「corner gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The base seat 15 and the injection gate 45 has a bell shape having a corner part.例文帳に追加

台座１５及び射出ゲート４５は、角部を有する釣鐘形状である。 - 特許庁

To restrain an electric field concentration at a corner of a channel in a multi-gate MIS transistor.例文帳に追加

マルチゲートＭＩＳトランジスタにおいて、チャネルの角部での電界集中を抑制する。 - 特許庁

The station building and ticket gate are aboveground, located at the southwest corner of the intersection of Nishioji Shijo. 例文帳に追加

駅舎、改札口は地上の西大路四条交差点の南西角に設けられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In order to prevent a gate wiring and a protective diode from forming a continuous closed loop shape, open parts are respectively disposed at corner parts of the gate wiring and at an adjacent part between the gate wiring and the protective diode.例文帳に追加

ゲート配線と保護ダイオードが連続した閉ループ状とならないように、ゲート配線のコーナー部と、ゲート配線および保護ダイオードの隣接部分に開放部を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode structure that can control a corner rounding phenomenon.例文帳に追加

コーナーラウンディング現象を抑制できるゲート電極構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask with which the recess of line ends of gate patterns and the influence of corner rounding are suppressed.例文帳に追加

ゲートパターンのライン端後退やコーナラウンディングの影響を抑制したフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The p-type region A is formed so as to cover the base corner of a gate polycrystalline silicon layer 8.例文帳に追加

また、ｐ型領域４はゲート用多結晶シリコン層８の底部角を覆うように形成する。 - 特許庁

The common driving circuit 4 is so arranged as to be adjacent to the corner opposite to the corner where the gate driver circuit 3 is arranged, to be as close to the pad as possible, and to have the approximately same width as that of the area of the gate driver circuit 3.例文帳に追加

コモン駆動回路４はゲートドライバ回路３が配置されている反対側の端に隣接し、できるだけパッド近くに、ゲートドライバ回路３の領域と同じ幅程度になるように配置する。 - 特許庁

A resist pattern 12 for forming an over gate part is formed to have an angle of 90° or above at the forward end corner part of a gate electrode.例文帳に追加

オーバーゲート部を形成するためのレジストパターン１２の形状をゲート電極の先端角部において、９０度以上の角度で形成する。 - 特許庁

The rounding of the corner sections 12A and 12B suppresses the occurrence of crystal defects and improves the gate withstand voltage by dispersing the gate electric field.例文帳に追加

また、角部１２Ａ，１２Ｂの丸みにより、結晶欠陥が発生しにくくなると共に、ゲート電界が分散されてゲート耐圧が向上する。 - 特許庁

The thickness of film of the gate oxide film 6 located under the corner 10 of the control electrode 8 is thicker than that of the gate oxide film 6 located under the central part 9 of the gate electrode 8.例文帳に追加

制御電極８のコーナー部分１０の下に位置するゲート酸化膜６の膜厚は、ゲート電極８の中央部分９の下に位置するゲート酸化膜６の膜厚に比して厚い。 - 特許庁

To relax an electric field applied to a tunnel insulating film formed nearby a corner part of a control gate electrode.例文帳に追加

制御ゲート電極の角部近傍に形成されたトンネル絶縁膜に掛かる電界を緩和する。 - 特許庁

Namely, the length of the gate trench 21 is changed according to the curvature of the corner of the termination trench 62.例文帳に追加

すなわち，終端トレンチ６２の角部の曲率に合わせてゲートトレンチ２１の長さを変更している。 - 特許庁

Thus, the generation of any crystal defect at the corner parts of the gate trenches at the terminal parts can be prevented.例文帳に追加

これによって、終端部のゲートトレンチのコーナー部に結晶欠陥が発生するのを防止できる。 - 特許庁

The protective diffusion region prevents impact ionization and resultant carrier generation in the vicinity of a corner of a gate trench and prevents damage of a gate oxide layer.例文帳に追加

保護拡散部は衝撃イオン化及びその結果生じるゲートトレンチの角部付近におけるキャリアの発生を防ぎ、ゲート酸化物層の損傷を防ぐ。 - 特許庁

It is said that according to the physiognomy of a house, Ote-mon (main gate) should be located to the south-east of the center of the castle (honmaru or goten), and a corner located to the north-east (direction of demon's gate) of the center of the castle should be removed by carrying out Sumikaki (corner cutting) in order to avoid the influence of the demon. 例文帳に追加

本丸の中心、若しくは、御殿の中心を中央として、大手門を南東に、鬼門となる北東には角を立てずに鬼門除けとなる隅欠きをするとよいといわれていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In such a case, the insulation pattern 66 makes contact not only with a bottom edge of a floating gate but also with a sidewall of the floating gate, and a corner part of the floating gate is surrounded with the insulation layer.例文帳に追加

本発明で前記絶縁膜パターンは前記浮遊ゲートの下部面縁部だけではなく前記浮遊ゲートの側壁にも接触されて浮遊ゲートの角部分が絶縁膜で囲まれることが特徴である。 - 特許庁

The plurality of metal molds for which a gate for injecting a mold resin is formed at a position corresponding to at least one of four corner parts of an IC package are prepared in advance, and the metal mold for which the gate is formed at a position corresponding to the corner part other than the corner part of the highest wire density in the respective peripheries of the four corner parts is selected.例文帳に追加

ＩＣパッケージの４つの角部のうち少なくとも１つの角部に対応する位置にモールド樹脂を注入するためのゲートが形成された金型を複数予め準備しておき、４つの角部のうち各周囲におけるワイヤ密度が最も高い角部以外の角部に対応する位置にゲートが形成された金型を選択する。 - 特許庁

To suppress the roll-off of a threshold voltage caused by a short channel effect while suppressing an increase in the resistance of a channel at a gate corner even if a gate length is shrunk.例文帳に追加

ゲート長が微細化された場合でも、ショートチャネル効果によるしきい値電圧のロールオフの抑制と、ゲートコーナー部におけるチャネルの高抵抗化の抑制とを両立させる。 - 特許庁

A field effect transistor having an MOSFET gate 'corner part' of decreased dopant concentration improves the breakdown strength at the edge.例文帳に追加

ドーパント濃度が低下したＭＯＳＦＥＴゲート"角部"を有する電界効果トランジスタは、縁部電圧耐性を改善する。 - 特許庁

The valve gate electrode VG1 is an electrode for preventing the transfer of charges between the output register and the corner register.例文帳に追加

バルブゲート電極ＶＧ１は、出力レジスタとコーナーレジスタとの間での電荷の転送を妨げるための電極である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has an extended insulation region 241 with a larger width than a gate insulation film 24 between the gate insulation film 24 and an insulating layer 23 (namely, in the corner perimeter of the lower side of a gate electrode 22).例文帳に追加

半導体装置１００は，ゲート絶縁膜２４と絶縁層２３との間（すなわち，ゲート電極２２の下側の角部周辺）に，ゲート絶縁膜２４よりも幅が大きい拡張絶縁領域２４１を有している。 - 特許庁

A gate oxide film 6 located between the substrate and the gate electrode 3 is set partly as thin as 4 nm at the bottom corner of the groove where the gate electrode 3 is embedded and set as thick as 7 nm at the rest.例文帳に追加

基板とゲート電極３の間に位置するゲート酸化膜６は、ゲート電極３が埋め込まれた溝の底部のコーナー部分のみが部分的に薄く４ｎｍであり、それ以外の部分は厚さ７ｎｍである。 - 特許庁

A drain electrode 18 has a triangular tip corner 18P, and the tip corner 18P is superimposed on the end part of a drain layer 11D via a gate insulating film 13.例文帳に追加

ドレイン電極１８は三角形状の先端角部１８Ｐを有しており、この先端角部１８Ｐは、ドレイン層１１Ｄの端部とゲート絶縁膜１３を介して重畳している。 - 特許庁

Thus, in the extracting section 16S of the gate electrode 16, since a long distance is secured between the gate electrode 16 and the corner section 12C of the N-type semiconductor layer 12, the occurrence of the gate leak current is prevented and the gate capacitance can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１６の引き出し部１６Ｓにおいてゲート電極１６とＮ−型半導体層１２の角部１２Ｃとの距離が長く確保されるため、ゲートリーク電流の発生が防止されると共に、ゲート容量を低減することができる。 - 特許庁

When a two-layer transfer gate electrode is formed, a preliminary gate electrode 104 is formed on a gate insulating film composed of polysilicon, a polysilicon film 105 is formed on the preliminary gate electrode 104, and then a first gate electrode having a large curvature of radius at an upper corner is formed by etching.例文帳に追加

２層転送ゲート電極を形成するに際して、先ず、多結晶シリコンからなるゲート絶縁膜上に予備ゲート電極１０４を形成し、更に、当該予備ゲート電極１０４上に多結晶シリコン膜１０５を形成、エッチングすることによって、上側角部の曲率半径が大きい第１ゲート電極を形成する。 - 特許庁

An edge portion of a source layer 5 of the DMOS transistor is disposed so as to recede from an inner corner portion 7A of a gate electrode 7.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタのソース層５の端部は、ゲート電極７の内側のコーナー部７Ａから後退して配置されている。 - 特許庁

Therefore, the bottom of the gate electrode 22 forms a shape where the corner part is inclined along with the outline of the extended insulation layer 241.例文帳に追加

そのため，ゲート電極２２の底部は，拡張絶縁層２４１の外形に沿って角部が傾斜した形状をなしている。 - 特許庁

This field effect transistor has a drain region 14, a polysilicon gate 16, an STI region 18, polysilicon gate conductor 20, a dielectric layer 22, a corner edge oxide film 24 and an MOSFET spacer 26.例文帳に追加

ドレイン領域１４、ポリシリコンゲート１６、ＳＴＩ領域１８、ポリシリコン・ゲート導体２０、誘電体層２２、コーナー・エッジ酸化膜２４、そしてＭＯＳＦＥＴスペーサ２６を有するＭＯＳＦＥＴ。 - 特許庁

To realize a trench gate type semiconductor device, in which contact resistances of a gate lead-out portion 28 and a wiring layer 22 are rather small and dielectric breakdown hardly occurs at the upper corner area of trench 70.例文帳に追加

ゲート引出し部２８と配線層２２の接触抵抗が小さく、トレンチ上側コーナー部７０での絶縁破壊が生じにくいトレンチゲート型半導体装置を実現する。 - 特許庁

When a right-angled portion is formed at a corner of the cell region of a trench gate (i.e., an end region of a trench gate), the right-angled portion is connected by a curved trench gate having a curvature radius as large as possible so that the right-angled portion can be chamfered.例文帳に追加

トレンチゲートのセル領域コーナー部（トレンチゲートの終端部）で直角部が形成される場合には、その直角部を面取りするようにできる限り大きい曲率半径の曲線状のトレンチゲートで連結する。 - 特許庁

A gate electrode 4 is formed on a semiconductor substrate 1 through a gate oxide film 3, and a side wall insulating film 8 is so formed as to cover the side wall of the gate electrode 4 and also to comprise a step at a corner of a substrate surface.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート酸化膜３を介してゲート電極４が形成され、このゲート電極４の側壁部を被覆し、かつ基板表面との角部において段差を有するように側壁絶縁膜８が形成する。 - 特許庁

By forming the width of the active region 14 at the end E in the gate width direction larger than that of a center part in the gate width direction, the field oxide film corner part 19 is moved away from a P-type body layer 4 formed at the end E in the gate width direction to the outside of the end in the gate width direction.例文帳に追加

ゲート幅方向端部Ｅの活性領域１４の幅を、ゲート幅方向中央部より広く形成することによりフィールド酸化膜コーナー部１９を、ゲート幅方向端部Ｅに形成されたＰ型ボディ層４からゲート幅方向端部の外側に遠ざける。 - 特許庁

There are many structures transferred from other castles in Hikone-jo Castle such as tenshu from Otsu-jo Castle, Sawaguchi Tamon-yagura (corridor-style gate acted as a stonehouse and defense post at the entrance to the second enclosure) (not existent) and Taiko-yagura Mon (Drum Tower Gate) from Sawayama-jo Castle, nishi no maru sanju yagura (three-storied tower located at the northwest corner of nishi no maru) from Odani-jo Castle and Taiko-mon Gate (Drum Gate) from Kannonji-jo Castle or not known from where. 例文帳に追加

彦根城の建築物には、大津城からの天守を始め、佐和山城から佐和口多門櫓（非現存）と太鼓櫓門、小谷城から西ノ丸三重櫓、観音寺城からや、どこのものかは不明とされているが太鼓門、等の移築伝承が多くある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As the ohmic electrode (source electrode 14s) closer to the gate electrode 20 of the semiconductor device 1, a rectangular ohmic electrode is employed such that at least one corner on the side opposed to the gate electrode 20 (a corner on the side of a drawing start position for the electron beam) is cut.例文帳に追加

半導体装置１の、ゲート電極２０により近い方のオーミック電極（ソース電極１４ｓ）として、ゲート電極２０と対向する側の少なくとも一方の隅（電子線の描画開始位置側の隅）がカットされた矩形形状のものを採用しておく。 - 特許庁

Further, the corner of the lower side of the gate electrode 22 has a shape which becomes depressed toward the inside along with the outline of the extended insulation region 241.例文帳に追加

また，ゲート電極２２の下側の角部は，拡張絶縁領域２４１の外形に沿って内側に窪む形状となっている。 - 特許庁

Hereby, a lower corner of the floating gate 120 is thermally oxidized to provide a round profile, Thus, a difference between the thickness at an edge of the film and that at the center of the same becomes larger in the gate oxide film 110 than the gate interlayer insulating film pattern 130.例文帳に追加

これによって、浮遊ゲート１２０の下部角が熱酸化されてラウンドされたプロフィールを有し、結果的に、膜のエッジでの厚さと中央での厚さとの差はゲート層間絶縁膜パターン１３０よりゲート酸化膜１１０の方が大きくなる。 - 特許庁

Such erasing method is used as, with a memory gate electrode 11A provided with a corner part 11cn to which an electric field locally concentrates, the electric charge in the memory gate electrode 11A is injected into the charge storage part in a gate insulating film 2a by FN tunnel operation.例文帳に追加

メモリゲート電極１１Ａに、局所的に電界が集中するコーナー部１１ｃｎを設け、メモリゲート電極１１Ａ中の電荷をＦＮトンネル動作によりゲート絶縁膜２ａ中の電荷蓄積部に注入する消去方式を用いる。 - 特許庁

The gate includes a region where the gate dopant is substantially depleted at least in a region where the channel region and the isolating region overlap and the threshold voltage in the channel corner region beneath the depletion region 34 increases as compared with the channel region between corner regions.例文帳に追加

ゲートは、少なくともチャネル領域及び分離領域とオーバラップする領域に、ゲート・ドーパントが実質的に空乏状態にされた領域３４を含み、空乏領域３４の下方のチャネル角部領域のしきい値電圧が、角部領域間のチャネル領域に比較して増加する。 - 特許庁

The radius of curvature r' of the upper corner of the first semiconductor region 61 located outside the gate insulating film 62 is greater than the radius of curvature (r) of the upper corner of the second semiconductor region 61 located under the gate insulating film 62 and is less than or equal to 2r.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６２の外側に位置する部分の第１の半導体領域６１における上部コーナーの曲率半径ｒ’は、ゲート絶縁膜６２の下側に位置する部分の第１の半導体領域６１における上部コーナーの曲率半径ｒよりも大きく且つ２ｒ以下である。 - 特許庁

At the in-corner part of a gate electrode 3c formed in L-shape, a recess 8 is provided oppositely to a rectangular region 2b.例文帳に追加

Ｌ字状に屈曲して構成されたゲート電極３ｃのインコーナ部に、矩形領域２ｂと対向するように配置されたリセス８を設ける。 - 特許庁

To provide a technique for restraining a dielectric breakdown from occurring in an insulating film covering a trench corner so as to raise the breakdown voltage of a trench gate semiconductor device.例文帳に追加

トレンチコーナ部を覆う絶縁膜の箇所での絶縁破壊を生じにくくして、耐圧を向上させるための技術を提供する。 - 特許庁

At the gate 7 of a heat insulating box, decorative frames 6 are mounted on its four sides, while L-shaped corner boards 14 are attached to its corners.例文帳に追加

断熱箱体の出入口７では、その四辺に化粧枠６が装着される一方、隅部にはＬ形のコーナ板１４が取り付けられる。 - 特許庁

A pair of left and right changer grips 28 are formed on the two corner parts 2C, 2D among three corner parts other than a gate way 13 of tape of the single reel tape cartridge 1 so as to penetrate the upper and lower sides of tape cartridge 1.例文帳に追加

１リールタイプのテープカートリッジ１のテープ出入口１３以外の３つのコーナ部のうちの２つのコーナ部２Ｃ、２Ｄに左右一対のチェンジャーグリップ２８をそのテープカートリッジ１の上下に貫通させて形成したもの。 - 特許庁

A side wall of a selection gate electrode 15 is tapered so as to suppress reduction in thickness of a film at a corner part 20 of the charge accumulation film for improvement in charge retention characteristics.例文帳に追加

電荷蓄積膜のコーナー部２０の薄膜化を抑制して電荷保持特性を向上するために、選択ゲート電極１５の側壁にテーパーを設ける。 - 特許庁