層３と、を有する光電変換部としてのフォトダイオード５と、フォトダイオード５と浮遊拡散領域６との間に配置され、ｎ型層３に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域６に転送する転送トランジスタと、を備える。 - 特許庁