「concentration boundary-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To improve the accuracy in measurement of impurity concentration distribution by accurately indicating the boundary surface between an impurity layer and a semiconductor layer.例文帳に追加

不純物層と半導体層との境界面を正確に示すことにより、不純物濃度分布の測定精度を向上させる。 - 特許庁

The concentration gradient (a) of impurities is set to the lebel between 1E18 and 1E19 in a boundary between an n^--layer 12 and a p^+-layer 13.例文帳に追加

Ｎ^−層１２とＰ^＋層１３との境界面において、不純物の濃度勾配ａを、１Ｅ１８から１Ｅ１９の範囲にしている。 - 特許庁

Thereafter, a boundary section 5b of the surface channel layer 5, which is the border with a gate oxide film 7, is formed of an epitaxial layer having a relatively low impurity concentration.例文帳に追加

その後、表面チャネル層５のうち、ゲート酸化膜７との境界部５ｂを比較的低い不純物濃度のエピ層で形成する。 - 特許庁

The storage layer 17 is composed of Co-Fe-B and has a B concentration lower in the vicinity of a boundary face with the insulation layer 16 and the B concentration increases with distance from the insulation layer 16.例文帳に追加

記憶層はＣｏ−Ｆｅ−Ｂで構成されるものであって、かつ絶縁層との界面付近でＢ濃度が低く、絶縁層から遠ざかるに従ってＢ濃度が増大している構成とする。 - 特許庁

In the base layer 3, a p^+ layer 12, whose p-type impurity concentration is higher than an average value of the p-type impurity concentration of the base layer 3 and is smaller in thickness than the base layer is formed adjacent to the boundary between the base layer 3 and p-type polysilicon layer 8.例文帳に追加

ベース層３において、ベース層３とｐ型ポリシリコン層８との界面近傍には、ｐ型不純物濃度がベース層３のｐ型不純物濃度の平均値より高く、厚さがベース層の厚さに比して極めて薄いｐ^+層１２が形成されている。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

The power supply pattern of a power supply plane layer 10 and the ground pattern of a ground plane layer are shifted on the same projection surface, thus avoiding the concentration of thermal stress at a boundary 11 of the power supply plane layer 10 and a boundary 21 of the ground plane layer.例文帳に追加

電源プレーン層１０の電源パターンとグランドプレーン層のグランドパターンとを同一投影面上でずらし、電源プレーン層１０の境界部１１とグランドプレーン層の境界部２１とに熱応力が集中するのを抑制した。 - 特許庁

To prevent the boundary between a rubber layer and a reinforcing plate from being damaged by avoiding stress concentration in the boundary area in which the rubber material and reinforcing plate of a laminated rubber bearing body get into contact with an elastoplastic metallic material.例文帳に追加

積層ゴム支承体のゴム材料と補強板とが弾塑性金属材料と接する境界部分における応力集中を回避し、ゴム層と補強板境界部の損傷を防止する。 - 特許庁

Forming the recessed part 20 by reactive etching so as to extend across the oxide film 3 to the interior of the active layer 4, less causes three-dimensional stress concentration to occur on a boundary face between the oxide film and the active layer, less causing cracks, etc. to occur in the boundary face between the oxide film and the active layer.例文帳に追加

凹部２０を、反応性エッチングにより酸化膜３を越えて活性層４の内部まで延長して形成することにより、酸化膜／活性層界面で３次元的な応力集中が起こり難くなり、酸化膜／活性層界面にクラック等が入り難くなる。 - 特許庁

A barrier region 13 is disposed in an area below the gate region 17 in a boundary region of the channel layer 12 and the buffer layer 11, and contains p-type impurities at a higher concentration than the concentration of the p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 - 特許庁

High density and high oxygen concentrated water having density and oxygen concentration higher than poor oxygenated sea water of a bottom contact boundary layer located right above the bottom 24 in the bottom layer 3 is used.例文帳に追加

底層３の中でも水底４の直上に位置する接底境界層の貧酸素化した海水よりも高密度および高酸素濃度の高密度高酸素濃度水を用いる。 - 特許庁

To provide a novel FeRAM capacitor cell capable of suppressing the concentration of an electric field in the boundary part of a ferroelectric layer and an upper electrode layer effectively, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

強誘電体層と上部電極層との境界部における電界の集中を効果的に抑制できる新規なＦｅＲＡＭキャパシタセル及びその製造方法等の提供。 - 特許庁

To provide a method for depositing a tungsten film in which resistivity is reduced, the concentration of fluorine in the boundary part of a substrate with a barrier layer is reduced, and adhesion with the barrier layer can be improved.例文帳に追加

抵抗率を小さくし、下地のバリヤ層との境界部分のフッ素濃度を低減し、バリヤ層との密着性を向上させることができるタングステン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulation film 22 and a gate electrode 24 are provided oppositely to the channel area 12 with the gate insulation film 22 as a boundary, on the surface of the channel area 12, the source area 14, the drain area 16, the high-concentration impurity diffused layer 18 and the high-concentration impurity diffused layer 20.例文帳に追加

さらに、チャネル領域１２、ソース領域１４、ドレイン領域１６、高濃度不純物拡散層１８、及び高濃度不純物拡散層２０の表面上には、ゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２を境界として、チャネル領域１２と反対側にゲート電極２４とを有する。 - 特許庁

Accordingly, a depletion layer formed by the channel layer 37 in a drift layer 33 and a depletion layer formed by the resurf region 52 in the drift layer 33 are smoothly linked at around a boundary between the IGBT cell 10 and the diode cell 20 thereby easing electric field concentration at around the boundary to ensure the breakdown voltage of the semiconductor device.例文帳に追加

これにより、チャネル層３７によってドリフト層３３に形成される空乏層とリサーフ領域５２によってドリフト層３３に形成される空乏層とがＩＧＢＴセル１０とダイオードセル２０との境界付近で滑らかに接続されるので、当該境界付近における電界集中を緩和することができ、半導体装置の耐圧を確保することができる。 - 特許庁

Further, in the boundary 24 between the thermal stress relaxing layer 22 and the heat shielding layer 23 and the vicinity thereof, from the thermal stress relaxing layer 22 toward the heat shielding layer 23, the concentration of zirconium oxide forming the thermal stress relaxing layer 22 is continuously reduced, and further, the concentration of hafnium oxide forming the heat shielding layer 23 is continuously increased.例文帳に追加

また、熱応力緩和層２２と遮熱層２３との境界部２４とその近傍において、熱応力緩和層２２から遮熱層２３に向かって、熱応力緩和層２２を形成する酸化ジルコニウムの濃度が連続的に減少するとともに、遮熱層２３を形成する酸化ハフニウムの濃度が連続的に増加する。 - 特許庁

Nitrogen is introduced into a surface on a side opposing to the channel region of the gate electrode layer 7 and the gate insulating layer 5, so that nitrogen distribution has a concentration peak at a boundary of the gate electrode layer 7 and the gate insulating layer 5, and has the highest concentration at the part touching the gate insulating layer 5 in the gate electrode layer 7.例文帳に追加

窒素濃度分布がゲート電極層７とゲート絶縁層５との境界において濃度ピークを有するように、かつゲート電極層７内においてはゲート絶縁層５に接する部分において最も高い濃度を有するように、ゲート電極層７のチャネル領域と対向する側の表面とゲート絶縁層５とには窒素が導入されている。 - 特許庁

Further, in the boundary 24 between the thermal stress relaxing layer 22 and the heat shielding layer 23 and in the vicinity thereof, the concentration of zirconium oxide forming the layer 22 is continuously reduced from the layer 22 toward the layer 23, and at the same time, the concentration of hafnium oxide forming the layer 23 is continuously increased.例文帳に追加

また、熱応力緩和層２２と遮熱層２３との境界部２４とその近傍において、熱応力緩和層２２から遮熱層２３に向かって、熱応力緩和層２２を形成する酸化ジルコニウムの濃度が連続的に減少するとともに、遮熱層２３を形成する酸化ハフニウムの濃度が連続的に増加する。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

In this rolling element coated with a solid lubrication film formed of a molybdenum disulfide sputter film, the solid lubrication film 3 is divided into two layers: a boundary layer 3A corresponding to the interface with a roller 2 and an upper layer 3B, the boundary layer 3A contains 5 to 30% oxygen, and the upper layer 3B contains 3% or less oxygen by atomic concentration.例文帳に追加

二硫化モリブデンスパッタ膜からなる固体潤滑膜を被覆した転動要素において、固体潤滑膜３はローラ２との界面に相当する境界層３Ａと上層３Ｂの２層に分かれており、該境界層３Ａには酸素が５〜３０％含まれており、該上層３Ｂには酸素が原子濃度で３％以下含まれている構成となっている。 - 特許庁

Since hydrogen atoms existing near a boundary between the p-type clad layer and the hydrogen occlusion layer are adsorbed by the hydrogen occlusion layer, the carrier concentration in the p-type clad layer is increased and a low resistance ohmic contact is formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層において、ｐ型クラッド層と水素吸蔵層との界面付近にある水素原子が水素吸蔵層によって吸着されるため、ｐ型クラッド層におけるキャリア濃度が高まって、低抵抗オーミック・コンタクトが形成される。 - 特許庁

In a region that includes the boundary between the cell portion and the termination portion and includes three or more pillar layers among the n pillar layer 3, the p pillar layer 4, the n pillar layers 21, and the p-pillar layers 22 that are arranged in a row, the impurity concentration of each pillar layer is lower as approaching the pillar layer arranged at the termination portion side.例文帳に追加

セル部と終端部との境界を含み、ｎピラー層３、ｐピラー層４、ｎピラー層２１、ｐピラー層２２のうち、連続して配列された３層以上のピラー層を含む領域において、各ピラー層の不純物濃度は、終端部側に配置されたピラー層ほど低い。 - 特許庁

To obtain electrolytically polished surface of a copper plating film exhibiting excellent surface smoothness by eliminating current concentration due to an additive (especially, brightener) remaining or deposited with high concentration at a crystal grain boundary triple point or a wiring trench part on the surface layer of the copper plating film and further suppressing an elution.例文帳に追加

銅めっき膜表層の結晶粒界三重点や配線用の溝部分に高濃度に残存・析出した添加剤（特にブライトナ）に起因する電流集中を解消して先行溶出や異常溶出を抑え、表面平滑性に優れた銅めっき膜の電解研磨表面を得る。 - 特許庁

An adjustment region 10 having a short life time is formed in a region that is across an electrode edge when a source electrode 4 is projected into a semiconductor substrate 1 and includes a boundary section 6 between a high-concentration p-type well region 20 positioned in the depth direction of the substrate and a low-concentration semiconductor layer.例文帳に追加

ライフタイムの短い調整領域１０を、ソース電極４を半導体基板１内へ投影させた場合の電極端部を跨いだ領域で、かつ、基板深さ方向に位置する高濃度のｐ型ウェル領域２０と低濃度の半導体層との境界部６を含む領域に形成する。 - 特許庁

In the tinned strip using a copper-based alloy comprising, by mass, 1.0 to 4.5% Ni and 0.2 to 1.0% Si, and the balance Cu with inevitable impurities as a base metal, the concentration of S and the concentration of C in the boundary face between the plating layer and the base metal are controlled to ≤0.05%.例文帳に追加

１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＳ濃度及びＣ濃度を０．０５質量％以下に調整する。 - 特許庁

To provide a horizontal pickling device capable of suppressing the degradation of pickling ability by decreasing the integral of a boundary layer thickness in the horizontal pickling device and securing the optimum acid concentration or the optimum pickling liquid temp.例文帳に追加

横型酸洗装置の境界層厚さの積分値を小さく、最適な酸濃度または最適な酸液温度を確保し、酸洗能力の低下を抑制できる横型酸洗装置を提供する。 - 特許庁

In the Cu-Zn based alloy tin-plated strip using a copper based alloy comprising, by mass, 15 to 40% Zn as a base metal, the concentration of C in the boundary face between a plated layer and the base metal is controlled to ≤0.10%.例文帳に追加

１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｚｎ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

The high density and high oxygen concentrated water 13 taking sea water and produced by a density rising device 1 and dissolution of air or oxygen or a mixing device 2 is supplied to the inside of the bottom contact boundary layer from an outlet 5 through a piping 6, and a high oxygenated water layer having specific high oxygen concentration is formed inside of the bottom contact boundary layer.例文帳に追加

海水を取水し密度上昇装置１および空気または酸素の溶解または混入装置２によって作成した高密度高酸素濃度水１３を配管６を通じて流出口５から接底境界層内に供給し、接底境界層内に所定の高酸素濃度を有する高酸素水層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical fiber preform by which the concentration of hydroxy group in the vicinity of the boundary between a core rod and a clad layer of the optical fiber preform and in the clad layer is reduced to be regarded as zero and an apparatus for manufacturing the optical fiber preform.例文帳に追加

光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍、および、クラッド層における水酸基の濃度をほぼ零とみなせる程度に低減する光ファイバ母材の製造方法、および、光ファイバ母材の製造装置を提供する。 - 特許庁

The surface channel layer 5 is formed so that the doping concentration of nitrogen is 1×1015 cm-3 or less, so that silicon carbide interposed in the gate oxide film 7 or on a boundary face between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5 can be reduced, even if the gate oxide film 7 is formed by gate oxidization.例文帳に追加

このように、窒素のドーピング濃度が１×１０^15ｃｍ^-3以下で表面チャネル層５を形成すれば、ゲート酸化によってゲート酸化膜７を形成してもゲート酸化膜７中又はゲート酸化膜７と表面チャネル層５の界面に介在する窒化珪素が極めて少ない状態となる。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film transistor having improved characteristics and uniformity is achieved, by uniformly controlling low concentration of crystallization catalyst and controlling crystallization position so that no seed exists and no grain boundary exists, or one grain boundary exists in a channel layer of the thin-film transistor.例文帳に追加

結晶化触媒の均一な低濃度制御及び結晶化位置を調節することによって、薄膜トランジスタのチャンネル層内にシード及び結晶粒境界が存在しないようにしたり、結晶粒境界が一つ存在するように調節して素子特性及び均一度が良い薄膜トランジスタ及びその製造方法。 - 特許庁

Then, on the boundary of the n-drift layer 11 corresponding to a second electrode 24a-2 crossing a first electrode 24a-1 of the gate electrode 24a, a p-layer 14B connected to the p-base layer 12a and having a lower impurity concentration than the p-base layer 12a has is formed.例文帳に追加

そして、このゲート電極２４ａの、第１の電極部２４ａ−１にそれぞれ交差する第２の電極部２４ａ−２に対応する上記ｎ−ドリフト層１１の界面に、上記ｐベース層１２ａに接続させて、上記ｐベース層１２ａよりも低い不純物濃度を有するｐ層１４Ｂを形成してなる構成とされている。 - 特許庁

An SOI substrate 10, on which a handle wafer 11 composed of Si, a BOX 12 composed of SiO2, and a device wafer 13 composed of Si are stacked, is provided with a nitride layer 12a whose nitrogen peak concentration exists in the vicinity of the boundary face of the BOX 12 with the device wafer 13.例文帳に追加

Ｓｉからなるハンドルウエハ１１、ＳｉＯ２からなるＢＯＸ１２、Ｓｉからなるデバイスウエハ１３が積層されたＳＯＩ基板１０の、ＢＯＸ１２のデバイスウエハ１３界面近傍に窒素濃度ピークのある窒化層１２ａを設けた。 - 特許庁

The impurity concentration in the embedded region 31 is made higher than those in the substrate region 11 and first drain region 12 and the extent of a depletion layer to the first drain region 12 side is restricted to the boundary between the embedded region 31 and first drain region 12 or its vicinity.例文帳に追加

埋め込み領域３１の不純物濃度をサブストレート領域１１及び第１のドレイン領域１２よりも高くし、第１のドレイン領域１２側への空乏層の広がりを埋め込み領域３１と第１のドレイン領域１２との境界又はこの近くに制限する。 - 特許庁

By reducing the oxygen concentration at the boundary part, the metal ions and oxygen are reacted to form oxide, and by this oxide, it is suppressed that adhesion strength with the current collector is reduced or that the active material layer is fractured inside with the oxide as a starting point.例文帳に追加

境界部の酸素濃度を低減することで、金属イオンと酸素が反応して酸化物が生成され、この酸化物により、集電体との密着強度が低下したり、酸化物を起点として活物質層が内部破断することを抑制する。 - 特許庁

The molten-metal-resistant member comprises a silicon nitride-based sintered material having crystals of the silicon nitride and a grain boundary layer containing at least one of a metal element of ≥1,000°C in melting point, wherein the concentration of the metal silicide on the surface of the silicon nitride-based sintered material is made lower than that of the interior thereof.例文帳に追加

窒化珪素の結晶と、融点が１０００℃以上のうち少なくとも１つの金属元素からなる金属珪化物を含む粒界層とを有した窒化珪素質焼結体からなる耐溶融金属用部材であって、前記窒化珪素質焼結体の表面における金属珪化物の濃度が内部より低くする。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

In the tinned strip of Cu-Sn-P-based alloy comprising, as a base material, a Cu-based alloy containing Sn in an amount of 1-12 mass% and P in an amount of 0.01-0.35 mass%, the C-concentration in the boundary face between a plated layer and the base material is adjusted to be ≤0.10 mass%.例文帳に追加

１〜１２質量％のＳｎ及び０．０１〜０．３５質量％のＰを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

Next, a reflection electronic image of the observation face is generated (S10), and by adjusting that contrast of the reflection electronic image, the boundary line of the ion concentration change layer formed on a part facing the joining face on the glass is visualized on the reflection electron image (S20).例文帳に追加

次いで、観察面の反射電子像を生成し（Ｓ１０）、当該反射電子像のコントラストを調節することにより、ガラスのうち接合面に面する部分に形成されたイオン濃度変化層の境界線を、反射電子像において可視化する（Ｓ２０）。 - 特許庁

The current blocking layer 16 includes a conductive portion 16A, a high-resistance portion 16B which is an oxidized layer formed around the conductive portion 16A, and a high impurity concentration region 19 which is formed in a boundary region between the conductive portion 16A and the high-resistance portion 16B and is more heavily doped with impurities than the other regions.例文帳に追加

電流狭窄層１６は、導電性部１６Ａと、導電性部１６Ａの周囲に形成された酸化層である高抵抗部１６Ｂと、導電性部１６Ａと高抵抗部１６Ｂとの界面領域に形成され、他の領域と比べて不純物が高濃度に導入された高濃度不純物領域１９とを有している。 - 特許庁

In the photoelectric converting device 1, there are laminated on a conductive substrate to be an one-side electrode 31, a porous semiconductor layer 24 comprising a sintered body formed out of one-conductivity type granular semiconductors 10 via grain-boundary junction layers 32 each of which has a higher impurity concentration than the granular semiconductor 10, and an opposite-conductivity type semiconductor layer 11 wherewith an other-side electrode 16 is connected.例文帳に追加

光電変換装置１は、一方の電極３１となる導電性基板上に、一導電型の粒状半導体１０が粒状半導体１０よりも不純物濃度が高い粒界接合層３２を介した焼結体からなる多孔質半導体層２４及び逆導電型の半導体層１１が積層されており、半導体層１１に他方の電極１６が接続されている。 - 特許庁