「dense to sparse」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Metal layers 22 to 26 in metal layers 21 to 27 on the semiconductor laminated body are set to have a triplex structure of dense structure/sparse structure/dense structure.例文帳に追加

半導体積層体上の金属層２１〜２７のうち、金属層２２〜２６を密構造／疎構造／密構造の三重構造とした。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of reducing sparse and dense micro-loading in a pattern where the dense space width is 20 nm or less.例文帳に追加

本発明は、密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

First, processing by a dither or error diffusion method is applied to the S sparse data, and then, the processed S sparse data is subtracted from the S sparse plus L dense data.例文帳に追加

まず、Ｓ疎データに対してディザ又は誤差拡散法による処理を行い、その後Ｓ疎＋Ｌ密データから処理後のＳ疎データを減算する。 - 特許庁

To prevent variations in the width of a wiring pattern, depending on whether the neighboring wiring patterns are dense or sparse, even though dense or sparse wiring patterns are formed on a semiconductor device surface.例文帳に追加

半導体装置の表面に形成される配線用パターンの引き回しに粗密が生じても、当該粗密により配線用パターンの幅が異なることがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device capable of using an existing rhythm pattern to generate a rhythm pattern that continuously changes from a sparse state to a dense state.例文帳に追加

既存のリズムパターンを用いて「疎」から「密」に連続的に変化するリズムパターンを生成可能な装置を提供すること。 - 特許庁

dense festoons of greenish-grey hairlike flexuous strands anchored to tree trunks and branches by sparse wiry roots 例文帳に追加

散在する針金状の根によって木の幹と枝に付着している、緑がかった灰色の屈曲性のある毛様繊維の密集した花綱 - 日本語WordNet

To provide a photomask which can ensure high dimensional accuracy both in a sparse part and in a dense part.例文帳に追加

疎部及び密部の両方において高精度に寸法保証することができるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which controls line width variations among sparse and dense wiring portions formed in an etching object layer.例文帳に追加

エッチング対象層に形成される疎密配線部間の線幅ばらつきを小さく抑えることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for improving the lithography technology of a semiconductor device 100 comprising a sparse/dense pattern.例文帳に追加

疎密のパターンを備える半導体デバイス１００のリソグラフィー技術を改善する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition having superior resolving power and sufficient size difference between sparse and dense areas and excellent also in PED stability.例文帳に追加

解像力、粗密寸法差が優れ、更にＰＥＤ安定性にも優れた化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

In a step S1, an exposure amount corresponding to the size difference between a sparse pattern and a dense pattern is determined by using first correlation between the exposure amount of pre-acquired exposure light with which an exposure device is irradiated and variations in size of the sparse pattern and dense pattern.例文帳に追加

ステップＳ１では、予め取得された、露光装置で照射する露光光の露光量と疎パターン及び密パターンの各寸法の変化との第１の相関関係を用いて、疎パターンと密パターンとの寸法差に対応した露光量を決定する。 - 特許庁

In the dense structure, adhesion with an adjacent layer is improved, and a remaining thermal stress occurring in the dense structure after thermal compression bonding is transferred to the sparse structure on an inner side for stress relief.例文帳に追加

密構造は隣接する層との密着性を向上させ、加熱圧着後に密構造に生じた残留熱応力はその内側の疎構造に移動して緩和される。 - 特許庁

A plurality of transparent dot-like convex lenses 3 having almost semispheric sections are printed on almost the whole front side of a transparent plate-shaped decorative body 2 constituting the three-dimensional pattern decorative body 1 so that they are arranged in a first pattern A which is brought to a sparse state gradually from the dense region of the decorative body 2 toward the sparse region thereof.例文帳に追加

立体模様装飾体１を構成する透明なプレート状装飾体２の略表面全体に、略半球形状断面を有する透明なドット状の凸レンズ３…を印刷し、該装飾体２の密領域から粗領域に向けて徐々に粗状態となる第１パターンＡに配列する。 - 特許庁

A plurality of dot-like patterns 4 colored desirously are printed on almost the whole back side of the decorative body 2 so that they are arranged in a second pattern B being the same as the first pattern A brought to the sparse state gradually from the dense region of the decorative body 2 toward the sparse region thereof.例文帳に追加

プレート状装飾体２の略裏面全体に、所望の色に着色したドット状の模様４…を印刷し、装飾体２の密領域から粗領域に向けて徐々に粗状態となる第１パターンＡと同一の第２パターンＢに配列する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability, wherein a size difference which varies with a variety of factors and is generated owing to a sparse/dense difference of a mask pattern is securely controlled to be reduced as much as possible, and a pattern of the semiconductor device to be formed is formed with high precision without depending upon the sparse/dense difference.例文帳に追加

様々な要因により変化する、マスクパターンの疎密差に起因して生じる寸法差を確実に制御して当該寸法差を可及的に低減させ、形成される半導体装置のパターンを疎密差に依存することなく高精度に形成することを可能とし、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

Furthermore, the partial restoration areas are regarded as one sparse voxel, the partial restoration area, where the object exists is selected from the partial restoration areas on the basis of the sparse voxel, the inside of an area of the selected partial restoration area is expressed with a dense voxel group, and adaptation of a voxel expression that uses the dense voxel group is performed, to perform three-dimensional restoration calculation (S4002).例文帳に追加

そして、前記部分復元領域を１つの疎なボクセルと見做し、該疎なボクセルに基づいて、前記部分復元領域から前記物体が存在する部分復元領域を選択し、該選択された部分復元領域の領域内を密なボクセル群で表現し、該密なボクセル群を用いたボクセル表現を適応し３次元復元計算を行う（Ｓ４００２）。 - 特許庁

According to the embodiment of a method for manufacturing electronic components, firstly, an object to be processed including a conductive material film on a substrate 1 is processed so as to form a wiring pattern including sparse and dense wires.例文帳に追加

実施形態によれば、電子部品の製造方法は、まず、密の配線と疎の配線とを含む配線パターンとなるように、基板１上の導電性材料膜を含む加工対象を加工する。 - 特許庁

To multiplex a density structure of a catalyst carrier and to specifically design the hull of a carrier pellet in a "sparse" state and the inner structure in a "dense" state.例文帳に追加

触媒担体の密度構造を多重化すること、具体的には担体ペレットの外殻構造を「粗」、内部構造を「密」の状態に設計することの提供。 - 特許庁

To provide a congestion determination system that quickly or detailedly acquires a change in a wide range traffic flow, is insusceptible to running characteristics of an individual vehicle, and can grasp an overall sparse/ dense phenomenon occurring at congestion.例文帳に追加

広範囲における交通流の変化を迅速又は詳細に捉え、個々の車両の走行特性に影響されず、また、渋滞時に発生する粗密現象の全体をも把握することができる渋滞判定システムの提供。 - 特許庁

To form both a dense pattern and a sparse pattern with high accuracy on the same substrate, related to a manufacturing method for a semiconductor device, where a peripheral circuit such as a logic circuit and a DRAM are mixed.例文帳に追加

本発明はロジック回路等の周辺回路とＤＲＡＭとが混載された半導体装置の製造方法に関し、同一基板上に密なパターンと疎なパターンとを共に精度良く形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing electronic components which can form an air gap only in a desired area between wires in a wiring layer mixed with sparse and dense wires due to layer processing including a conductive film.例文帳に追加

導電膜を含む層の加工によって密の配線と疎の配線とが混在して形成された配線層で、所望の配線間の領域にのみ空隙を形成することができる電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first to a third film 111, 112, 113 and a resist layer 114 are formed on a substrate 101, then a pattern having a sparse part R1 and a dense part R2 is formed on the resist layer to etch the third film.例文帳に追加

基板１０１上に、第１から第３の膜１１１，１１２，１１３およびレジスト層１１４を形成した後、疎部Ｒ１と密部Ｒ２が存在するパターンを前記レジスト層に形成して前記第３の膜をエッチングする。 - 特許庁

To provide image correction and pattern inspection similarly effective even for an extremely sparse pattern image to a dense pattern image in a pattern inspection device such as a reticle inspection device.例文帳に追加

レチクル検査装置などのパターン検査装置において、パターン画像が非常に疎な場合であっても、密なパターン画像の場合と同様に効果的な画像補正とパターン検査を提供すること。 - 特許庁

This suppresses partial trailing or production of an undercut part due to the dense or sparse state of the pattern and realizes high accuracy resist patterning without depending on the density of the pattern.例文帳に追加

パターンの疎密による部分的なパターンの裾引きやアンダーカットの発生を抑制し、パターンの疎密にかかわらず精度の高いレジストのパターニングが可能になる。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which has excellent sensitivity and resolution and reduces a dimensional difference between a sparse pattern and a dense pattern, and a manufacturing method of relief pattern and an electronic component using the resist composition.例文帳に追加

感度及び解像力に優れ、且つ疎密パターン寸法差を小さくするネガ型レジスト組成物、並びに、当該レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供する。 - 特許庁

To form a resist pattern having a preferable profile in any resist pattern forming region even when a dense pattern forming region and a sparse pattern forming region are both present on one substrate.例文帳に追加

密なパターン形成領域と疎なパターン形成領域が同一基板上に混在する場合において、いずれのレジストパターン形成領域に対しても、良好な形状のレジストパターンの形成を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a sufficient DOF (depth of focus) margin can be assured in both of dense and sparse regions even in a mixture region of a region where openings are densely formed and a region where openings are sparsely formed.例文帳に追加

開口が密に形成された領域と、疎に形成された領域とが混在する場合に、疎密いずれの領域においても、十分なＤＯＦマージンを確保することができる半導体装置の製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional pattern decorative body which presents three-dimensionally a moire pattern (interference fringes) of gradation having dense and sparse regions.例文帳に追加

密領域及び粗領域を有するグラデーションのモアレ模様（干渉縞）を立体的に現出することができる立体模様装飾体を提供する。 - 特許庁

The stretchable nonwoven fabric has directionality in vertical direction and horizontal direction perpendicular to the vertical direction, a plurality of zonal sparse zones and a plurality of zonal dense zones extending to the vertical direction formed alternately and continuously on both sides and the zonal dense zones on one face and the zonal dense zones on the other face are alternately arranged in cross direction.例文帳に追加

伸縮性不織布は、縦方向と前記縦方向に直交する横方向とを有し、両面に前記縦方向に伸びる複数の帯状疎領域と複数の帯状密領域とが前記横方向に交互に連続して形成されると共に、一の面における前記帯状密領域と他の面における前記帯状密領域とが前記横方向に交互に形成される。 - 特許庁

To provide a method of rapidly cooling a ring-like hot-rolled wire rod which achieves such a slow cooling that each of cooling rate of the dense part and of a sparse part of the ring-like hot-rolled wire rod falls within a prescribed deviation with respect to a prescribed cooling rate of the target and which has adaptability to rapid cooling, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

リング状熱間圧延線材の密部と疎部の各冷却速度が目標とする所定冷却速度に対して所定偏差内に収まるような徐冷が可能であり、かつ、急冷への対応力も有したリング状熱間圧延線材の冷却方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

In this way, when the auger 33 is rotated, the state of the resin conveyed in a channel 39 is changed from a dense state to a sparse state from the upstream side to the downstream side.例文帳に追加

オーガ３３の本体部分において、成形材料の搬送方向における上流側から下流側にかけて径が小さくされるので、前記オーガ３３を回転させたときに、溝３９内を搬送される樹脂は、上流側から下流側にかけて密の状態から疎の状態に変化する。 - 特許庁

By this cooling mat 1, cooling water 17 sprinkled from an upper end part 4 drops in a striped shape or naturally in the sparse part 3 of the mat when flowing down on the cooling mat 1, and the dropped water disperses and spreads to the periphery by increasing a collision chance in the dense part 2.例文帳に追加

クーリングマット１によれば、上端部４から散水された冷却水１７は、クーリングマット１を流れ下るときに、マットの疎部分３では筋状に或いは自然落下し、落下してきた水が密部分２で衝突の機会が増えて分散して周囲に広がる。 - 特許庁

The first pattern A and the second pattern B are displaced or made to intersect at an angle θ at which the moire pattern is presented, and thereby the moire pattern of the gradation wherein a pattern density and a color density are varied between the dense region and the sparse is presented three-dimensionally.例文帳に追加

第１パターンＡと第２パターンＢとをモアレ模様が現出する角度θに変位又は交差して、模様密度及び色の濃度が密領域と粗領域との間で変化するグラデーションのモアレ模様を立体的に現出する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition and a pattern forming method using the same having small line edge roughness even in the formation of a fine pattern, and having a wide defocus latitude even in various patterns such as a sparse or dense pattern, a line or trench pattern, and so forth.例文帳に追加

微細パターンの形成においても、ラインエッジラフネスが小さく、疎又は密パターン、ライン又はトレンチパターンなど種々のパターンにおいてもデフォーカスラチチュードが広いポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive-type resist material, particularly a chemically-amplified, positive-type resist material, having a high resolution, margin of exposure, a small difference between sparse and dense dimensions, and process adaptability, surpassing those of conventional positive-type resist materials, furnishing a good pattern shape on exposure, and showing excellent etching resistance.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度、露光余裕度、小さい疎密寸法差、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which level difference in each region on an interlayer insulating film formed on an interconnect line by polishing can be reduced even if a dense region and a sparse region exist in the interconnect line formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線に密の領域と疎の領域とがあったとしても、研磨によって、配線上に形成された層間絶縁膜上における各領域上の段差を少なくすることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a step S2, etching time corresponding to an etching shift amount for obtaining expected sizes of the sparse pattern and dense pattern using the exposure amount determined by the first correlation is determined using second correlation, pre-obtained, between etching times of the space pattern and dense pattern and the etching shift amount.例文帳に追加

ステップＳ２では、予め取得された、疎パターン及び密パターンにおけるエッチング時間とエッチングシフト量との第２の相関関係を用いて、第１の相関関係により決定された露光量による疎パターン及び密パターンをそれぞれ所期の寸法とするためのエッチングシフト量に対応したエッチング時間を決定する。 - 特許庁