| 意味 | 例文 |
complementary cellの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 92件
To reduce power consumption of a static RAM by reducing variation of potentials of bit lines 21a, 21b of a true side or a complementary side in write of data in a memory cell 55.例文帳に追加
メモリーセル55においてデータ書込み時のトゥルー側又はコンプリメント側ビット線21a,21bの電位の変化分を減少させ、スタティック型RAMの消費電力を低減する。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a memory cell array which includes a plurality of unit memory cells, where each of the unit memory cells comprises complementary first and second floating body transistor capacitor-less memory cells.例文帳に追加
半導体メモリ装置は複数の単位メモリセルを具備し、各単位メモリセルは相補的な第1及び第2フローティングボディートランジスタ型キャパシタレスメモリセルを具備するメモリセルアレイを具備する。 - 特許庁
The semiconductor storage device includes: a subarray 11 having a plurality of memory cells 12, each of which has a pair of memory nodes which are complementary to each other; and a memory cell array having the plurality of subarrays 11.例文帳に追加
半導体記憶装置は、互いに相補な関係にある一対の記憶ノードを有するメモリセル12を複数有するサブアレイ11と、サブアレイ11を複数有するメモリセルアレイを備える。 - 特許庁
Complementary data are written in each reference cell 10a, 10b, and data are each re-written so as to be inverted in the polarity at each erase/write operation of the memory cells 10.例文帳に追加
各基準セル10a,10bには互いに相補なデータが書き込まれ、各データは、メモリセル10の消去/書き込み動作毎にそれぞれ逆の極性となるように反転して書き換えられる。 - 特許庁
On the second mode, readout circuit RC reads out the complementary data of the first and second memory cells MC1, MD1 by comparing the detection current flowing into the first memory cell MC1 from the differential signal amplifier section CM1 and the detection current flowing into the second memory cell MD1.例文帳に追加
第2のモードでは、差動信号増幅部CM1から第1のメモリーセルMC1に流れる検出電流と第2のメモリーセルMD1に流れる検出電流を比較することで第1、第2のメモリーセルMC1、MD1の相補データを読み出す。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory, in which the influence of a write-in noise for read-out operation of an adjacent cell can be reduced and stable operation can be performed, by fixing an adjacent complementary bit line to the prescribed voltage, in the case of write-in of data for a storing cell.例文帳に追加
記憶セルへのデータ書き込みの際に、隣接する相補ビット線を所定電圧に固定することにより、隣接セルの読み出し動作への書き込みノイズの影響を低減して安定動作を図ることができる半導体集積回路装置を提供すること - 特許庁
The cell-free protein synthesis is carried out in a reaction liquid containing mRNA and an extracted liquid derived from live cell, wherein the reaction liquid contains an oligonucleotide complementary to a sequence existing in the 3'-terminal region of the mRNA.例文帳に追加
mRNA及び生体細胞由来抽出液を含む反応液中で無細胞タンパク質合成を行う方法であって、前記反応液は、前記mRNAの3’末端領域に存在する配列に相補的なオリゴヌクレオチドを含む、無細胞タンパク質合成方法。 - 特許庁
Also, a local bit line 14a is connected respectively to one side of a terminal connected to a complementary storage node of each memory cell 13 and a local bit line 14b is connected respectively to the other side of the terminal commonly.例文帳に追加
また、各メモリセル13の、相補の記憶ノードにつながる端子の一方にはそれぞれローカルビット線14aを接続し、端子の他方にはそれぞれローカルビット線14bを共通に接続する。 - 特許庁
A first truth table preparing part S2 compulsorily initializes an external input pin and a memory part by combining the input pin of a CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) logical circuit cell having the memory part with the memory part.例文帳に追加
第1の真理値表作成部S2は、メモリ部を有するCMOS論理回路セルの外部入力ピンとメモリ部との組合せにより外部入力ピンとメモリ部が強制的に初期化する。 - 特許庁
A complementary FIFO section 17 stores data correlating the cell loss number detected by the loss error-in delivery processing section 12, the ATM header and the AAL header with the addresses in which the payload is stored.例文帳に追加
補完FIFO部17は損失誤配処理部12で検出されたセル損失数と、ATMヘッダ及びAALヘッダと、当該ペイロードの格納されたアドレスとを関連付けしたデータを格納する。 - 特許庁
In constitution having regular bit lines (BL, /BL) and refresh bit lines (RBL, /RBL), a memory cell MC is constituted of four transistors and two capacitors, complementary data is read out always to a pair of bit line.例文帳に追加
正規ビット線(BL,/BL)とリフレッシュビット線(RBL,/RBL)を有する構成において、メモリセルMCを、4トランジスタ/2キャパシタで構成し、対をなすビット線に、常に相補データが読出されるように構成する。 - 特許庁
A write precharge circuit 106 charges the bit line BL and the complementary bit line XBL to a voltage level below a power supply level Vdd of the SRAM memory prior to data writing to the memory cell 102.例文帳に追加
書き込みプリチャージ回路106は、メモリセル102へのデータの書き込みに先立ち、ビットラインBLおよび相補ビットラインXBLを、電源電圧Vddよりも低い電圧レベルに充電する。 - 特許庁
A ferroelectric memory having a first memory cell with a ferroelectric capacitor for storing a single logic level, a second memory cell with a pair of ferroelectric capacitors for storing complementary logic levels, and a twin sense amplifier connected to the first and second memory cells is produced.例文帳に追加
単一の論理レベルを記憶する強誘電体キャパシタを有する第1メモリセルと、相補の論理レベルを記憶する強誘電体キャパシタ対を有する第2メモリセルと、第1および第2メモリセルに接続されたツインセンスアンプとを有する強誘電体メモリが製造される。 - 特許庁
To provide a new conjugate which especially exhibits a high activity-inhibiting action against a telomerase in human leukemic cell extracts and gives a double strand hybrid between complementary DNAs in a stable state.例文帳に追加
特にヒト白血病細胞抽出液中のテロメラーゼに対し、高い活性阻害作用を示し、かつ相補的なDNAとの間の2本鎖ハイブリッドを安定した状態で与える新規なコンジュゲートを提供する。 - 特許庁
Each memory cell has a pair of inverters INV3-4, the input/output of which are connected each other, and respectively hold complementary data on the storage nodes ND1-2 output from the inverters INV3-4.例文帳に追加
各メモリセルMCは、入力と出力とが互いに接続された一対のインバータINV3−4を有し、インバータINV3−4の出力である記憶ノードND1−2に相補のデータをそれぞれ保持する。 - 特許庁
The invention provides a nucleic acid comprising an influenza gene segment and a bacteriophage polymerase promotor or a complementary strand of the nucleic acid, and a cell comprising such a nucleic acid producible of a desired influenza virus.例文帳に追加
インフルエンザ遺伝子セグメント及びバクアテリオファージポリメラーゼプロモーターを含んでなる核酸又は該核酸の相補鎖並びに所望のインフルエンザウイルスを産生することができるそのような核酸を含んでなる細胞。 - 特許庁
In a pair of complementary type bit lines BL1/BL1# connected to a selected memory cell 3a, pre-charging and equalization are performed by supplying electric power from two systems of an internal voltage drop circuit 11 and a Vcc pre-charge circuit 12.例文帳に追加
選択されたメモリセル3aに接続された相補型ビット線対BL1/BL1#は、内部降圧回路11とVccプリチャージ回路12との2系統からの電力供給によってプリチャージおよびイコライズが行われる。 - 特許庁
The method for analyzing the function of a target ncRNA includes introducing an antisense oligo-molecule containing substantially the same sequence as a sequence complementary to a single-stranded region in the secondary structure of the target ncRNA to a cell nucleus and destroying the RNA molecule.例文帳に追加
標的ncRNAの二次構造における一本鎖領域に相補的な配列と実質的に同一の配列を含むアンチセンスオリゴ分子を細胞核内に導入して、該RNA分子を破壊することを含む、標的ncRNAの機能解析方法。 - 特許庁
Complementary bit lines /BL1, /BL2 or BL1, BL2, to which a memory cell is not connected, are selected en bloc according to the bit line short circuit signals BRS0, BRS1, fixed to pre-charge voltage VPR, and sealing of a write-in noise is conducted.例文帳に追加
ビット線ショート信号BRS0、BRS1に応じてメモリセルが接続されない相補ビット線/BL1、/BL2、あるいはBL1、BL2を一括選択してプリチャージ電圧VPRに固定して書き込みノイズのシールド行う。 - 特許庁
A complementary F/F is operated automatically, if a memory cell is selected with a word line WL, and the electric charge of the source capacitors Capp and Capn connected to a source terminal is discharged to a pair of bit lines BL and /BL to conduct sense operations.例文帳に追加
メモリセルをワード線WLで選択すれば、相補型F/Fが自動的に作動し、ソース端子に接続されたソースキャパシタCapp及びCapnの電荷を1対のビット線BL、/BLに放電するセンス動作を行うことができる。 - 特許庁
To provide an easy and highly reliable method for molecular diagnosis of colon cancer, usable as a substitute for or complementary means for diagnosis of colon cancer of tissue, cell or chromosome level to use naked eyes or a microscope.例文帳に追加
肉眼又は顕微鏡を用いて行われる組織、細胞、染色体レベルでの大腸癌の診断に代わる、又は、相補的に利用することが出来る、簡便かつ信頼性の高い大腸癌の分子診断を提供する。 - 特許庁
This method for depressing the expression of the targeted gene comprises transducing an individual or a cell with a DNA which contains a sequence constituting a part or all parts of the coding zone of the targeted gene and a mutually complementary sequence on the same chain and does not contain a promoter sequence capable of functioning in an individual or cell to be transduced therewith.例文帳に追加
標的遺伝子のコーディング領域の一部又は全部を構成する配列、及び同一鎖上の互いに相補的な配列を含み、かつ導入する個体又は細胞で機能しうるプロモーター配列を含まないDNAを、個体又は細胞に導入することにより、該標的遺伝子の発現を抑制する方法。 - 特許庁
The followings are provided; an immunodeficiency virus of the HIV group, RNA of variants of the virus, or complementary DNA to the part, which virus exhibits the essential morphological and immunological properties of the retrovirus of MVP-5180/91 which has been deposited with the European Collection of Animal Cell Cultures (ECACC) under No. V 920 92 318.例文帳に追加
European Collection of Animal Cell Cultures(ECACC)にNo.V 920 92 318の番号で寄託されたMVP−5180/91なる呼称を有するレトロウイルスの本質的な形態学的および免疫学的性質を示すHIVグループの免疫不全ウイルスまたはこのウイルスの変異株のRNAまたはその部分に対し相補的であるDNA。 - 特許庁
Synthesis of a target transcript of a gene is selectively increased in a mammalian cell by contacting the cell with a polynucleotide oligomer of 12-28 bases complementary to a region within a target promoter of the gene under conditions whereby the oligomer selectively increases synthesis of the target transcript.例文帳に追加
オリゴマーが標的転写物の合成を選択的に増加する条件下で、遺伝子の標的プロモーター内の領域に相補的な12から28塩基のポリヌクレオチドオリゴマーと細胞を接触させることによって、遺伝子の標的転写物の合成が、哺乳動物細胞中において選択的に増加される。 - 特許庁
For example, in the hue circle 24 hues of the practical color co-ordinate system PCCS, the color of the solar cell 4 in bluish blue (21 in the hue circle: bP) is complementary with the color of the solar display plate 3 in greenish yellow (9 in the hue circle: gY).例文帳に追加
例えば、日本色研配色体系(PCCS)の色相環24色相で、ソーラーセル4(色相環の21:bP−ブルーイッシュ・ブルー、青みの紫)と補色の関係にあるソーラー表示板3(色相環の9:gY−グリーニッシュ・イエロー、緑みの黄)を配設する。 - 特許庁
A display device 1 has a display layer 5 which includes a cell 51, in which a positively charged first particle A and a negatively charged second particle B whose color has a relation of complementary color with the color of the first particle A are stored; and display surface side electrodes 321, 322 which are provided at one surface side of the display layer 5 corresponding to the cell 51.例文帳に追加
表示装置1は、正に帯電する第1の粒子Aと、第1の粒子Aの色と補色の関係にある色をなし負に帯電する第2の粒子Bとが収容されたセル51を備える表示層5と、表示層5の一方の面側に、セル51に対応して設けられた表示面側電極321、322とを有している。 - 特許庁
A write dummy bit is constituted of a first dummy line and a second dummy line corresponding to complementary bit lines of a memory array and a plurality of first dummy cells which are formed in the same form as a static type memory cell and a write current path is connected between the first dummy line and the second dummy line.例文帳に追加
メモリアレイの相補ビット線に対応した第1ダミー線と第2ダミー線と、スタティック型メモリセルと同じ形態で形成され、書き込み電流経路が上記第1ダミー線と第2ダミー線との間に接続された複数の第1ダミーセルとで書き込みダミービットを構成する。 - 特許庁
The bitline and the sense amplifier are selectively connected to a logic input circuit by the bitline pair, moreover, the bit line pair is constituted so that it connects the true bitline and the complementary bitline before wordline activation related to a cell selected for writing operation.例文帳に追加
ビットスイッチ対は、ビットラインおよび前記センス増幅器を論理入力回路に選択的に結合し、さらに、書き込み動作のために選択されたセルと関連したワードラインの活動化前に、論理入力回路を真ビットラインおよび相補ビットラインに結合するように構成されている。 - 特許庁
The upper electrode 22 of one of two memory capacitors in the complementary memory cell is covered at the end of the active region 3 on the side of first predetermined direction, and the upper electrode 22 of the other memory capacitor is covered at the end of the active region 3 on the side of second direction reverse to the first direction.例文帳に追加
相補型メモリセルが備える2つのメモリキャパシタのうち一方の上部電極22は、活性領域3における所定の第1方向側端部を覆っており、他方の上部電極22は、活性領域3における第1方向とは逆の第2方向側端部を覆う。 - 特許庁
A non-complementary comparator includes an evaluation element such as a memory cell, a differential amplifier or another type of circuit capable adapted to perform an evaluation function, and at least first and second input legs each coupled to a corresponding one of a first and second node of the evaluation element.例文帳に追加
非相補比較器は、メモリセル、差動アンプまたは評価機能を行なうのに適した他のタイプの回路等の評価エレメントと、評価エレメントの第1および第2のノードのうちの対応するノードに各々接続された少なくとも第1および第2の入力枝とを含む。 - 特許庁
The non-complementary comparator includes an evaluation element such as a memory cell, a differential amplifier, or another type of circuit capable adapted to perform an evaluation function, and at least first and second input legs each coupled to a corresponding one of a first and second node of the evaluation element.例文帳に追加
非相補比較器は、メモリセル、差動アンプまたは評価機能を行なうのに適した他のタイプの回路等の評価エレメントと、評価エレメントの第1および第2のノードのうちの対応するノードに各々接続された少なくとも第1および第2の入力枝とを含む。 - 特許庁
To the complementary color display cell 11, a switching circuit is connected which alternates the output (0 to 3V) of the DA converter with two kinds of fixed voltages (3.8V, 5V), and the fixed voltage of 3.8V for red display or the fixed voltage of 5V for blue display is selected and connected instead of the output of the DA converter.例文帳に追加
補色表示セル11には、DAコンバータの出力(0〜3V)と2種類の一定電圧(3.8V、5V)とを切り替える切替回路が接続されており、赤色表示のときは3.8Vの一定電圧、青色表示のときは5Vの一定電圧が、それぞれDAコンバータの出力の代わりに選択して接続される。 - 特許庁
The electrophoretic display device includes first, second and third cells 6 (#1 to #3), wherein each cell includes a first color substance (5A) corresponding to a mutually differing one of three primary colors in additive color mixing or subtractive color mixing (R, G and B or Cy, Ma and Ye), and a second color substance (5B) in a relationship of complementary colors with the first color substance.例文帳に追加
第1、第2及び第3のセル6(#1〜#3)のそれぞれは、加法混色又は減法混色の3原色(R,G及びB、又は、Cy,Ma及びYe)のうちの異なる1色に対応する第1の色物質(5A)と、当該第1の色物質(5A)と補色関係にある第2の色物質(5B)とを有する。 - 特許庁
A memory cell MC selected from among a plurality of memory cells MC according to an address signal is connected to, for example in a test mode, one of complementary input nodes of a sense amplifier SA via an n-type MOSFET 10a for controlling a read voltage whose gate terminal is applied with a voltage VCLMP.例文帳に追加
たとえば、テストモードにおいて、センスアンプSAの相補の入力ノードの一方には、ゲート端子に電圧VCLMPが印加される読み出し電圧制御用のn型MOSFET10aを介して、アドレス信号に応じて複数のメモリセルMCの内から選択される1つのメモリセルMCが接続される。 - 特許庁
The disease marker for a disease followed by enlargement of fat cell comprises an antibody for recognizing protein having a polynucleotide with at least continuous 15 bases and/or a polynucleotide complementary to the polynucleotide in a base sequence described in any of sequence numbers 1-25 or an antibody recognizing protein having an amino acid sequence described in any of sequence numbers 26-50.例文帳に追加
配列番号:1〜25のいずれかに記載の塩基配列において、連続する少なくとも15塩基を有するポリヌクレオチド及び/又は該ポリヌクレオチドに相補的なポリヌクレオチド、並びに配列番号:26〜50のいずれかに記載のアミノ酸配列を有するタンパク質を認識する抗体等からなる、脂肪細胞の肥大化を伴う疾患の疾患マーカー等。 - 特許庁
At the time of operation of writing data in a memory cell, a data transition detecting circuit 40 detects variation of a level of input data Din, when a level of the input data Din is varied, an equalizing circuit 41 equalizes data bus lines 38-1, 38-2, after that complementary data corresponding to input data are transferred to the data bus line.例文帳に追加
メモリセルへのデータの書き込み動作時に、データ遷移検出回路40で入力データDinのレベル変化を検出し、入力データDinのレベルが変化した時にイコライズ回路41でデータバス線38−1,38−2をイコライズし、その後、データバス線に入力データに対応する相補データを転送することを特徴としている。 - 特許庁
According to the memory cell layout, by arranging a pair of bit lines in a direction parallel to the well boundary surface, that is, in a minor axis direction, the lengths of the bit lines are shortened, and further, by arranging a conductive line having a fixed potential between the bit line and the complementary bit line, interference phenomenon caused between the pair of the bit lines can be prevented.例文帳に追加
本発明のメモリセルレイアウトによれば、ビットライン対をウェル境界面と平行した方向、すなわち短軸方向に配置することによってビットラインの長さが縮められ、併せてビットライン及び相補ビットライン間に固定された電位を有する導電ラインを配置することによってビットライン対間で発生する干渉現象が防止できる。 - 特許庁
The siRNA of human Arf6 which comprises a sense chain composed of 21-23 nucleotides derived from the nucleotide sequence of the translation region of mRNA of human Arf6 and an antisense chain composed of nucleosides complementary to the nucleotides, in which both the chains are bonded to UN sequences at 3' ends, respectively and which inhibits movement and invasion of cancer cell is administered to a cancer patient.例文帳に追加
ヒトArf6のmRNAの翻訳領域のヌクレオチド配列に由来する21〜23のヌクレオチドよりなるセンス鎖、およびこれに相補的なヌクレオチドよりなるアンチセンス鎖よりなり、両鎖はそれぞれの3’末端にUU配列を結合する、癌細胞の運動と浸潤を阻害するヒトArf6のsiRNAを癌患者に投与する。 - 特許庁
To obtain a cerebral cell-protecting composition which can inhibit the generation of active oxygen and a peroxide, can help the supply of constituents for damaged or damaging cerebral cells to produce neurocyte-growth factors, and thereby enables that ingredients having reducing effects on the loss of the cerebral cells exhibit a synergism or a complementary action.例文帳に追加
活性酸素や過酸化物の発生をおさえ、損傷又は損傷が進行中の脳細胞の構成成分を供給し神経細胞成長因子の発生を助けることで、脳細胞の損失を減らす効果を持つ成分がお互いに相乗作用又は相互補完作用をすることのできる、脳細胞保護のための組成物を提供する。 - 特許庁
A SRAM memory cell is constituted by complementary connection of an inverter INV1 constituted of a NMOS transistor NM1 and a PMOS transistor PM1 and an inverter INV2 constituted of a NMOS transistor NM2 and a PMOS transistor PM2, A gate of the NMOS transistor N2 and a gate of the NMOS transistor N2 are connected to storage nodes NA and NB respectively.例文帳に追加
NMOSトランジスタNM1とPMOSトランジスタPM1により構成されるインバータINV1と、NMOSトランジスタNM2とPMOSトランジスタPM2により構成されるインバータINV2との相補接続によって、SRAMのメモリセルが構成され、記憶ノードNAおよびNBにそれぞれNMOSトランジスタN1のゲートとNMOSトランジスタN2のゲートを接続する。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a scrambler configured to output a control signal enabled when an address is an address for accessing a memory cell of a complementary bit line, a write selector configured to selectively transmit data of a write path in response to the control signal, and a read selector configured to selectively transmit data of a read path in response to the control signal.例文帳に追加
本発明に係る半導体メモリ装置は、アドレスが相補ビットラインのメモリセルにアクセスしようとするアドレスである場合、イネーブルされる制御信号を出力するスクランブル部と、前記制御信号に応じて書き込み経路のデータを選択的に伝送する書き込み選択部と、前記制御信号に応じて読み取り経路のデータを選択的に伝送する読み取り選択部とを備える。 - 特許庁
The foreign protein containing reduced amount of the fucose-bound sugar chain is produced by culturing a CHO-derived cell having a double-stranded RNA introduced thereto and comprising an oligonucleotide containing a base sequence of at least 20 continuous bases in the base sequence of the gene encoding a CHO-derived α(1,6)-fucose transferase, and a complementary chain thereof, and capable of producing the foreign protein.例文帳に追加
CHO由来α1,6フコース転移酵素をコードする遺伝子の塩基配列のうち、連続する少なくとも20塩基の塩基配列を含むオリゴヌクレオチドおよびその相補鎖からなる二本鎖RNAを導入した異種蛋白質産生可能なCHO由来の細胞を培養することにより、フコース結合糖鎖量が抑制された異種蛋白質を産生する。 - 特許庁
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