「charge diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加

本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for generating a charged particle beam such as an electron beam, etc. for focusing the electron beam by suppressing the diffusion of the electron beam due to a space charge effect even when an electron density in the electron beam is increased and even when an exposure speed is accelerated, and to provide a charged particle beam device.例文帳に追加

電子ビーム中の電子密度を増加させても露光速度を上げても、空間電荷効果による電子ビームの拡散を抑制して電子ビームを集束させる電子ビーム等の荷電粒子線の発生方法および荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a coin nonaqueous electrolyte secondary battery using a metal oxide material in a positive electrode and a carbon material in a negative electrode, and capable of suppressing increase in charge transfer resistance and diffusion resistance in the thickness direction even when the thicknesses of the positive electrode and the negative electrode are increased.例文帳に追加

正極に金属酸化物材料、負極に炭素材料を用い、正極及び負極の厚みが増加した場合でも、厚み方向への電荷移動抵抗や拡散抵抗の増大を抑制することのできるコイン型非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁

By doing this, a potential load becomes light, the potential of the transfer gate may be pushed up similarly to a charge generator 32 when the potential of the generator 32 is pushed up, and signal charges of the generator 32 can be prevented from leaking to a floating diffusion 38.例文帳に追加

これによりポテンシャル負荷が軽くなり、電荷生成部３２のポテンシャルが押し上げられたとき、転送ゲート部のポテンシャルが電荷生成部３２と同様に押し上げられるようになり、電荷生成部３２の信号電荷はフローティングディフュージョン３８へは漏れ出さなくなる。 - 特許庁

A Pt-carrying carbon nanotube 31 is orientated on a fluorine system ion exchange ion membrane 11, a carbon nanotube 35 is orientated on a diffusion layer 17, and a catalyst layer 15 taking charge of battery reaction with the Pt-carrying carbon nanotube 31 and the carbon nanotube 35 is formed.例文帳に追加

フッ素系イオン交換樹脂膜１１にＰｔ担持カーボンナノチューブ３１が配向され、拡散層１７にカーボンナノチューブ３５が配向されており、Ｐｔ担持カーボンナノチューブ３１とカーボンナノチューブ３５とで電池反応を担う触媒層１５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor memory is equipped with: a semiconductor substrate 20; a gate electrode 34; first and second impurity diffusion regions 24a, 24b; first and second resistance change portions 22a, 22b; first and second main electrodes 36a, 36b; and first and second charge storage sections 40a, 40b.例文帳に追加

半導体基板２０と、ゲート電極３４と、第１及び第２不純物拡散領域２４ａ及び２４ｂと、第１及び第２抵抗変化部２２ａ及び２２ｂと、第１及び第２主電極３６ａ及び３６ｂと、第１及び第２電荷蓄積部４０ａ及び４０ｂとを備えている。 - 特許庁

A region just under a charge holding part, of the bottom surface of both sides of the projection of a semiconductor substrate having a projection step in the cross-section in the direction perpendicular to the gate electrode is formed as a part of the diffusion layer region completely working as the source/drain on the active region.例文帳に追加

ゲート電極に垂直な方向の断面において、凸部の段差を有する半導体基板の凸部両側底面であって電荷保持部の直下である領域が、活性領域上では、全てソース／ドレインである拡散層領域の一部である構造にした。 - 特許庁

A capacity value of the floating diffusion region 30 is equal to or larger than a sum of a first capacity value necessary for accepting the maximum signal charge accumulation amount and a second capacity value necessary for accepting signal charges generated from a photodiode 10 in the first period.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域３０の容量値は、最大信号電荷蓄積量を受入れるために必要な第１の容量値と、上記第１の期間においてフォトダイオード１０が発生する信号電荷を受入れるために必要な第２の容量値との和以上である。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1131, a charge holding region 1133 consisting of a microparticle diffusion region 1133a, a gate insulation film 1137 consisting of an SiO_2 film, and an n polysilicon electrode 1138 functioning as a gate electrode are stacked sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１１３１上には、微粒子分散領域１１３３ａからなる電荷保持領域１１３３、ＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜１１３７及びゲート電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１３８が下から順次積み上げられている。 - 特許庁

To provide a positive electrode activator in which lowness of the diffusion velocity of the ion species and lowness of the electron conductivity are compensated, having a good charge and discharge capacity close to the theoretical capacity and good load characteristics, and a non-aqueous electrolyte secondary battery utilizing the same, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

イオン種の拡散速度の低さと電子導電性の低さが補われ、理論容量に近い良好な充放電容量と良好な負荷特性を有する正極活物質、及びこれを利用した非水電解質二次電池、並びにこれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

The adhesion between the current collector and the active material layer is improved without forming the diffusion layer between the current collector and the active material layer, thereby obtaining the electrode compatible with suppression of deformation of an electrode plate and exfoliation of the active material due to charge and discharge reactions of a battery.例文帳に追加

これによって、集電体と活物質層間に拡散層を形成することなく、集電体と活物質層間の密着性が向上し、電池の充放電反応による極板の変形及び活物質の剥離の抑制を両立した電極を得ることが可能となる。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In this mechanical charge battery, the activated carbon fiber-like structure 3 originally having a large surface area is brought into a condition very rich in conductivity by carbon black (particle diameter of several μm, for example) and carbon nano fiber (diameter of 150 nm and length of 10-20 μm, for example) adhering to it by the high temperature diffusion treatment.例文帳に追加

このメカニカルチャージバッテリーは、高温拡散処理により付着したカーボンブラック（例えば粒径数μｍ）やカーボンナノファイバー（例えば直径１５０ｎｍで長さ１０〜２０μｍ）によって、もともと表面積が大きい活性炭素繊維状構造体が非常に導電性に富む状態となっている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electrode for a lithium secondary battery, having high discharge capacity and high charge/-discharge characteristics, by properly controlling a diffusion state of components of a current collector into an active material layer, when forming an active material layer comprising a plurality of layers on both surfaces of the current collector.例文帳に追加

集電体の両面に複数の層からなる活物質層を形成する場合に、集電体の成分の活物質層への拡散状態を適切に制御することによって、放電容量が高く、かつ、良好な充放電特性を得ることが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic charge image developing toner which ensures high saturation of blue (cyan), high transmittance of an image and high image density, reduces fog under the conditions of high temperature and high humidity, attains excellent uniformity of halftone and is less liable to cause diffusion of fine dots and to provide a method for producing the toner and an image forming method using the toner.例文帳に追加

青色（シアン色）の彩度、画像の透過性、画像濃度が高く、高温高湿条件下でのカブリが低減され、ハーフトーンの均一性に優れ、且つ、微細ドットのチリの発生が少ない静電荷像現像用トナー、前記トナーの製造方法、及び、前記トナーを用いる画像形成方法を提供する。 - 特許庁

A support part 4 which comes into contact with the substrate 1 is in a double structure comprising an internal support part 6 of an internal conductive support member for supporting the substrate and an external support part 5 of an external cylindrical member which is cylindrical covering the internal support part and prevents peeling electrostatic charge and also prevents diffusion of produced dust from the internal support part 6.例文帳に追加

本発明において、基板１と接触する支持部４は、基板支持を目的とした内側の導電性支持部材の内部支持部６と、それを覆う筒形状で剥離帯電の防止及び内部支持部６からの発塵の拡散を防止した外側の筒状部材の外部支持部５との２重構造である。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a memory device constituted by a diffusion layer where the bit line 12 is formed on a semiconductor substrate 11 and the shielding film 17 is formed above the memory device, a discharging means 21 is formed on the substrate 11, an electric charge charged in the film 17 is discharged into the substrate 11 through the means 21.例文帳に追加

ビットライン１２が半導体基板１１上に形成された拡散層で構成されたメモリ素子と、その上方に形成された遮光膜１７とを備えた半導体記憶装置において、基板１１上に除電手段２１が形成されており、遮光膜１７に帯電した電荷は、除電手段２１を介して基板１１中に排出される。 - 特許庁

An air stream suction port 7 is provided to the front surface of a machine body 1 equipped with a charge electrode 12 and dust collecting electrodes 14 and revolving stream generating blades 3 for revolving the sucked air stream and a diffusion air passage 6 diffusing the revolved air stream in a circumferential direction to send the same into the suction port 7 are provided to the front surface part of the suction port 7.例文帳に追加

荷電極１２と集塵極１４を備えた機体１の前面に気流吸込用の吸込口７を設け、この吸込口７の前面部に、吸引されて来る気流を旋回させる旋回流発生羽根３と、旋回された気流を円周方向に拡散した後、上記の吸込口７に送り込む拡散風路６を設ける。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

A gate insulating film 12 and a gate electrode 13 are formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 11, charge holders 61 and 62 are formed on side walls of the gate electrode 13, respectively, second conductivity-type diffusion regions 17 and 18 are provided to the semiconductor substrate 11, and a channel region 41 is arranged in the semiconductor substrate 11 under the gate electrode 13.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２、ゲート電極１３を形成し、ゲート電極１３の両側壁に電荷保持部６１，６２を形成し、半導体基板１１に第２導電型の拡散層領域１７，１８を形成し、半導体基板１１のゲート電極１３下にチャネル領域４１を配置する。 - 特許庁

In a period when a signal charge is transferred from a vertical register to a horizontal register during a horizontal blanking, a driving pulse ψH2 impressed to a transferring electrode except a transferring electrode for receiving signal charges from the vertical register is determined as a continuous pulse to make a capacitive coupling between the horizontal register and a drifting diffusion layer equal level of that in an effective period.例文帳に追加

水平ブランキング期間中の垂直レジスタから水平レジスタへ信号電荷を転送する期間において、垂直レジスタからの信号電荷を受け取る転送電極以外の転送電極へ印加する駆動パルスφＨ２を連続したパルスとすることで水平レジスタと浮遊拡散層との容量カップリングを有効期間と同程度とする。 - 特許庁

To determine an upper limit quantity of an injection quantity of fuel for combustion at which excessive noise caused by HCCI (Homogeneous Charge Compression Ignition) combustion can be suppressed in a fuel injection quantity control device adopted to an internal combustion engine capable of injecting fuel for HCCI combustion and fuel for diffusion combustion at the same cycle.例文帳に追加

同一サイクルにて予混合圧縮着火（ＨＣＣＩ）燃焼用の燃料、及び拡散燃焼用の燃料を噴射し得る内燃機関に適用される燃料噴射量制御装置において、ＨＣＣＩ燃焼による騒音が過大になることが抑制され得る同燃焼用燃料噴射量の上限量を決定すること。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

Positive active materials contained in the lithium ion secondary battery 100 are positive active materials comprising compounds expressed by the same compositional expression (for example, LiFePO_4), and for carrying out two phase coexistence type charge and discharge, and are the positive active materials (the first positive active material 153b and the second positive active material 153c) of two kinds or more different in lithium ion diffusion coefficients.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池１００に含まれる正極活物質は、同一の組成式（例えば、ＬｉＦｅＰＯ_4）で表される化合物からなり、２相共存型の充放電を行う正極活物質であって、リチウムイオン拡散係数が異なる２種以上の正極活物質（第１正極活物質１５３ｂ及び第２正極活物質１５３ｃ）である。 - 特許庁

The imaging device (CMOS image sensor) includes a photodiode portion 4 having a photoelectric conversion function, a floating diffusion region 5 for converting a charge signal into a voltage, an electron multiplying portion 3b for multiplying (increasing) carriers generated by the photodiode portion 4, and a light shield film 26 formed so as to cover a surface of the multiplying portion 3b.例文帳に追加

この撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、光電変換機能を有するフォトダイオード部４と、電荷信号を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域５と、フォトダイオード部４により生成されたキャリアを増倍（増加）するための電子増倍部３ｂと、電子増倍部３ｂの表面上を覆うように形成されている遮光膜２６とを備える。 - 特許庁

Although a proton working as acid generated on the surface of resist in exposure diffuses into an exposure region due to heating, coulomb force toward a substrate side operates since positive charge is charged to an upper-side electrode, thus preventing diffusion due to purge gas flow in the acid on the surface of the resist, and hence obtaining an superb resist pattern.例文帳に追加

露光時にレジストの表面部に発生した酸であるプロトンは、加熱により露光領域中に拡散していくが、レジスト表面部の酸は、上方側の電極に正の電荷が帯電していることから基板側に向かうクーロン力が作用し、このためパージガス流により飛散することが抑えられ、良好なレジストパターンが得られる。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is provided on a single chip thereon with a neutron detecting portion having a ^10B diffusion layer 10 which is incorporated with boric acid comprising isotope ^10B, an α ray detecting portion having a p-n junction 13 which consists of a p well and an n well 12, and an analysis circuit portion for analyzing an electric charge generated at the p-n junction 13.例文帳に追加

シリコン基板１には、同位体^１０Ｂを含むホウ素が導入された^１０Ｂ拡散層１０を有する中性子検出部、ｐウェル１１とｎウェル１２とにより形成されるｐｎ接合１３を有するα線検出部、並びに、ｐｎ接合１３に発生する電荷の解析を行う解析回路部が、同一チップ上に形成される。 - 特許庁

It further comprises a plurality of transfer control elements Tr which are provided by a pair to a pair of adjoining photoelectric conversion regions, and change a potential barrier of optical generation charge transfer path between the storage well of a pair of photoelectric conversion regions and a corresponding floating diffusion region, to control transfer of optical generation charges.例文帳に追加

さらに隣り合う１組の光電変換領域毎に１組設けられ、１組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェルと、対応するフローティングディフュージョン領域との間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Ｔｒとを有する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory has a substrate 1 having stripe-like trenches 50, each first electrode 10 buried in the bottom of each trench 50, each second electrode 20 covering the surface of the substrate interposed between the adjacent first electrodes to each other, each diffusion layer 40 served as each source or each drain, and each trap film 30 served as a charge accumulating layer.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、ストライプ状のトレンチ５０を有する基板１と、トレンチ５０の底部に埋設された第１の電極１０と、隣り合う第１の電極間１０の基板表面を覆う第２の電極２０と、ソース／ドレインとしての拡散層４０と、電荷蓄積層としてのトラップ膜３０とを備える。 - 特許庁

Since diffusion of ions bearing charge/discharge of a solid state battery into an integrated circuit can be prevented by forming a protective film of the solid state battery into a multilayer structure and by providing a positive potential to one metal layer out of them, this system-in-package of the integrated circuit and the battery without causing characteristic deterioration or malfunction and this multilayer wiring board can be provided.例文帳に追加

固体電池の保護膜を多層構造として、その内の一層の金属層が正の電位を有することにより、固体電池の充放電を担うイオンの集積回路への拡散防止を行うことができるので、特性劣化や誤動作のない集積回路と電池のシステムインパッケージや多層配線基板を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device containing a composite thin film, wherein chemical stability is obtained in any semiconductor device, diffusion or the like is not generated to any element constituting various kinds of thin films arranged vertically in a laminated structure, and application to a protective film or a charge preventing film of semiconductor is possible, and a manufacturing method of a semiconductor device using the composite thin film.例文帳に追加

本発明は、何れの半導体装置においても化学的に安定で、その積層構造において上下に配設される種々の薄膜を構成する何れの元素に対しても拡散等が起きることがない、半導体の保護膜又は帯電防止膜として用い得る複合薄膜を含む半導体装置及び、該複合薄膜を利用する、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain gauge and the manufacturing method for preventing generation of channels in the semiconductor strain gauge, which stabilizes the resistance value of output by preventing the generation of channel which tends to be generated between electrodes pads, when impurities and charge are adhered around a diffusion resistor region, or when the impurity concentration of the semiconductor substrate is low, and which can be used for various acceleration sensors, pressure sensors, etc.例文帳に追加

半導体の歪みゲージのチャネル発生を防止するもので、拡散抵抗領域の周囲に不純物や電荷が付着した場合、あるいは半導体基板の不純物濃度が低い場合に電極パッド間に発生しやすくなるチャネルの発生を防止して、出力の抵抗値を安定させることのできる、各種加速センサ、圧力センサ等に利用できる半導体歪みゲージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved CVD apparatus and method for producing an alminide diffusion coating modified by inclusion of one or more other coating elements such as only and one or more so-called reactive elements in the coating produced with improved efficiency of use of metal charge residing in one or more coating gas generators.例文帳に追加

本発明の目的は、コーティングが一つ以上のコーティングガスジェネレーターに存在する金属電荷の改良された使用効率によって生成できる場合において、単に、シリコン及び一つ以上の所謂反応的な元素など、一つ以上の他のコーティング元素の封入によって修飾されるアルミニウム化物イオン拡散コーティングの生成が可能な改良型ＣＶＤ装置及び方法を提供することである。 - 特許庁

The memory elements are formed on parts of word lines 1104 formed as gate electrodes on a semiconductor substrate 1101 through gate insulating films 1103 and on the lateral sides of the gate electrodes; and contain memory function groups 1105a and 1105b having charge holding functions, channel regions 1110 disposed under the gate insulating films 1103, and diffusion regions 1107 disposed on both sides of the channel regions 1110.例文帳に追加

メモリ素子は、半導体基板１１０１上にゲート絶縁膜１１０３を介して形成されたゲート電極としてのワード線１１０４の一部と、このゲート電極の側方に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体１１０５ａ，１１０５ｂと、ゲート絶縁膜１１０３下に配置されたチャネル領域１１１０と、チャネル領域の両側に配置された拡散領域１１０７とを含んでいる。 - 特許庁

(Reason 3) Ideally, the water supply work should be run on full cost recovery basis in which both capital cost and O/M cost are covered by the water rate. In Myanmar, however, it is very difficult for the local government to mobilize financial resources for building water supply system. The diffusion of the water supply system has not progressed yet, and some cities of substantial size is equipped with no water supply system. In the early stage of development, it is necessary to utilize funds from the central government and the foreign organizations in order to build the nationwide water supply system. Then, it may eventually come the day to mobilize resources from the financial market by issuing local bonds in the near future since it may not be sufficient enough to cover all the costs necessary to diffuse the system by the funds from the central government and the foreign aid. Regarding the issuance of the local bond, it is not probable for the local government to make it real without back-up of the central government. In order to serve this function, it must be needed a ministry which is in charge of planning and executing those funding within the central government.例文帳に追加

③水道事業は、理想的には水道料金により資本費用と維持管理費用を賄うフルコスト・リカバリーが原則であるが、ミャンマーのように、全国的に水道整備が遅れており、相当規模の都市でも水道が無い都市がある状況下においては、地方自治体が水道整備資金を自ら調達することは困難であり、初期においては中央政府の財政資金や外国援助資金を投入することが必要となる。 - 厚生労働省