「charge diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, since the impurity is diffused broadly at the second diffusion layer 16 forming time, the second diffusion layer 16 can enlarge a part superposed with the gate electrode 13 relatively, and the transfer efficiency of the charge can be improved.例文帳に追加

このため、第２拡散層１６の形成時に不純物が広範囲に拡散するため、第２拡散層１６がゲート電極１３と重なる部分を比較的大きくすることができ、電荷の転送効率を向上できる。 - 特許庁

To provide a polyester film roll for diffusion plates, developing little trouble caused by the generation of static charge on the film surface in the case of coating a light diffusion layer and little transport trouble in the coating by a coater.例文帳に追加

光拡散層の塗工の際に、フィルム表面に静電気の発生によるトラブルが少なく、しかもコーターで塗工する際の走行トラブルが発生することの少ない拡散板用ポリエステルフィルムロールを提供する。 - 特許庁

The carbon element is bonded to Si to be positive fixed charge, and the positive charge increases carrier concentration of the n-type diffusion layer 7, thereby the cell current is increased without varying a threshold of a transistor.例文帳に追加

この炭素元素は、Ｓｉと結合して正の固定電荷となっており、この正電荷によりｎ型拡散層７のキャリア濃度を高め、トランジスタのしきい値を変動させること無く、セル電流を増大させる。 - 特許庁

The charge discharging transistor 40 is an MOS transistor with the top layer 55 as a source and with a power supply diffusion section 33 to which a power supply voltage is applied as a drain.例文帳に追加

電荷排出用トランジスタ４０は、表面層５５をソース、電源電圧が印加される電源拡散部３３をドレインとするＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁

Multiple values exceeding four values can be written by changing a writing voltage which is applied to a diffusion region, when accumulating an electric charge on an accumulation nitride film in an MONOS-type laminated structure of the nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型積層構造中の蓄積窒化膜に電荷を蓄積する最に、拡散領域に印加される書込み電圧の値を変化させる。 - 特許庁

The area 29 functions as an FDA(floating diffusion amplifier), converts signal charge that is flowed in into a voltage signal and outputs it to a monitor circuit side.例文帳に追加

モニタ用領域２９は、ＦＤＡとして機能しており、流入した信号電荷を電圧信号に変換してモニタ回路側に出力する。 - 特許庁

A diffusion problem of the electric charge to be typically generated regarding these sensors when they are operated by the conventional technology is solved by this invention.例文帳に追加

本発明によれば、従来の技術によって動作させられる時に、これらセンサに関して典型的に生ずる電荷キャリアの拡散問題が解決される。 - 特許庁

To enhance quick charge characteristics of a lithium secondary battery by reducing internal resistance of an electrode and enhancing diffusion of lithium ions inside the electrode.例文帳に追加

電極の内部抵抗を低減させ、電極内でのリチウムイオンの拡散性を向上させることにより、リチウム二次電池の急速充電特性を向上させる。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium-ion secondary battery capable of lowering Li-ion diffusion resistance inside the electrode when high-current-rate charge and discharge are carried out.例文帳に追加

高電流レートの充放電を行った際、電極内部のＬｉイオン拡散抵抗を下げることが可能なリチウムイオン二次電池用電極を提供する。 - 特許庁

Hydrogen atoms of the second insulation layer functioning mainly as a charge storage means can be prevented from diffusion, so that recording holding characteristic in passage of time can be improved.例文帳に追加

主に電荷蓄積手段として機能する第２絶縁層の水素原子が拡散することを防止できるため、経時での記録保持特性が向上する。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

A charge accumulation layer 20 for capacity coupling to the active region is formed on the active region through a first gate insulating film 18, a control gate 24 for capacity coupling to the charge accumulation layer 20 is formed on the charge accumulation layer 20 through a second gate insulating film 22, and a source diffusion layer 8 is formed on the opposite side of the drain diffusion layer to the control gate 24.例文帳に追加

活性領域上には第１のゲート絶縁膜１８を介して活性領域に容量結合する電荷蓄積層２０が形成され、電荷蓄積層２０上には第２のゲート絶縁膜２２を介して電荷蓄積層２０に容量結合する制御ゲート２４が形成され、制御ゲート２４に対してドレイン拡散層の反対側にはソース拡散層８が形成される。 - 特許庁

The impact faces 9 are positioned on the positions rotated at least by 180° or more from the position whereon the raw material charged from the raw material charge opening 1 is received by the diffusion panels 4 to the rotating direction of the diffusion panels 4.例文帳に追加

この衝突面９は、前記原料投入口１から投下された原料を前記拡散盤４が受ける位置から、前記拡散盤４の回転方向に、少なくとも１８０度以上回転させた位置に位置している。 - 特許庁

In the element 31, quantity of current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section 10.例文帳に追加

素子３１では、電荷保持部１０に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方のソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

An impurity diffusion region 197A has a function of horizontally separating the electric charge discharge drain 205, which is formed in the deep part of a substrate and is formed to have a smaller width, as compared with the impurity diffusion region 197A of a pixel part.例文帳に追加

また不純物拡散領域１９７Ａは、基板深くに形成されている電荷排出ドレイン２０５を水平方向に分離する機能を有し、画素部の不純物拡散領域１９７Ａと比べて幅を狭く形成する。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 50 each including at least a photodiode 61, a transfer gate 62 transferring charge accumulated in the photodiode 61 to a floating diffusion region 63 and a reset transistor 64 resetting charge in the floating diffusion region 63, are arranged in a matrix in a plane.例文帳に追加

CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１に蓄積された電荷を浮遊拡散領域６３に転送する転送ゲート６２と、浮遊拡散領域６３の電荷をリセットするリセットトランジスタ６４とを少なくとも備える複数の単位画素５０が２次元に配列されている。 - 特許庁

Further, the device has a transfer path for transferring a charge from the first impurity diffusion region of the first conductivity type to the second impurity of the first conductivity type and an impurity diffusion region of a second conductivity type formed on a semiconductor substrate so as to contain the first impurity diffusion region of the first conductivity type.例文帳に追加

さらに、第１の第１導電型不純物拡散領域から第２の第１導電型不純物拡散領域へ電荷を転送する転送経路と、半導体基板上に第１の第１導電型不純物拡散領域を包含するように形成された第２導電型不純物拡散領域を有する。 - 特許庁

The light diffusion film has a light diffusion layer on one surface of a transparent sheet-like substrate and has a rear face layer on the other surface, wherein the light diffusion layer and/or the rear face layer has a half life of charge potential measured by a half-life measuring method determined by JIS L1094, of <5 min.例文帳に追加

透明なシート状基材の一方の面に光拡散層、他方の面に背面層を有する光拡散フィルムであって、ＪＩＳ・Ｌ１０９４に定める半減期測定法により測定した帯電電位の半減期が５分未満である光拡散層および／または背面層を有する光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁

The amount of current flowing from one diffusion layer region to the other diffusion layer region at voltage application to the gate electrode 13 varies, according to the amount of charges held on the nanodot 15 of each charge-holding portion 61, 62.例文帳に追加

各電荷保持部６１、６２のナノドット１５に保持された電荷の多寡に応じて、ゲート電極１３に電圧を印加した際の一方の拡散層領域から他方の拡散層領域に流れる電流量を変化させるようになっている。 - 特許庁

The edge on a source diffusion layer 8 side of the trench element separation region 16 almost agrees with that of the charge accumulation layer 20 and control gate 24, with the source diffusion layer 8 formed flat without bending in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

そして、トレンチ素子分離領域１６のソース拡散層８側のエッジは、電荷蓄積層２０及び制御ゲート２４のエッジとほぼ一致しており、ソース拡散層８は半導体基板２内に屈曲することなく平面状に形成される。 - 特許庁

To simplify a production process and to reduce a production cost in a solid-state imaging device by commonizing the formation of the diffusion layer of an charge transfer unit and the formation of the diffusion layer of a transistor composing an output unit in the periphery.例文帳に追加

固体撮像装置において、電荷転送部の拡散層の形成と、その周辺の出力部を構成するトランジスタの拡散層の形成とを共通化し、これにより製造工程を簡略化するとともに製造コストを削減する。 - 特許庁

Each of the pixel circuits 111 has a photodiode PD1 for storing a signal charge, floating diffusion FD1, a transfer transistor NM1 connected between the photodiode PD1 and the floating diffusion FD1, and an amplification transistor NM3.例文帳に追加

複数の画素回路１１１の各々は、信号電荷を蓄積するフォトダイオードＰＤ１と、フローティングディフュージョンＦＤ１と、フォトダイオードＰＤ１とフローティングディフュージョンＦＤ１との間に接続された転送トランジスタＮＭ１と、増幅トランジスタＮＭ３とを備える。 - 特許庁

To transfer signal charges photoelectrically converted by a photoelectric conversion element to a stray diffusion capacitance, in such a manner that the signal charges is divided into a plurality of portions by an optional charge amount.例文帳に追加

光電変換素子で光電変換された信号電荷を浮遊拡散容量に転送する際に、任意の電荷量で複数に分割して転送できるようにする。 - 特許庁

The solid state imaging device includes a plurality of modulation transistors Tm which output a pixel signal according to the optical generation charge held to a floating diffusion region.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、フローティングディフュージョン領域に保持された光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁

Therefore, the transfer characteristics and overflow characteristics of the signal charge are not heavily influenced even if locations, where each impurity diffusion region is formed, vary during manufacturing process.例文帳に追加

従って、製造工程において各不純物拡散領域の形成位置がばらついても、信号電荷の転送特性やオーバーフロー特性にはあまり影響しない。 - 特許庁

To eliminate image non-uniformity due to characteristic variations among a plurality of floating diffusion amplifiers in a CCD solid-state imaging device having a charge transfer line for output divided into a plurality of parts.例文帳に追加

出力用の電荷転送路が複数に分割されたＣＣＤ型固体撮像素子において、複数のフローティングディフュージョンアンプの特性差による画像ムラを無くす。 - 特許庁

A solid-state image pickup device is provided with a photodiode 1 where the n-type impurity region is formed in an active region 9, a transfer switch 2 transferring the optical signal charge and FD 3 (floating diffusion region) being a transfer destination of the optical signal charge.例文帳に追加

固体撮像装置は、アクティブ領域９にＮ型不純物領域を形成してなるフォトダイオード１と、光信号電荷を転送する転送スイッチ２と、光信号電荷の転送先であるＦＤ（浮遊拡散領域）３とを有する。 - 特許庁

Thus, an FD(Floating Diffusion) section 20 of the linear image sensor 12 to which the reset pulse with the double period is supplied stores electric charges for a time longer than the period of the charge transfer pulse and a charge storage section outputs a high voltage for a double updated period.例文帳に追加

したがって、２倍の周期のリセットパルスを供給されたリニアイメージセンサ１２のＦＤ部２０では、電荷転送パルスの周期より長い時間、電荷が蓄積され、電荷蓄積部からは高い電圧が、２倍の更新周期で出力される。 - 特許庁

To restrain deterioration in reliability of a capacitor insulating film, which is caused by decrease in trench capacitance and electric field concentration, suppress diffusion of dopant of a charge storage electrode, prevent decrease of dopant concentration, and restrain increase in resistance of the charge storage electrode.例文帳に追加

トレンチキャパシタンスの低下、電界集中によるキャパシタ絶縁膜の信頼性の劣化を抑止でき、電荷蓄積電極のドーパントの拡散を抑制し、ドーパント濃度の低下を防止し、電荷蓄積電極の抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

A transfer pulse TRG to be supplied to a transistor for read selection is set to be anti-blooming potential so that the charge overflowing at the charge generation section of the thin-out row can be easily transferred to the floating diffusion side of the thin-out row in a thin-out read mode.例文帳に追加

間引き読出しモード時に、間引き行の電荷生成部で溢れる電荷が、間引き行のフローティングディフュージョン側に転送され易い状態となるように、読出選択用トランジスタに供給する転送パルスTRG をブルーミング対策電位にする。 - 特許庁

Connected to the diffusion layer regions 221, 223 and 225 are charge-voltage conversion amplifiers 411 to 413 by which the accumulated electric charge is converted into voltage to be outputted to output terminals VOUT1 to VOUT3 as analog signals.例文帳に追加

拡散層領域２２１、２２３および２２５には電荷電圧変換アンプ４１１乃至４１３が接続され、蓄積されていた電荷は電圧に変換されて出力端子ＶＯＵＴ１乃至ＶＯＵＴ３にアナログ信号として出力される。 - 特許庁

By controlling potentials of the p-type diffusion layer 31 and the n-type diffusion layer 32 via wirings 33 and 34, a decline of the amount of saturated electric charge in the photoelectric conversion region 1 can be suppressed and electric charges generated excessively can be discharged.例文帳に追加

配線３３及び３４を介してｐ型拡散層３１及びｎ型拡散層３２の電位を制御することによって、光電変換領域１の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。 - 特許庁

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness.例文帳に追加

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。 - 特許庁

Consequently, it is possible to make the channel potential of a horizontal CCD register shallower than the reset potential of the floating diffusion while maintaining the handling charge amount of the image sensing part and the accumulation part.例文帳に追加

これにより、撮像部及び蓄積部の取扱電荷量を維持したまま、水平ＣＣＤレジスタのチャネル電位を、フローティングディフュージョンのリセット電位より浅くすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of diffusion bit lines 108, a plurality of word lines 114, a plurality of trap films 102 having a charge holding function, and a plurality of bit line insulating film 110.例文帳に追加

半導体装置は、複数の拡散ビット線１０８と、複数のワード線１１４と、電荷保持機能を有する複数のトラップ膜１０２と、複数のビット線絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a trap film for charge storage and a bit-line diffusion layer of a MONOS type semiconductor memory device, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The buried gate electrode 22 is formed at the bottom in the trench portion 20 in order to transfer a signal charge from the buried photodiode 23 to the buried floating diffusion 16.例文帳に追加

埋め込み型ゲート電極２２は、埋め込み型フォトダイオード２３から埋め込み型フローティングディフュージョン１６に信号電荷を転送するために、トレンチ部２０内の底部に形成されている。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device capable of efficiently transferring charge from a photodiode to a floating impurity diffusion area, and to provide its manufacturing method and a solid state imaging unit.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置とその製造方法、及び固体撮像装置ユニットを提供すること。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 211A including a photodiode 221, a memory part 223, a floating diffusion region 225 and a charge discharging part 230 are lined.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード２２１、メモリ部２２３、浮遊拡散領域２２５、電荷排出部２３０を備える単位画素２１１Ａが複数配列されている。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

If the amount of particles becomes exceeding the permissible amount S by change of the diffusion condition during stratified charge combustion operation, it is switched to homogeneous combustion to suppress the particulate matter.例文帳に追加

例えば成層燃焼運転中に拡散条件の変化により粒子量が許容量Ｓを越えそうになると、均質燃焼に切り換え、粒子状物質を抑制する。 - 特許庁

To prevent charge capture density from decreasing as much as possible by suppressing nitriding of an insulating layer as a lower layer and suppressing diffusion of oxygen from an insulating film as an upper layer.例文帳に追加

下層の絶縁膜が窒化するのを抑制するとともに上層の絶縁膜からの酸素の拡散を抑制して電荷捕獲密度の低下を可及的に防止することを可能にする。 - 特許庁

In the CMOS image sensor, drive of the unit pixel is controlled such that the reset transistor 64 resets the charge in the floating diffusion regions 63 in every plurality of rows not neighboring to one another in the pixel array part before transfer of charge by the transfer gate 62.例文帳に追加

そして、CMOSイメージセンサにおいては、転送ゲート６２による電荷転送前に、画素アレイ部において互いに隣接しない複数の行毎に、リセットトランジスタ６４による浮遊拡散領域６３の電荷をリセットするように単位画素の駆動が制御される。 - 特許庁

To realize a semiconductor apparatus protecting a protection target element from a charge-up phenomenon during a diffusion process at a low voltage range of both positive and negative polarities from an FEOL level, and applying a high voltage of both positive and negative polarities required for driving the protection target element after completion of the diffusion process.例文帳に追加

ＦＥＯＬレベルから正負とも低電圧の範囲で拡散工程中のチャージアップから被保護素子を保護し、且つ、拡散工程完了後は被保護素子の駆動に必要な正負両極性の高電圧を被保護素子に印加することが可能な半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁