「cleaved surface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a working method of a semiconductor wafer comprising a cleaved surface capable of obtaining a wafer of stable precision.例文帳に追加

安定した精度のウェハを得ることができる劈開面を有する半導体ウェハの加工方法を提供する。 - 特許庁

Because the substrate made of the cleavage substance is cleaved after bringing the same in the atmosphere to be evaluated, the surface immediately after being cleaved is free from the contamination evaluation substance when exposed to the atmosphere.例文帳に追加

評価する雰囲気中にへき開性物質からなる基板を持ち込んでへき開するので、汚染評価物質が表面に存在していないへき開直後の面が雰囲気中に暴露されることになる。 - 特許庁

As the other way, the crystal in the metallic material is cleaved with this erosion and the fine structure is formed on the surface of this metallic material.例文帳に追加

あるいはその腐食によって材料金属の結晶がへき開し、材料金属表面に微細構造が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device of quality improved in a side face and resonator surface of a chip cleaved and isolated.例文帳に追加

劈開及び分離されたチップの側面及び共振器面の品質が改善された半導体レーザ装置を得られるようにする。 - 特許庁

By boiling the suspension, the aggregated fine particles are disintegrated and, at the same time, the molecule of the functionalizing agent is cleaved to functionalize the surface of the fine particles based on the functionalizing agent with the use of its cleaved portion (step 4).例文帳に追加

上記懸濁液を沸騰させることにより、凝集した微粒子を解砕すると共に機能化剤の分子を開裂させ、微粒子の表面を機能化剤の開裂部を用いて機能化剤に基づき機能化する（ステップ４）。 - 特許庁

A semiconductor substrate having a semiconductor light receiving element structure is cleaved to form a cleavage surface intersecting the major surface of the substrate obliquely and incident light is introduced to the cleavage surface.例文帳に追加

半導体受光素子構造を形成された半導体基板をへき開して基板主面に対して斜交するようにへき開面を形成し、かかるへき開面に垂直に入射光を導入する。 - 特許庁

The inspection apparatus inspects a plurality of LD chips 1, each being configured to be separated from its LD bar so as to sequentially check the quality of the cleaved surface edge.例文帳に追加

ＬＤバーを分離して構成された複数のＬＤチップ１について、その劈開端面の良否を順次検査する検査装置である。 - 特許庁

Since the end surface of the resonator is (1_100) plane, not only the ZnO single crystal substrate 12 but also the end surface of the semiconductor layer grown on the ZnO single crystal substrate can beautifully be split when the end surface is cleaved.例文帳に追加

共振器端面が（１＿１００）面になっているので、端面をへき開したときに、ZnO単結晶基板１２だけでなく、その上に成長させて形成した半導体層の端面も（１＿１００）面で綺麗に割れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element in which high heat dissipating characteristics and high product yield are maintained by forming a metal layer having a sufficient film thickness as an upper electrode close to a light emitting end surface (cleaved end surface).例文帳に追加

上部電極として十分な膜厚の金属層を発光端面（劈開端面）近傍まで形成し、高い放熱性を維持できると共に、製品歩留まりを高く維持することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

A cleaved and separated surface 80 is formed by cleavage along the crystal orientation surface of the substrate 1 so as to cross the path of light passing through the first slab waveguide 3 to separate by cleaving the first slab waveguide 3.例文帳に追加

基板１の結晶方位面に沿って劈開形成した劈開分離面８０を第１のスラブ導波路３を通る光の経路と交わるように形成して第１のスラブ導波路３を劈開分離する。 - 特許庁

The semiconductor laser device 1 includes a semiconductor layer 2 cleaved into square shapes, an electrode 3 formed on the upper surface 2a of the semiconductor layer 2, and an electrode 4 formed on the lower surface 2b of the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、正方形状に壁開された半導体層２と、半導体層２の上面２ａに形成された電極３と、半導体層２の下面２ｂに形成された電極４とを備える。 - 特許庁

To provide an optical fiber cleaving tool for cleaving optical fibers at an angle such that a given inclination is maintained relative to the axial direction and forms a high quality cleaved surface with a high degree of precision.例文帳に追加

本発明は、光ファイバを軸方向に対してある傾きを保った角度になるように切断する光ファイバ切断工具に関し、高品質、高精度な切断面を形成する。 - 特許庁

The nucleic acid molecule is cleaved by using a puncture needle having an insulating ceramic coating film having an electrical resistivity ρ of ≥10^5 (Ωm) on at least a part of the surface of a metallic needle.例文帳に追加

核酸分子を切断するに当たり、金属製針の表面の少なくとも一部に、抵抗率ρが１０^５Ω・ｍ以上の絶縁性のセラミック被膜を形成した、穿刺針を用いる。 - 特許庁

To provide a production process of an SOI substrate which can peel a semiconductor substrate while maintaining planarity of a peeled surface even if a single crystal silicon substrate is cleaved and peeled.例文帳に追加

単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁

The wafer 10 for the active layer can be peeled even when the implantation of hydrogen ions is made smaller than the case of a conventional wafer (100) for the active layer because of the peeling utilizing the cleaved surface.例文帳に追加

しかも、劈開面を利用した剥離であるので、従来の活性層用ウェーハ（（１００）ウェーハ）の場合より水素イオンの注入を減らしても、活性層用ウェーハ１０の剥離が可能となる。 - 特許庁

A hollow circular cylinder made of a metal in which at least the tip part of an outer peripheral surface and an inner peripheral surface of a capillary are coated with insulating ceramics having ≥10^5 Ω×m electric resistance is used as the capillary when the nucleic acid molecule is passed through the inside thereof and cleaved.例文帳に追加

核酸分子を細管の内側に通して切断するに当たり、該細管に、金属製の中空円筒の外周面の少なくとも先端部分および内周面に、電気抵抗が10^５Ω・ｍ以上の絶縁性セラミックスを被覆したものを用いる。 - 特許庁

An angular sealed battery includes a large side surface of greater distortion with at least a part of the light case cleaved by increase of the internal pressure of the battery.例文帳に追加

角型の密閉型電池において、電池内部の圧力上昇によって開裂する薄肉部の少なくとも一部分が電池の側面の面積が大きな面の変形の大きな領域に形成した角型の密閉型電池。 - 特許庁

By re-irradiating a part 116, where a first direction and a second direction of the surface of the to-be-cleaved substrate are crossed, with a laser beam, the part of the scribing region where the first direction and the second direction are crossed is rewelded.例文帳に追加

被割断基板の表面の第１の方向と第２の方向とが交差した部分１１６にレーザビームに再照射し、第１の方向と第２の方向とが交差したスクライブ領域部分を再溶着する。 - 特許庁

The cooling agent C spraying from the cooling part 40 contains a protective material 1 which protects the edges 60e of the cleaved plane 60t of the processing substrate 60 by sticking on the surface of the processing substrate 60 to remain.例文帳に追加

冷却部４０から噴射される冷却剤Ｃは、被加工基板６０の表面に付着して残留することによって、被加工基板６０の割断面６０ｔのエッジ６０ｅを保護する保護材料１を含有している。 - 特許庁

The high thermal expansion coefficient member 7 is expanded and contracted more largely than the base 9 in accordance with the change of the ambient temperature in use, and the separated slab waveguide 3a side is slid and moved in the direction of arrows A, B along the cleaved and separated surface 80.例文帳に追加

使用環境温度変化に応じて高熱膨張係数部材７をベース９よりも大きく膨張収縮させ、分離スラブ導波路３ａ側を劈開分離面８０に沿って矢印Ａ，Ｂ方向にスライド移動させる。 - 特許庁

The wafer 10 for an active layer is peeled in a high flatness from a cleaved surface in a hydrogen-bubble forming region in the case of a heat treatment at a low temperature because the (111) wafer is adopted as the wafer 10 for the active layer for a laminated SOI substrate.例文帳に追加

貼り合わせＳＯＩ基板用の活性層用ウェーハ１０として（１１１）ウェーハを採用したので、低温熱処理時、活性層用ウェーハ１０は水素バブル形成領域の劈開面から高い平坦性で剥離される。 - 特許庁

Thus, the contamination evaluation method enables only the contamination evaluation substance in the atmosphere attached to the cleaved surface to be detected by analyzing the same and is therefore capable of accurately evaluating a contamination state in the atmosphere.例文帳に追加

そして、そのへき開面を分析して汚染評価物質を検出するので、評価する雰囲気中から付着した汚染評価物質のみが検出されることとなり、雰囲気中の汚染状態を精度よく評価することが可能となる。 - 特許庁

A ruled line 10a is formed on the surface on the side of the metal film 3 of a sample 10 obtained by forming the metal film 3 on a single crystal substrate 2, and the sample 10 is cleaved along the ruled line 10a while cooled in liquid nitrogen 50.例文帳に追加

単結晶基板２上に金属膜３が成膜された試料１０の金属膜３側の表面に罫書線１０ａを形成し、試料１０を、液体窒素５０中で冷却しながら、罫書線１０ａに沿ってへき開する方法とする。 - 特許庁

The method for producing a water dispersion of the surface-reformed carbon black includes dispersing the acidic carbon black in water, then neutralizing the acidic carbon black by adding a basic compound in the resulting dispersion, further adding an azo compound into the dispersion, and directly covalently bonding the amino group to the surface of the carbon black by heating the resulting dispersion to a temperature higher than the temperature at which the azo group is cleaved.例文帳に追加

および、酸性カーボンブラックを水に分散し、塩基性化合物を加えて中和した後、分散液にアゾ化合物を添加して、アゾ基が開裂する温度以上に加熱してカーボンブラック表面に直接アミノ基を共有結合させる表面改質カーボンブラック水分散体の製造方法。 - 特許庁

To provide a full body cleaving method capable of a high speed cleaving, generating no stripe pattern on the cleaved surface, realizing a thermal stress cleaving high in speed and quality and having high smoothness, also capable of freely controlling the position of cleaving line and the cleaving speed.例文帳に追加

高速割断が可能であり、しかも割断面に縞模様がなく、高い平滑性を有する高速で高品質の熱応力割断を実現するとともに、割断線の位置および割断速度を自由に制御することができるフルボディ割断方法を提供する。 - 特許庁

To provide an enclosed battery having a cleavage groove formed in the side surface of a battery case filled with an electrode body and electrolyte, in which the cleavage groove is not cleaved easily even if it is subjected to impact by dropping, or the like, while ensuring the function as a cleavage groove.例文帳に追加

電極体及び電解液が封入された電池ケースの側面に開裂溝が形成された密閉型電池において、開裂溝としての機能を確保しつつ、落下等による衝撃を受けても開裂しにくい開裂溝の構成を提供する。 - 特許庁

Scribe grooves 3 are formed in a strip-shaped wafer 4, and the strip-shaped wafer 4 is attached to the adhesive surface of an expansion tape 10, and the expansion tape 10 is expanded to an almost vertical direction to the scribe groove 3 so that the strip-shaped wafer 4 can be cleaved and separated.例文帳に追加

短冊状ウエハー４にスクライブ溝３を形成し、短冊状ウエハー４をエキスパンドテープ１０の粘着面に貼り付け、エキスパンドテープ１０をスクライブ溝３に対して略垂直方向に伸張させることにより、短冊状ウエハー４を劈開分離する。 - 特許庁

The (1-10) face of a cubic system substrate and a face that is substantially equivalent to the (1-10) face of the cubic system substrate in a compound semiconductor layer, in a wurtzite structure that is selected and grown from the selective growth reference surface of the cubic system substrate are cleaved.例文帳に追加

立方晶系基板の（１−１０）面と、該立方晶系基板の選択成長基準面から選択成長されたウルツ鉱構造の化合物半導体層の、前記立方晶系基板の前記（１−１０）面と実質的に等価な面とを共にへき開する。 - 特許庁

The inspection apparatus includes an adhesive sheet 3 for holding the plurality of LD chips; a mount stage 2 for moving along with the adhesive sheet 3; a capturing camera 4 for photographing the LD chips 1; an inspection camera 5 for receiving the light reflected from cleaved surface edges of the LD chips 1; and a controller for controlling the operations of respective sections of the apparatus.例文帳に追加

複数のＬＤチップを保持する粘着シート３と、粘着シート３と共に移動する載置台２と、ＬＤチップ１を撮影する捕捉カメラ４と、ＬＤチップ１の劈開端面からの反射光を受ける検査カメラ５と、装置各部の動作を制御する制御部とを有する。 - 特許庁

The side face 625 of the second laser diode chip 62 which is secondarily cleaved in the direction inclined from the direction which is perpendicular to its lower surface 621 is formed of a vertical plane section 625a which is perpendicular to its upper and lower surfaces formed by dicing before cleaving and a cleavage plane section 625b formed by the secondary cleaving.例文帳に追加

二次劈開によって下面６２１に対して垂直方向から傾斜した方向に劈開される第２のレーザダイオードチップ６２は、劈開に先立ってダイシングにより形成した上下の面に垂直な垂直面部分６２５ａと、二次劈開による劈開面部分６２５ｂとによってその側面６２５が形成されている。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery, the negative terminal 16 crosses to the continuous direction of the edge part 13A of the negative electrode 13, has a contactor 31 crossing to the surface direction of the negative electrode 13, and the contactor 31 is collectively cleaved and brought into contact with edge parts 13A of two or more negative electrodes 13.例文帳に追加

非水電解質二次電池は、負極端子１６が、負極１３の縁部１３Ａの連続方向に対して交差するとともに、負極１３の面方向に対して交差する接触片３１を有し、接触片３１が複数の負極１３の縁部１３Ａに対して一括して開裂させて接触している。 - 特許庁

In the wall paper prepared by laminating a halogen-free nonwoven fabric made of organic fiber to adhere to one face of the base paper for wall paper, cleavable conjugated fibers comprising two or more kinds of organic fibers are blended into the organic fiber that constitutes at least surface side of the nonwoven fabric as the cleavable conjugated fibers are kept cleaved into ultra fine fibers.例文帳に追加

壁紙用原紙の片面にハロゲンを含まない有機繊維からなる不織布が接着された壁紙において、上記不織布の少なくとも表面側を構成する有機繊維に分割可能な２種以上の有機繊維からなる分割型複合繊維をその構成成分である極細の有機繊維に分割された状態で包含させる。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor laser, a semiconductor thin film comprising an active layer is laminated on a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is cleaved together with the semiconductor thin film, a cleavage surface obtained by cleavage of the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is exposed to plasma atmosphere by halogen gas or gas including halogen an thereafter a protection layer is formed in the cleavage surface without exposing it to the air.例文帳に追加

半導体基板上に活性層を含む半導体薄膜を積層し、次に該半導体薄膜とともに該半導体基板をヘキ開し、ヘキ開により得られた半導体基板と半導体薄膜のヘキ開面をハロゲンガスもしくはハロゲンを含むガスによるプラズマ雰囲気に曝露した後、続けて大気にさらすことなくこれらのヘキ開面に保護層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁